JPH06111722A - 冷陰極パルス放射装置 - Google Patents
冷陰極パルス放射装置Info
- Publication number
- JPH06111722A JPH06111722A JP25930492A JP25930492A JPH06111722A JP H06111722 A JPH06111722 A JP H06111722A JP 25930492 A JP25930492 A JP 25930492A JP 25930492 A JP25930492 A JP 25930492A JP H06111722 A JPH06111722 A JP H06111722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- cold cathode
- thin film
- anode
- cathode pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 冷陰極パルス放射装置において、動作電圧を
低減し瞬時放出電子電流を増大させる。 【構成】 互いに対向する陽極１および陰極２と、陽極
１と陰極２の間に空間配位されたトリガ板５と、陰極２
を一方の電極としキャパシタ板４を他方の電極として誘
電体薄膜３を挟んだ誘電体薄膜キャパシタとを有する。
この構成によって、分極電荷に束縛された電荷に加えて
容量結合した電荷をも放出電子に供することができるの
で、放出電流密度が高くかつ動作電圧の低い冷陰極パル
ス放射装置を実現できる。
低減し瞬時放出電子電流を増大させる。 【構成】 互いに対向する陽極１および陰極２と、陽極
１と陰極２の間に空間配位されたトリガ板５と、陰極２
を一方の電極としキャパシタ板４を他方の電極として誘
電体薄膜３を挟んだ誘電体薄膜キャパシタとを有する。
この構成によって、分極電荷に束縛された電荷に加えて
容量結合した電荷をも放出電子に供することができるの
で、放出電流密度が高くかつ動作電圧の低い冷陰極パル
ス放射装置を実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に微細加工技術を用
いて固体中に形成される微細な真空管等の電子放出部と
して利用する冷陰極パルス放射装置に関する。
いて固体中に形成される微細な真空管等の電子放出部と
して利用する冷陰極パルス放射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体素子中の電子の速度は光速の１／１
０００程度までに限られ、素子動作に限界がある。また
固体素子は放射線や温度変化に弱いという欠点を持って
いる。近年、固体素子の持つこれらの欠点を克服するた
めに微細加工技術を用いて微小な真空管を作る試みが活
発になされている。
０００程度までに限られ、素子動作に限界がある。また
固体素子は放射線や温度変化に弱いという欠点を持って
いる。近年、固体素子の持つこれらの欠点を克服するた
めに微細加工技術を用いて微小な真空管を作る試みが活
発になされている。
【０００３】これらの微小真空管にはさまざまな形の冷
陰極が用いられているが、その中でも針状電極は1000 A
/cm2以上の高い放出電子密度を容易に得られるので広く
研究されている。また半導体中のなだれ降伏や、絶縁膜
またはショットキー障壁のトンネル効果を利用した平面
陰極構造も研究されている。さらには、強誘電体の分極
を瞬時に反転させることにより強誘電体表面に束縛され
た電子をパルス的に放出させ、1 A/cm2 以上の電流密度
を得ている（例えば、H. Gundlら、Appl. Phys. Lett.,
Vol.54, pp.2071, 1989 参照）。
陰極が用いられているが、その中でも針状電極は1000 A
/cm2以上の高い放出電子密度を容易に得られるので広く
研究されている。また半導体中のなだれ降伏や、絶縁膜
またはショットキー障壁のトンネル効果を利用した平面
陰極構造も研究されている。さらには、強誘電体の分極
を瞬時に反転させることにより強誘電体表面に束縛され
た電子をパルス的に放出させ、1 A/cm2 以上の電流密度
を得ている（例えば、H. Gundlら、Appl. Phys. Lett.,
Vol.54, pp.2071, 1989 参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の針
状電極では尖端が微細なため吸着ガスや形状変化などの
影響により放出電流の安定性が悪くなるという課題を有
しており、またなだれ降伏やトンネル効果を利用した平
面構造陰極では電子放出に高電界を要するので動作電圧
が高くなるという課題を有していた。さらに、これらの
冷陰極を用いた微小真空管の多くは直流的に動作するの
