FR2857505A1 - Module a semi conducteur de puissance avec un detecteur pour detecter le courant du circuit principal traversant un element a semiconducteur de puissance - Google Patents

Module a semi conducteur de puissance avec un detecteur pour detecter le courant du circuit principal traversant un element a semiconducteur de puissance Download PDF

Info

Publication number
FR2857505A1
FR2857505A1 FR0406540A FR0406540A FR2857505A1 FR 2857505 A1 FR2857505 A1 FR 2857505A1 FR 0406540 A FR0406540 A FR 0406540A FR 0406540 A FR0406540 A FR 0406540A FR 2857505 A1 FR2857505 A1 FR 2857505A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
circuit
configurations
power semiconductor
current
detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR0406540A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2857505B1 (fr
Inventor
Toru Iwagami
Shinya Shirakawa
Mamoru Seo
Masaki Sakai
Dong Wang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of FR2857505A1 publication Critical patent/FR2857505A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2857505B1 publication Critical patent/FR2857505B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0009—Devices or circuits for detecting current in a converter
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections

Abstract

Un module à semiconducteur de puissance comporte un détecteur (12) pour détecter un courant d'un circuit principal traversant un élément à semiconducteur de puissance. Le détecteur comprend des première et seconde configurations de circuit (14, 15); un fil de connexion (16) connecté aux première et seconde configurations de circuit, respectivement à des premier et second points de connexion (C, D); et une paire de configurations de borne (18, 19) s'étendant à partir du voisinage des premier et second points de connexion (C, D). Le détecteur est conçu pour détecter une différence de potentiel entre la paire de configurations de borne (18, 19) qui est générée par la circulation du courant du circuit principal à travers la première configuration de circuit, le fil de connexion et ensuite la seconde configuration de circuit, afin de détecter une différence de potentiel aux bornes du fil de connexion (16).

