JPH06112513A - 光電変換装置及びその作製方法 - Google Patents
光電変換装置及びその作製方法Info
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- JPH06112513A JPH06112513A JP4257929A JP25792992A JPH06112513A JP H06112513 A JPH06112513 A JP H06112513A JP 4257929 A JP4257929 A JP 4257929A JP 25792992 A JP25792992 A JP 25792992A JP H06112513 A JPH06112513 A JP H06112513A
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- shielding layer
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- photoelectric conversion
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子形状を変えることにより開口率を向上さ
せ、光電流を増加させることが可能な光電変換装置及び
その作製方法を提供する。 【構成】 フォトダイオード１と、このフォトダイオー
ド１に光を導くための採光窓４と、フォトダイオード１
に入射する光を遮る遮光層３とを備え、採光窓４を通じ
て外部から入射してくる光をフォトダイオード１に検出
することにより光電変換を行う光電変換装置において、
採光窓４に面した遮光層３の端面３ａの少なくとも一部
が直線状のテーパー形状を有するように形成した。
せ、光電流を増加させることが可能な光電変換装置及び
その作製方法を提供する。 【構成】 フォトダイオード１と、このフォトダイオー
ド１に光を導くための採光窓４と、フォトダイオード１
に入射する光を遮る遮光層３とを備え、採光窓４を通じ
て外部から入射してくる光をフォトダイオード１に検出
することにより光電変換を行う光電変換装置において、
採光窓４に面した遮光層３の端面３ａの少なくとも一部
が直線状のテーパー形状を有するように形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像情報の高速高感度
な読取りが可能で、高集積化が可能な光電変換装置及び
その作製方法に関する。
な読取りが可能で、高集積化が可能な光電変換装置及び
その作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、画像情報処理技術の進展に伴い、
入力装置としての光電変換装置の重要性が高まってい
る。従来における光電変換装置としては、例えば、ＣＣ
Ｄセンサ、ＭＯＳ型センサ等がある。これらセンサの素
子構造としては、フォトダイオードの上部にマイクロレ
ンズなどを配置した状態で、光電流を増加させ、これに
より高出力を得ようとしている。
入力装置としての光電変換装置の重要性が高まってい
る。従来における光電変換装置としては、例えば、ＣＣ
Ｄセンサ、ＭＯＳ型センサ等がある。これらセンサの素
子構造としては、フォトダイオードの上部にマイクロレ
ンズなどを配置した状態で、光電流を増加させ、これに
より高出力を得ようとしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のような
素子構造では、画素の高密度化を図ろうとして素子構造
の縮小化を行おうとすると、フォトダイオードの面積を
小さくし、これに伴ってマイクロレンズの開口率を減少
させなければならないため、十分な光電流を得ることが
できず、所望とする高出力を得ることができない。
素子構造では、画素の高密度化を図ろうとして素子構造
の縮小化を行おうとすると、フォトダイオードの面積を
小さくし、これに伴ってマイクロレンズの開口率を減少
させなければならないため、十分な光電流を得ることが
できず、所望とする高出力を得ることができない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、フォトダイオードと、このフォトダイオードに光を
導くための採光窓と、前記フォトダイオードに入射する
光を遮る遮光層とを備え、前記採光窓を通じて外部から
入射してくる光を前記フォトダイオードで検出すること
により光電変換を行う光電変換装置において、前記採光
窓に面した前記遮光層の端面の少なくとも一部が直線状
のテーパー形状を有するように形成した。
は、フォトダイオードと、このフォトダイオードに光を
導くための採光窓と、前記フォトダイオードに入射する
光を遮る遮光層とを備え、前記採光窓を通じて外部から
入射してくる光を前記フォトダイオードで検出すること
により光電変換を行う光電変換装置において、前記採光
窓に面した前記遮光層の端面の少なくとも一部が直線状
のテーパー形状を有するように形成した。
【０００５】請求項２記載の発明では、フォトダイオー
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の少なくとも一部が曲線状のテーパー形状を
有するように形成した。
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の少なくとも一部が曲線状のテーパー形状を
有するように形成した。
【０００６】請求項３記載の発明では、フォトダイオー
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の少なくとも一部が、直線状のテーパー形状
及び曲線状のテーパー形状の両方の形状を有するように
形成した。
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の少なくとも一部が、直線状のテーパー形状
及び曲線状のテーパー形状の両方の形状を有するように
形成した。
【０００７】請求項４記載の発明では、フォトダイオー
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面のすべての領域が直線状のテーパー形状でか
つ一定のテーパー角を有するように形成し、前記遮光層
の厚さをｘ0 、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅
をａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオーバーラッ
プ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ1 、前記層
間絶縁膜の屈折率をｎ2 、前記遮光層のテーパー部と前
記層間絶縁膜との境界面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ0（tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（１） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（２） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（３） の（１）〜（３）式を同時に満たすように設定した。
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面のすべての領域が直線状のテーパー形状でか
つ一定のテーパー角を有するように形成し、前記遮光層
の厚さをｘ0 、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅
をａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオーバーラッ
プ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ1 、前記層
間絶縁膜の屈折率をｎ2 、前記遮光層のテーパー部と前
記層間絶縁膜との境界面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ0（tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（１） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（２） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（３） の（１）〜（３）式を同時に満たすように設定した。
【０００８】請求項５記載の発明では、フォトダイオー
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の上部領域が直線状のテーパー形状でかつ一
定のテーパー角を有するように形成し、前記遮光層が直
線状のテーパー形状を有する部分の厚さをｘ1 、層間絶
縁膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記フォトダイ
オードと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、パッシベー
ション膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ
2 、前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境界