で空間電荷制限効果によって放出電子電流が飽和すると
いう課題を有していた。
状電極では尖端が微細なため吸着ガスや形状変化などの
影響により放出電流の安定性が悪くなるという課題を有
しており、またなだれ降伏やトンネル効果を利用した平
面構造陰極では電子放出に高電界を要するので動作電圧
が高くなるという課題を有していた。さらに、これらの
冷陰極を用いた微小真空管の多くは直流的に動作するの
で空間電荷制限効果によって放出電子電流が飽和すると
いう課題を有していた。
【０００５】しかしながら、瞬時電流のピーク値だけを
問題にするのであれば、電荷の存在しない空間に電子を
パルス的に放出させることによって空間電荷制限効果を
回避できる。例えば強誘電体の分極反転を利用した電子
放出はその一例であるが、ここで放出される電子は高々
強誘電体の分極電荷と結合した電荷量のみなので高い放
出電子電流密度は望めない。
問題にするのであれば、電荷の存在しない空間に電子を
パルス的に放出させることによって空間電荷制限効果を
回避できる。例えば強誘電体の分極反転を利用した電子
放出はその一例であるが、ここで放出される電子は高々
強誘電体の分極電荷と結合した電荷量のみなので高い放
出電子電流密度は望めない。
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、空間電荷制限効果のない高い放出電子電流密度と低
い動作電圧を特徴とする冷陰極パルス放射装置を提供す
ることを目的とする。
で、空間電荷制限効果のない高い放出電子電流密度と低
い動作電圧を特徴とする冷陰極パルス放射装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の冷陰極パルス放射装置は、互いに対向する陽
極と陰極、陽極と陰極との間に空間配位されたトリガ板
および誘電体薄膜キャパシタとを備え、誘電体薄膜キャ
パシタは誘電体薄膜を陰極とキャパシタ板で挟んだもの
である構成を有している。
に本発明の冷陰極パルス放射装置は、互いに対向する陽
極と陰極、陽極と陰極との間に空間配位されたトリガ板
および誘電体薄膜キャパシタとを備え、誘電体薄膜キャ
パシタは誘電体薄膜を陰極とキャパシタ板で挟んだもの
である構成を有している。
【０００８】
【作用】この構成によって、分極電荷に束縛された電荷
に加えて容量結合した電荷をも放出電子に供することが
できるので、放出電流密度が高くかつ動作電圧の低い冷
陰極パルス放射装置を実現できる。
に加えて容量結合した電荷をも放出電子に供することが
できるので、放出電流密度が高くかつ動作電圧の低い冷
陰極パルス放射装置を実現できる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の第１の実施例におけ
る冷陰極パルス放射装置の断面構成図である。図１にお
いて、１は金属板からなる陽極、２は厚さ１００ｎｍの
金属薄膜からなる陰極、３は誘電体薄膜、４はキャパシ
タ板である。誘電体薄膜３は陰極２とキャパシタ板４と
で挟まれて誘電体薄膜キャパシタを構成しているが、そ
の厚さは２００ｎｍ程度であり、比誘電率が１００以上
の例えばＢａ0.3Ｓｒ0.7（ＴｉＯ3）などが用いられ
る。５はトリガ板、６は第１の絶縁層、７は第２の絶縁
層である。陽極１と陰極２とは５００ｎｍ隔てられ、そ
れらの間に第１の絶縁層６および第２の絶縁層７によっ
て支持された金属からなるトリガ板５が配位されてい
る。このトリガ板５には陰極２から陽極１へ放出される
電子を通過させる多数の孔がメッシュ状に開けられてお
り、それらの孔に沿って陰極２と陽極１との間に多数の
真空開口８が設けられている。またキャパシタ板４は厚
さ１００ｎｍの金属薄膜からなり、後述の支持基板１５
の上に形成されている。図１には本実施例の冷陰極パル
ス放射装置を動作させるための回路を同時に示している
が、９はトリガスイッチ、１０はトリガ電極、１１はバ
イアス電源、１２は充電抵抗、１３は可変充電源、１４
は負荷、１５は高濃度のＰ型半導体からなる支持基板で
ある。まず充電抵抗１２を介して陰極２に電子が充電さ
れる。トリガスイッチ９が動作してトリガ板５に正の電
圧パルスが印加され、陰極２からの電子放出を開始させ
る。放出電子はバイアス電源１１により陽極１へ向けて
加速される。
しながら説明する。図１は本発明の第１の実施例におけ
る冷陰極パルス放射装置の断面構成図である。図１にお
いて、１は金属板からなる陽極、２は厚さ１００ｎｍの
金属薄膜からなる陰極、３は誘電体薄膜、４はキャパシ
タ板である。誘電体薄膜３は陰極２とキャパシタ板４と
で挟まれて誘電体薄膜キャパシタを構成しているが、そ
の厚さは２００ｎｍ程度であり、比誘電率が１００以上
の例えばＢａ0.3Ｓｒ0.7（ＴｉＯ3）などが用いられ
る。５はトリガ板、６は第１の絶縁層、７は第２の絶縁