Description

MODULE A SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE AVEC UN DETECTEUR
POUR DETECTER LE COURANT DU CIRCUIT PRINCIPAL TRAVERSANT
UN ELEMENT A SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE
La présente invention concerne un module à semiconducteur de puissance, et en particulier un module à semiconducteur de puissance ayant un détecteur pour détecter le courant du circuit principal traversant un élément à semiconducteur de puissance. La présente invention concerne également un système pour déterminer le courant du circuit principal.
On connaît de façon classique un module à semiconducteur de puissance dans lequel un courant d'un circuit principal traversant un élément à semiconducteur de puissance est détecté afin d'éviter une destruction de l'élément à cause d'une surintensité ou d'effectuer une commande par rétroaction d'une charge externe, comme décrit par exemple dans la publication de brevet japonais n 6-112614.
De façon générale, pour détecter le courant du circuit principal traversant un élément à semiconducteur de puissance, une résistance de détection de courant ou résistance shunt est incorporée dans un chemin du courant du circuit principal. En mesurant une chute de tension V géné- rée aux bornes de la résistance shunt, on calcule le courant I du circuit principal par la relation V/R. R est une valeur ohmique de la résistance shunt.
Cependant, le coût et la perte d'énergie associés à la résistance shunt sont élevés. De plus, indépendamment de l'endroit auquel la résistance shunt est placée, c'est-à-dire à l'intérieur ou à l'extérieur du module, la dimension d'une zone d'interconnexion devient plus grande à cause de la résistance shunt. En outre, du fait que le circuit devient complexe, le coût du module est augmenté.
De plus, lorsqu'un élément de commutation rapide tel qu'un transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est utilisé pour un élément à semiconducteur de puissance, il est nécessaire de réduire l'inductance de l'interconnexion du module, par exemple pour protéger l'élément.
Un but de la présente invention est de procurer un module à semiconducteur de puissance dans lequel le courant du circuit principal est détecté sans résistance shunt.
Un autre but de la présente invention est de procurer un module à semiconducteur de puissance dans lequel l'inductance de l'intercon- nexion du module peut être réduite.
Un autre but encore de la présente invention est de procurer un système utilisé pour un module à semiconducteur de puissance qui peut déterminer de façon fiable le courant du circuit principal.
Pour atteindre les buts ci-dessus, un premier aspect de la pré-sente invention consiste en un module à semiconducteur de puissance qui comprend un détecteur pour détecter le courant du circuit principal traversant un élément à semiconducteur de puissance. Le détecteur comprend des première et seconde configurations de circuit; un fil de connexion connecté à des premier et second points de connexion respectivement aux première et seconde configurations de circuit; et une paire de configurations de bornes s'étendant à partir du voisinage des premier et second points de connexion des première et seconde configurations de circuit. Le détecteur est conçu pour détecter une différence de potentiel entre la paire de configurations de bornes qui est générée en faisant circuler le courant du circuit principal à travers la première configuration de circuit, le fil de connexion et ensuite la seconde configuration de circuit, dans le but de détecter une différence de potentiel entre les deux côtés du fil de connexion.
Conformément au premier aspect de l'invention, un courant du circuit principal est détecté au moyen d'un fil de connexion, au lieu d'une résistance shunt. Il en résulte que la perte d'énergie dans le détecteur est plus faible, la taille d'une étendue d'interconnexion est plus petite et le circuit peut être simplifié, ce qui permet de réduire le coût du module.
De préférence, l'une ou l'autre des première et seconde confi- gurations de circuit a une région adjacente au fil de connexion, et qui est de façon générale parallèle à celui-ci, de façon que cette région et le fil de connexion acheminent du courant dans des directions générales op-posées. Ceci réduit l'inductance du fil de connexion et donc l'inductance d'interconnexion du module.
Un second aspect de la présente invention porte sur un système qui détermine un courant de circuit principal traversant un élément à semiconducteur de puissance d'un module à semiconducteur de puissance. Un détecteur est incorporé dans le système. Le détecteur com- prend des première et seconde configurations de circuit; un fil de connexion connecté respectivement à des premier et second points de connexion aux première et seconde configurations de circuit; et une paire de configurations de bornes s'étendant à partir du voisinage des premier et second points de connexion des première et seconde configurations de circuit. Le détecteur est conçu pour détecter une différence de potentiel entre la paire de configurations de bornes qui est générée en faisant circuler un courant de circuit principal à travers la première configuration de circuit, le fil de connexion et ensuite la seconde configuration de circuit, afin de détecter une différence de potentiel entre les bornes du fil de connexion. Le système comprend également un capteur de température pour détecter une température du fil de connexion et un circuit de compensation de température ayant une table indiquant une relation entre la température et une valeur ohmique du fil de connexion. Le circuit de compensation de température détermine une valeur ohmique du fil de connexion sur la base de l'information de température provenant du capteur de température, pour déterminer le courant du circuit principal sur la base de la valeur ohmique et de la différence de potentiel détectée par le détecteur.
Conformément au second aspect de l'invention, du fait que le système utilise une caractéristique de température du fil de connexion à travers lequel on fait circuler le courant du circuit principal, la valeur du courant du circuit principal peut être déterminée avec une grande précision.
Les buts, avantages et caractéristiques de l'invention mention-nés cidessus, ainsi que d'autres, ressortiront de la description suivante de celle-ci, qui est à lire en se référant conjointement aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 est un schéma de circuit d'un premier mode de réalisation du module à semiconducteur de puissance conforme à la pré-sente invention; La figure 2 est une vue en perspective schématique du détecteur de la figure 1; La figure 3 est un schéma de circuit montrant un second mode de réalisation du module à semiconducteur de puissance conforme à la présente invention; La figure 4 est une vue en perspective schématique montrant un détecteur d'un troisième mode de réalisation du module à semiconducteur de puissance conforme à la présente invention; La figure 5 est une vue en perspective schématique montrant un détecteur d'un quatrième mode de réalisation du module à semiconduc- teur de puissance conforme à la présente invention; La figure 6 est une vue en perspective schématique montrant un détecteur d'un cinquième mode de réalisation du module à semiconducteur de puissance conforme à la présente invention; et La figure 7 est une vue en perspective schématique montrant un détecteur d'un sixième mode de réalisation du module à semiconducteur de puissance conforme à la présente invention.
En se référant aux dessins, on décrira ci-après des modes de réalisation préférés de la présente invention. Dans la description, le module à semiconducteur de puissance est appliqué à un dispositif ondu- leur, ce qui ne restreint pas la présente invention.
