JPH06112300A - 半導体ウェハｉｄ読取り装置 - Google Patents
半導体ウェハｉｄ読取り装置Info
- Publication number
- JPH06112300A JPH06112300A JP25602292A JP25602292A JPH06112300A JP H06112300 A JPH06112300 A JP H06112300A JP 25602292 A JP25602292 A JP 25602292A JP 25602292 A JP25602292 A JP 25602292A JP H06112300 A JPH06112300 A JP H06112300A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- illumination
- semiconductor wafer
- light
- reading
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い読み取り率を持つ半導体ウェハＩＤの読
み取り装置を提供する。 【構成】 斜光照明を用いた半導体ウェハＩＤ読み取り
装置において、照度均一性向上のため２方向からの斜光
照明１６ａ、１６ｂが設けられている。さらに、照度均
一性を高めるための光源に対する照度フィードバック機
構として、光センサー２１とオートゲインコントローラ
２２が設けられている。また、コントラストの低いウェ
ハに対応するため、角度可変の照明固定アーム１７が設
けられている。これらにより、照明光の照度均一性を向
上し、ウェハＩＤのマークのコントラストを高めること
ができる。
み取り装置を提供する。 【構成】 斜光照明を用いた半導体ウェハＩＤ読み取り
装置において、照度均一性向上のため２方向からの斜光
照明１６ａ、１６ｂが設けられている。さらに、照度均
一性を高めるための光源に対する照度フィードバック機
構として、光センサー２１とオートゲインコントローラ
２２が設けられている。また、コントラストの低いウェ
ハに対応するため、角度可変の照明固定アーム１７が設
けられている。これらにより、照明光の照度均一性を向
上し、ウェハＩＤのマークのコントラストを高めること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハを識別す
るために、通常、レーザーでマーキングされたドットの
集合体で形成されるウェハＩＤを、画像認識技術を用い
て自動で認識する半導体ウェハＩＤ読取り装置に関し、
特に、照明光の均一性の向上、照明最適角度の設置など
による読取り率向上に係わるものである。
るために、通常、レーザーでマーキングされたドットの
集合体で形成されるウェハＩＤを、画像認識技術を用い
て自動で認識する半導体ウェハＩＤ読取り装置に関し、
特に、照明光の均一性の向上、照明最適角度の設置など
による読取り率向上に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体ウェハＩＤ読取り装
置の構成を示す概略図である。図２において、１はカメ
ラで、２はカメラ１で得た画像情報を伝達する同軸ケー
ブルである。３はカメラ１及びランプハウス４を支える
支柱である。ランプハウス４は光源であるハロゲンラン
プの入ったランプハウスである。５は光源の光を照明６
まで伝達する光ファイバーケーブルである。また、照明
６は光ファイバーケーブル５で伝達された光をウェハ面
に直線状にして照射するライン型の照明である。７は半
導体ウェハであり、カメラ１直下にウェハＩＤがくるよ
うにアライメントされている。８は半導体ウェハ２７を
載せるウェハステージである。９はカメラ１から同軸ケ
ーブル２を経て入力されるウェハＩＤの画面情報からウ
ェハＩＤを読み取る読取り装置である。これは斜光照明
を用いて、ウェハＩＤを形成するドットからの散乱光を
画像情報とするものである。これ以外に、落射照明を用
いたものもあるが、反射光を画像情報に使用したもの
は、ウェハ上の膜厚のばらつき、透過膜の光の干渉の影
響を強く受けるので、画像が安定せず、読取り能力が不
十分である。
置の構成を示す概略図である。図２において、１はカメ
ラで、２はカメラ１で得た画像情報を伝達する同軸ケー
ブルである。３はカメラ１及びランプハウス４を支える
支柱である。ランプハウス４は光源であるハロゲンラン
プの入ったランプハウスである。５は光源の光を照明６