層である。陽極１と陰極２とは５００ｎｍ隔てられ、そ
れらの間に第１の絶縁層６および第２の絶縁層７によっ
て支持された金属からなるトリガ板５が配位されてい
る。このトリガ板５には陰極２から陽極１へ放出される
電子を通過させる多数の孔がメッシュ状に開けられてお
り、それらの孔に沿って陰極２と陽極１との間に多数の
真空開口８が設けられている。またキャパシタ板４は厚
さ１００ｎｍの金属薄膜からなり、後述の支持基板１５
の上に形成されている。図１には本実施例の冷陰極パル
ス放射装置を動作させるための回路を同時に示している
が、９はトリガスイッチ、１０はトリガ電極、１１はバ
イアス電源、１２は充電抵抗、１３は可変充電源、１４
は負荷、１５は高濃度のＰ型半導体からなる支持基板で
ある。まず充電抵抗１２を介して陰極２に電子が充電さ
れる。トリガスイッチ９が動作してトリガ板５に正の電
圧パルスが印加され、陰極２からの電子放出を開始させ
る。放出電子はバイアス電源１１により陽極１へ向けて
加速される。
【００１０】以下、簡便のために装置駆動のための外部
回路および誘電体薄膜を省略し、各電極を略記して本発
明の冷陰極パルス放射装置の第１の実施例における冷陰
極パルス放射装置の動作を説明する。
回路および誘電体薄膜を省略し、各電極を略記して本発
明の冷陰極パルス放射装置の第１の実施例における冷陰
極パルス放射装置の動作を説明する。
【００１１】図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施
例における冷陰極パルス放射装置の充電状態を説明する
図である。まず図２（ａ）に示すように、陽極１とキャ
パシタ板４の間に正のバイアスをかける。このとき、陽
極１とキャパシタ板４との間において絶対値が等しく符
号が反対の電荷ｑb +とｑb -とが容量結合する。ここで、
陰極２に充電抵抗を介して負の電荷Ｑc -を充電する。こ
のとき、キャパシタ板４には絶対値がＱc -と等しい正の
容量結合電荷Ｑc +が誘起される。このように陰極２に負
電荷が充電されている状態での冷陰極パルス放射装置の
電荷分布を図２（ｂ）に、電界分布を図２（ｃ）に、電
位分布を図２（ｄ）に示す。図２（ｄ）において、陰極
２とキャパシタ板４の間の電位勾配は急峻であるが、陰
極２とキャパシタ板４の間にはバンドギャップの広い誘
電体薄膜３が配位されているので陰極２に充電された負
の電荷すなわち電子はキャパシタ板４へ向かうことはで
きない。また陰極２から陽極１へ向かう電位勾配は比較
的緩いので、陰極２に充電された電子は陰極材料の仕事
関数を越えて陽極１に向け放出されることはない。
例における冷陰極パルス放射装置の充電状態を説明する
図である。まず図２（ａ）に示すように、陽極１とキャ
パシタ板４の間に正のバイアスをかける。このとき、陽
極１とキャパシタ板４との間において絶対値が等しく符
号が反対の電荷ｑb +とｑb -とが容量結合する。ここで、
陰極２に充電抵抗を介して負の電荷Ｑc -を充電する。こ
のとき、キャパシタ板４には絶対値がＱc -と等しい正の
容量結合電荷Ｑc +が誘起される。このように陰極２に負
電荷が充電されている状態での冷陰極パルス放射装置の
電荷分布を図２（ｂ）に、電界分布を図２（ｃ）に、電
位分布を図２（ｄ）に示す。図２（ｄ）において、陰極
２とキャパシタ板４の間の電位勾配は急峻であるが、陰
極２とキャパシタ板４の間にはバンドギャップの広い誘
電体薄膜３が配位されているので陰極２に充電された負
の電荷すなわち電子はキャパシタ板４へ向かうことはで
きない。また陰極２から陽極１へ向かう電位勾配は比較
的緩いので、陰極２に充電された電子は陰極材料の仕事
関数を越えて陽極１に向け放出されることはない。
【００１２】図３（ａ）〜（ｄ）はは本発明の第１の実
施例における冷陰極パルス放射装置のトリガ状態を説明
する図である。図３（ａ）はトリガ板５に持続時間の短
い正電圧をかけた瞬間の状態を示す。ここでトリガ板５
とキャパシタ板４との間においては絶対値が等しく符号
が反対の電荷ｑt +とｑt -とが容量結合する。またトリガ
板５への正電圧の印加はトリガスイッチ（図示せず）に
よって瞬時におこなわれるので、陰極２に充電されてい
る電荷Ｑc -は充電抵抗（図示せず）によって阻止され陰
極２に帯電したままとなる。この状態における電荷分布
を図３（ｂ）に、電位分布を図３（ｃ）に、電位分布を
図３（ｄ）に示す。この状態における陰極２の近傍の電
位分布は図３（ｄ）に示すように、陽極１に向かってそ
の勾配が急峻になる。
施例における冷陰極パルス放射装置のトリガ状態を説明
する図である。図３（ａ）はトリガ板５に持続時間の短
い正電圧をかけた瞬間の状態を示す。ここでトリガ板５
とキャパシタ板４との間においては絶対値が等しく符号