Premier Mode de Réalisation En se référant à la figure 1, on voit un module à semiconducteur de puissance, qui est un premier mode de réalisation conforme à la présente invention. Le module 2 comprend des éléments de commutation ou IGBT 4u, 4v, 4w, 6u, 6v et 6w connectés en parallèle et en série les uns aux autres, qui constituent un circuit onduleur 3. De façon spécifique, les éléments de commutation 4u, 4v et 4w sont respectivement des éléments de la phase U, de la phase V et de la phase W du bras supérieur, et leurs bornes de collecteur sont connectées à la cathode d'une alimentation à courant continu ou d'un condensateur électrolytique 8. Les éléments de commutation 6u, 6v et 6w sont respectivement des éléments de la phase U, de la phase V et de la phase W du bras inférieur, et leurs bornes d'émetteur sont connectées à l'anode de l'alimentation à courant continu 8. La borne d'émetteur de l'élément de commutation de la phase U, 4u, du bras supérieur, est connectée à la borne de collecteur de l'élément de commutation de la phase U, 6u, du bras inférieur, et à un moteur ou une charge externe 10. La borne d'émetteur de l'élément de commutation de la phase V, 4v, du bras supérieur, est connectée à la borne de collecteur de l'élément de commutation de la phase V, 6v, du bras infé- rieur et au moteur 10. La borne d'émetteur de l'élément de commutation de la phase W, 4w, du bras supérieur, est connectée à la borne de collecteur de l'élément de commutation de la phase W, 6w, du bras inférieur et au moteur 10.
Le circuit onduleur 3 comprend un circuit de stimulation 11 pour appliquer une tension à la borne de porte de chacun des éléments de commutation 4u, 4v, 4w, 6u, 6v et 6w. Le circuit de stimulation 11 a des diodes, non représentées, chacune d'elles étant destinée à stimuler l'IGBT correspondant. Les éléments de commutation 4u, 4v, 4w, 6u, 6v et 6w et le circuit de stimulation 11 peuvent être incorporés dans une puce ou placés dans des puces séparées. Le circuit de stimulation 11 commande les éléments de commutation en un mode de conduction I blocage, de façon qu'un courant alternatif soit appliqué au moteur 10. Par exemple, avec l'élément de commutation de la phase U, 4u, à l'état conducteur, et les éléments de commutation des phases V et W, 4v et 4w, blo- qués dans le bras supérieur, et avec l'élément de commutation de la phase V, 4v, à l'état conducteur et les éléments de commutation des phases U et W, 4u et 4w, bloqués dans le bras inférieur, le courant traverse l'élément de commutation de la phase U, 4u, du bras supérieur, le moteur 10 et ensuite l'élément de commutation de la phase V, 6v, du bras infé- rieur, comme indiqué par la ligne en pointillés sur le dessin.
Le module à semiconducteur de puissance 2 comprend un détecteur 12 pour détecter le courant du circuit principal, c'est-à-dire le courant qui traverse les éléments de commutation et le moteur 10. Dans le mode de réalisation, le détecteur 12 ainsi que le circuit onduleur 3 sont logés dans un boîtier, non représenté, du module à semiconducteur de puissance 2.
En se référant à la figure 2, on note que le détecteur 12 comprend une paire de configurations de circuit 14 et 15. Les configurations 14 et 15 sont connectées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'un fil de connexion 16. Le fil de connexion 16 est un fil fin constitué d'un métal tel que l'aluminium. La configuration de circuit 14 est connectée à la borne d'émetteur (de façon générale, la borne de sortie de courant) de chacun des éléments de commutation 6u, 6v et 6w du bras inférieur, et la configuration de circuit 15 est connectée à l'anode de l'alimentation 8, de fa- çon que le courant du circuit principal passe de la configuration de circuit 14 à la configuration de circuit 15 pendant le fonctionnement du module 2. De façon plus spécifique, le courant du circuit principal qui part de la borne d'émetteur de l'un ou l'autre des éléments de commutation 6u, 6v et 6w du bras inférieur du circuit onduleur 3, entre dans la configuration 14 en passant par un accès d'entrée A de la configuration de circuit 14, atteint un point de connexion C du fil de connexion 16 sur la configuration 14, et traverse ensuite le fil de connexion 16 jusqu'à un point de connexion D sur la configuration de circuit 15. Le courant du circuit principal traverse ensuite la configuration de circuit 15 jusqu'à un accès de sortie B de la configuration 15 et entre dans l'alimentation 8. Pour diffuser effectivement la chaleur qui est générée dans le fil de connexion 16 à cause du courant qui le traverse, les configurations de circuit 14 et 15, qui ont une conductivité thermique élevée, sont de préférence étendues vers une région située sous le fil de connexion, comme représenté sur la figure 2.
Une paire de configurations de bornes 18 et 19 s'étendent respectivement à partir du voisinage des points de connexion C et D de la paire des configurations de circuit 14 et 15. Les configurations de borne 18 et 19 sont connectées à des accès de sortie E et F à une paire de bor- nes de détection de tension, non représentées, avec une impédance élevée. Les bornes de détection de tension s'étendent à partir du boîtier du module. Du fait que les bornes de détection de tension ont une impédance élevée, le courant ne circule pratiquement pas à travers la configuration de borne 18 (s'étendant entre les points C et E) et la configuration de borne 19 (s'étendant entre les points D et F). Par conséquent, une dif- férence de potentiel entre la paire de bornes de détection de tension correspond à une chute de tension entre les points de connexion C et D, c'est-à-dire une différence de potentiel de part et d'autre du fil de connexion 16. De plus, du fait que la différence de potentiel entre la paire de bornes de détection de tension ne contient pas de bruit dû à l'inductance de connexion entre les points A et C de la configuration de circuit 14 et entre les points D et B de la configuration de circuit 15, elle indique de manière exacte la différence de potentiel de part et d'autre du fil de connexion 16.
Dans le mode de réalisation, les éléments de commutation 4u, 4v, 4w, 6u, 6v et 6w sont montés sur un cadre de montage et les configurations de circuit 14 et 15 sont formées comme une partie du cadre de montage. Cependant, les configurations de circuit 14 et 15 peuvent être des configurations constituées par exemple de cuivre formé sur un subs- trat isolant.
En se référant à nouveau à la figure 1, on note qu'un circuit 20 destiné à amplifier un très petit signal de tension détecté par les bornes, pour faciliter l'échantillonnage qui suit, est connecté aux bornes de détection de tension s'étendant à partir du boîtier de module. Le circuit d'amplification de tension 20 est connecté à un circuit 22 incluant une table indiquant une relation entre la valeur ohmique et la température du fil de connexion 16, pour échantillonner une partie du signal de tension amplifié et pour déterminer un courant qui correspond à la valeur d'échantillonnage, sur la base de la caractéristique de température du fil de connexion 16. Le circuit de compensation de température 22 est connecté à un capteur de température 23 pour détecter une température du fil de connexion 16 pendant le fonctionnement. La température est mesurée dans une partie du boîtier qui forme une enveloppe extérieure du module 2, de préférence au voisinage du fil 16, en supposant que la température du boîtier du module 2 soit pratiquement égale à celle du fil de connexion 16. Les inventeurs ont confirmé cette hypothèse. La configuration pour mesurer la température du boîtier est plus simple que celle pour mesurer la température du fil de connexion 16. Le circuit de compensation de température 22 consulte la table et calcule la valeur du cou- rapt du circuit principal traversant le fil de connexion 16, sur la base d'une chute de tension générée de part et d'autre du fil. Le circuit de compensation de température 22 est connecté à un circuit de commande 24 qui émet à partir du circuit 22 un signal de commande dirigé vers le circuit d'attaque 11, basé sur un signal de détection indiquant le courant du circuit principal qui est déterminé. Le circuit de commande 24 peut être par exemple un micro-ordinateur ou un processeur de signal numérique ou DSP (Digital Signal Processor).