まで伝達する光ファイバーケーブルである。また、照明
６は光ファイバーケーブル５で伝達された光をウェハ面
に直線状にして照射するライン型の照明である。７は半
導体ウェハであり、カメラ１直下にウェハＩＤがくるよ
うにアライメントされている。８は半導体ウェハ２７を
載せるウェハステージである。９はカメラ１から同軸ケ
ーブル２を経て入力されるウェハＩＤの画面情報からウ
ェハＩＤを読み取る読取り装置である。これは斜光照明
を用いて、ウェハＩＤを形成するドットからの散乱光を
画像情報とするものである。これ以外に、落射照明を用
いたものもあるが、反射光を画像情報に使用したもの
は、ウェハ上の膜厚のばらつき、透過膜の光の干渉の影
響を強く受けるので、画像が安定せず、読取り能力が不
十分である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の半導体ウ
ェハＩＤ読取り装置では、ウェハＩＤの照明光に近い部
分で照射光が強く、それにともない散乱光強度も強くな
る。一方、遠い部分では照射光が弱くなり、散乱光強度
も弱くなる。このような照明光の照度の面内不均一は、
ウェハＩＤの画像のコントラストを部分的に低下させる
ので、読取り処理過程でドット情報を欠落させて文字認
識を誤る可能性が高くなる。
ェハＩＤ読取り装置では、ウェハＩＤの照明光に近い部
分で照射光が強く、それにともない散乱光強度も強くな
る。一方、遠い部分では照射光が弱くなり、散乱光強度
も弱くなる。このような照明光の照度の面内不均一は、
ウェハＩＤの画像のコントラストを部分的に低下させる
ので、読取り処理過程でドット情報を欠落させて文字認
識を誤る可能性が高くなる。
【０００４】また、アルミニウム（Ａｌ）膜のようなグ
レイン状で高反射率の膜が形成されたものを測定する場
合、グレインでの散乱光が強くて、ウェハＩＤを形成し
ようとするドットの散乱光の強度がみかけ上少なくなっ
てしまい、所望の処理ができない。このようなものは、
照明光の照射角度に敏感で、角度設定を最適化すれば読
み取ることができる。
レイン状で高反射率の膜が形成されたものを測定する場
合、グレインでの散乱光が強くて、ウェハＩＤを形成し
ようとするドットの散乱光の強度がみかけ上少なくなっ
てしまい、所望の処理ができない。このようなものは、
照明光の照射角度に敏感で、角度設定を最適化すれば読
み取ることができる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の半導体ウェハＩＤ読取り装置は、ウェハ
を同時に２方向から照らす２つの照明が等距離かつ等角
度で設置されており、前記ウェハに形成されたウェハＩ
Ｄの上部に設置されたカメラと、前記カメラが前記２つ
の照明によって照らされた画像情報を取り込み、前記画
像情報を処理して前記ウェハＩＤの読取りを行なう読取
り装置とを備えている。
めに、本発明の半導体ウェハＩＤ読取り装置は、ウェハ
を同時に２方向から照らす２つの照明が等距離かつ等角
度で設置されており、前記ウェハに形成されたウェハＩ
Ｄの上部に設置されたカメラと、前記カメラが前記２つ
の照明によって照らされた画像情報を取り込み、前記画
像情報を処理して前記ウェハＩＤの読取りを行なう読取
り装置とを備えている。
【０００６】また、ウェハを同時に２方向から照らす２
つの照明が等距離かつ等距離かつ等角度で設置されてお
り、前記ウェハに形成されたウェハＩＤの上部に設置さ
れたカメラと、前記カメラが前記２つの照明によって照
らされた画像情報を取り込み、前記画像情報を処理して
前記ウェハＩＤの読取りを行なう読取り装置とを備え、
前記照明の照度を測定する複数個の光センサーが前記ウ
ェハの下部に取り付けられ、前記複数個の光センサーで
検出された信号強度差をなくすように光量のフィードバ
ックを行なうオートゲインコントローラとを設けてあ
る。
つの照明が等距離かつ等距離かつ等角度で設置されてお
り、前記ウェハに形成されたウェハＩＤの上部に設置さ
れたカメラと、前記カメラが前記２つの照明によって照
らされた画像情報を取り込み、前記画像情報を処理して
前記ウェハＩＤの読取りを行なう読取り装置とを備え、
前記照明の照度を測定する複数個の光センサーが前記ウ
ェハの下部に取り付けられ、前記複数個の光センサーで
検出された信号強度差をなくすように光量のフィードバ
ックを行なうオートゲインコントローラとを設けてあ
る。
【０００７】
【作用】上記本発明の構成では、２方向から等距離かつ
等角度で照明できるので、従来の片側からの照明に比