が反対の電荷ｑt +とｑt -とが容量結合する。またトリガ
板５への正電圧の印加はトリガスイッチ（図示せず）に
よって瞬時におこなわれるので、陰極２に充電されてい
る電荷Ｑc -は充電抵抗（図示せず）によって阻止され陰
極２に帯電したままとなる。この状態における電荷分布
を図３（ｂ）に、電位分布を図３（ｃ）に、電位分布を
図３（ｄ）に示す。この状態における陰極２の近傍の電
位分布は図３（ｄ）に示すように、陽極１に向かってそ
の勾配が急峻になる。
【００１３】このように急峻な電位勾配のもとでは、ト
ンネル効果により陰極２から真空へ電子を放出すること
が可能である。この様子を図４（ａ）、（ｂ）を用いて
説明する。図４（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例
における冷陰極パルス放射装置の陰極近傍のエネルギー
準位を説明する図である。図４（ａ）において、２は陰
極、３は誘電体薄膜、８は電子が放出される真空開口で
ある。ここで図３（ｄ）の状態における陰極２の近傍の
エネルギー準位を模式的に図４（ｂ）に示す。図４
（ｂ）において、３１はフェルミ準位であり陰極２の中
では水平、誘電体薄膜３の中では誘電体薄膜３の伝導帯
準位３４と平行な傾きを有する。３２は真空準位で、陰
極２のフェルミ準位３１と真空準位３２の差が陰極２の
仕事関数φm となる。図３（ｄ）に示すように、陰極２
とトリガ板（図示せず）との間の真空電位３３の傾きは
急峻なので陰極２から真空開口８に向かう真空電位３３
によって形成されるポテンシャル障壁の厚さはトンネル
現象が起こり得るほど薄くなる。その結果、陰極２に帯
電した電子はある確率を持ってパルス状に真空中に放出
される。放出された電子群はバイアス電圧によって加速
され、高速で陽極１に到達する。以上のようにして陰極
２に帯電した電子は陽極１へ輸送されることとなる。
ンネル効果により陰極２から真空へ電子を放出すること
が可能である。この様子を図４（ａ）、（ｂ）を用いて
説明する。図４（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例
における冷陰極パルス放射装置の陰極近傍のエネルギー
準位を説明する図である。図４（ａ）において、２は陰
極、３は誘電体薄膜、８は電子が放出される真空開口で
ある。ここで図３（ｄ）の状態における陰極２の近傍の
エネルギー準位を模式的に図４（ｂ）に示す。図４
（ｂ）において、３１はフェルミ準位であり陰極２の中
では水平、誘電体薄膜３の中では誘電体薄膜３の伝導帯
準位３４と平行な傾きを有する。３２は真空準位で、陰
極２のフェルミ準位３１と真空準位３２の差が陰極２の
仕事関数φm となる。図３（ｄ）に示すように、陰極２
とトリガ板（図示せず）との間の真空電位３３の傾きは
急峻なので陰極２から真空開口８に向かう真空電位３３
によって形成されるポテンシャル障壁の厚さはトンネル
現象が起こり得るほど薄くなる。その結果、陰極２に帯
電した電子はある確率を持ってパルス状に真空中に放出
される。放出された電子群はバイアス電圧によって加速
され、高速で陽極１に到達する。以上のようにして陰極
２に帯電した電子は陽極１へ輸送されることとなる。
【００１４】なお本実施例では誘電体薄膜３として常誘
電体を用いたが、これを強誘電体に替えることにより容
量結合電荷Ｑc -のほかに分極電荷に束縛される電荷Ｑp -
が加わるのでより多くの電子を陰極２に帯電させること
ができる。さらに、トリガ電圧によって陰極２にかかる
電界強度を強誘電体の分極反転に必要な電界強度より大
きくすることにより、誘電体薄膜キャパシタの分極反転
を起こすことができ、陰極２には分極電荷から解放され
た余剰の電子が加わることとなる。その結果、真空電位
３３の傾きをさら強くできるので、トンネル効果による
陰極２からの電子放出確率をさらに向上できる。また本
実施例においては、陰極材料として金属を用いたが、高
不純物濃度の半導体を用いても同様の効果が得られるこ
とはいうまでもない。
電体を用いたが、これを強誘電体に替えることにより容
量結合電荷Ｑc -のほかに分極電荷に束縛される電荷Ｑp -
が加わるのでより多くの電子を陰極２に帯電させること
ができる。さらに、トリガ電圧によって陰極２にかかる
電界強度を強誘電体の分極反転に必要な電界強度より大
きくすることにより、誘電体薄膜キャパシタの分極反転
を起こすことができ、陰極２には分極電荷から解放され
た余剰の電子が加わることとなる。その結果、真空電位
３３の傾きをさら強くできるので、トンネル効果による
陰極２からの電子放出確率をさらに向上できる。また本
実施例においては、陰極材料として金属を用いたが、高
不純物濃度の半導体を用いても同様の効果が得られるこ
とはいうまでもない。
【００１５】次に本発明の第２の実施例について、図面