Dans le mode de réalisation, un système conforme à la pré-sente invention pour déterminer un courant du circuit principal comprend au moins le détecteur 12, le capteur de température 23 et le circuit de compensation de température 22.
Avec le module à semiconducteur de puissance 2 ayant une telle structure, le circuit de stimulation 11 reçoit un signal de commande provenant du circuit de commande 24, de façon à commander les élé- ments de commutation 4u, 4v, 4w, 6u, 6v et 6w pour actionner le moteur 10. Le détecteur 12 détecte le courant du circuit principal qui traverse les éléments de commutation et le moteur 10. Une différence de potentiel de part et d'autre du fil de connexion 16 est détectée au moyen de la paire de bornes de détection de tension, de façon que le circuit de compensa- tion de température 22 détermine le courant du circuit principal traversant le moteur 10. Le circuit de commande 24 effectue une commande par rétroaction du circuit de stimulation 11, sur la base du courant du circuit principal déterminé par le circuit de compensation de température 22.
Pour faire passer l'un des éléments de commutation à l'état conducteur, le circuit de stimulation 11 applique une tension à la borne de porte de l'élément, de façon qu'une différence de potentiel de la borne de porte par rapport à l'accès de sortie du détecteur 12 (accès de sortie de la configuration de circuit 15), c'est-à-dire par rapport à l'anode de l'alimentation 8, soit générée afin de fixer une tension porte-émetteur (c'est-à-dire une tension de porte) VGE à une valeur égale ou supérieure à un seuil. Du fait que, de façon classique, une résistance shunt était utilisée pour détecter le courant du circuit principal, une chute de tension dans la résistance occasionnait une réduction de la tension de porte, ce qui fait que la tension à l'état conducteur (tension de saturation collec- teur-émetteur VCE(sAT)) était augmentée. Ceci occasionne une perte dans l'élément de commutation.
Au contraire, dans le mode de réalisation, du fait que le fil de connexion 16 est utilisé pour détecter le courant du circuit principal, une chute de tension dans le fil de connexion 16 est faible. Il en résulte que la réduction de la tension de porte est atténuée et la perte de l'élément de commutation est réduite.
En ce qui concerne un module à semiconducteur de puissance qui comprend, en tant qu'élément à semiconducteur de puissance, un élément à trois bornes ayant une borne de porte ou borne de commande de courant (le module n'est pas limité à un dispositif onduleur), un effet mentionné ci-dessus peut également être obtenu lorsque le module comprend un transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur ou MOSFET, ou un thyristor, en tant qu'élément à semiconducteur de puis- sance, au lieu d'un IGBT, et le courant du circuit principal traversant l'élément à semiconducteur de puissance est détecté par le détecteur 12, comme représenté sur la figure 2. Par exemple, dans le cas d'un transistor à effet de champ MOS, la borne de sortie de courant qui est connectée à la première configuration de circuit 14 est une borne de source.
Du fait que le système pour déterminer le courant du circuit principal utilise la dépendance de la valeur ohmique du fil de connexion 16 vis-àvis de la température, le courant du circuit principal peut être déterminé avec une grande exactitude sur la base d'une chute de tension générée de part et d'autre du fil. Par conséquent, le circuit de commande 24 peut commander par rétroaction le circuit de stimulation 11 avec une grande exactitude.
Second Mode de Réalisation En se référant à la figure 3, on décrira ci-après un second mode de réalisation de la présente invention. Dans la description faite ci- dessous, des composants identiques ou similaires à ceux du premier mode de réalisation sont indiqués par des numéros de référence identiques ou comportant des suffixes. Le module à semiconducteur de puissance 2a du mode de réalisation a une fonction consistant à protéger les éléments de commutation lorsqu'une surintensité circule, par exemple à cause d'une charge excessive imposée au moteur 10 ou d'un court-circuit (c'est-à-dire qu'un courant traverse la paire d'éléments de commutation connectés en parallèle l'un à l'autre). De façon spécifique, le circuit d'attaque 11a du circuit onduleur 3a destiné à actionner les éléments de commutation 4u, 4v, 4w, 6u, 6v et 6w est connecté à une paire de bornes de détection de tension non représentées, qui est connectée aux configurations de bornes 18 et 19 (figure 2) du détecteur 12, de manière à ce que le circuit d'attaque reçoive un signal indiquant une différence de potentiel de part et d'autre du fil de connexion 16 (figure 2). Par exemple, si un courant circule à partir de la borne d'émetteur de l'élément de commu- tation de la phase U, 4u, du bras supérieur vers l'élément de commutation de la phase U, 6u, du bras inférieur (c'est-à-dire qu'il y a un court- circuit), comme indiqué par une ligne en pointillés sur la figure 3, et par conséquent une surintensité traverse le fil de connexion 16, une chute de tension générée de part et d'autre du fil est égale ou supérieure à une valeur de référence, ce qui fait que le circuit de stimulation 11 a désactive les éléments de commutation 4u, 4v, 4w, 6u, 6v et 6w.
Dans le mode de réalisation, du fait que le fil de connexion 16 est utilisé pour détecter une surintensité, une étendue d'interconnexion est plus petite en comparaison avec une structure dans laquelle une résistance shunt est utilisée pour détecter une surintensité, ce qui permet de procurer un module moins coûteux et de taille réduite.
Comme dans le premier mode de réalisation, du fait que le fil de connexion 16 est utilisé pour détecter le courant du circuit principal, une chute de tension de part et d'autre du fil de connexion 16 est faible.
Il en résulte que la réduction de la tension de porte est atténuée, et la perte de l'élément de commutation est réduite.
Troisième Mode de Réalisation En se référant à la figure 4, on va maintenant décrire un troisième mode de réalisation de la présente invention. Chacun des modules à semiconducteur de puissance du mode de réalisation présent et des modes de réalisation décrits ultérieurement est similaire au module 2 représenté sur la figure 1, à l'exception du fait que des configurations de circuit du détecteur pour détecter une différence de potentiel de part et d'autre du fil de connexion sont différentes de celles dans le premier mode de réalisation.