面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ1(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（４） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（５） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（６） の（４）〜（６）式を同時に満たすように設定した。
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の上部領域が直線状のテーパー形状でかつ一
定のテーパー角を有するように形成し、前記遮光層が直
線状のテーパー形状を有する部分の厚さをｘ1 、層間絶
縁膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記フォトダイ
オードと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、パッシベー
ション膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ
2 、前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境界
面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ1(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（４） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（５） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（６） の（４）〜（６）式を同時に満たすように設定した。
【０００９】請求項６記載の発明では、フォトダイオー
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の下部領域が直線状のテーパー形状でかつ一
定のテーパー角を有するように形成し、前記遮光層が直
線状のテーパー形状を有する部分の厚さをｘ2 、層間絶
縁膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記フォトダイ
オードと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、パッシベー
ション膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ
2 、前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境界
面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ2(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（７） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（８） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（９） の（７）〜（９）式を同時に満たすように設定した。
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の下部領域が直線状のテーパー形状でかつ一
定のテーパー角を有するように形成し、前記遮光層が直
線状のテーパー形状を有する部分の厚さをｘ2 、層間絶
縁膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記フォトダイ
オードと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、パッシベー
ション膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ
2 、前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境界
面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ2(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（７） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（８） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（９） の（７）〜（９）式を同時に満たすように設定した。
【００１０】請求項７記載の発明では、フォトダイオー
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面がｍ（１，２，３…）個の直線状のテーパー
形状を有するように形成し、前記遮光層のテーパー部と
前記層間絶縁膜との境界面でのなす角をそれぞれθｍ、
前記各テーパー部の上端の遮光層から層間絶縁膜界面ま
での高さをそれぞれＺｍ、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記
採光窓の幅をａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオ
ーバーラップ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ
1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 とすると、 ａ≧Ｚｍ(tan（１８０°−２θｍ）−cotθｍ） …（１０） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ))／ｎ2}〕 …（１１） ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ)＜ｎ2 …（１２） の（１０）〜（１２）式を同時に満たすように設定し
た。
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードで検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面がｍ（１，２，３…）個の直線状のテーパー
形状を有するように形成し、前記遮光層のテーパー部と
前記層間絶縁膜との境界面でのなす角をそれぞれθｍ、
前記各テーパー部の上端の遮光層から層間絶縁膜界面ま
での高さをそれぞれＺｍ、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記
採光窓の幅をａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオ
ーバーラップ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ
1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 とすると、 ａ≧Ｚｍ(tan（１８０°−２θｍ）−cotθｍ） …（１０） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ))／ｎ2}〕 …（１１） ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ)＜ｎ2 …（１２） の（１０）〜（１２）式を同時に満たすように設定し
た。
【００１１】請求項８記載の発明では、ＬＳＩ工程を用
いてフォトダイオードを形成し、このフォトダイオード
間で層間絶縁膜の成膜及びメタル配線の工程を繰り返し
て行い、前記層間絶縁膜の上部に遮光層を成膜し、この
遮光層の上部に垂直形状若しくはテーパー形状に形成さ
れたレジストパターンをマスクし、このレジストパター
ンをかぶせた状態でエッチングを行い前記遮光層の端面
に垂直形状若しくはテーパー形状の採光窓を形成し、こ
の採光窓の形成された前記遮光層の上部にパッシベーシ
ョン膜を成膜した。
いてフォトダイオードを形成し、このフォトダイオード
間で層間絶縁膜の成膜及びメタル配線の工程を繰り返し
て行い、前記層間絶縁膜の上部に遮光層を成膜し、この
遮光層の上部に垂直形状若しくはテーパー形状に形成さ
れたレジストパターンをマスクし、このレジストパター
ンをかぶせた状態でエッチングを行い前記遮光層の端面
に垂直形状若しくはテーパー形状の採光窓を形成し、こ
の採光窓の形成された前記遮光層の上部にパッシベーシ
ョン膜を成膜した。
【００１２】
【作用】本発明においては、直線状や曲線状のテーパー
形状をもつ採光窓を遮光層に形成したので、フォトダイ
オードの面積を広くしなくても１画素当りの開口率を大
きくとることが可能となる。
形状をもつ採光窓を遮光層に形成したので、フォトダイ
オードの面積を広くしなくても１画素当りの開口率を大
きくとることが可能となる。
【００１３】
【実施例】請求項８記載の発明の一実施例である光電変
換装置の作製方法を図１に基づいて説明する。まず、通
常のＬＳＩ工程を用いてフォトダイオード１を形成した
後、ＬＰＣＶＤ法などによる層間絶縁膜２の成膜と、ス
パッタ法などによるメタル配線の工程とを繰り返して行
う。次に、純Ａｌ（アルミニウム）、或いは、Ａｌ−１
％Ｓｉ、或いは、Ａｌ−０．５％Ｃｕ等の材料を用い
て、スパッタ法等により、遮光層３を０．２μｍ〜１０
μｍ（好ましくは、１μｍ〜５μｍ）成膜する。次に、
単層レジスト法、或いは、多層レジスト法を用いて、図
示しないレジストパターンを垂直形状或いはテーパー形
状に形成する。次に、このようなレジストパターンをマ