を参照しながら説明する。図５は本発明の第２の実施例
における冷陰極パルス放射装置の断面構成図である。図
５に示す冷陰極パルス放射装置はその構造において図１
に示す第１の実施例と基本的に同じであるが、陽極１の
構造は透明なガラス基板４２の一表面上にＩＴＯなどか
らなる膜厚２００ｎｍの導電性の透明電極４１を形成し
たものであり、また陰極２の電子放出面には酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）やセシウム（Ｃｓ）などの電子放出材
１４を塗布している。また透明電極４１の電子到達面に
は蛍光体１６を塗布している。
を参照しながら説明する。図５は本発明の第２の実施例
における冷陰極パルス放射装置の断面構成図である。図
５に示す冷陰極パルス放射装置はその構造において図１
に示す第１の実施例と基本的に同じであるが、陽極１の
構造は透明なガラス基板４２の一表面上にＩＴＯなどか
らなる膜厚２００ｎｍの導電性の透明電極４１を形成し
たものであり、また陰極２の電子放出面には酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）やセシウム（Ｃｓ）などの電子放出材
１４を塗布している。また透明電極４１の電子到達面に
は蛍光体１６を塗布している。
【００１６】以上のように構成された第２の実施例で図
１に示す駆動回路を用いて駆動した場合について、以下
にその動作を説明する。まず放出電子の振舞いについて
は第１の実施例と変わるところはないが、本実施例にお
いては陰極２の表面に電子放出材１４を塗布してあるの
で、第１の実施例より低い値のトリガ電圧であっても第
１の実施例と同等の放出電流を得ることができる。した
がって、冷陰極パルス放射装置の動作電圧を低く抑える
ことができる。また透明電極４１の電子到達面には蛍光
体１６を塗布しているので、電子衝突励起により陽極面
を発光させることができる。例えば、真空開口８を２次
元マトリクス状に配置することによって面発光装置やフ
ラットディスプレイ装置として利用できる。
１に示す駆動回路を用いて駆動した場合について、以下
にその動作を説明する。まず放出電子の振舞いについて
は第１の実施例と変わるところはないが、本実施例にお
いては陰極２の表面に電子放出材１４を塗布してあるの
で、第１の実施例より低い値のトリガ電圧であっても第
１の実施例と同等の放出電流を得ることができる。した
がって、冷陰極パルス放射装置の動作電圧を低く抑える
ことができる。また透明電極４１の電子到達面には蛍光
体１６を塗布しているので、電子衝突励起により陽極面
を発光させることができる。例えば、真空開口８を２次
元マトリクス状に配置することによって面発光装置やフ
ラットディスプレイ装置として利用できる。
【００１７】なお第２の実施例では、陰極２の電子放出
面に電子放出材１４を塗布することによって電子放出確
率を向上させたが、陰極２として表面に微細で鋭い凸凹
を有する例えば陽極酸化処理された多孔質シリコンを用
いても電界集中効果によって同様の効果が得られ、また
その上に電子放出材１４を塗布することによりさらに優
れた効果が得られる。
面に電子放出材１４を塗布することによって電子放出確
率を向上させたが、陰極２として表面に微細で鋭い凸凹
を有する例えば陽極酸化処理された多孔質シリコンを用
いても電界集中効果によって同様の効果が得られ、また
その上に電子放出材１４を塗布することによりさらに優
れた効果が得られる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明は、互いに対向する
陽極と陰極と、陽極と陰極との間に空間配位されたトリ
ガ板と、誘電体薄膜キャパシタとを備え、陰極が誘電体
薄膜キャパシタの一方の電極を兼ねている構成とするこ
とにより、動作電圧が低く瞬時放出電子電流の大きい優
れた冷陰極パルス放射装置を実現できるものである。
陽極と陰極と、陽極と陰極との間に空間配位されたトリ
ガ板と、誘電体薄膜キャパシタとを備え、陰極が誘電体
薄膜キャパシタの一方の電極を兼ねている構成とするこ
とにより、動作電圧が低く瞬時放出電子電流の大きい優
れた冷陰極パルス放射装置を実現できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例における冷陰極パルス放
射装置の断面構成図
射装置の断面構成図
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例におけ
る冷陰極パルス放射装置の充電状態を説明する図
る冷陰極パルス放射装置の充電状態を説明する図
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例におけ
る冷陰極パルス放射装置のトリガ状態を説明する図