Dans le mode de réalisation, comme le détecteur 12 du module à semiconducteur de puissance 2, le détecteur 12b comprend une paire de configurations de circuit 14b et 15b connectées par l'intermédiaire du fil de connexion 16. Une paire de configurations de borne 18b et 19b s'étendent respectivement à partir du voisinage des points de connexion C et D de la paire des configurations de circuit 14b et 15b. La paire de configurations de borne 18b et 19b est connectée à des accès de sortie E et F avec une paire de bornes de détection de tension, non représentées, ayant une impédance élevée. Dans le mode de réalisation, la configuration de circuit 15b est formée de façon qu'une partie de celle-ci (région G) soit adjacente et de façon générale parallèle au fil de connexion 16. Par conséquent, dans le fonctionnement du module, la région G et le fil de connexion 16 acheminent du courant dans des directions qui sont de façon générale opposées. Ceci restreint une génération de bruit résultant de l'inductance de connexion du fil de connexion 16 (et peut donc réduire des composants d'absorption de bruit tels qu'un circuit de filtre), permet-tant ainsi de détecter une très petite chute de tension générée de part et d'autre du fil de connexion 16. De ce fait, conformément au mode de réalisation, il est possible de procurer un module à semiconducteur de puissance dans lequel le courant du circuit principal est détecté sans une résistance shunt, et le bruit est réduit.
Dans l'exemple représenté, une région à travers laquelle le courant du circuit principal passe dans une direction qui est de façon générale opposée à la direction du courant à travers le fil de connexion 16, est for- mée dans la seconde configuration de circuit 15b. Cependant, la première configuration de circuit 14b peut être formée à la place avec une telle région, afin de réduire l'inductance de connexion du fil de connexion 16.
Quatrième Mode de Réalisation En se référant à la figure 5, on va maintenant décrire un qua- trième mode de réalisation du module à semiconducteur de puissance conforme à la présente invention. Dans le mode de réalisation, comme le détecteur 12 du module à semiconducteur de puissance 2, le détecteur 12c comprend une paire de configurations de circuit 14c et 15c connectées l'une à l'autre par l'intermédiaire du fil de connexion 16. Une paire de configurations de borne 18c et 19c s'étend à partir de points H et 1 qui sont situés de manière intérieure par rapport à des points de connexion C et D de la paire des configurations de circuit 14c et 15c, lorsqu'on considère une direction d'extension du fil de connexion 16. La paire de configurations de borne 18c et 19c est connectée à des accès de sortie E et F avec une paire de bornes de détection de tension, non représentées, ayant une impédance élevée. Par conséquent, il ne circule pratiquement pas de courant entre les points C et H et entre les points D et I, ainsi qu'entre les points H et E et entre les points I et F. Dans le mode de réalisation, du fait que les points de départ H et I des configurations de borne 18c et 19c sont placés "intérieurement" par rapport aux points de connexion C et D, un effet de bruit dû à l'inductance de connexion autre que le fil de connexion 16 est éliminé, ce qui permet de détecter une très petite chute de tension générée de part et d'autre du fil de connexion 16.
Bien que les configurations de borne 18c et 19c s'étendent respectivement à partir du même côté des configurations de circuit 14c et 15c, elles peuvent s'étendre à partir de côtés opposés.
De plus, le mode de réalisation présent peut être combiné avec les modes de réalisation envisagés ci-dessus, ou les modes de réalisa- tion décrits ci-dessous.
Cinquième Mode de Réalisation En se référant à la figure 6, on va maintenant décrire un cinquième mode de réalisation du module à semiconducteur de puissance conforme à la présente invention. Dans le mode de réalisation, le détec- teur 12d comprend trois configurations de circuit 30, 32 et 34. Les configurations de circuit 30 et 34 s'étendent en position adjacente et de façon générale parallèle les unes aux autres. La configuration de circuit 32 est opposée à des premières extrémités des configurations de circuit 30 et 34, en ce qui concerne leur direction d'extension. Les configurations de circuit 30 et 32 sont connectées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'un fil de connexion 16A. Une paire de configurations de borne 18d et 19d s'étendent respectivement à partir du voisinage de points de connexion C et D des configurations de circuit 30 et 32. Les configurations de borne 18d et 19d sont connectées à des accès de sortie E et F, avec une paire de bornes de détection de tension, non représentées, ayant une impé- dance élevée. Les configurations de circuit 32 et 34 sont connectées l'une à l'autre par
l'intermédiaire d'un fil de connexion 16B qui est adjacent et de façon générale parallèle au conducteur de connexion 16A. Pendant le fonctionnement du module, un courant du circuit principal traverse les configurations de circuit 30, 32 et ensuite 34. De façon plus spécifique, le courant du circuit principal qui provient du circuit onduleur 3 (voir la figure 1) circule vers la configuration 30 en passant par un accès d'entrée A de la configuration de circuit rectangulaire 30, atteint le point de connexion C du fil de connexion 16A sur la configuration 30, et traverse ensuite le fil de connexion 16A vers le point de connexion D sur la configuration de circuit 32. Le courant du circuit principal traverse ensuite la configuration de circuit 32 et atteint un point de connexion J du fil de connexion 16B sur la configuration 32. Ensuite, le courant du circuit prin- cipal traverse le fil de connexion 16B vers un point de connexion K sur la configuration de circuit 34, et il traverse ensuite la configuration de circuit 34 vers un accès de sortie B et entre dans l'alimentation 8 (voir la figure 1).
Dans le mode de réalisation, pendant le fonctionnement du mo- dule, les fils de connexion 16A et 16B acheminent du courant dans des directions qui sont de façon générale opposées. Ceci restreint une génération de bruit résultant de l'inductance de connexion des fils de connexion 16A et 16B, ce qui permet de détecter une très petite chute de tension qui est générée de part et d'autre du fil de connexion 16A. De ce fait, conformément au mode de réalisation, il est possible de procurer un module à semiconducteur de puissance dans lequel le courant du circuit principal est détecté sans une résistance shunt, et le bruit est réduit.
On notera que, dans l'exemple représenté, la région située entre les points A et C et la région située entre les points K et B achemi- nent du courant dans des directions qui sont de façon générale opposées, ce qui réduit l'inductance de connexion du module.
Sixième Mode de Réalisation En se référant à la figure 7, on va maintenant décrire un sixième mode de réalisation du module à semiconducteur de puissance conforme à la présente invention. Dans le mode de réalisation, le détec- teur 12e comprend une multiplicité (deux dans l'exemple représenté) de fils de connexion 16C et 16D par l'intermédiaire desquels les configurations de circuit 14e et 15e sont connectées l'une à l'autre. Une paire de configurations de borne 18e et 19e s'étendent respectivement à partir du voisinage de points de connexion C et D de la paire de configurations de circuit 14e et 15e. Lorsque la résistance combinée des fils de connexion 16C et 16D est fixée égale à celle d'un seul fil de connexion comme dans les modes de réalisation précédents, du fait que l'aire de surface de chacun des fils de connexion est augmentée, la caractéristique de rayonne- ment du fil de connexion peut être améliorée. Il en résulte que l'augmentation de température du fil de connexion pendant le fonctionnement peut être réduite.
Une sélection appropriée du nombre des fils de connexion, du diamètre et/ou de la longueur du fil de connexion, permet de fixer une valeur ohmique de la résistance de détection de tension à une valeur désirée. Ceci est très utile en pratique, en comparaison avec une structure dans laquelle on utilise une résistance shunt.
On notera que dans les modes de réalisation précédents, il est possible d'utiliser une multiplicité de fils de connexion pour connecter 20 une paire de configurations de circuit.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention.