べ、ウェハ上の照度を均一にすることができる。
等角度で照明できるので、従来の片側からの照明に比
べ、ウェハ上の照度を均一にすることができる。
【０００８】また、光センサーとオートゲインコントロ
ーラにより、光源にたいする光量のフィードバックが可
能となり、より照度を均一性にすることができる。
ーラにより、光源にたいする光量のフィードバックが可
能となり、より照度を均一性にすることができる。
【０００９】さらに、ウェハＩＤのマークコントラスト
が読取りをするのに不十分な場合、角度可変の照明固定
アームにより照明角度を変更することができ、コントラ
ストの高い最適な照明角度に設定することができる。
が読取りをするのに不十分な場合、角度可変の照明固定
アームにより照明角度を変更することができ、コントラ
ストの高い最適な照明角度に設定することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例の半導体ウェハＩ
Ｄ読取り装置の構成を示す概略図である。図１におい
て、１１はカメラで、１２は同軸ケーブルである。１３
はカメラ１１及び照明１６ａ、１６ｂを支える支柱であ
る。１４ａ、１４ｂは光源であるハロゲンランプの入っ
たランプハウスであり、１５ａ、１５ｂは光源の光を照
明まで伝達する光ファイバーケーブルであり、１６ａ、
１６ｂは光ファイバーケーブル１５ａ、１５ｂで伝達さ
れた光をウェハ面に直線状にして照射するライン型の照
明である。１７は照明１６ａ、１６ｂをウェハＩＤに等
距離から等角度で照明できるように固定し、かつ、照射
角度を自在に変更できる角度可変の照明固定アームであ
る。１８は半導体ウェハで、１９は半導体ウェハ８を載
せるウェハステージである。２０はカメラ１から同軸ケ
ーブル１２を経て入力されるウェハＩＤの画面情報から
ウェハＩＤを読み取る読取り装置である。２１は左右に
分割した光センサーであり、２２はオートゲインコント
ローラである。
Ｄ読取り装置の構成を示す概略図である。図１におい
て、１１はカメラで、１２は同軸ケーブルである。１３
はカメラ１１及び照明１６ａ、１６ｂを支える支柱であ
る。１４ａ、１４ｂは光源であるハロゲンランプの入っ
たランプハウスであり、１５ａ、１５ｂは光源の光を照
明まで伝達する光ファイバーケーブルであり、１６ａ、
１６ｂは光ファイバーケーブル１５ａ、１５ｂで伝達さ
れた光をウェハ面に直線状にして照射するライン型の照
明である。１７は照明１６ａ、１６ｂをウェハＩＤに等
距離から等角度で照明できるように固定し、かつ、照射
角度を自在に変更できる角度可変の照明固定アームであ
る。１８は半導体ウェハで、１９は半導体ウェハ８を載
せるウェハステージである。２０はカメラ１から同軸ケ
ーブル１２を経て入力されるウェハＩＤの画面情報から
ウェハＩＤを読み取る読取り装置である。２１は左右に
分割した光センサーであり、２２はオートゲインコント
ローラである。
【００１２】次に、本実施例の半導体ウェハＩＤ読取り
装置における読取り動作を説明する。
装置における読取り動作を説明する。
【００１３】まず、半導体ウェハ１８をウェハステージ
１９に載せる前に、ランプハウス１４ａ、ｂから光ファ
イバーケーブル１５ａ、ｂを経てライン型の照明１６
ａ、ｂから照射される光を光センサー２１で受光する。
光センサー２１は左右に分割してあり、各々がオートゲ
インコントローラ２２の入力信号となる。オートゲイン
コントローラ２２は左右の信号強度に差がある場合、差
をなくすようにランプハウス１４ａ、ｂにフィードバッ
クをかける。光センサー２１の左右の信号に差がなくな
った時点で装置のイニシャライズが終了する。
１９に載せる前に、ランプハウス１４ａ、ｂから光ファ
イバーケーブル１５ａ、ｂを経てライン型の照明１６
ａ、ｂから照射される光を光センサー２１で受光する。
光センサー２１は左右に分割してあり、各々がオートゲ
インコントローラ２２の入力信号となる。オートゲイン
コントローラ２２は左右の信号強度に差がある場合、差
をなくすようにランプハウス１４ａ、ｂにフィードバッ
クをかける。光センサー２１の左右の信号に差がなくな
った時点で装置のイニシャライズが終了する。
【００１４】つぎに、半導体ウェハ１８を、別置きまた
はウェハステージ１９に付属のプリアライナでアライメ
ントして、ウェハＩＤがカメラ直下に位置するようにウ
ェハステージ１９に設置する。ライン型の照明１４ａ、
ｂから照射される光が、半導体ウェハ１８のウェハＩＤ