る冷陰極パルス放射装置のトリガ状態を説明する図
【図４】（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例におけ
る冷陰極パルス放射装置の陰極近傍のエネルギー準位を
説明する図
る冷陰極パルス放射装置の陰極近傍のエネルギー準位を
説明する図
【図５】本発明の第２の実施例における冷陰極パルス放
射装置の断面構成図
射装置の断面構成図
１ 陽極 ２ 陰極 ３ 誘電体薄膜 ４ キャパシタ板 ５ トリガ板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上本 康裕 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内 (72)発明者 松田 明浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 互いに対向する陽極および陰極と、陽極
と陰極との間に空間配位されたトリガ板と、陰極を一方
の電極としキャパシタ板を他方の電極として誘電体薄膜
を挟んだ誘電体薄膜キャパシタとを有する冷陰極パルス
放射装置。 - 【請求項２】 誘電体薄膜キャパシタを構成する誘電体
薄膜の比誘電率が１００以上であることを特徴とする請
求項１記載の冷陰極パルス放射装置。 - 【請求項３】 誘電体薄膜が自発分極を呈する強誘電体
薄膜であることを特徴とする請求項１記載の冷陰極パル
ス放射装置。 - 【請求項４】 誘電体薄膜の厚さが１μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１記載の冷陰極パルス放射装置。 - 【請求項５】 トリガ板と陰極との間隔が１μｍ以下で
あることを特徴とする請求項１記載の冷陰極パルス放射
装置。 - 【請求項６】 陰極の電子放出面に多数の微細な凹凸を
有することを特徴とする請求項１記載の冷陰極パルス放
射装置。 - 【請求項７】 陰極の電子放出面上に電子放出材が塗布
されていることを特徴とする請求項１または６記載の冷
陰極パルス放射装置。 - 【請求項８】 陽極の全部または一部が透明導電体であ
ることを特徴とする請求項１記載の冷陰極パルス放射装
置。 - 【請求項９】 透明導電体の上に蛍光体が塗布されてい
ることを特徴とする請求項８記載の冷陰極パルス放射装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25930492A JP3221623B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 冷陰極電子パルス放射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25930492A JP3221623B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 冷陰極電子パルス放射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111722A true JPH06111722A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3221623B2 JP3221623B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=17332220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25930492A Expired - Fee Related JP3221623B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 冷陰極電子パルス放射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3221623B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003016921A (ja) * | 2000-09-20 | 2003-01-17 | Canon Inc | 構造体、電子放出素子、画像形成装置およびそれらの製造方法 |
| JP2006338893A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Univ Of Tokushima | 電界放出ディスプレイ装置、電界放出型電子源装置 |