Claims (8)

REVENDICATIONS
1. Module à semiconducteur de puissance (2; 2a) avec un détecteur (12; 12b; 12c; 12e) pour détecter un courant d'un circuit principal traversant un élément à semiconducteur de puissance, le détecteur corn- prenant: des première et seconde configurations de circuit (14, 15; 14b, 15b; 14c, 15c; 14e, 15e); un fil de connexion (16; 16C; 16D) connecté aux première et seconde configurations de circuit, respectivement à des premier et second points de connexion (C, D); et une paire de configurations de bornes (18, 19; 18b, 19b; 18c, 19c; 18e, 19e) s'étendant à partir du voisinage des premier et second points de connexion des première et seconde configurations de circuit, caractérisé en ce que le détecteur est conçu pour détecter une différence de potentiel entre la paire de configurations de borne qui est générée par la circulation du courant du circuit principal à travers la première configuration de circuit, le fil de connexion et ensuite la seconde configuration de circuit, afin de détecter une différence de potentiel aux bornes du fil de connexion.
2. Module à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'une ou l'autre des première et seconde configurations de circuit (14b, 15b) a une région (G) adjacente et de façon générale parallèle au fil de connexion (16), de façon que ladite région et le fil de connexion acheminent du courant dans des directions qui sont de façon générale opposées.
3. Module à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément à semiconducteur de puissance (4u, 4v, 4w, 6u, 6v, 6w) est un élément à trois bornes ayant une borne de porte en tant que borne de commande de courant, et une borne de sortie de courant de celui-ci est connectée à un accès d'entrée (A) de la première configuration de circuit (14); et en ce qu'une tension est appliquée à la borne de commande de courant de façon qu'une différence de poten- tiel de la borne de commande de courant par rapport à un accès de sortie (B) de la seconde configuration de circuit (15) soit générée pour faire circuler le courant du circuit principal à travers l'élément à semiconducteur de puissance.
4. Module à semiconducteur de puissance selon la revendication 1, caractérisé en ce que les première et seconde configurations de circuit (14e, 15e) sont connectées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'une multiplicité des fils de connexion (16C, 16D).
5. Module à semiconducteur de puissance selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que la paire de configurations de borne (18c, 19c) partent de points (H, I) qui sont placés entre les premier et second points de connexion (C, D) lorsqu'on considère une direction d'extension du fil de connexion (16).
6. Module à semiconducteur de puissance avec un détecteur (12d) pour détecter un courant d'un circuit principal traversant un élément à semiconducteur de puissance, le détecteur comprenant: des première, seconde et troisième configurations de circuit ( 30, 32, 34); un premier fil de connexion (16A) connecté aux première et seconde configurations de circuit, respectivement à des premier et second points de connexion (C, D); un second fil de connexion (16B) connecté aux seconde et troisième configurations de circuit respectivement à des troisième et quatrième points de connexion (J, K); et une paire de configurations de bornes (18d, 19d) s'étendant à partir du voisinage des premier et second points de connexion des première et seconde configurations de circuit, ou à partir du voisinage des troisième et quatrième points de connexion des seconde et troisième configurations de circuit, caractérisé en ce que le détecteur est conçu pour détecter une différence de potentiel entre la paire de configurations de borne qui est générée en faisant circuler le courant du circuit principal à travers la première configuration de circuit, le premier fil de connexion, la seconde configuration de circuit, le second fil de connexion et ensuite la troisième configuration de circuit, afin de détecter une différence de potentiel de part et d'autre du premier fil de connexion ou du second fil de connexion; et en ce que les premier et second fils de connexion s'étendent en position adjacente et de façon générale parallèle l'un à l'autre, de façon que les premier et second fils de connexion acheminent du courant dans des directions qui sont de façon générale opposées.
7. Système pour déterminer un courant d'un circuit principal traversant un élément à semiconducteur de puissance d'un module à se- miconducteur de puissance (2), caractérisé en ce qu'il comprend: un détecteur (12) incluant des première et seconde configurations de circuit (14, 15); un fil de connexion (16) connecté aux première et seconde con- figurations de circuit, respectivement à des premier et second points de connexion (C, D); et une paire de configurations de borne (18, 19) s'éten- dant à partir du voisinage des premier et second points de connexion des première et seconde configurations de circuit, le détecteur étant conçu pour détecter une différence de potentiel entre la paire de configurations de borne qui est générée en faisant circuler le courant du circuit principal à travers la première configuration de circuit, le fil de connexion et en- suite la seconde configuration de circuit, afin de détecter une différence de potentiel de part et d'autre du fil de connexion; un capteur de température (23) pour détecter une température du fil de connexion; et un circuit de compensation de température (22) ayant une table indiquant une relation entre la température et une valeur ohmique du fil de connexion, pour déterminer une valeur ohmique du fil de connexion sur la base de l'information de température provenant du capteur de température, et pour déterminer le courant du circuit principal sur la base de la valeur ohmique et de la différence de potentiel détectée par le détecteur.
8. Système selon la revendication 7, caractérisé en ce que le capteur de température (23) détecte la température d'une partie d'un boîtier qui forme une enveloppe extérieure du module à semiconducteur de puissance (2) .
FR0406540A 2003-07-11 2004-06-16 Module a semi conducteur de puissance avec un detecteur pour detecter le courant du circuit principal traversant un element a semiconducteur de puissance Active FR2857505B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003273300A JP4342232B2 (ja) 2003-07-11 2003-07-11 半導体パワーモジュールおよび該モジュールの主回路電流値を計測する主回路電流計測システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2857505A1 true FR2857505A1 (fr) 2005-01-14
FR2857505B1 FR2857505B1 (fr) 2007-08-10