により散乱され、カメラ１１に入射する。その画面情報
を同軸ケーブル１２が読取り装置２０に伝え、ウェハＩ
Ｄの読取りを行なう。
はウェハステージ１９に付属のプリアライナでアライメ
ントして、ウェハＩＤがカメラ直下に位置するようにウ
ェハステージ１９に設置する。ライン型の照明１４ａ、
ｂから照射される光が、半導体ウェハ１８のウェハＩＤ
により散乱され、カメラ１１に入射する。その画面情報
を同軸ケーブル１２が読取り装置２０に伝え、ウェハＩ
Ｄの読取りを行なう。
【００１５】また、Ａｌなどグレインがあり反射率の高
いウェハでは、画面情報のコントラストが不十分となる
ため、読取り装置から角度可変の照明固定アーム１７へ
角度変更を促し、最高のコントラストが得られる角度に
設定する。
いウェハでは、画面情報のコントラストが不十分となる
ため、読取り装置から角度可変の照明固定アーム１７へ
角度変更を促し、最高のコントラストが得られる角度に
設定する。
【００１６】このように、本発明の実施例の半導体ウェ
ハＩＤ読取り装置によれば、２つの照明１４ａ、ｂを等
距離から等角度に設置して光を照射し、光センサー２１
で受光した光の照度を等しくするようにオートゲインコ
ントローラ２２によりフィードバックをかけることによ
り、照明光の面内照度均一性を高めることができる。さ
らに、コントラストの不十分なウェハについて、角度可
変の照明固定アーム１７を用いて、最高のコントラスト
の得られる角度に変更することで読取り能力を向上でき
る。
ハＩＤ読取り装置によれば、２つの照明１４ａ、ｂを等
距離から等角度に設置して光を照射し、光センサー２１
で受光した光の照度を等しくするようにオートゲインコ
ントローラ２２によりフィードバックをかけることによ
り、照明光の面内照度均一性を高めることができる。さ
らに、コントラストの不十分なウェハについて、角度可
変の照明固定アーム１７を用いて、最高のコントラスト
の得られる角度に変更することで読取り能力を向上でき
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明では、２方向から等距離かつ等角
度で照明できるので、従来の片側からの照明に比べ、ウ
ェハ上の照度を均一にできる。
度で照明できるので、従来の片側からの照明に比べ、ウ
ェハ上の照度を均一にできる。
【図１】本発明の一実施例の半導体ウェハＩＤ読取り装
置の概略図
置の概略図
【図２】従来の半導体ウェハＩＤ読取り装置の概略図
１１ カメラ １２ 同軸ケーブル １３ 支柱 １４ａ、１４ｂ ランプハウス １５ａ、１５ｂ 光ファイバーケーブル １６ａ、１６ｂ ライン型の照明 １７ 角度可変の照明固定アーム １８ 半導体ウェハ １９ ウェハステージ ２０ 読取り装置 ２１ 光センサー ２２ オートゲインコントローラ
Claims (2)
- 【請求項１】ウェハを同時に２方向から照らす２つの照
明が等距離かつ等角度で設置されており、前記ウェハに
形成されたウェハＩＤの上部に設置されたカメラと、前
記カメラが前記２つの照明によって照らされた画像情報
を取り込み、前記画像情報を処理して前記ウェハＩＤの
読取りを行なう読取り装置とを備えていることを特徴と
する半導体ウェハＩＤ読取り装置。 - 【請求項２】ウェハを同時に２方向から照らす２つの照
明が等距離かつ等角度で設置されており、前記ウェハに
形成されたウェハＩＤの上部に設置されたカメラと、前
記カメラが前記２つの照明によって照らされた画像情報
を取り込み、前記画像情報を処理して前記ウェハＩＤの
読取りを行なう読取り装置とを備え、前記照明の照度を
測定する複数個の光センサーが前記ウェハの下部に取り
付けられ、前記複数個の光センサーで検出された信号強
度差をなくすように光量のフィードバックを行なうオー
トゲインコントローラとを設けたことを特徴とする半導
体ウェハＩＤ読取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25602292A JPH06112300A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体ウェハｉｄ読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25602292A JPH06112300A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体ウェハｉｄ読取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112300A