スクとして遮光層３上に配置させ、ＲＩＥ（リアクティ
ブイオンエッチング）によるドライエッチング法、或い
は、燐酸−硝酸系によるウェットエッチング法、或い
は、両方のエッチング法を交互に用いて遮光性材料をパ
ターンニングする。
換装置の作製方法を図１に基づいて説明する。まず、通
常のＬＳＩ工程を用いてフォトダイオード１を形成した
後、ＬＰＣＶＤ法などによる層間絶縁膜２の成膜と、ス
パッタ法などによるメタル配線の工程とを繰り返して行
う。次に、純Ａｌ（アルミニウム）、或いは、Ａｌ−１
％Ｓｉ、或いは、Ａｌ−０．５％Ｃｕ等の材料を用い
て、スパッタ法等により、遮光層３を０．２μｍ〜１０
μｍ（好ましくは、１μｍ〜５μｍ）成膜する。次に、
単層レジスト法、或いは、多層レジスト法を用いて、図
示しないレジストパターンを垂直形状或いはテーパー形
状に形成する。次に、このようなレジストパターンをマ
スクとして遮光層３上に配置させ、ＲＩＥ（リアクティ
ブイオンエッチング）によるドライエッチング法、或い
は、燐酸−硝酸系によるウェットエッチング法、或い
は、両方のエッチング法を交互に用いて遮光性材料をパ
ターンニングする。
【００１４】この場合、ドライエッチングのガスとして
は、ＣＣｌ4 ガス及びＢＣｌ3 ガスを用い、５〜２０ｓ
ｃｃｍの範囲でガス量を調整し、必要に応じてＨ2 ガス
や、Ａｒガス等のキャリアガスを混入させる。この時の
反応室内の圧力は、０．０１〜０．３Ｔｏｒｒの範囲
で、投入電力は２００〜６００Ｗの範囲でエッチング条
件を変化させ、遮光層３の端面におけるテーパー形状を
制御して、所望とする採光窓４を作成する。次に、この
ようなエッチング工程を行った後に、採光窓４をもつ遮
光層３の上部に、パッシベーション膜５としてシリコン
窒化膜等をプラズマＣＶＤ法を用いて０．５μｍ〜２．
０μｍだけ成膜する。このような一連の工程により光電
変換装置を作製することができる。
は、ＣＣｌ4 ガス及びＢＣｌ3 ガスを用い、５〜２０ｓ
ｃｃｍの範囲でガス量を調整し、必要に応じてＨ2 ガス
や、Ａｒガス等のキャリアガスを混入させる。この時の
反応室内の圧力は、０．０１〜０．３Ｔｏｒｒの範囲
で、投入電力は２００〜６００Ｗの範囲でエッチング条
件を変化させ、遮光層３の端面におけるテーパー形状を
制御して、所望とする採光窓４を作成する。次に、この
ようなエッチング工程を行った後に、採光窓４をもつ遮
光層３の上部に、パッシベーション膜５としてシリコン
窒化膜等をプラズマＣＶＤ法を用いて０．５μｍ〜２．
０μｍだけ成膜する。このような一連の工程により光電
変換装置を作製することができる。
【００１５】上述したように、遮光層３の端面にテーパ
ー形状をもたせ採光窓４を形成したことにより、採光窓
４に直接入射する光線の他に、テーパー部に入射して反
射する光線もその採光窓４を通してフォトダイオード１
に入射させ光電変換させることができるため、採光窓４
のサイズを大きくしなくても、フォトダイオード１で得
られる光電流を大きくとることができ、これにより高出
力を得ることが可能となる。従って、このようなことか
ら、従来のようにフォトダイオード１の面積を広くとら
なくても１画素当りの開口率を大きくすることが可能な
ため画素の高密度化を図り、高集積化した光電変換装置
を得ることができる。
ー形状をもたせ採光窓４を形成したことにより、採光窓
４に直接入射する光線の他に、テーパー部に入射して反
射する光線もその採光窓４を通してフォトダイオード１
に入射させ光電変換させることができるため、採光窓４
のサイズを大きくしなくても、フォトダイオード１で得
られる光電流を大きくとることができ、これにより高出
力を得ることが可能となる。従って、このようなことか
ら、従来のようにフォトダイオード１の面積を広くとら
なくても１画素当りの開口率を大きくすることが可能な
ため画素の高密度化を図り、高集積化した光電変換装置
を得ることができる。
【００１６】次に、請求項１〜３記載の発明の一実施例
を図２〜図４に基づいて説明する。図２は、本装置の光
電変換部（請求項１記載の発明に対応する）の様子を示
すものである。この光電変換部においては、採光窓４に
面した遮光層３の端面３ａの少なくとも一部が、直線状
のテーパー形状を有するように形成したものである。こ
れにより、入射した光６の一部がテーパー部３ａ（端面
３ａの領域と同じ）で反射して採光窓４に入射するた
め、採光窓４の幅を従来と同じく一定としても、採光窓
４より入射する光量を従来よりも多くとることができ
る。
を図２〜図４に基づいて説明する。図２は、本装置の光
電変換部（請求項１記載の発明に対応する）の様子を示
すものである。この光電変換部においては、採光窓４に
面した遮光層３の端面３ａの少なくとも一部が、直線状
のテーパー形状を有するように形成したものである。こ
れにより、入射した光６の一部がテーパー部３ａ（端面
３ａの領域と同じ）で反射して採光窓４に入射するた
め、採光窓４の幅を従来と同じく一定としても、採光窓
４より入射する光量を従来よりも多くとることができ
る。
【００１７】具体例として、採光窓４のサイズを５μｍ
×５μｍ、遮光層３の厚さを１．０μｍ、テーパー角θ
を８５°、８０°、７５°、６５°、６０°とした時の
光量の値を第１表に示す。なお、従来の素子構造（θ＝
９０°）での値を１とする。この第１表から、テーパー
角が大きくなると、光量を増大させることができること
がわかる。
×５μｍ、遮光層３の厚さを１．０μｍ、テーパー角θ
を８５°、８０°、７５°、６５°、６０°とした時の
光量の値を第１表に示す。なお、従来の素子構造（θ＝
９０°）での値を１とする。この第１表から、テーパー
角が大きくなると、光量を増大させることができること
がわかる。
【００１８】
【表１】
【００１９】上述したように、遮光層３の端部に直線状
のテーパー形状をもたせたことにより、入射した光６の
一部がテーパー部３ａで反射して採光窓４に入射するた
め、その採光窓４の幅ａを従来と同じく一定としても、
採光窓４より入射する光量を多くすることができる。
のテーパー形状をもたせたことにより、入射した光６の
一部がテーパー部３ａで反射して採光窓４に入射するた
め、その採光窓４の幅ａを従来と同じく一定としても、
採光窓４より入射する光量を多くすることができる。
【００２０】また、図３は、請求項２記載の発明に係る
光電変換部の様子を示すものであり、採光窓４に面した
遮光層３の端面３ａは、曲線状のテーパー形状をなして
いる。さらに、図４は、請求項３記載の発明に係る光電
変換部の様子を示すものであり、遮光層３の端面３ａ
は、直線状のテーパー形状３ａ0 と曲線状のテーパー形
状３ａ1 との両方を有するような形状に形成されてい
る。従って、このように遮光層３のテーパー部３ａを曲
線状の形状、又は、直線状と曲線状とを組み合わせた形
状とすることにより、前述した直線状の形状の場合とほ
ぼ同様な効果を得ることができる。
光電変換部の様子を示すものであり、採光窓４に面した
遮光層３の端面３ａは、曲線状のテーパー形状をなして
いる。さらに、図４は、請求項３記載の発明に係る光電
変換部の様子を示すものであり、遮光層３の端面３ａ
は、直線状のテーパー形状３ａ0 と曲線状のテーパー形
状３ａ1 との両方を有するような形状に形成されてい
る。従って、このように遮光層３のテーパー部３ａを曲
線状の形状、又は、直線状と曲線状とを組み合わせた形
状とすることにより、前述した直線状の形状の場合とほ
ぼ同様な効果を得ることができる。
【００２１】次に、請求項４記載の発明の一実施例を図
５〜図１０に基づいて説明する。本実施例では、採光窓
４に面した遮光層３の端面３ａのすべての領域を直線状
のテーパー形状で、かつ、一定のテーパー角を有するよ
うに形成し、遮光層３の厚さをｘ0 、層間絶縁膜２の厚
さをｙ、採光窓４の幅をａ、フォトダイオード１と遮光
層３とのオーバーラップ長をｂ、パッシベーション膜５
の屈折率をｎ1 、層間絶縁膜２の屈折率をｎ2 、遮光層
３のテーパー部３ａと層間絶縁膜２との境界面でのなす
角をθとする時、 ａ≧ｘ0（tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（１） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（２） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（３） の（１）〜（３）式を同時に満たすように設定したもの
である。以下、このような条件に設定した理由について
述べる。
５〜図１０に基づいて説明する。本実施例では、採光窓
４に面した遮光層３の端面３ａのすべての領域を直線状
のテーパー形状で、かつ、一定のテーパー角を有するよ
うに形成し、遮光層３の厚さをｘ0 、層間絶縁膜２の厚
さをｙ、採光窓４の幅をａ、フォトダイオード１と遮光
層３とのオーバーラップ長をｂ、パッシベーション膜５
の屈折率をｎ1 、層間絶縁膜２の屈折率をｎ2 、遮光層
３のテーパー部３ａと層間絶縁膜２との境界面でのなす
角をθとする時、 ａ≧ｘ0（tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（１） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（２） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（３） の（１）〜（３）式を同時に満たすように設定したもの
である。以下、このような条件に設定した理由について
述べる。
【００２２】図５において、まず、遮光層３のテーパー
部３ａに入射する光６がそのテーパー部３ａで反射され
た後で採光窓４に入射する条件を求める。今、左側のテ
ーパー部３ａの上端（点Ａ）に入射する光６を考える
と、テーパー部３ａの法線方向に対して入射角θで入射
し、反射角θで反射する。この光６が反対の右側のテー
パー部３ａに入射することなく、採光窓４に入射するた
めには、幾何学的な構造よりテーパー部３ａの幅をｃと
すると、ｃ＝ｘ0・cotθをｘ0・tan(１８０°−２・
θ）≦ａ＋ｃの式に代入することにより、（１）式を求
めることができる。次に、採光窓４の端部（点Ｂ）に入
射角（１８０°−２・θ）で入射した光６が、フォトダ
イオード１に入射する条件を求める。まず、パッシベー
ション膜５と層間絶縁膜２との界面で全反射しないため
の条件として、（３）式の条件が必要であり、屈折角を
ψとすると、ｂ≧ｙ・tanψ の条件を満たせばよいた
め、これにより（２）式を求めることができる。
部３ａに入射する光６がそのテーパー部３ａで反射され
た後で採光窓４に入射する条件を求める。今、左側のテ
ーパー部３ａの上端（点Ａ）に入射する光６を考える
と、テーパー部３ａの法線方向に対して入射角θで入射
し、反射角θで反射する。この光６が反対の右側のテー
パー部３ａに入射することなく、採光窓４に入射するた
めには、幾何学的な構造よりテーパー部３ａの幅をｃと
すると、ｃ＝ｘ0・cotθをｘ0・tan(１８０°−２・
θ）≦ａ＋ｃの式に代入することにより、（１）式を求
めることができる。次に、採光窓４の端部（点Ｂ）に入
射角（１８０°−２・θ）で入射した光６が、フォトダ
イオード１に入射する条件を求める。まず、パッシベー
ション膜５と層間絶縁膜２との界面で全反射しないため
の条件として、（３）式の条件が必要であり、屈折角を
ψとすると、ｂ≧ｙ・tanψ の条件を満たせばよいた
め、これにより（２）式を求めることができる。
【００２３】そこで、次に、具体的な数値例を挙げて説
明する。図５において、ｘ0 ＝１．０μｍ、ｙ＝０．５
μｍ、ａ＝５．０μｍ、ｂ＝１．０μｍ、ｎ1 ＝２．
０、ｎ2 ＝１．５として、θの値を変化させた時のフォ
トダイオード１で得られる光電流値を、従来の素子構造
（θ＝９０°）での値を１とした時の様子を図６に示
す。これにより、テーパー角θを９０°より小さくして
いくと、左右両側のテーパー部３ａに入射する光６をフ
ォトダイオード１に導いて光電変換させることができる
ため、光電流値が増加し、約７０°のところで最大とな
る。θ＜６５°のところでは、パッシベーション膜５と
層間絶縁膜２との界面で全反射してしまうため、値は
１．０に減少してしまう。
明する。図５において、ｘ0 ＝１．０μｍ、ｙ＝０．５
μｍ、ａ＝５．０μｍ、ｂ＝１．０μｍ、ｎ1 ＝２．
０、ｎ2 ＝１．５として、θの値を変化させた時のフォ
トダイオード１で得られる光電流値を、従来の素子構造
（θ＝９０°）での値を１とした時の様子を図６に示
す。これにより、テーパー角θを９０°より小さくして
いくと、左右両側のテーパー部３ａに入射する光６をフ
ォトダイオード１に導いて光電変換させることができる
ため、光電流値が増加し、約７０°のところで最大とな
る。θ＜６５°のところでは、パッシベーション膜５と
層間絶縁膜２との界面で全反射してしまうため、値は
１．０に減少してしまう。
【００２４】また、他の数値例として、図５において、
ｘ0 ＝２．０μｍ、ｙ＝０．５μｍ、ａ＝２．５μｍ、
ｎ1＝ｎ2＝１．５、θ＝６０°として、ｂの値を変化さ
せた時のフォトダイオード１で得られる光電流値を、従
来の素子構造（θ＝９０°）での値を１とした時の様子
を図７に示す。これにより、オーバーラップ長を０．８
μｍ以上とすることにより、テーパー部３ａで反射した
光６を全てフォトダイオード１で検出することができ
る。
ｘ0 ＝２．０μｍ、ｙ＝０．５μｍ、ａ＝２．５μｍ、
ｎ1＝ｎ2＝１．５、θ＝６０°として、ｂの値を変化さ
せた時のフォトダイオード１で得られる光電流値を、従
来の素子構造（θ＝９０°）での値を１とした時の様子
を図７に示す。これにより、オーバーラップ長を０．８
μｍ以上とすることにより、テーパー部３ａで反射した
光６を全てフォトダイオード１で検出することができ
る。
【００２５】次に、他の具体的な構成例について述べ
る。まず、図８は、マイクロレンズなどの縮小光学系を
用いた場合の例を示すものである。図８（ｂ）に示すよ
うに、マイクロレンズ７の各レンズ７ａに入射できない
光８が存在し、これらの光８は遮光板９により反射され
るため開口率を１００％にすることができないが、図８
（ａ）に示すように、マイクロレンズ７の下方にテーパ
ー部３ａをもつ遮光層３を設けることにより、入射でき
なかった光８がテーパー部３ａで反射されて入射できる
ようになり、これにより開口率を１００％にすることが
できる。
る。まず、図８は、マイクロレンズなどの縮小光学系を
用いた場合の例を示すものである。図８（ｂ）に示すよ
うに、マイクロレンズ７の各レンズ７ａに入射できない
光８が存在し、これらの光８は遮光板９により反射され
るため開口率を１００％にすることができないが、図８
（ａ）に示すように、マイクロレンズ７の下方にテーパ
ー部３ａをもつ遮光層３を設けることにより、入射でき
なかった光８がテーパー部３ａで反射されて入射できる
ようになり、これにより開口率を１００％にすることが
できる。
【００２６】また、図９は、平面状に敷き詰めたエリア
センサの構成例を示すものである。この場合、各パラメ
ータは、ｘ0 ＝４．３μｍ、ｙ＝０．２８μｍ、ａ＝
５．０μｍ、ｂ＝０．５μｍ、ｎ1 ＝ｎ2 ＝１．５、θ
＝６０°の条件に設定されている。図９はエリアセンサ
の平面図、図１０は図９のａ−ａ断面図を示すものであ
る。この場合、各パラメータが（１）〜（３）式に示す
条件を満たしているため、テーパ部３ａに入射した光８
は、すべてフォトダイオード１に入射することができ、
しかも、このエリアセンサに入射する光６，８は必ずテ
ーパー部３ａか或いは直接採光窓４に入射するため、開
口率を１００％とすることができる。
センサの構成例を示すものである。この場合、各パラメ
ータは、ｘ0 ＝４．３μｍ、ｙ＝０．２８μｍ、ａ＝
５．０μｍ、ｂ＝０．５μｍ、ｎ1 ＝ｎ2 ＝１．５、θ
＝６０°の条件に設定されている。図９はエリアセンサ
の平面図、図１０は図９のａ−ａ断面図を示すものであ
る。この場合、各パラメータが（１）〜（３）式に示す
条件を満たしているため、テーパ部３ａに入射した光８
は、すべてフォトダイオード１に入射することができ、
しかも、このエリアセンサに入射する光６，８は必ずテ
ーパー部３ａか或いは直接採光窓４に入射するため、開
口率を１００％とすることができる。
【００２７】次に、請求項５記載の発明を図１１及び図
１２に基づいて説明する。本実施例では、採光窓４に面
した遮光層３の端面３ａの上部領域を直線状のテーパー
形状で、かつ、一定のテーパー角を有するように形成
し、遮光層３が直線状のテーパー形状を有する部分の厚
さをｘ1 、層間絶縁膜２の厚さをｙ、採光窓４の幅を
ａ、フォトダイオード１と遮光層３とのオーバーラップ
長をｂ、パッシベーション膜５の屈折率をｎ1 、層間絶
縁膜２の屈折率をｎ2 、遮光層３のテーパー部３ａと層
間絶縁膜２との境界面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ1(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（４） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（５） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（６） の（４）〜（６）式を同時に満たすように設定したもの
である。以下、このような条件に設定した理由について
述べる。
１２に基づいて説明する。本実施例では、採光窓４に面
した遮光層３の端面３ａの上部領域を直線状のテーパー
形状で、かつ、一定のテーパー角を有するように形成
し、遮光層３が直線状のテーパー形状を有する部分の厚
さをｘ1 、層間絶縁膜２の厚さをｙ、採光窓４の幅を
ａ、フォトダイオード１と遮光層３とのオーバーラップ
長をｂ、パッシベーション膜５の屈折率をｎ1 、層間絶
縁膜２の屈折率をｎ2 、遮光層３のテーパー部３ａと層
間絶縁膜２との境界面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ1(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（４） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（５） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（６） の（４）〜（６）式を同時に満たすように設定したもの
である。以下、このような条件に設定した理由について
述べる。
【００２８】遮光層３の上部領域は、厚さｘ1 の直線状
のテーパー部９を有している。左側のテーパー部９の上
端（点Ｃ）に入射した光１０が反対の右側のテーパー部
９の下部に設けられた垂直な断面部１１の上端（点Ｄ）
より下部に入射する時、テーパー部９に入射した光はす
べて採光窓４に入射できるため、上述した（４）〜
（６）式を同時に満たせば、採光窓４のサイズを大きく
しなくても、フォトダイオード１で得られる光電流を増
大させることが可能となる。
のテーパー部９を有している。左側のテーパー部９の上
端（点Ｃ）に入射した光１０が反対の右側のテーパー部
９の下部に設けられた垂直な断面部１１の上端（点Ｄ）
より下部に入射する時、テーパー部９に入射した光はす
べて採光窓４に入射できるため、上述した（４）〜
（６）式を同時に満たせば、採光窓４のサイズを大きく
しなくても、フォトダイオード１で得られる光電流を増
大させることが可能となる。
【００２９】具体的な数値例として、図１１において、
ｙ＝０．５μｍ、ａ＝５．０μｍ、ｂ＝０．５μｍ、ｎ
1＝ｎ2＝１．５、θ＝７０°とし、また、垂直な断面形
状を有する断面部１１の高さを０．５μｍとした時、ｘ
1 の値を変化させた時のフォトダイオード１で得られる
光電流値（ｘ1 ＝０での値を１とする）の変化の様子を
図１２に示す。従って、このようなことから、遮光層３
の上部領域の厚さｘ1の値を大きくすることにより、光
電流を大きくとることができる。
ｙ＝０．５μｍ、ａ＝５．０μｍ、ｂ＝０．５μｍ、ｎ
1＝ｎ2＝１．５、θ＝７０°とし、また、垂直な断面形
状を有する断面部１１の高さを０．５μｍとした時、ｘ
1 の値を変化させた時のフォトダイオード１で得られる
光電流値（ｘ1 ＝０での値を１とする）の変化の様子を
図１２に示す。従って、このようなことから、遮光層３
の上部領域の厚さｘ1の値を大きくすることにより、光
電流を大きくとることができる。
【００３０】次に、請求項６記載の発明の一実施例を図
１３及び図１４に基づいて説明する。本実施例では、採
光窓４に面した遮光層３の端面の下部領域が直線状のテ
ーパー形状で、かつ、一定のテーパー角を有するように
形成し、遮光層３が直線状のテーパー形状を有する部分
の厚さをｘ2 、層間絶縁膜２の厚さをｙ、採光窓４の幅
をａ、フォトダイオード１と遮光層３とのオーバーラッ
プ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ1 、層間絶
縁膜２の屈折率をｎ2 、遮光層３のテーパー部３ａと層
間絶縁膜２との境界面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ2(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（７） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（８） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（９） の（７）〜（９）式を同時に満たすように設定したもの
である。以下、このような条件に設定した理由について
述べる。
１３及び図１４に基づいて説明する。本実施例では、採
光窓４に面した遮光層３の端面の下部領域が直線状のテ
ーパー形状で、かつ、一定のテーパー角を有するように
形成し、遮光層３が直線状のテーパー形状を有する部分
の厚さをｘ2 、層間絶縁膜２の厚さをｙ、採光窓４の幅
をａ、フォトダイオード１と遮光層３とのオーバーラッ
プ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ1 、層間絶
縁膜２の屈折率をｎ2 、遮光層３のテーパー部３ａと層
間絶縁膜２との境界面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ2(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（７） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（８） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（９） の（７）〜（９）式を同時に満たすように設定したもの
である。以下、このような条件に設定した理由について
述べる。
【００３１】遮光層３の端面３ａに設けられた垂直な断
面形状を有する垂直断面部１２は、垂直に入射する光１
３の反射に寄与せず、下部領域に設けられた直線状の形
状を有するテーパー部１４の厚さｘ2 が請求項４記載の
発明のｘ0 と等価であると考えられるため、（７）〜
（９）式を満たす構造であれば、従来のように採光窓４
を大きくしなくても光電流を増大させることができるこ
とになる。
面形状を有する垂直断面部１２は、垂直に入射する光１
３の反射に寄与せず、下部領域に設けられた直線状の形
状を有するテーパー部１４の厚さｘ2 が請求項４記載の
発明のｘ0 と等価であると考えられるため、（７）〜
（９）式を満たす構造であれば、従来のように採光窓４
を大きくしなくても光電流を増大させることができるこ
とになる。
【００３２】また、図１４に示すように、上部にマイク
ロレンズ１５などの縮小光学系を設けた場合には、その
マイクロレンズ１５で屈折して入射する光１６が遮光層
３の上部に設けた垂直断面部１２に入射することによ
り、その下方のテーパー部１４或いは直接採光窓４に入
射させることができるため、光電流の増加を図ることが
できる。
ロレンズ１５などの縮小光学系を設けた場合には、その
マイクロレンズ１５で屈折して入射する光１６が遮光層
３の上部に設けた垂直断面部１２に入射することによ
り、その下方のテーパー部１４或いは直接採光窓４に入
射させることができるため、光電流の増加を図ることが
できる。
【００３３】次に、請求項７記載の発明の一実施例を図
１５に基づいて説明する。本実施例では、採光窓４に面
した遮光層３の端面３ａがｍ（１，２，３…）個の直線
状のテーパー形状を有するように形成し、遮光層３のテ
ーパー部３ａと層間絶縁膜２との境界面でのなす角をそ
れぞれθｍ、各テーパー部３ａの上端の遮光層３から層
間絶縁膜２の界面までの高さをそれぞれＺｍ、層間絶縁
膜２の厚さをｙ、採光窓４の幅をａ、フォトダイオード
１と遮光層３とのオーバーラップ長をｂ、パッシベーシ
ョン膜５の屈折率をｎ1 、層間絶縁膜２の屈折率をｎ2
とすると、 ａ≧Ｚｍ(tan（１８０°−２θｍ）−cotθｍ） …（１０） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ))／ｎ2}〕 …（１１） ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ)＜ｎ2 …（１２） の（１０）〜（１２）式を同時に満たすように設定した
ものである。以下、このような条件に設定した理由につ
いて述べる。
１５に基づいて説明する。本実施例では、採光窓４に面
した遮光層３の端面３ａがｍ（１，２，３…）個の直線
状のテーパー形状を有するように形成し、遮光層３のテ
ーパー部３ａと層間絶縁膜２との境界面でのなす角をそ
れぞれθｍ、各テーパー部３ａの上端の遮光層３から層
間絶縁膜２の界面までの高さをそれぞれＺｍ、層間絶縁
膜２の厚さをｙ、採光窓４の幅をａ、フォトダイオード
１と遮光層３とのオーバーラップ長をｂ、パッシベーシ
ョン膜５の屈折率をｎ1 、層間絶縁膜２の屈折率をｎ2
とすると、 ａ≧Ｚｍ(tan（１８０°−２θｍ）−cotθｍ） …（１０） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ))／ｎ2}〕 …（１１） ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ)＜ｎ2 …（１２） の（１０）〜（１２）式を同時に満たすように設定した
ものである。以下、このような条件に設定した理由につ
いて述べる。
【００３４】遮光層３の端面３ａがｍ個のテーパー部で
形成されている場合、それらｍ個のテーパー部をそれぞ
れ、テーパー部１７1，テーパー部１７2，…，テーパー
部１７m とし、テーパー角をそれぞれθ1，θ2，…，θ
m（θ1＜θ2＜…＜θm）とすると、（１０）〜（１２）
において、ｍ＝１として条件式が成立すればテーパー部
１７1 に入射する光１８1 は、すべてフォトダイオード
１に入射させることができる。また、ｍ＝２として条件
式が成立すればテーパー部１７2 に入射する光１８2
は、すべてフォトダイオード１に入射させることができ
る。以下、同様にして、条件ｍを満たせば、テーパー部
１７m に入射する光１８m2は、すべてフォトダイオード
１に入射させることができる。この場合、θ1 ＜θ2 ＜
…＜θm であれば、テーパー部で反射した光は、他のテ
ーパー部でさえぎられることなく、採光窓４に入射でき
るため、フォトダイオード１で得られる光電流を増大さ
せることができる。また、必ずしもθ1 ＜θ2 ＜…＜θ
m でない場合や、条件ｍ＝１，２，…，ｍを全て満たさ
なくても、テーパー部で反射する光１７1〜１７mを有効
にフォトダイオード１に導けるため、光電流を増加させ
ることができる。
形成されている場合、それらｍ個のテーパー部をそれぞ
れ、テーパー部１７1，テーパー部１７2，…，テーパー
部１７m とし、テーパー角をそれぞれθ1，θ2，…，θ
m（θ1＜θ2＜…＜θm）とすると、（１０）〜（１２）
において、ｍ＝１として条件式が成立すればテーパー部
１７1 に入射する光１８1 は、すべてフォトダイオード
１に入射させることができる。また、ｍ＝２として条件
式が成立すればテーパー部１７2 に入射する光１８2
は、すべてフォトダイオード１に入射させることができ
る。以下、同様にして、条件ｍを満たせば、テーパー部
１７m に入射する光１８m2は、すべてフォトダイオード
１に入射させることができる。この場合、θ1 ＜θ2 ＜
…＜θm であれば、テーパー部で反射した光は、他のテ
ーパー部でさえぎられることなく、採光窓４に入射でき
るため、フォトダイオード１で得られる光電流を増大さ
せることができる。また、必ずしもθ1 ＜θ2 ＜…＜θ
m でない場合や、条件ｍ＝１，２，…，ｍを全て満たさ
なくても、テーパー部で反射する光１７1〜１７mを有効
にフォトダイオード１に導けるため、光電流を増加させ
ることができる。
【００３５】具体例として、ｍ＝２の時、ｚ1 ＝１．０
μｍ、ｚ2 ＝０．５μｍ、θ1 ＝７０°、θ2 ＝８０
°、ａ＝５．０μｍ、ｂ＝０．５μｍ、ｙ＝０．５μ
ｍ、ｎ1＝ｎ2 ＝１．５の場合に得られる光電流値を、
従来の素子構造（θ＝９０°）の場合と比較すると、約
１．２５倍の光電流を得ることができる。
μｍ、ｚ2 ＝０．５μｍ、θ1 ＝７０°、θ2 ＝８０
°、ａ＝５．０μｍ、ｂ＝０．５μｍ、ｙ＝０．５μ
ｍ、ｎ1＝ｎ2 ＝１．５の場合に得られる光電流値を、
従来の素子構造（θ＝９０°）の場合と比較すると、約
１．２５倍の光電流を得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、フォトダイオー
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードに検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の少なくとも一部が、直線状のテーパー形状
を有するように形成したので、１画素当りの開口率を大
きくとった光電変換部を得ることができ、これにより、
光電流を増加させ、高出力を得ることができるものであ
る。
ドと、このフォトダイオードに光を導くための採光窓
と、前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層と
を備え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を
前記フォトダイオードに検出することにより光電変換を
行う光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮
光層の端面の少なくとも一部が、直線状のテーパー形状
を有するように形成したので、１画素当りの開口率を大
きくとった光電変換部を得ることができ、これにより、
光電流を増加させ、高出力を得ることができるものであ
る。
【００３７】請求項２記載の発明は、フォトダイオード
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面の少なくとも一部が、曲線状のテーパー形状を有
するように形成したので、フォトダイオードの面積を広
くしなくても１画素当りの開口率を大きくとることが可
能となり、これにより、光電流を増加させ、高出力を得
ることができるものである。
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面の少なくとも一部が、曲線状のテーパー形状を有
するように形成したので、フォトダイオードの面積を広
くしなくても１画素当りの開口率を大きくとることが可
能となり、これにより、光電流を増加させ、高出力を得
ることができるものである。
【００３８】請求項３記載の発明は、フォトダイオード
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面の少なくとも一部が、直線状のテーパー形状及び
曲線状のテーパー形状の両方の形状を有するように形成
したので、フォトダイオードの面積を広くしなくても１
画素当りの開口率を大きくとることが可能となり、これ
により、光電流を増加させ、高出力を得ることができる
ものである。
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面の少なくとも一部が、直線状のテーパー形状及び
曲線状のテーパー形状の両方の形状を有するように形成
したので、フォトダイオードの面積を広くしなくても１
画素当りの開口率を大きくとることが可能となり、これ
により、光電流を増加させ、高出力を得ることができる
ものである。
【００３９】請求項４記載の発明は、フォトダイオード
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面のすべての領域が直線状のテーパー形状でかつ一
定のテーパー角を有するように形成し、前記遮光層の厚
さをｘ0 、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅を
ａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオーバーラップ
長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ1 、前記層間
絶縁膜の屈折率をｎ2 、前記遮光層のテーパー部と前記
層間絶縁膜との境界面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ0（tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（１） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（２） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（３） の（１）〜（３）式を同時に満たすように設定したの
で、フォトダイオードの面積を広くしなくても１画素当
りの開口率を大きくとることが可能となり、これによ
り、光電流を増加させ、高出力を得ることができるもの
である。
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面のすべての領域が直線状のテーパー形状でかつ一
定のテーパー角を有するように形成し、前記遮光層の厚
さをｘ0 、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅を
ａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオーバーラップ
長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ1 、前記層間
絶縁膜の屈折率をｎ2 、前記遮光層のテーパー部と前記
層間絶縁膜との境界面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ0（tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（１） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（２） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（３） の（１）〜（３）式を同時に満たすように設定したの
で、フォトダイオードの面積を広くしなくても１画素当
りの開口率を大きくとることが可能となり、これによ
り、光電流を増加させ、高出力を得ることができるもの
である。
【００４０】請求項５記載の発明は、フォトダイオード
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面の上部領域が直線状のテーパー形状でかつ一定の
テーパー角を有するように形成し、前記遮光層が直線状
のテーパー形状を有する部分の厚さをｘ1 、層間絶縁膜
の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記フォトダイオー
ドと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、パッシベーショ
ン膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 、
前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境界面で
のなす角をθとする時、 ａ≧ｘ1(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（４） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（５） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（６） の（４）〜（６）式を同時に満たすように設定したの
で、フォトダイオードの面積を広くしなくても１画素当
りの開口率を大きくとることが可能となり、これによ
り、光電流を増加させ、高出力を得ることができるもの
である。
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面の上部領域が直線状のテーパー形状でかつ一定の
テーパー角を有するように形成し、前記遮光層が直線状
のテーパー形状を有する部分の厚さをｘ1 、層間絶縁膜
の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記フォトダイオー
ドと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、パッシベーショ
ン膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 、
前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境界面で
のなす角をθとする時、 ａ≧ｘ1(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（４） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（５） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（６） の（４）〜（６）式を同時に満たすように設定したの
で、フォトダイオードの面積を広くしなくても１画素当
りの開口率を大きくとることが可能となり、これによ
り、光電流を増加させ、高出力を得ることができるもの
である。
【００４１】請求項６記載の発明は、フォトダイオード
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面の下部領域が直線状のテーパー形状でかつ一定の
テーパー角を有するように形成し、前記遮光層が直線状
のテーパー形状を有する部分の厚さをｘ2 、層間絶縁膜
の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記フォトダイオー
ドと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、パッシベーショ
ン膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 、
前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境界面で
のなす角をθとする時、 ａ≧ｘ2(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（７） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（８） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（９） の（７）〜（９）式を同時に満たすように設定したの
で、フォトダイオードの面積を広くしなくても１画素当
りの開口率を大きくとることが可能となり、これによ
り、光電流を増加させ、高出力を得ることができるもの
である。
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面の下部領域が直線状のテーパー形状でかつ一定の
テーパー角を有するように形成し、前記遮光層が直線状
のテーパー形状を有する部分の厚さをｘ2 、層間絶縁膜
の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記フォトダイオー
ドと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、パッシベーショ
ン膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 、
前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境界面で
のなす角をθとする時、 ａ≧ｘ2(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（７） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（８） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（９） の（７）〜（９）式を同時に満たすように設定したの
で、フォトダイオードの面積を広くしなくても１画素当
りの開口率を大きくとることが可能となり、これによ
り、光電流を増加させ、高出力を得ることができるもの
である。
【００４２】請求項７記載の発明は、フォトダイオード
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面がｍ（１，２，３…）個の直線状のテーパー形状
を有するように形成し、前記遮光層のテーパー部と前記
層間絶縁膜との境界面でのなす角をそれぞれθｍ、前記
各テーパー部の上端の遮光層から層間絶縁膜界面までの
高さをそれぞれＺｍ、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記採光
窓の幅をａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオーバ
ーラップ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ1 、
前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 とすると、 ａ≧Ｚｍ(tan（１８０°−２θｍ）−cotθｍ） …（１０） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ))／ｎ2}〕 …（１１） ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ)＜ｎ2 …（１２） の（１０）〜（１２）式を同時に満たすように設定した
ので、フォトダイオードの面積を広くしなくても１画素
当りの開口率を大きくとることが可能となり、これによ
り、光電流を増加させ、高出力を得ることができるもの
である。
と、このフォトダイオードに光を導くための採光窓と、
前記フォトダイオードに入射する光を遮る遮光層とを備
え、前記採光窓を通じて外部から入射してくる光を前記
フォトダイオードに検出することにより光電変換を行う
光電変換装置において、前記採光窓に面した前記遮光層
の端面がｍ（１，２，３…）個の直線状のテーパー形状
を有するように形成し、前記遮光層のテーパー部と前記
層間絶縁膜との境界面でのなす角をそれぞれθｍ、前記
各テーパー部の上端の遮光層から層間絶縁膜界面までの
高さをそれぞれＺｍ、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記採光
窓の幅をａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオーバ
ーラップ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ1 、
前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 とすると、 ａ≧Ｚｍ(tan（１８０°−２θｍ）−cotθｍ） …（１０） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ))／ｎ2}〕 …（１１） ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ)＜ｎ2 …（１２） の（１０）〜（１２）式を同時に満たすように設定した
ので、フォトダイオードの面積を広くしなくても１画素
当りの開口率を大きくとることが可能となり、これによ
り、光電流を増加させ、高出力を得ることができるもの
である。
【００４３】請求項８記載の発明は、ＬＳＩ工程を用い
てフォトダイオードを形成し、このフォトダイオード間
で層間絶縁膜の成膜及びメタル配線の工程を繰り返して
行い、前記層間絶縁膜の上部に遮光層を成膜し、この遮
光層の上部に垂直形状若しくはテーパー形状に形成され
たレジストパターンをマスクし、このレジストパターン
をかぶせた状態でエッチングを行い前記遮光層の端面に
垂直形状若しくはテーパー形状の採光窓を形成し、この
採光窓の形成された前記遮光層の上部にパッシベーショ
ン膜を成膜したので、フォトダイオードの面積を広くし
なくても１画素当りの開口率を大きくとることが可能と
なり、これにより、光電流を増加させ、高出力を得るこ
とができるものである。
てフォトダイオードを形成し、このフォトダイオード間
で層間絶縁膜の成膜及びメタル配線の工程を繰り返して
行い、前記層間絶縁膜の上部に遮光層を成膜し、この遮
光層の上部に垂直形状若しくはテーパー形状に形成され
たレジストパターンをマスクし、このレジストパターン
をかぶせた状態でエッチングを行い前記遮光層の端面に
垂直形状若しくはテーパー形状の採光窓を形成し、この
採光窓の形成された前記遮光層の上部にパッシベーショ
ン膜を成膜したので、フォトダイオードの面積を広くし
なくても１画素当りの開口率を大きくとることが可能と
なり、これにより、光電流を増加させ、高出力を得るこ
とができるものである。
【図１】請求項８記載の発明の一実施例である光電変換
部の様子を示す断面図である。
部の様子を示す断面図である。
【図２】請求項１記載の発明の一実施例である光電変換
部の様子を示す断面図である。
部の様子を示す断面図である。
【図３】請求項２記載の発明の一実施例である光電変換
部の様子を示す断面図である。
部の様子を示す断面図である。
【図４】請求項３記載の発明の一実施例である光電変換
部の様子を示す断面図である。
部の様子を示す断面図である。
【図５】請求項４記載の発明の一実施例である光電変換
部の様子を示す断面図である。
部の様子を示す断面図である。
【図６】テーパー角に対する光電流値の変化の様子を示
す特性図である。
す特性図である。
【図７】オーバーラップ長に対する光電流値の変化の様
子を示す特性図である。
子を示す特性図である。
【図８】マイクロレンズを用いた本発明の光学系と従来
の光学系とを比較して示す側面図である。
の光学系とを比較して示す側面図である。
【図９】エリアセンサの構成を示す平面図である。
【図１０】図９のａ−ａ断面図である。
【図１１】請求項５記載の発明の一実施例である光電変
換部の様子を示す断面図である。
換部の様子を示す断面図である。
【図１２】遮光層の厚さに対する光電流値の変化の様子
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１３】請求項６記載の発明の一実施例である光電変
換部の様子を示す断面図である。
換部の様子を示す断面図である。
【図１４】図１３の構成をマイクロレンズを含む光学系
に応用した場合の様子を示す断面図である。
に応用した場合の様子を示す断面図である。
【図１５】請求項７記載の発明の一実施例である光電変
換部の様子を示す断面図である。
換部の様子を示す断面図である。
１ フォトダイオード ２ 層間絶縁膜 ３ 遮光層 ３ａ 端面 ４ 採光窓 ５ パッシベーション膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/10 8422−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ
Claims (8)
- 【請求項１】 フォトダイオードと、このフォトダイオ
ードに光を導くための採光窓と、前記フォトダイオード
に入射する光を遮る遮光層とを備え、前記採光窓を通じ
て外部から入射してくる光を前記フォトダイオードで検
出することにより光電変換を行う光電変換装置におい
て、前記採光窓に面した前記遮光層の端面の少なくとも
一部が、直線状のテーパー形状を有するように形成した
ことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】 フォトダイオードと、このフォトダイオ
ードに光を導くための採光窓と、前記フォトダイオード
に入射する光を遮る遮光層とを備え、前記採光窓を通じ
て外部から入射してくる光を前記フォトダイオードで検
出することにより光電変換を行う光電変換装置におい
て、前記採光窓に面した前記遮光層の端面の少なくとも
一部が、曲線状のテーパー形状を有するように形成した
ことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項３】 フォトダイオードと、このフォトダイオ
ードに光を導くための採光窓と、前記フォトダイオード
に入射する光を遮る遮光層とを備え、前記採光窓を通じ
て外部から入射してくる光を前記フォトダイオードで検
出することにより光電変換を行う光電変換装置におい
て、前記採光窓に面した前記遮光層の端面の少なくとも
一部が、直線状のテーパー形状及び曲線状のテーパー形
状の両方の形状を有するように形成したことを特徴とす
る光電変換装置。 - 【請求項４】 フォトダイオードと、このフォトダイオ
ードに光を導くための採光窓と、前記フォトダイオード
に入射する光を遮る遮光層とを備え、前記採光窓を通じ
て外部から入射してくる光を前記フォトダイオードで検
出することにより光電変換を行う光電変換装置におい
て、前記採光窓に面した前記遮光層の端面のすべての領
域が直線状のテーパー形状でかつ一定のテーパー角を有
するように形成し、前記遮光層の厚さをｘ0 、層間絶縁
膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記フォトダイオ
ードと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、パッシベーシ
ョン膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ
2 、前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境界
面でのなす角をθとする時、 ａ≧ｘ0（tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（１） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（２） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（３） の（１）〜（３）式を同時に満たすように設定したこと
を特徴とする光電変換装置。 - 【請求項５】 フォトダイオードと、このフォトダイオ
ードに光を導くための採光窓と、前記フォトダイオード
に入射する光を遮る遮光層とを備え、前記採光窓を通じ
て外部から入射してくる光を前記フォトダイオードで検
出することにより光電変換を行う光電変換装置におい
て、前記採光窓に面した前記遮光層の端面の上部領域が
直線状のテーパー形状でかつ一定のテーパー角を有する
ように形成し、前記遮光層が直線状のテーパー形状を有
する部分の厚さをｘ1 、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記採
光窓の幅をａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオー
バーラップ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ
1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 、前記遮光層のテー
パー部と前記層間絶縁膜との境界面でのなす角をθとす
る時、 ａ≧ｘ1(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（４） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（５） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（６） の（４）〜（６）式を同時に満たすように設定したこと
を特徴とする光電変換装置。 - 【請求項６】 フォトダイオードと、このフォトダイオ
ードに光を導くための採光窓と、前記フォトダイオード
に入射する光を遮る遮光層とを備え、前記採光窓を通じ
て外部から入射してくる光を前記フォトダイオードで検
出することにより光電変換を行う光電変換装置におい
て、前記採光窓に面した前記遮光層の端面の下部領域が
直線状のテーパー形状でかつ一定のテーパー角を有する
ように形成し、前記遮光層が直線状のテーパー形状を有
する部分の厚さをｘ2 、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記採
光窓の幅をａ、前記フォトダイオードと遮光層とのオー
バーラップ長をｂ、パッシベーション膜の屈折率をｎ
1 、前記層間絶縁膜の屈折率をｎ2 、前記遮光層のテー
パー部と前記層間絶縁膜との境界面でのなす角をθとす
る時、 ａ≧ｘ2(tan（１８０°−２θ）−cotθ） …（７） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θ))／ｎ2}〕 …（８） ｎ1・sin(１８０°−２・θ)＜ｎ2 …（９） の（７）〜（９）式を同時に満たすように設定したこと
を特徴とする光電変換装置。 - 【請求項７】 フォトダイオードと、このフォトダイオ
ードに光を導くための採光窓と、前記フォトダイオード
に入射する光を遮る遮光層とを備え、前記採光窓を通じ
て外部から入射してくる光を前記フォトダイオードで検
出することにより光電変換を行う光電変換装置におい
て、前記採光窓に面した前記遮光層の端面がｍ（１，
２，３…）個の直線状のテーパー形状を有するように形
成し、前記遮光層のテーパー部と前記層間絶縁膜との境
界面でのなす角をそれぞれθｍ、前記各テーパー部の上
端の遮光層から層間絶縁膜界面までの高さをそれぞれＺ
ｍ、層間絶縁膜の厚さをｙ、前記採光窓の幅をａ、前記
フォトダイオードと遮光層とのオーバーラップ長をｂ、
パッシベーション膜の屈折率をｎ1 、前記層間絶縁膜の
屈折率をｎ2 とすると、 ａ≧Ｚｍ(tan（１８０°−２θｍ）−cotθｍ） …（１０） ｂ≧ｙ・tan〔sin~1{(ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ))／ｎ2}〕 …（１１） ｎ1・sin(１８０°−２・θｍ)＜ｎ2 …（１２） の（１０）〜（１２）式を同時に満たすように設定した
ことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項８】 ＬＳＩ工程を用いてフォトダイオードを
形成し、このフォトダイオード間で層間絶縁膜の成膜及
びメタル配線の工程を繰り返して行い、前記層間絶縁膜
の上部に遮光層を成膜し、この遮光層の上部に垂直形状
若しくはテーパー形状に形成されたレジストパターンを
マスクし、このレジストパターンをかぶせた状態でエッ
チングを行い前記遮光層の端面に垂直形状若しくはテー
パー形状の採光窓を形成し、この採光窓の形成された前
記遮光層の上部にパッシベーション膜を成膜したことを
特徴とする光電変換装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257929A JPH06112513A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 光電変換装置及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257929A JPH06112513A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 光電変換装置及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112513A true JPH06112513A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17313161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4257929A Pending JPH06112513A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 光電変換装置及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112513A (ja) |
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