Family

ID=33549965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0406540A Active FR2857505B1 (fr) 2003-07-11 2004-06-16 Module a semi conducteur de puissance avec un detecteur pour detecter le courant du circuit principal traversant un element a semiconducteur de puissance

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7102376B2 (fr)
JP (1) JP4342232B2 (fr)
KR (1) KR100591205B1 (fr)
CN (1) CN100334705C (fr)
DE (1) DE102004029023B4 (fr)
FR (1) FR2857505B1 (fr)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7340374B2 (en) * 2005-02-25 2008-03-04 International Business Machines Corporation Determining fleet matching problem and root cause issue for measurement system
JP4683472B2 (ja) * 2005-04-18 2011-05-18 ローム株式会社 直流電源装置
JP2011200035A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Aisin Seiki Co Ltd 車両用過電流検出装置
JP4908608B2 (ja) 2010-03-25 2012-04-04 三菱電機株式会社 電気負荷の電流制御装置
JP5287824B2 (ja) * 2010-10-20 2013-09-11 株式会社デンソー モータ
JP5942500B2 (ja) * 2012-03-14 2016-06-29 日立工機株式会社 電動工具
US8816775B2 (en) 2012-09-13 2014-08-26 Freescale Semiconductor, Inc. Quiescent current determination using in-package voltage measurements
CN103777086A (zh) * 2012-10-22 2014-05-07 中国北车集团大同电力机车有限责任公司 功率模块双脉冲试验装置
KR101890752B1 (ko) 2012-11-01 2018-08-22 삼성전자 주식회사 균일한 병렬 스위치 특성을 갖는 파워모듈용 기판 및 이를 포함하는 파워모듈
TWI602985B (zh) * 2012-11-02 2017-10-21 艾克頌美孚上游研究公司 用於在化學計量廢氣再循環氣渦輪系統中之擴散燃燒的系統及方法
US10161312B2 (en) 2012-11-02 2018-12-25 General Electric Company System and method for diffusion combustion with fuel-diluent mixing in a stoichiometric exhaust gas recirculation gas turbine system
KR102034717B1 (ko) * 2013-02-07 2019-10-21 삼성전자주식회사 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈
US9140735B2 (en) * 2013-05-03 2015-09-22 Infineon Technologies Ag Integration of current measurement in wiring structure of an electronic circuit
EP4220708A1 (fr) 2013-11-20 2023-08-02 Rohm Co., Ltd. Dispositif de commutation et circuit électronique
GB2523183B (en) * 2014-02-18 2016-12-07 Ge Aviat Systems Ltd Current-sensing circuit
DE102014105719B4 (de) 2014-04-23 2015-11-26 Ge Energy Power Conversion Gmbh Schaltungsvorrichtung mit einer Thyristorschaltung sowie ein Verfahren zum Prüfen der Thyristorschaltung
DE102014109816B4 (de) * 2014-07-14 2016-11-03 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul und System mit mindestens zwei Leistungshalbleitermodulen
WO2017202349A1 (fr) * 2016-05-27 2017-11-30 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Carte de protection de batterie, batterie et terminale mobile
CN112054706A (zh) * 2020-07-23 2020-12-08 华为技术有限公司 半导体功率模块及其电流检测方法、制造方法与汽车
US20220140826A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-05 Texas Instruments Incorporated Temperature control for power devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4945445A (en) * 1988-09-29 1990-07-31 Gentron Corporation Current sense circuit
JPH06112614A (ja) * 1992-09-28 1994-04-22 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
US5469131A (en) * 1992-08-28 1995-11-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6424035B1 (en) * 1998-11-05 2002-07-23 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor bilateral switch

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4117378A (en) * 1977-03-11 1978-09-26 General Electric Company Reflective coating for external core electrodeless fluorescent lamp
JPS5469768A (en) * 1977-11-14 1979-06-05 Nitto Electric Ind Co Printing circuit substrate with resistance
US4215577A (en) * 1978-08-28 1980-08-05 Purdue Research Foundation Utilization of diodes as wide range responsive thermometers
JP2500773Y2 (ja) * 1989-11-22 1996-06-12 富士電機株式会社 半導体装置
JPH05226568A (ja) * 1991-03-07 1993-09-03 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JP2815035B2 (ja) * 1991-09-03 1998-10-27 富士電機株式会社 半導体装置
US5141334A (en) * 1991-09-24 1992-08-25 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Sub-kelvin resistance thermometer
DE59304797D1 (de) * 1992-08-26 1997-01-30 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
JPH0631304U (ja) * 1992-09-18 1994-04-22 株式会社四国製作所 電流検出装置の温度補正装置
JPH0855892A (ja) * 1994-08-17 1996-02-27 Sumitomo Metal Ind Ltd 配線抵抗測定用半導体装置
JP3695023B2 (ja) * 1996-11-27 2005-09-14 日産自動車株式会社 電気自動車の過負荷防止装置
JPH11121683A (ja) * 1997-10-08 1999-04-30 Nissan Motor Co Ltd 半導体集積回路
US6559631B1 (en) * 1998-04-10 2003-05-06 General Electric Company Temperature compensation for an electronic electricity meter
JP4220094B2 (ja) * 1999-04-05 2009-02-04 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール
DE10101086B4 (de) * 2000-01-12 2007-11-08 International Rectifier Corp., El Segundo Leistungs-Moduleinheit
JP3710673B2 (ja) * 2000-03-17 2005-10-26 三菱電機株式会社 車載用電動機制御装置
JP2003009508A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2003078304A (ja) * 2001-08-30 2003-03-14 Murata Mfg Co Ltd 電子モジュールおよびそれを用いた通信機モジュール
WO2003065454A2 (fr) * 2002-01-29 2003-08-07 Advanced Power Technology, Inc. Module de puissance a grille divisee et procede de suppression d'oscillation dans ce module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4945445A (en) * 1988-09-29 1990-07-31 Gentron Corporation Current sense circuit
US5469131A (en) * 1992-08-28 1995-11-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JPH06112614A (ja) * 1992-09-28 1994-04-22 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
US6424035B1 (en) * 1998-11-05 2002-07-23 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor bilateral switch

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 388 (E - 1581) 20 July 1994 (1994-07-20) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004029023B4 (de) 2006-09-21
DE102004029023A1 (de) 2005-02-10
CN1577785A (zh) 2005-02-09
CN100334705C (zh) 2007-08-29
JP4342232B2 (ja) 2009-10-14
US20050007139A1 (en) 2005-01-13
KR20050009128A (ko) 2005-01-24
KR100591205B1 (ko) 2006-06-19
FR2857505B1 (fr) 2007-08-10
JP2005033965A (ja) 2005-02-03
US7102376B2 (en) 2006-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2857505A1 (fr) Module a semi conducteur de puissance avec un detecteur pour detecter le courant du circuit principal traversant un element a semiconducteur de puissance
FR2877783A1 (fr) Dispositif a semiconducteur de puissance.
FR2721890A1 (fr) Dispositif a circuit electrique de direction assistee
FR2567340A1 (fr) Relais a semi-conducteur protege contre les surcharges de courant
FR2679082A1 (fr) Dispositif de commutation a semiconducteurs pouvant etre commande et comportant un systeme integre de limitation de courant et de coupure pour temperature excessive.
FR2844404A1 (fr) Circuit de commande connecte a des circuits de mise en forme d'impulsions et son procede de fonctionnement
EP3961345A1 (fr) Alimentation de circuit électronique
EP3961344A1 (fr) Alimentation de circuit électronique
EP3070798B1 (fr) Dispositif de protection contre des surtensions
CA1096957A (fr) Detecteur de proximite a deux fils
EP0585024B1 (fr) Circuit détecteur de pression
FR2661574A1 (fr) Circuit de relais a semiconducteurs a seuil de declenchement de surcharge compense en temperature.
EP0176448A2 (fr) Détecteur de faisceau lumineux à photodiode à circuit de réglage du point de fonctionnement
EP0326777A1 (fr) Structure de protection d'un accès à un circuit intégré
FR2572600A1 (fr) Stabilisateur electronique de tension, utilisable en particulier dans l'automobile, avec protection contre les surtensions transitoires de polarite opposee a celle du generateur
FR2635929A1 (fr) Dispositif a semi-conducteur possedant un circuit de protection contre les courts-circuits
FR2530390A1 (fr) Montage darlington de transistors
EP2348528A1 (fr) Structure de protection d'un circuit intégré contre des décharges électrostatiques
EP3799279B1 (fr) Onduleur à source de courant muni d'un circuit de protection
FR2728117A1 (fr) Circuit de commande pour interrupteur electronique et interrupteur en faisant application
EP1408613A1 (fr) Protection d'un interrupteur en alternatif
CA3087843A1 (fr) Dispositif de protection d'un equipement electrique
FR2823383A1 (fr) Onduleur pour l'alimentation de lampe a decharge
FR2476936A1 (fr) Circuit d'amplification
EP3803301A1 (fr) Système de mesure d'une température d'un composant électrique et bras de commutation comportant un tel système

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 12

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 13

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 14

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 15

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 16

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 17

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 18

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 19

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 20