true JPH06112300A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17286832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25602292A Pending JPH06112300A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 半導体ウェハｉｄ読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112300A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6866200B2 (en) | 2001-10-08 | 2005-03-15 | Infineon Technologies Sg300 Gmbh & Co. Kg | Semiconductor device identification apparatus |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP25602292A patent/JPH06112300A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6866200B2 (en) | 2001-10-08 | 2005-03-15 | Infineon Technologies Sg300 Gmbh & Co. Kg | Semiconductor device identification apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5469294A (en) | Illumination system for OCR of indicia on a substrate | |
| EP0873551B1 (en) | Illumination system for ocr of indicia on a substrate | |
| JPH11312898A (ja) | 電子部品実装装置 | |
| TWI773032B (zh) | 一種拱形照明裝置、具有其之成像系統及成像方法 | |
| JP2012159457A (ja) | 積分球装置及び光測定方法 | |
| JP2007279047A (ja) | 光学検査システム | |
| JP2005091049A (ja) | 画像処理用光照射装置及び画像処理用光照射方法 | |
| JPH06112300A (ja) | 半導体ウェハｉｄ読取り装置 | |
| US20070153084A1 (en) | Semiconductor wafer reader and illumination system | |
| JP2003059329A (ja) | 照明装置 | |
| JP3360429B2 (ja) | 外観検査用照明装置 | |
| JPH0545142A (ja) | 表面状態検査方法 | |
| JP3394800B2 (ja) | ガラス壜の内部欠陥検査装置およびその検査方法 | |
| JP2757890B2 (ja) | 光学的検査における光量調整装置 | |
| US4857752A (en) | Parts recognition method and apparatus therefor | |
| JP2000099625A (ja) | 文字認識装置 | |
| CN110132999B (zh) | 一种检测fpd基板的成像系统及方法 | |
| JP2001005908A (ja) | コード読み取り装置 | |
| JP2003004649A (ja) | ガラス容器検査装置 | |
| JP2001340978A (ja) | セラミック部材刻印方法および装置ならびにセラミック部材刻印読取方法および装置 | |
| JP4230210B2 (ja) | 光学式読取装置 | |
| CN1940582A (zh) | 用于检查半导体元件上的标记的方法和设备 | |
| KR19990002849A (ko) | 웨이퍼 인식마크 판독장치의 일루미네이터 | |
| JP2808856B2 (ja) | 基板の観察装置 | |
| JPH02155106A (ja) | 照明装置 |