| US7474060B2 (en) | 2003-08-22 | 2009-01-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Light source |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP25930492A patent/JP3221623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003016921A (ja) * | 2000-09-20 | 2003-01-17 | Canon Inc | 構造体、電子放出素子、画像形成装置およびそれらの製造方法 |
| US7474060B2 (en) | 2003-08-22 | 2009-01-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Light source |
| JP2006338893A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Univ Of Tokushima | 電界放出ディスプレイ装置、電界放出型電子源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3221623B2 (ja) | 2001-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Uchiike et al. | Secondary electron emission characteristics of dielectric materials in AC-operated plasma display panels | |
| US6087766A (en) | Field emission display devices | |
| US5280221A (en) | Thin-film cold cathode structure and device using the same | |
| JP3214256B2 (ja) | 電子パルス放出装置および表示装置 | |
| US3838307A (en) | Color plasma display | |
| US4486499A (en) | Electroluminescent device | |
| US6614169B2 (en) | Display device using thin film cathode and its process | |
| US6011356A (en) | Flat surface emitter for use in field emission display devices | |
| US5945777A (en) | Surface conduction emitters for use in field emission display devices | |
| US20060214557A1 (en) | Light source | |
| JP2004146365A (ja) | 発光装置 | |
| JPH06111722A (ja) | 冷陰極パルス放射装置 | |
| JP3187302B2 (ja) | 電子放出陰極、それを用いた電子放出素子、フラットディスプレイ、及び熱電冷却装置、ならびに電子放出陰極の製造方法 | |
| JP2002520770A (ja) | 電界放射素子 | |
| Josephs | A review of panel-type display devices | |
| US5723954A (en) | Pulsed hybrid field emitter | |
| TW388058B (en) | Fidle electron emission materials and devices | |
| JP3598267B2 (ja) | 画像表示装置 | |
| US3896328A (en) | Dual mode crt screen | |
| US3609441A (en) | Field-effect viewing storage tube | |
| JP3405773B2 (ja) | 微小電界放出陰極装置およびその製造方法 | |
| JP3465890B2 (ja) | 電子放出素子、およびそれを用いたフラットディスプレイ | |
| JPH11191359A (ja) | 電界放出素子及びこれを採用したディスプレー装置 | |
| JPH0496281A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US5886461A (en) | Transparent conductor for field emission displays |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |