JPH0611007B2 - Magnetic core for magnetic switch - Google Patents
Magnetic core for magnetic switchInfo
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- JPH0611007B2 JPH0611007B2 JP57174795A JP17479582A JPH0611007B2 JP H0611007 B2 JPH0611007 B2 JP H0611007B2 JP 57174795 A JP57174795 A JP 57174795A JP 17479582 A JP17479582 A JP 17479582A JP H0611007 B2 JPH0611007 B2 JP H0611007B2
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Description
【発明の詳細な説明】 Ｉ発明の背景 技術分野 本発明は、加速器等に用いる高パワーレベルで、リセッ
ト時間の短い磁気スイッチ用の磁心に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Technical Field The present invention relates to a magnetic core for a magnetic switch having a high power level and a short reset time, which is used for an accelerator or the like.
先行技術とその問題点 １ＧＷ以上にも及ぶ高パワーレベルで、しかも１０KHz
以上にも及ぶ高周波数で、リセット時間の短いパルスジ
ェネレーターとしてのスイッチが、加速器等で要望され
ている。Prior art and its problems High power level of over 1 GW and 10 KHz
There is a demand for a switch as a pulse generator having a high frequency and a short reset time, which is as high as the above, in an accelerator or the like.
従来、パルスジェネレーターとしてのスイッチとして
は、サイラトロン等の高圧ガススイッチがあるが、この
ような高パワーでリセット時間の短い使用はできない。Conventionally, as a switch as a pulse generator, there is a high pressure gas switch such as a thyratron, but it cannot be used with such a high power and a short reset time.
これに対し、第１回に示されるような多段の磁気スイッ
チが知られている。この磁気スイッチは、キャパシター
Ｃ1、C2………、Cnと可飽和インダクターＬ1、L2………、
Ｌｎとから、図示のようにｎ段に構成される。この場
合、各キャパシターのキャパシタンスは相等しくしまた
各インダクターのインダクタンスは、高次段ほどより小
さなものとする。On the other hand, a multi-stage magnetic switch as shown in the first article is known. This magnetic switch consists of capacitors C 1 , C 2 ..., C n and saturable inductors L 1 , L 2 ...,
As shown in the figure, it is composed of L n and n stages. In this case, the capacitances of the capacitors are equal to each other, and the inductance of the inductors is smaller in the higher order stages.
このような構成で、直流電源を入力側に印加すると、キ
ャパシターＣ1にチャージが充電する。充電後、インダ
クターＬ1が飽和に達して、そのインピーダンスが下が
り、チャージはキャパシターＣ2へ流れる。そして、こ
のような動作をｎ段まで順次行うことによって、原波形
のエネルギーを保ちながら、パルス巾は順次圧縮され、
高速および高パワーのパルスが生じる。With such a structure, when a DC power source is applied to the input side, the capacitor C 1 is charged. After charging, the inductor L 1 reaches saturation, its impedance drops and the charge flows to the capacitor C 2 . Then, by sequentially performing such an operation up to n stages, the pulse width is sequentially compressed while maintaining the energy of the original waveform,
Fast and high power pulses are produced.
このような磁気スイッチにおける各段のインダクターＬ
1、L2………、Ｌｎに用いる磁心としては、下記のような
特性が要求される。Inductor L of each stage in such a magnetic switch
The following characteristics are required for the magnetic core used for 1 , L 2, ..., L n .
まず、第１に、可飽和性が良好でなければならないの
で、角型性が良好で、しかも飽和領域での透磁率がμ
satが小さいことが必要である。この場合、本発明者ら
の検討結果によればBr/B10（Brは残留磁束密度、Ｂ10は
１０Oeでの磁束密度）が0.7以上であることが好まし
い。また、μsatは要求される磁心体積に比例するの
で、μsatが小さいほど磁心を小型化できる。そして、
パルス巾の理論的最大圧縮係数は（μunsat／μsat)1/2
に比例するので、（μunsatは不飽和領域での透磁
率）、μunsatとμsatとの差が大きいほど、使用段数が
小さくなり、スイッチが小型化し、好ましいものであ
る。First of all, since the saturable property must be good, the squareness is good and the magnetic permeability in the saturated region is μ.
It is necessary that sat is small. In this case, according to the examination results of the present inventors, it is preferable that Br / B 10 (Br is the residual magnetic flux density, and B 10 is the magnetic flux density at 10 Oe ) is 0.7 or more. Further, since μ sat is proportional to the required magnetic core volume, the smaller μ sat is, the smaller the magnetic core can be made. And
The theoretical maximum compression factor of the pulse width is (μ unsat / μ sat ) 1/2
Therefore, the larger the difference between μ unsat and μ sat is (μ unsat is the permeability in the unsaturated region), the smaller the number of stages used and the smaller the switch, which is preferable.
第２には、インダクターは、Ｂ−Ｈ ループの−Brから
Bs（Bsは飽和磁束密度）まで励磁するので、ΔBs＝｜−
Br｜＋Bsが大きくなければならず、角型性が良好である
上に、Bsが大きくなればならない。この場合、先の要求
される磁心体積は、１／（ΔＢｓ）2に比例するもので
ある。Second, the inductor is from -Br of the BH loop.
Since it excites up to Bs (Bs is the saturation magnetic flux density), ΔBs = | −
Br | + Bs must be large, the squareness must be good, and Bs must be large. In this case, the required core volume is proportional to 1 / (ΔBs) 2 .
第３には、１０KHz程度以上にて動作させるので、高周
波でのエネルギー損失が小さくなければならない。Thirdly, since it is operated at about 10 KHz or higher, energy loss at high frequencies must be small.
第４には、特性の経時変化が少ないことが好ましい。Fourthly, it is preferable that the characteristics change little with time.
そして、この他、製造の容易性、耐食性等が要求され
る。In addition, ease of manufacture, corrosion resistance, etc. are required.
ところで、各種磁心材料として汎用されている材料とし
ては、フェライトがある。By the way, as a material generally used as various magnetic core materials, there is ferrite.
しかし、フェライトでは、特に、上記第１〜第３の磁気
特性の点で不十分であり、磁心が大型化し、しかも損失
が大きい。However, ferrite is insufficient particularly in terms of the above-mentioned first to third magnetic characteristics, the magnetic core becomes large, and the loss is large.
これに対し、非晶質磁性合金の薄帯も磁心形成材料とし
て実用化されてきているが、通常の組成のものでは、上
記要求特性をすべて満足するものではなく、しかも熱処
理が困難である等の欠点がある。On the other hand, although a ribbon of an amorphous magnetic alloy has been put to practical use as a material for forming a magnetic core, a normal composition does not satisfy all the above required characteristics, and heat treatment is difficult. There is a drawback of.
II発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたものであっ
て、その主たる目的は、上記諸要求特性を全て満足し、
しかも熱処理等の点で製造が容易な非晶質磁性合金から
なる磁気スイッチ用磁心を提供することにある。II Object of the Invention The present invention has been made in view of such circumstances, and its main object is to satisfy all the above required characteristics,
Moreover, it is another object of the present invention to provide a magnetic switch magnetic core made of an amorphous magnetic alloy that is easy to manufacture in terms of heat treatment and the like.
本発明者らは、このような目的につき鋭意研究を重ねた
結果、所定の組成範囲にて、熱処理を施して、好ましく
は部分的に結晶質を析出させ、しかも所定の厚さとした
非晶質磁性合金の薄帯を巻回してなる磁心が、このよう
な目的を達成することを見出し、下記第１〜第５からな
る本発明をなすに至った。The inventors of the present invention have conducted extensive studies on such an object, and as a result, heat-treated in a predetermined composition range, preferably partially precipitating a crystalline substance, and further, an amorphous material having a predetermined thickness. It has been found that a magnetic core formed by winding a thin strip of a magnetic alloy achieves such an object, and the present invention has the following first to fifth aspects.
すなわち、第１の発明は、下記式［Ｉ］で示される組成
を有し、厚さ２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、
層間絶縁層を介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処
理が施されており、前記薄帯は、非晶質であるか、部分
的に結晶質を含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残
留磁束密度、Ｂ10は100eでの磁束密度）が０．７以上で
あることを特徴とする磁気スイッチ用磁心である。That is, a first aspect of the present invention is a ribbon of an amorphous magnetic alloy having a composition represented by the following formula [I] and having a thickness of 20 μm or less,
The ribbon is wound through an interlayer insulating layer, and the ribbon is heat-treated, and the ribbon is amorphous or partially crystalline amorphous. / B 10 (Br is a residual magnetic flux density and B 10 is a magnetic flux density at 100e) is 0.7 or more.
式［Ｉ］Ｆｅx(SipBq)y ｛上記式［Ｉ］において、 ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。Formula [I] Fe x (Si p B q ) y {In the above formula [I], x + y = 100 at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%.
また、ｐ＋ｑ＝１００％であり、このうち、ｐは４０〜
７５％である。Also, p + q = 100%, of which p is 40 to
75%.
さらに、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦０．１ｐ＋１９、ｙ≧
０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ＋１３．７である。｝ 第２の発明は、下記式［II］で示される組成を有し、厚
さ２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、層間絶縁層
を介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処理が施され
ており、前記薄帯は、非晶質であるか、部分的に結晶質
を含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残留磁束密
度、Ｂ10は100eでの磁束密度）が０．７以上であること
を特徴とする磁気スイッチ用磁心である。Furthermore, y ≦ 0.5p + 1, y ≦ 0.1p + 19, y ≧
0.3p + 2 and y ≧ 0.13p + 13.7. The second invention is obtained by winding a ribbon of an amorphous magnetic alloy having a composition represented by the following formula [II] and having a thickness of 20 μm or less, with an interlayer insulating layer interposed between the ribbon and the ribbon. Is subjected to heat treatment, and the ribbon is amorphous or partially crystalline amorphous, Br / B 10 (Br is the residual magnetic flux density, and B 10 is 100e. Magnetic flux density) is 0.7 or more.
式［II］Ｆｅx(SipBqXr I)y ｛上記式［II］において、 ＸIは、ＰおよびＣの１種または２種を表わす。Formula [II] Fe x (Si p B q X r I ) y {In the above formula [II], X I represents one or two of P and C.
ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。x + y = 100at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%.
ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００％であり、このうち、ｐは４０〜７
５％、ｒは０．０１〜２４％である。p + q + r = 100%, of which p is 40 to 7
5% and r are 0.01 to 24%.
さらに、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦０．１ｐ＋１９、ｙ≧
０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ＋１３．７である。｝ 第３の発明は、下記式［III］で示される組成を有し、
厚さ２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、層間絶縁
層を介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処理が施さ
れており、前記薄帯は、非晶質であるか、部分的に結晶
質を含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残留磁束密
度、Ｂ10は100eでの磁束密度）が０．７以上であること
を特徴とする磁気スイッチ用磁心である。Furthermore, y ≦ 0.5p + 1, y ≦ 0.1p + 19, y ≧
0.3p + 2 and y ≧ 0.13p + 13.7. } A third invention has a composition represented by the following formula [III]:
A ribbon of amorphous magnetic alloy having a thickness of 20 μm or less is wound with an interlayer insulating layer interposed between the ribbon and the ribbon, which has been subjected to heat treatment. A magnetic core for a magnetic switch, which is partially amorphous including crystalline and has a Br / B 10 (Br is a residual magnetic flux density, B 10 is a magnetic flux density at 100e) of 0.7 or more. Is.
式［III］（ＦｅaCob)xXy ｛上記式［III］において、 Ｘは、ＳｉおよびＢ、またはＳｉおよびＢとＰおよび／
またはＣとの組合わせを表わす。Formula [III] (Fe a Co b ) x X y {In the above formula [III], X is Si and B, or Si and B and P and / or
Or represents a combination with C.
ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。x + y = 100at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%.
また、ａ＋ｂ＝１００％であり、このうち、ｂは０．１
〜２０％である。Also, a + b = 100%, of which b is 0.1
~ 20%.
さらに、Ｘ中のＳｉの含有比をｐ％としたとき、ｐは４
０〜７５％であり、しかも、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦
０．１ｐ＋１９、ｙ≧０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ
＋１３．７である。Furthermore, when the content ratio of Si in X is p%, p is 4
0 to 75%, and y ≦ 0.5p + 1, y ≦
0.1p + 19, y ≧ 0.3p + 2 and y ≧ 0.13p
It is +13.7.
さらに、Ｘ中にＰおよび／またはＣが含まれるとき、Ｐ
とＣとの総計は、Ｘ中の０．０１〜２４％である。｝ 第４の発明は、下記式［IV］で示される組成を有し、厚
さ２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、層間絶縁層
を介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処理が施され
ており、前記薄帯は、非晶質であるか、部分的に結晶質
を含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残留磁束密
度、Ｂ10は100eでの磁束密度）が０．７以上であること
を特徴とする磁気スイッチ用磁心である。Furthermore, when P and / or C is contained in X, P
And the total of C is 0.01 to 24% in X. A fourth aspect of the present invention is obtained by winding a ribbon of an amorphous magnetic alloy having a composition represented by the following formula [IV] and having a thickness of 20 μm or less with an interlayer insulating layer interposed between the ribbon and the ribbon. Is subjected to heat treatment, and the ribbon is amorphous or partially crystalline amorphous, Br / B 10 (Br is the residual magnetic flux density, and B 10 is 100e. Magnetic flux density) is 0.7 or more.
式［IV］（Ｔc II Mnd)xXy ｛上記式［IV］において、 ＴIIは、Ｆｅ、またはＦｅおよびＣｏを表わす。Formula [IV] (T c II Mn d ) x X y {In the above formula [IV], T II represents Fe, or Fe and Co.
Ｘは、ＳｉおよびＢ、またはＳｉおよびＢとＰおよび／
またはＣとの組合わせを表わす。X is Si and B, or Si and B and P and / or
Or represents a combination with C.
ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。x + y = 100at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%.
また、ｃ＋ｄ＝１００％であり、ｄは０．１〜５％であ
る。Further, c + d = 100%, and d is 0.1 to 5%.
さらに、ＴII中にＣｏが含まれるとき、Ｃｏは、ＴII中
の０．１〜２０％である。Furthermore, when included Co in T II, Co is 0.1 to 20% of the T II.
加えて、Ｘ中のＳｉの含有比をｐ％としたとき、ｐは４
０〜７５％であり、しかも、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦
０．１ｐ＋１９、ｙ≧０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ
＋１３．７である。In addition, when the content ratio of Si in X is p%, p is 4
0 to 75%, and y ≦ 0.5p + 1, y ≦
0.1p + 19, y ≧ 0.3p + 2 and y ≧ 0.13p
It is +13.7.
そして、Ｘ中にＰおよび／またはＣが含まれるとき、Ｐ
とＣとの総計は、Ｘ中の０．０１〜２４％である。｝ 第５の発明は、下記式［Ｖ］で示される組成を有し、厚
さ２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、層間絶縁層
を介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処理が施され
ており、前記薄帯は、非晶質であるか、部分的に結晶質
を含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残留磁束密
度、Ｂ10は100eでの磁束密度）が０．７以上であること
を特徴とする磁気スイッチ用磁心である。When P and / or C is included in X, P
And the total of C is 0.01 to 24% in X. The fifth aspect of the present invention is obtained by winding a ribbon of an amorphous magnetic alloy having a composition represented by the following formula [V] and having a thickness of 20 μm or less with an interlayer insulating layer interposed between the ribbon and the ribbon. Is subjected to heat treatment, and the ribbon is amorphous or partially crystalline amorphous, Br / B 10 (Br is the residual magnetic flux density, and B 10 is 100e. Magnetic flux density) is 0.7 or more.
式［Ｖ］（Ｔe III TIV f)xXy ｛上記式［Ｖ］において、 ＴIIIは、Ｆｅ、またはＦｅとＣｏおよびＭｎのうちの
１種以上との組合わせを表わし、 ＴIVは、IVＢ族元素の１種以上を表わし、 Ｘは、ＳｉおよびＢ、またはＳｉおよびＢとＰおよび／
またはＣとの組合わせを表わす。Formula [V] (T e III T IV f ) x X y {In the above formula [V], T III represents Fe or a combination of Fe and one or more of Co and Mn, and T IV Represents one or more IVB group elements, X represents Si and B, or Si and B and P and / or
Or represents a combination with C.
ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。x + y = 100at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%.
また、ｅ＋ｆ＝１００％であり、ｆは０．１〜７％であ
る。Further, e + f = 100%, and f is 0.1 to 7%.
さらに、ＴIII中にＣｏが含まれるとき、Ｃｏは、ＴIII
中の０．１〜２０％であり、また ＴIII中にＭｎが含まれるとき、ＭｎはＴIII中の０．１
〜５％である。Furthermore, when included Co in T III, Co is, T III
And 0.1 to 20% of the, also when included Mn in T III, Mn is in the T III 0.1
~ 5%.
加えて、Ｘ中のＳｉの含有比をｐ％としたとき、ｐは４
０〜７５％であり、しかも、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦
０．１ｐ＋１９、ｙ≧０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ
＋１３．７である。In addition, when the content ratio of Si in X is p%, p is 4
0 to 75%, and y ≦ 0.5p + 1, y ≦
0.1p + 19, y ≧ 0.3p + 2 and y ≧ 0.13p
It is +13.7.
そして、Ｘ中にＰおよび／またはＣが含まれるとき、Ｐ
とＣとの総計は、Ｘ中の０．０１〜２４％である。｝ III発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。When P and / or C is included in X, P
And the total of C is 0.01 to 24% in X. } III Specific Configuration of the Invention Hereinafter, the specific configuration of the present invention will be described in detail.
本発明の磁心を構成する非晶質磁性合金の薄帯は、熱処
理が施されており非晶質であるか、部分的に結晶質を含
む非晶質である。薄帯内において、非晶質中に部分的に
含まれる結晶質は、一般に、微結晶が析出して、非晶質
中に混在しているものである。The ribbon of the amorphous magnetic alloy forming the magnetic core of the present invention has been subjected to heat treatment to be amorphous, or partially amorphous. The crystalline material partially contained in the amorphous material in the ribbon is generally such that fine crystals are precipitated and mixed in the amorphous material.
従って、薄帯のＸ線回折を行うと、回折スペクトルは、
非晶質特有のハローの上に、結晶質の存在を示すピーク
が重畳されたパターンを示し、また、回折像にはハロー
上にスポットが重畳され、所定の環径と環幅をもつデバ
イーシェーラー環が現われる。Therefore, when X-ray diffraction of a ribbon is performed, the diffraction spectrum is
A pattern in which a peak indicating the presence of a crystalline substance is superimposed on the halo peculiar to amorphous is shown, and a spot is superimposed on the halo in the diffraction image, and a device with a predetermined ring diameter and ring width is displayed. The Scheler ring appears.
そして、回折スペクトルのハローとピークとの面積比を
とれば、薄帯中の結晶質と非晶質との存在比が求められ
るものであるが、このように得られる結晶質／非晶質
は、通常、0.1〜50％程度であることが好ましい。Then, if the area ratio between the halo and the peak of the diffraction spectrum is taken, the abundance ratio of crystalline and amorphous in the ribbon can be obtained. The crystalline / amorphous obtained in this way is Usually, it is preferably about 0.1 to 50%.
また、析出した微結晶は、通常、デバイーシェーラー環
の環径と環幅とから、概ね10〜1000Å程度の平均粒径を
もつものと考えられるものである。The precipitated crystallites are usually considered to have an average particle size of about 10 to 1000Å, based on the ring diameter and ring width of the Debye-Scherrer ring.
そして、このように熱処理により、好ましくは部分的に
存在する微結晶を含む薄帯から本発明の磁心を形成した
とき、１０KHz以上、数１０MHzにも及ぶ高周波領域での
動作の際のエネルギー損失は、格段と減少する。また、
ΔBs、μsat、μunsat、Br/B10損失等も良好な値とな
る。そして、これら磁気特性の長期間に亘るくりかえし
動作や保存にともなう経時劣化もきわめて少なくなる。Thus, when the magnetic core of the present invention is formed by the heat treatment, preferably from a ribbon containing partially present microcrystals, energy loss during operation in a high frequency region of 10 KHz or more and several tens of MHz is generated. , Much less. Also,
ΔBs, μsat, μunsat, Br / B 10 loss, etc. are also good values. Further, deterioration over time due to repeated operation and storage of these magnetic characteristics over a long period of time is extremely reduced.
次に、本発明において用いる非晶質磁性合金薄帯の組成
について説明する。Next, the composition of the amorphous magnetic alloy ribbon used in the present invention will be described.
まず、薄帯は、遷移金属成分とガラス化元素成分とから
なる。First, the ribbon is composed of a transition metal component and a vitrification element component.
遷移金属成分は、Feを必須元素とし（式〔Ｉ〕）、これ
に、必要に応じCo（式〔III〕）、Mnと必要に応じCo
（式〔IV〕）、VIＢ族元素（Cr、Mo、Ｗ）と必要に応じC
oおよびMnのうちの１種以上（式〔Ｖ〕）とを含有す
る。The transition metal component contains Fe as an essential element (formula [I]), and if necessary, Co (formula [III]), Mn and, if necessary, Co
(Formula [IV]), VIB group element (Cr, Mo, W) and C if necessary
and one or more of O and Mn (formula [V]).
他方、ガラス化元素成分は、SiとＢとを必須元素とし
（式〔Ｉ〕）、これを必要に応じ、Ｐおよび／またはＣ
を含有する（式〔II〕〜〔Ｖ〕）。On the other hand, the vitrifying element component contains Si and B as essential elements (formula [I]), and if necessary, P and / or C
(Formulas [II] to [V]).
この場合、SiとＢ、そして必要に応じＰおよび／または
Ｃとからなるガラス化元素の含有量ｙ（上記式〔Ｉ〕〜
〔Ｖ〕）は、21.0〜25.5at％である。In this case, the content y of the vitrifying element consisting of Si and B, and optionally P and / or C (the above formula [I] to
[V]) is 21.0 to 25.5 at%.
上記式〔Ｉ〕〜〔Ｖ〕におけるガラス化元素Si＋Ｂ（式
〔Ｉ〕）、Si＋Ｂ＋ＸＩ（式〔II〕）、Ｘ（式〔III〕
〜〔Ｖ〕）の含有量ｙが25.3at％をこえると、エネルギ
ー損失が多くなる。しかも、磁気特性が劣化し、同一特
性を得るために磁心体積を増加しなければならないとい
う欠点がある。Vitrification elements in the above formulas [I] to [V] Si + B (formula [I]), Si + B + X I (formula [II]), X (formula [III])
When the content y of [V] exceeds 25.3 at%, the energy loss increases. In addition, the magnetic properties are deteriorated, and the magnetic core volume must be increased to obtain the same properties.
これに対し、ｙが21.0at％未満となると、薄帯化しにく
くなり、製造歩留りが悪くなり、また薄帯の表面性が悪
くなる。しかも、結晶化温度が低下し、前記した好まし
くは微結晶析出のための熱処理の温度、時間の制限が激
しくなり、熱処理が困難となり、前記したように、結晶
質を部分的に含有させることが困難となる。On the other hand, when y is less than 21.0 at%, it becomes difficult to thin the ribbon, the manufacturing yield is deteriorated, and the surface property of the ribbon is deteriorated. In addition, the crystallization temperature is lowered, and the temperature and time of the heat treatment for preferably precipitating the fine crystals becomes severe, and the heat treatment becomes difficult. As described above, it is possible to partially contain the crystalline material. It will be difficult.
これに対し、ｙが21.0〜25.5at％の範囲内では、エネル
ギー損失はきわめて少なく、その他上記の欠点は解消す
る。On the other hand, when y is in the range of 21.0 to 25.5 at%, energy loss is extremely small, and the above-mentioned drawbacks are eliminated.
これに対し、SiとＢ、そして必要に応じＰおよび／また
はＣとからなるガラス化元素成分中のSi含有比ｐ（％）
は、４０〜７５％である。On the other hand, the Si content ratio p (%) in the vitrification element component consisting of Si and B and, if necessary, P and / or C
Is 40 to 75%.
ｐが４０％未満となると、エネルギー損失が増大する。
また、磁気特性の経時変化が大きくなってしまう。When p is less than 40%, energy loss increases.
In addition, the change over time in the magnetic characteristics becomes large.
これに対し、ｐが７５％をこえると、薄帯化が困難とな
り、製造歩留りが悪くなり、薄帯の表面性が悪化する。On the other hand, when p exceeds 75%, it becomes difficult to make the ribbon thin, the manufacturing yield is deteriorated, and the surface property of the ribbon is deteriorated.
さらに、ガラス化元素の総計の含有量ｙat％と、ガラス
化元素中のSi含有比ｐ％との間には、ｚ≦0.5p＋１、か
つｚ≦0.1p＋１９、かつｚ≦0.3p＋２、かつｚ≦0.13p
＋13.7の関係が満足されなければならない。Further, between the total content yat% of the vitrifying elements and the Si content ratio p% in the vitrifying elements, z ≦ 0.5p + 1, z ≦ 0.1p + 19, z ≦ 0.3p + 2, and z ≦ 0.13p
The +13.7 relationship must be satisfied.
すなわち、これらの条件を第３図にもとづき説明するな
らば、（ｐ、ｙ）の座標で表わしたとき、点Ａ（４０、
21.0）、Ｂ（４５、23.5）、Ｃ（６５、25.5）、Ｄ（７
５、25.5）、Ｅ（７５、24.5）、Ｆ（７０、23.0）、Ｇ
（５５、21.0）およびＡを順次直線で結び、これらの直
線で囲まれる領域が、この出願の発明における薄帯の、
前記ｙとｐとが満足すべき条件である。That is, if these conditions are explained based on FIG. 3, when expressed by the coordinates (p, y), the point A (40,
21.0), B (45, 23.5), C (65, 25.5), D (7
5, 25.5), E (75, 24.5), F (70, 23.0), G
(55, 21.0) and A are sequentially connected by straight lines, and the region surrounded by these straight lines is the thin ribbon of the invention of this application,
The above y and p are the conditions to be satisfied.
そして、この領域内のみにおいて、エネルギー損失が格
段と減少し、かつ磁心がきわめて小型化でき、しかも経
時変化が格段と減少するものである。Only within this region, the energy loss is remarkably reduced, the magnetic core can be made extremely small, and the change with time is remarkably reduced.
なお、図示Ｃ−Ｄ線（ｙ＝25.5）上方（ｙ＞25.5）およ
びＧ−Ａ線（ｙ＝21.0）下方（ｙ＜21.0）ならびにＡ点
左方（ｐ＜４０）およびＤ−Ｅ線（ｐ＝７５）右方（ｐ
＞７５）における不都合については上述したとおりであ
るが、図示Ａ−Ｂ線（ｚ＝0.5＋１）およびＢ−Ｃ線
（ｚ＝0.1p＋１９）上方では、高周波領域でのエネルギ
ー損失が増大するとともに、磁気特性が悪く、磁心体積
と、スイッチ全体とが大型化してしまい、経時変化も大
きい。Incidentally, in the figure, the line C-D (y = 25.5) above (y> 25.5) and the line G-A (y = 21.0) below (y <21.0) and the point A left (p <40) and D-E ( p = 75) right side (p
The inconvenience in> 75) is as described above, but above the AB line (z = 0.5 + 1) and BC line (z = 0.1p + 19) shown in the figure, the energy loss in the high frequency region increases, and The magnetic characteristics are poor, the magnetic core volume and the entire switch are increased in size, and the change over time is large.
また、Ｅ−Ｆ線（ｚ＝0.3p＋２）およびＦ−Ｇ線（ｚ＝
0.13p＋13.7）下方では、高速急冷法により、非晶質の
薄帯が得られにくくなるという欠点がある。さらに、Ｅ
−Ｆ線およびＦ−Ｇ線下方では、好ましくは微結晶析出
のために施す熱処理条件が厳しく、結晶質を部分的に存
在させることが難しい。In addition, the EF line (z = 0.3p + 2) and the FG line (z =
Below 0.13p + 13.7), the rapid quenching method has a drawback that it becomes difficult to obtain an amorphous ribbon. Furthermore, E
Below the −F line and the FG line, the heat treatment conditions applied for the precipitation of fine crystals are preferably strict, and it is difficult to make the crystalline part partially exist.
このような基本組成において、ガラス化元素成分中に
は、Ｐおよび／またはＣが含有されることが好ましい。In such a basic composition, it is preferable that P and / or C be contained in the vitrification element component.
Ｐおよび／またはＣがガラス化元素成分中に含有される
（式〔II〕〜〔Ｖ〕）ことによって、スイッチ特性、特
にエネルギー損失、ΔBs等の経時劣化がきわめて小さく
なるからである。This is because when P and / or C is contained in the vitrifying element component (formula [II] to [V]), switch characteristics, particularly energy loss and deterioration with time such as ΔBs are extremely reduced.
このように、ガラス化元素成分中に、Ｐおよび／または
Ｃを含有する場合、Ｐおよび／またはＣのガラス化元素
中の含有比は、0.01〜２４％であることが好ましい。Thus, when P and / or C is contained in the vitrification element component, the content ratio of P and / or C in the vitrification element is preferably 0.01 to 24%.
0.01％未満ではＰおよび／またはＣの添加効果の実効が
なく、２４％をこえると、エネルギー損失が大きく、ス
イッチ特性の経時劣化が大きくなってしまう。また、薄
帯化が困難となる。If it is less than 0.01%, the effect of adding P and / or C is not effective, and if it exceeds 24%, the energy loss is large and the deterioration of the switch characteristics over time becomes large. Further, it becomes difficult to make the ribbon thin.
このような場合、ガラス化元素成分中には、ＰとＣとが
同時に含有されることが好ましい。In such a case, it is preferable that P and C be simultaneously contained in the vitrification element component.
ガラス化元素成分中に、ＰおよびＣが含有される場合、
ガラス化元素成分中のＰの含有比は、0.01〜５％、より
好ましくは0.01〜２％であることが好ましい。0.01％以
上となると、エネルギー損失が減少し、各種磁気特性お
よびスイッチ特性の経時劣化が小さくなるが、５％をこ
えると逆にこれらの特性が悪くなるからである。When P and C are contained in the vitrification element component,
The content ratio of P in the vitrification element component is preferably 0.01 to 5%, more preferably 0.01 to 2%. When it is 0.01% or more, the energy loss is reduced and the deterioration of various magnetic characteristics and switch characteristics with time is small, but when it exceeds 5%, these characteristics are deteriorated.
一方、ガラス化元素成分中において、ガラス化元素成分
中のＣの含有比を、ガラス化元素成分中のＰ含有比で除
した値は、0.05〜0.4％であることが好ましい。On the other hand, in the vitrification element component, the value obtained by dividing the C content ratio in the vitrification element component by the P content ratio in the vitrification element component is preferably 0.05 to 0.4%.
0.05以上となると、エネルギー損失は十分小さくなり、
スイッチ特性の経時変化が十分小さくなる。ただ、0.4
をこえると、薄帯化が困難となり、エネルギー損失が多
くなる。When it is more than 0.05, the energy loss becomes small enough.
The change over time in switch characteristics is sufficiently small. Just 0.4
Beyond that, it becomes difficult to thin the ribbon and the energy loss increases.
なお、ガラス化元素成分中には、この他、Al、Be、Ge,Sb、
In等の１種以上がさらに含まれていてもよい。ただ、こ
れらのガラス化元素成分中の含有比は、通常１０％以内
である。１０％をこえると、磁気特性が悪くなるからで
ある。In addition, in the vitrification element component, in addition to this, Al, Be, Ge, Sb,
One or more such as In may be further contained. However, the content ratio in these vitrification element components is usually within 10%. This is because if it exceeds 10%, the magnetic properties deteriorate.
他方、遷移金属成分は、通常Feのみからなる（式〔Ｉ〕
および〔II〕）が、遷移金属成分としては、Feの他、必
要に応じ他の遷移金属元素（Sc〜Zn、Ｙ−Cd、La〜Hg、Ac
以上）が含まれていてもよい。On the other hand, the transition metal component usually consists only of Fe (formula [I]
And [II]), as the transition metal component, other than Fe, other transition metal elements (Sc-Zn, Y-Cd, La-Hg, Ac
The above) may be included.
含有されて好ましい遷移金属元素の１つとしては、鉄族
元素であるCoがある。One of the preferable transition metal elements contained is Co which is an iron group element.
Coを含有するときには、ΔBsが向上し、磁心体積が小さ
くなる。When Co is contained, ΔBs is improved and the magnetic core volume is decreased.
このような場合、Coの含有比Co／（Co+Fe）×100は、0.
1〜２０％であることが好ましい。In such a case, the Co content ratio Co / (Co + Fe) × 100 is 0.
It is preferably from 1 to 20%.
0.1％未満となると、これらの効果の実効がなくなり、
２０％をこえるとスイッチ特性、特に損失が大きくなる
からである。If it is less than 0.1%, these effects will not be effective,
This is because if it exceeds 20%, the switch characteristics, especially the loss becomes large.
なお、Co／（Co+Fe）×100は、0.1〜１０％であること
が好ましい。Note that Co / (Co + Fe) × 100 is preferably 0.1 to 10%.
また、含有されて好ましい遷移金属元素の他の例として
は、Mnがある。Moreover, Mn is another example of the preferable transition metal element to be contained.
Mnは、スイッチ特性に要求される磁気特性の経時劣化の
減少に効果があり、しかも、結晶化温度が上昇し、好ま
しくは微結晶析出のために施す熱処理に必要な温度およ
び時間の制限が緩和し、容易に薄帯中に微結晶を導入す
ることができるようになる。Mn has the effect of reducing the deterioration of the magnetic properties required for switch properties over time, and also raises the crystallization temperature, and preferably relaxes the restrictions on the temperature and time required for the heat treatment for precipitation of fine crystals. Then, it becomes possible to easily introduce fine crystals into the ribbon.
ただ、遷移金属成分中のMn含有比が５％をこえるとBsが
減少し、スイッチ特性が悪くなり、経時劣化が大きくな
り、しかも薄帯が作りにくくなるため、Mn含有比は0.1
〜５％、より好ましくは0.1〜３％であることが好まし
い。However, when the Mn content ratio in the transition metal component exceeds 5%, Bs decreases, switch characteristics deteriorate, deterioration over time increases, and it becomes difficult to form a ribbon, so the Mn content ratio is 0.1.
It is preferably -5%, more preferably 0.1-3%.
さらに、遷移金属成分中には、VIＢ族元素（Cr、Mo、
Ｗ）の１種以上が含有されることが好ましい。Furthermore, VIB group elements (Cr, Mo,
It is preferable that at least one of W) is contained.
VIＢ族元素の添加により、スイッチ特性の経時変化が減
少し、耐食性が向上する。The addition of the VIB group element reduces the change in switch characteristics over time and improves the corrosion resistance.
ただ、遷移金属成分中のVIＢ族元素の含有比が７％をこ
えると、ΔBsが急激に減少ししかも薄帯化が困難となる
ため、VIＢ族元素の含有比は0.1〜７％、より好ましく
は0.1〜４％であることが好ましい。However, when the content ratio of the VIB group element in the transition metal component exceeds 7%, ΔBs rapidly decreases, and it becomes difficult to thin the band. Therefore, the content ratio of the VIB group element is 0.1 to 7%, more preferably Is preferably 0.1 to 4%.
この他、含有されて好適な遷移金属元素の例としては、
CU、Nb、Ti、Ｖ、Zr、Ta、Ｙ等がある。ただ、その含有比
は、スイッチ特性の点から１０％、特に５％以下である
ことが好ましい。In addition to these, examples of suitable transition metal elements contained are:
There are CU, Nb, Ti, V, Zr, Ta, Y and the like. However, the content ratio is preferably 10%, particularly preferably 5% or less from the viewpoint of switch characteristics.
このような組成からなる非晶質磁性合金の薄帯は、以上
詳述した条件さえ満足すれば、他に特に制限はない。The amorphous magnetic alloy ribbon having such a composition is not particularly limited as long as the above-described conditions are satisfied.
ただ、薄帯中にて、好ましくは結晶質が部分的に導入さ
れ、特に薄帯面内の所定方向に磁気異方性が付与される
と、透磁率が向上したり、エネルギー損失がより一層減
少したり、更には各種磁気特性の調整が容易となる点で
好ましい。However, when the crystalline material is preferably partially introduced into the ribbon, and especially when magnetic anisotropy is imparted in a predetermined direction within the ribbon surface, the magnetic permeability is improved and the energy loss is further increased. It is preferable in that it is reduced, and further, various magnetic properties can be easily adjusted.
この場合、磁気異方性は、薄帯面内における所定の一方
向に、通常一軸異方性として導入されることが好まし
い。In this case, it is preferable that the magnetic anisotropy is usually introduced as uniaxial anisotropy in a predetermined direction in the plane of the ribbon.
薄帯長手方向に、薄帯巻回前、あるいは巻回後に磁場を
印加して熱処理し、好ましくは微結晶を析出させると、
薄帯長手方向に、一軸異方性が付与され、角形比やμ
unsat／μsatなどを所望のごとく調整することができ、
しかもエネルギー損失をより小さくし、かつパルス圧縮
率をより大きくすることができる。In the longitudinal direction of the ribbon, before or after winding the ribbon, heat treatment by applying a magnetic field, preferably to precipitate fine crystals,
Uniaxial anisotropy is given in the longitudinal direction of the ribbon, and the squareness and μ
You can adjust unsat / μ sat etc. as desired,
In addition, the energy loss can be reduced and the pulse compression rate can be increased.
このような磁気異方性の存在は、常法に従い、トルク曲
線をしたりすることにより容易に検証される。The existence of such magnetic anisotropy can be easily verified by making a torque curve or the like according to a conventional method.
このような薄帯は、２０μｍ以下の厚さと、概ね１０〜
２００cm、特に12.7〜127cm程度の巾をもつ長尺の薄板
である。Such a ribbon has a thickness of 20 μm or less, and generally has a thickness of 10 to 10.
It is a long thin plate with a width of 200 cm, especially about 12.7 to 127 cm.
この場合、厚さが２０μｍをこえると、高周波でのエネ
ルギー損失が大きくなり、発熱量が大きくなってしま
う。In this case, if the thickness exceeds 20 μm, the energy loss at high frequencies becomes large and the amount of heat generation becomes large.
薄帯の厚さは２０μｍより、うすくなればなるほど、エ
ネルギー損失は小さくなる。The thickness of the ribbon is less than 20 μm, and the thinner it is, the smaller the energy loss becomes.
ただ、厚さがあまりに薄くなると、製造が困難となり、
歩留りが悪くなるので、厚さは、特に５〜18μｍ、より
好ましくは８〜15μｍであることが好ましい。However, if the thickness becomes too thin, it will be difficult to manufacture,
Since the yield becomes poor, the thickness is preferably 5 to 18 μm, more preferably 8 to 15 μm.
本発明の磁心は、以上詳述したような薄帯を巻回してな
る。The magnetic core of the present invention is formed by winding a ribbon as described above in detail.
すなわち、通常、薄帯を巻回してなる巻回体自体か磁心
が形成される。That is, a wound body or a magnetic core formed by winding a ribbon is usually formed.
このように巻回体から磁心を構成する場合、巻回体は薄
帯を所定の巻枠、巻心等に巻回し、その端部を固定して
形成される。この場合、磁枠、巻心等の構造、形状等は
種々のものとすることができる。また、その材質は、磁
器、ガラス、樹脂等の他の金属であってもよく、更に、
端部の固定は、接着剤、溶接、テープ等によったり、あ
るいは、巻枠等に設けられたかしめ爪によってかしめる
等によってもよい。When the magnetic core is formed from the wound body as described above, the wound body is formed by winding a thin strip around a predetermined winding frame, a winding core, or the like, and fixing the ends thereof. In this case, the magnetic frame, the core, and the like may have various structures and shapes. In addition, the material may be other metals such as porcelain, glass, and resin.
The end portions may be fixed by an adhesive, welding, tape or the like, or by caulking with caulking claws provided on the winding frame or the like.
なお、巻回される薄帯間には、各種有機および無機材料
からなる絶縁材料を介在させることが好ましい。そし
て、この層間絶縁層は0.1〜２５μｍ程度の厚さとす
る。An insulating material made of various organic and inorganic materials is preferably interposed between the wound ribbons. The interlayer insulating layer has a thickness of about 0.1 to 25 μm.
また、上記と異なり、巻枠、巻心等を用いず、例えば樹
脂等を含浸させる等して、その形状を固定することもで
きる。加えて、薄帯巻回形状は、円輪状、角輪状等種々
変更可能である。Further, unlike the above, the shape can be fixed by, for example, impregnating a resin or the like without using a winding frame, a winding core, or the like. In addition, the ribbon winding shape can be changed into various shapes such as a circular ring shape and a square ring shape.
本発明の磁気スイッチ用磁心は、通常、以下のようにし
て作製される。The magnetic core for a magnetic switch of the present invention is usually produced as follows.
まず、対応する組成の母合金から、公知の高速急冷法に
従い、ほぼ完全に非晶質の薄帯を得る。First, a substantially completely amorphous ribbon is obtained from a master alloy having a corresponding composition by a known rapid quenching method.
次いで、通常は、この薄帯に、好ましくは微結晶を析出
させるための処理を施す。Then, this ribbon is usually subjected to a treatment, preferably for precipitating fine crystals.
このような処理は、通常、磁場中にて、キュリー点以下
の温度で適当な時間過熱し、これを冷却、例えば空冷す
ることによって行うことが好ましい。加熱温度、加熱時
間、冷却速度等は、必要とする特性値に応じ、容易に実
験的に求めることができる。なお、このような熱処理の
雰囲気は、空気中、真空中、不活性ガス中、非酸化性ガ
ス中等いずれであってもよい。It is preferable that such a treatment is usually carried out by heating in a magnetic field at a temperature below the Curie point for an appropriate period of time and then cooling, for example, air cooling. The heating temperature, the heating time, the cooling rate, etc. can be easily experimentally determined according to the required characteristic values. The atmosphere for such heat treatment may be air, vacuum, inert gas, non-oxidizing gas, or the like.
このような熱処理の際の磁場は、通常薄帯長手方向に印
加し、印加磁場は、例えば５Oe以上、特に１０Oe以上程
度とする。そして、このとき、薄帯面内の長手方向に異
方性が付与される。The magnetic field during such heat treatment is usually applied in the longitudinal direction of the ribbon, and the applied magnetic field is, for example, about 5 Oe or more, particularly about 10 Oe or more. Then, at this time, anisotropy is imparted in the longitudinal direction within the ribbon surface.
なお、熱処理を薄帯に磁場とともに張力を印加しながら
行うこともできる。The heat treatment can also be performed while applying tension to the ribbon along with the magnetic field.
次いで、上記したように、層間絶縁層を介在させた状態
で、この薄帯を巻回し、巻回体を得、これをそのまま磁
心とする。Next, as described above, the ribbon is wound with the interlayer insulating layer interposed, to obtain a wound body, which is used as it is as a magnetic core.
この場合、層間絶縁層を介在させるには、薄帯とともに
絶縁材料の薄帯を巻回してもよい。あるいは熱処理の前
または後に塗設ないし被着した絶縁層を有する薄帯を巻
回してもよい。In this case, in order to interpose the interlayer insulating layer, a ribbon of an insulating material may be wound together with the ribbon. Alternatively, a ribbon having an insulating layer applied or deposited before or after the heat treatment may be wound.
IV発明の具体的作用 以上のような磁心には、所定の捲線が施され、その他所
定の加工が施され、例えば第１図に示されるような磁気
スイッチ用の各段のインダクターとされる。IV Specific Action of the Invention The magnetic core as described above is provided with predetermined windings and is subjected to other predetermined processing to form, for example, inductors at each stage for a magnetic switch as shown in FIG.
そして、前記したように、キャパシターとともに、第１
図に示示されるようなｎ段の磁気スイッチとされ、加速
器の荷電粒子の加速または制御部分のスイッチ等として
用いられる。And, as described above, together with the capacitor, the first
The magnetic switch is an n-stage magnetic switch as shown in the figure, and is used as a switch for accelerating or controlling charged particles in an accelerator.
Ｖ 発明の具体的効果 本発明の磁心は、加速器等に用いる磁気スイッチのイン
ダクターとして用いたとき、きわめて良好な特性を与え
る。V. Specific Effect of the Invention The magnetic core of the present invention gives extremely good characteristics when used as an inductor of a magnetic switch used in an accelerator or the like.
すなわち、磁心の角型性は良好で、直流でのＢｒ／Ｂ10
は０．７以上である。このため可飽和性が良好で、良好
なスイッチング特性を得る。That is, the squareness of the magnetic core is good, and the direct current Br / B 10
Is 0.7 or more. Therefore, the saturable property is good and a good switching characteristic is obtained.
また、Ｂｒ／Ｂ10≧０．７と高角形性であるので、μsa
tが１〜１０程度と小さく、磁心体積をきわめて小さく
できる。この際、μunsatは大きいので、μunsat／μsa
tは５００にも及ぶ大きな値を示す。この結果、パルス
巾の圧縮係数が大きくなり、スイッチの段数が少なくな
り、スイッチが小型化する。In addition, since Br / B 10 ≧ 0.7 is highly square, μsa
Since t is as small as about 1 to 10, the magnetic core volume can be made extremely small. At this time, μunsat is large, so μunsat / μsa
t shows a large value as large as 500. As a result, the compression factor of the pulse width is increased, the number of switch stages is reduced, and the switch is downsized.
Ｂｒ／Ｂ10が０．５〜０．６程度の等方性材料と比較し
たとき、Ｂｒ／Ｂ10が０．９程度のものは論理的最大圧
縮係数（μunsat／μsat)1/2が数倍以上増大し、数分の
一の小型化ができる。When Br / B 10 is compared to the isotropic material of about 0.5 to 0.6, the logical maximum compression factor as the Br / B 10 of about 0.9 (μunsat / μsat) 1/2 the number It is more than doubled and can be reduced by a few times.
さらに、Bsはきわめて大きく、しかもΔBs＝｜−Br｜＋
Bsもきわめて大きく、25〜32ＫＧ程度である。このため
磁心体積はより一層小さなものとなる。Moreover, Bs is extremely large, and ΔBs = | −Br | +
Bs is also extremely large, about 25 to 32 KG. Therefore, the magnetic core volume becomes even smaller.
しかも、１０KHz以上の高周波での損失はきわめて少な
く、動作下でのエネルギー損失はきわめて少ない。Moreover, the loss at high frequencies of 10 KHz or more is extremely small, and the energy loss during operation is extremely small.
さらに、スイッチング特性の経時変化も小さい。Furthermore, the change in switching characteristics over time is small.
そして、熱処理のための条件も広範囲であり、製造が容
易である。さらに耐食性等も良好である。Moreover, the conditions for heat treatment are wide, and the production is easy. Further, it has good corrosion resistance and the like.
そして、ガラス化元素成分として、SiおよびＢに加え、
Ｐおよび／またはＣを含む第２の発明においては、これ
らの特性の経時変化はきわめて少なくなる。Then, in addition to Si and B as vitrifying element components,
In the second invention containing P and / or C, changes in these characteristics with time are extremely small.
また、遷移金属成分としてCoおよび／またはNiを含む第
３の発明では、磁気特性が向上し、あるいは熱処理条件
が緩和して製造が容易となる。Further, in the third invention containing Co and / or Ni as the transition metal component, the magnetic characteristics are improved, or the heat treatment conditions are relaxed, which facilitates the production.
さらに、Mnを含む第４の発明では、経時変化はさらに減
少する。Furthermore, in the fourth invention containing Mn, the change with time is further reduced.
加えて、VIＢ族元素を含む第５の発明では、経時変化が
減少し、耐食性が向上する。In addition, in the fifth invention containing a VIB group element, the change with time is reduced and the corrosion resistance is improved.
VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。VI Specific Examples of the Invention Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing specific examples of the invention.
実施例１ 上記した式〔Ｉ〕に含まれる組成Fe78Si11B11（ｙ＝２
２at％、ｐ＝５０％）をもつ非晶質磁性合金薄帯Ａと、
上記した式の範囲外の組成Fe78Si13B13（ｙ＝２６％、
ｐ＝５０％）をもつ非晶質磁性合金薄帯Ｂとを高速急冷
法により得た。両者は、ほぼ完全に非晶質であり、とも
に厚さ１５μｍ、幅25.4mmである。Example 1 The composition contained in the above formula [I] Fe 78 Si 11 B 11 (y = 2
2at%, p = 50%) with an amorphous magnetic alloy ribbon A,
Composition outside the range of the above formula Fe 78 Si 13 B 13 (y = 26%,
Amorphous magnetic alloy ribbon B having p = 50%) was obtained by the rapid quenching method. Both are almost completely amorphous, and both have a thickness of 15 μm and a width of 25.4 mm.
次いで、これら薄帯Ａ、Ｂにつき、それぞれを５分割
し、その１つは何ら処理を施さず、又、他の４つには、
下記表１のような温度と時間にて、印加磁場２０Oeを薄
帯の長手方向に印加しながら熱処理を行い、試料Ａ−１
〜Ａ−５および試料Ｂ−１〜Ｂ−５を得た。Next, each of these thin strips A and B is divided into five, one of which is not subjected to any treatment, and the other four are
Heat treatment was performed while applying an applied magnetic field of 20 Oe in the longitudinal direction of the ribbon at the temperature and time as shown in Table 1 below, and the sample A-1
~ A-5 and samples B-1 to B-5 were obtained.
これら試料Ａ−１〜Ｂ−５につき、Ｘ線回折を行ったと
ころ、下記表１に示される結果を得た。When X-ray diffraction was performed on these samples A-1 to B-5, the results shown in Table 1 below were obtained.
次いで、上記各薄帯Ａ−１〜Ｂ−５を用い、各々厚さ１
０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥ
Ｔ）を層間に介して、内径76.2mm、外径１２７mm、高さ
25.4mmのトロイダル状に巻回し、計１０個の巻回体を得
た。 Then, using each of the above ribbons A-1 to B-5, a thickness of 1
0 μm polyethylene terephthalate film (PE
T) between layers, inner diameter 76.2mm, outer diameter 127mm, height
It was wound in a toroidal shape of 25.4 mm to obtain a total of 10 wound bodies.
このようにして得た磁心Ａ−１〜Ｂ−５に各々２ターン
の巻線を施し、可飽和インダクターＬ3を得た。Such subjected to winding of each two turns in the core A-1 to B-5 thus obtained, to obtain a saturable inductor L 3.
次いで、各磁心Ａ−１〜Ｂ−５を第２図に示す回路の磁
気スイッチの第３段の可飽和インダクターＬ3として組
込み、磁心特性を調べた。Next, the magnetic cores A-1 to B-5 were incorporated as a saturable inductor L 3 in the third stage of the magnetic switch of the circuit shown in FIG. 2, and the magnetic core characteristics were examined.
なお、各磁性のインダクタンスは、５〜40μＨの範囲で
あった。The magnetic inductance was in the range of 5 to 40 μH.
第２図に示される回路において、第１段のキャパシター
Ｃ1(20nF)に、抵抗Rin(107Ω）を介して、直流電源よ
り、チャージ電圧15KVにて充電した。充電完了後、スイ
ッチＳを閉じて、パルス伝送を開始した。Ｃ1に充電さ
れたエネルギーは、可飽和インダクターＬ1(2,000μ
Ｈ）の飽和によりＬ1から第２段のキャパシターＣ2)20n
F)、可飽和インダクターＬ2（２００μＨ）に伝送さ
れ、次いでＬ2の飽和により、第３段のキャパシターＣ3
（２０ｎＦ）、可飽和インダクターＬ3に伝送される。
このとき、各段において 飽和 未飽和 Ｌｎ ≫ Ｌn+1 （ｎ＝１〜２） と設計されているので、前段のステージへエネルギーが
戻らないように設計してある。In the circuit shown in FIG. 2, the first-stage capacitor C 1 (20 nF) was charged with a charging voltage of 15 KV from a DC power supply via a resistor Rin (10 7 Ω). After charging was completed, the switch S was closed and pulse transmission was started. The energy charged in C 1 is the saturable inductor L 1 (2,000 μ
H) causes saturation of L 1 to the second stage capacitor C 2 ) 20n
F) is transmitted to the saturable inductor L 2 (200 μH), and then the saturation of L 2 causes the third stage capacitor C 3
(20 nF), which is transmitted to the saturable inductor L 3 .
At this time, since it is designed with saturated unsaturated L n »L n + 1 ( n = 1~2) at each stage, it is designed so as not to return energy to the preceding stage.
Ｌ3にチャージされたエネルギーは、Ｌ3の飽和によりＬ
3を介して、抵抗負荷Rout（1.6Ω）に印加され、ここで
熱として消耗される。Charged energy to L 3 is, L by the saturation of L 3
It is applied to the resistance load Rout (1.6Ω) via 3 and is consumed here as heat.
磁心Ａ−１〜Ｂ−５を組込んだ可飽和インダクターＬ3
でのエネルギー損失のテスト結果を表２に示す。Saturable inductor L 3 incorporating magnetic cores A-1 to B-5
Table 2 shows the test results of the energy loss at.
さらに、テストに用いた磁心Ａ−１〜Ｂ−５を１２０℃
恒温槽中に１０００時間保持した後、上記と同様にエネ
ルギー損失を測定し、特性の経時変化を評価した。 Furthermore, the magnetic cores A-1 to B-5 used for the test were heated to 120 ° C.
After holding in a constant temperature bath for 1000 hours, the energy loss was measured in the same manner as above, and the change with time of the characteristics was evaluated.
結果を上記表２に併記する。表中×は大きな変化があっ
たこと、△は変化があったこと、○は変化がほとんどな
かったことを表わす。The results are also shown in Table 2 above. In the table, x indicates that there was a large change, Δ indicates that there was a change, and o indicates that there was almost no change.
表２に示される結果から、上記した式に示される組成を
もち、熱処理が施され、好ましくは部分的に結晶質を含
むこの出願の発明の薄帯を、磁気スイッチ用磁心として
用いるときのすぐれた効果が明らかである。From the results shown in Table 2, excellent results are obtained when the thin ribbon of the invention of this application, which has the composition represented by the above-mentioned formula, is heat-treated and preferably partially contains a crystalline material as a magnetic switch magnetic core. The effect is clear.
実施例２ 上記式〔Ｉ〕において、ガラス化元素成分量ｙと、ガラ
ス化元素成分中のSi含有比ｐとを、それぞれ変化させ
て、各種薄帯を作製した。Example 2 In the above formula [I], various ribbons were produced by changing the vitrification element component amount y and the Si content ratio p in the vitrification element component, respectively.
次いで、実施例１と同様に、印加磁場２０Oeを薄帯の長
手方向に印加しながら４００℃、２時間の熱処理を行い
試料を得た。Then, as in Example 1, heat treatment was carried out at 400 ° C. for 2 hours while applying an applied magnetic field of 20 Oe in the longitudinal direction of the ribbon to obtain a sample.
このように行った熱処理の結果、各薄帯のＸ線回折スペ
クトルには、いずれもハローとピークとが存在してい
た。As a result of the heat treatment performed as described above, the X-ray diffraction spectrum of each ribbon had a halo and a peak.
次にこのようにして得た薄帯につき、各々厚さ１０μｍ
のＰＥＴを層間に介して、実施例１と同様の内径76.2m
m、外径１２７mm、高さ25.4mmのトロイダル状に巻回
し、磁心を作製した。Next, for each thin ribbon thus obtained, the thickness is 10 μm.
The same inner diameter as in Example 1 76.2 m
A magnetic core was produced by winding in a toroidal shape with m, outer diameter 127 mm, and height 25.4 mm.
次いで、実施例１と同一の第２図に示される磁気スイッ
チの第３段における可飽和インダクターＬ3として粗込
み磁心のエネルギー損失を調べた。Next, the energy loss of the rough magnetic core was examined as the saturable inductor L 3 in the third stage of the magnetic switch shown in FIG.
このときの磁心のインダクタンスは、１５〜４０μＨの
範囲であった。The inductance of the magnetic core at this time was in the range of 15 to 40 μH.
エネルギー損失を測定した結果を第４図に示す。第４図
には、薄帯中のガラス化元素成分中のSi含有比ｐを横軸
にとり、ガラス化元素成分量ｙを縦軸にとり、ｙおよび
ｐの異なる各種薄帯から得られた磁心において、そのエ
ネルギー損失が、それぞれ0.1J、0.15J、0.2Jである組成
線が示される。The result of measuring the energy loss is shown in FIG. In Fig. 4, the Si content ratio p in the vitrifying element component in the ribbon is plotted on the horizontal axis, and the vitrifying element component amount y is plotted on the vertical axis, and magnetic cores obtained from various ribbons with different y and p , The energy loss is 0.1J, 0.15J, 0.2J, respectively.
第４図に示される結果から、Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−
Ｇ−Ａで囲まれる領域内の組成をもつこの出願の薄帯か
ら得られる磁心は、ほぼ0.15J以下のエネルギー損失し
か示さず、これに対し、上記領域外の薄帯から得られる
磁心では、エネルギー損失が増大してしまうことがわか
る。From the results shown in FIG. 4, A-B-C-D-E-F-
The core obtained from the ribbon of this application having a composition in the region surrounded by G-A exhibits an energy loss of approximately 0.15 J or less, whereas the core obtained from the ribbon outside the region is It can be seen that the energy loss increases.
次いで、各磁心につき、磁心両端に印加される電圧を測
定し、下記式にて磁心のΔBsを測定した。Next, for each magnetic core, the voltage applied to both ends of the magnetic core was measured, and ΔBs of the magnetic core was measured by the following formula.
∫ＶＬ3dt≒＜ＶＬ3＞×τ＝Ｎ・Ａ・ΔBs ＶＬ3 ：磁心に印加された電圧 ＜ＶＬ3＞ ：磁心に印加された電圧の平均値 τ ：電圧の印加された時間 Ｎ ：磁心の巻線、ここでは、Ｎ＝２
ターン また、算出されたΔBsから同一のエネルギーを伝送する
のに必要な磁心体積の関係 （エネルギー）／（磁心体積）∝（ΔBs)2 から、ΔBs＝３Ｔでの磁心体積に対する磁心体積の相対
百分率を求めた。∫ VL 3 dt ≒ <VL 3 > × τ = N · A · ΔBs VL 3 : voltage applied to the magnetic core <VL 3 >: average value of voltage applied to the magnetic core τ: time when voltage is applied N: Winding of magnetic core, here N = 2
Turn Also, from the relationship of the magnetic core volume required to transmit the same energy from the calculated ΔBs, (energy) / (magnetic core volume) ∝ (ΔBs) 2 , the relative percentage of the magnetic core volume to the magnetic core volume at ΔBs = 3T I asked.
ΔBsと相対磁心体積の組成線を第５図に示す。なお、通
常のフェライトのΔBsは0.45Ｔである。The composition line of ΔBs and relative core volume is shown in FIG. The ΔBs of ordinary ferrite is 0.45T.
第５図に示される結果から、本発明の磁心はきわめて高
いΔBsを示し、磁心体積も小さくできることがわかる。From the results shown in FIG. 5, it can be seen that the magnetic core of the present invention exhibits a very high ΔBs and the magnetic core volume can be reduced.
さらに実施例１と同様に、磁心を１２０℃、1,000時間
時効した後に回路を形成したときのエネルギー損失の経
時変化を測定した。Further, in the same manner as in Example 1, the change over time in energy loss was measured when a circuit was formed after aging the magnetic core at 120 ° C. for 1,000 hours.
結果を第６図に示す。第６図に示される結果から、本発
明によれば、極めて良好な経時変化特性を示すことがわ
かる。Results are shown in FIG. From the results shown in FIG. 6, it can be seen that the present invention exhibits extremely good characteristics with time.
加えて、各組成ごとに１２０分間の熱処理にて、エネル
ギー損失が0.15J以下で、かつ経時変化が１０％未満の
特性を得るための熱処理温度Tanの許容巾ΔTanを求め
た。In addition, the allowable width ΔTan of the heat treatment temperature Tan for obtaining the characteristics that the energy loss is 0.15 J or less and the change with time is less than 10% was obtained by heat treatment for 120 minutes for each composition.
ΔTanがそれぞれ２５℃および５０℃である組成線を第
７図に示す。FIG. 7 shows the composition lines having ΔTan of 25 ° C. and 50 ° C., respectively.
第７図に示される結果から、本発明のＡ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−
Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ａで囲まれる領域内の組成をもつ薄帯は、
２５℃以上の熱処理温度許容巾を示すことがわかる。From the results shown in FIG. 7, ABCD- of the present invention
The ribbon having the composition within the area surrounded by E-F-G-A is
It can be seen that the heat treatment temperature allowable range of 25 ° C. or higher is exhibited.
なお、Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ａで囲まれる領域
内の組成をもつ薄帯は、いずれもすぐれた耐食性を示し
た。The ribbons having the composition in the area surrounded by ABCDEFAGGA all showed excellent corrosion resistance.
実施例３ 実施例１に用いた非晶質磁性合金組成Ａの厚さを下記表
３のように変化させて、実施例１と同一の磁心寸法に
て、Ａ−４の熱処理を施して可飽和インダクターＬ3用
磁心を作製し、実施例１と同様にエネルギー損失を測定
した。結果を表３に示す。Example 3 The thickness of the amorphous magnetic alloy composition A used in Example 1 was changed as shown in Table 3 below, and the heat treatment of A-4 was performed with the same magnetic core size as in Example 1. A magnetic core for a saturated inductor L 3 was produced and the energy loss was measured as in Example 1. The results are shown in Table 3.
表３に示される結果から、薄帯の厚さは２０μｍをこえ
るとエネルギー損失が増大し、２０μｍ以下、特に５〜
１８μｍでなければならないことがわかる。 From the results shown in Table 3, the energy loss increases when the thickness of the ribbon exceeds 20 μm, and is 20 μm or less, especially 5 to
It can be seen that it must be 18 μm.
実施例４ 下記表４に示される組成の非晶質磁性合金薄帯を得た。
これらの薄帯を用い、実施例１と同様に磁心を形成し
て、Ｌ3としての各種特性、すなわちエネルギー損失、
ΔBs、同一エネルギー伝送に必要な相対磁心体積、エネ
ルギー損失の経時変化、熱処理温度の許容巾ΔTanを測
定した。結果を表４に示す。Example 4 An amorphous magnetic alloy ribbon having the composition shown in Table 4 below was obtained.
Using these ribbons, a magnetic core was formed in the same manner as in Example 1, and various characteristics as L 3 , that is, energy loss,
∆Bs, relative magnetic core volume required for the same energy transmission, changes in energy loss over time, and allowable width of heat treatment ∆Tan were measured. The results are shown in Table 4.
なお、いずれの場合も、Ｘ線回折の結果、ハローとピー
クとが存在していた。In each case, as a result of X-ray diffraction, a halo and a peak were present.
また、本実施例では、耐食性試験も行った。試験条件は
温度５５℃、湿度９５％の環境下にて１０００時間時効
とし、薄帯表面のサビの有無を調べた。Further, in this example, a corrosion resistance test was also conducted. The test conditions were aging for 1000 hours in an environment of a temperature of 55 ° C. and a humidity of 95%, and the presence or absence of rust on the surface of the ribbon was examined.
結果を表４に示した。表４中△は１０％以下のサビが生
じたこと、○はサビが認められなかったことを示す。The results are shown in Table 4. In Table 4, Δ indicates that 10% or less of rust was generated, and ○ indicates that rust was not recognized.
さらに、経時変化において◎は、実施例１の条件下に
て、まったく変化がなかったことを示す。Further, in the change with time, ⊚ indicates that there was no change under the conditions of Example 1.
また、熱処理温度の許容巾ΔTanは実施例２と同様に測
定し、○はΔTan＜２５℃、 △な２５℃≦ΔTan＜５０℃、×は５０℃＜ΔTanである
ことを示す。Further, the allowable width ΔTan of the heat treatment temperature was measured in the same manner as in Example 2, and ○ indicates ΔTan <25 ° C., Δ25 ° C. ≦ ΔTan <50 ° C., and × indicates 50 ° C. <ΔTan.
加えて、相対磁心体積は、本実施例中での相対値であ
る。In addition, the relative magnetic core volume is a relative value in this embodiment.
表４に示される結果から、この出願の第１〜第５の発明
の効果があきらかである。 From the results shown in Table 4, the effects of the first to fifth inventions of this application are clear.
実施例５ 上記実施例４の表４の組成の磁心の直流Ｂ−Ｈループで
のＢｒ／Ｂ10およびＢｒ／Ｂｓを測定した。これらはい
ずれも高角形性で、Ｂｒ／ＢｓとＢｒ／Ｂ10はほとんど
等しく、Ｂｒ／Ｂｓ、Ｂｒ／Ｂ10はいずれも０．７を超
えていた。一部の磁心のＢｒ／Ｂｓを下記表５に示す。Example 5 Br / B 10 and Br / Bs in the DC BH loop of the magnetic core having the composition shown in Table 4 of Example 4 were measured. All of them were highly prismatic, Br / Bs and Br / B 10 were almost equal, and Br / Bs and Br / B 10 were all above 0.7. Table 5 below shows Br / Bs of some magnetic cores.
なお、表５には特開昭５６−４４７４６号広報（従来
例）の実施例の試料のＢｒおよびＢｓと、それから計算
されるＢｒ／Ｂｓを併記する。In addition, in Table 5, Br and Bs of the sample of the example disclosed in JP-A-56-44746 (conventional example) and Br / Bs calculated therefrom are also shown.
従来例は、いずれも等方性材料であり、Ｂｒ／Ｂｓは約
０．５であり、Ｂｒ／Ｂ10も０．６以下である。 All of the conventional examples are isotropic materials, Br / Bs is about 0.5, and Br / B 10 is also 0.6 or less.
角形比が異なると、μsatは大きく変化する。ただし、
μunsatはそれほと変わらない。Ｂｒ／Ｂｓが０．５程
度から０．９程度に変わると、（μunsat／μsat)1/2は
７倍程度大きくなる。Μ sat varies significantly with different squareness ratios. However,
μ unsat is no different. When Br / Bs changes from about 0.5 to about 0.9, (μ unsat / μ sat ) 1/2 becomes about 7 times larger.
従来例では圧縮係数が小さいため、圧縮段数を多段にし
なければならないが、本発明では圧縮係数を７倍程度大
きくできるので、1/7倍程度の小型化ができる。In the conventional example, since the compression coefficient is small, it is necessary to increase the number of compression steps, but in the present invention, the compression coefficient can be increased by about 7 times, so that the size can be reduced by about 1/7 times.
第１図は、本発明の磁心を用いる磁気スイッチの基本回
路を示す図である。 第２図は、本発明の磁心の効果を確認するための回路を
示す図である。 第３図は、本発明におけるガラス化元素成分中のSi含有
比ｐとガラス化元素成分量ｙとの関係を説明するための
ｐ−ｙ座標図である。 第４図〜第７図は、それぞれ、第２図の回路にて試験さ
れた上記ｐ−ｙ座標におけるエネルギー損失（第４
図）、ΔBsおよび同一エネルギー伝送に必要な相対磁心
体積（第５図）、エネルギー損失の経時変化（第６
図）、ならびに熱処理温度の許容巾ΔTanの組成線を示
すグラフである。FIG. 1 is a diagram showing a basic circuit of a magnetic switch using the magnetic core of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing a circuit for confirming the effect of the magnetic core of the present invention. FIG. 3 is a py coordinate diagram for explaining the relationship between the Si content ratio p in the vitrification element component and the vitrification element component amount y in the present invention. FIGS. 4 to 7 show the energy loss at the py coordinates tested in the circuit of FIG.
), ΔBs, relative magnetic core volume required for the same energy transmission (Fig. 5), and energy loss over time (Sixth)
FIG. 3) and a graph showing the composition line of the allowable width ΔTan of the heat treatment temperature.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−44746（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−82454（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−127749（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−13146（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−111427（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) Reference JP-A-56-44746 (JP, A) JP-A-57-82454 (JP, A) JP-A-56-127749 (JP, A) JP-A-57- 13146 (JP, A) JP-A-57-111427 (JP, A)
Claims (5)
２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、層間絶縁層を
介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処理が施されて
おり、前記薄帯は、非晶質であるか、部分的に結晶質を
含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残留磁束密度、
Ｂ10はＯ10eでの磁束密度）が０．７以上であることを
特徴とする磁気スイッチ用磁心。 式［Ｉ］Ｆｅx(SipBq)y ｛上記式［Ｉ］において、 ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。 また、ｐ＋ｑ＝１００％であり、このうち、ｐは４０〜
７５％である。 さらに、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦０．１ｐ＋１９、ｙ≧
０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ＋１３．７である。｝1. A thin ribbon of an amorphous magnetic alloy having a composition represented by the following formula [I] and having a thickness of 20 μm or less is wound with an interlayer insulating layer interposed between the ribbon and the ribbon. Heat treatment has been applied, and the ribbon is amorphous or partially partially crystalline, and Br / B 10 (Br is the residual magnetic flux density,
B 10 is a magnetic core for a magnetic switch, which has a magnetic flux density at O10e of 0.7 or more. Formula [I] Fe x (Si p B q ) y {In the above formula [I], x + y = 100 at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%. Also, p + q = 100%, of which p is 40 to
75%. Furthermore, y ≦ 0.5p + 1, y ≦ 0.1p + 19, y ≧
0.3p + 2 and y ≧ 0.13p + 13.7. }
２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、層間絶縁層を
介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処理が施されて
おり、前記薄帯は、非晶質であるか、部分的に結晶質を
含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残留磁束密度、
Ｂ10はＯ10eでの磁束密度）が０．７以上であることを
特徴とする磁気スイッチ用磁心。 式［II］Ｆｅx(SipBqXr I)y ｛上記式［II］において、 ＸIは、ＰおよびＣの１種または２種を表わす。 ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。 ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００％であり、このうち、ｐは４０〜７
５％、ｒは０．０１〜２４％である。 さらに、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦０．１ｐ＋１９、ｙ≧
０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ＋１３．７である。｝2. A thin ribbon of an amorphous magnetic alloy having a composition represented by the following formula [II] and having a thickness of 20 μm or less is wound with an interlayer insulating layer interposed between the ribbon and the ribbon. Heat treatment has been applied, and the ribbon is amorphous or partially partially crystalline, and Br / B 10 (Br is the residual magnetic flux density,
B 10 is a magnetic core for a magnetic switch, which has a magnetic flux density at O10e of 0.7 or more. Formula [II] Fe x (Si p B q X r I ) y {In the above formula [II], X I represents one or two of P and C. x + y = 100at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%. p + q + r = 100%, of which p is 40 to 7
5% and r are 0.01 to 24%. Furthermore, y ≦ 0.5p + 1, y ≦ 0.1p + 19, y ≧
0.3p + 2 and y ≧ 0.13p + 13.7. }
さ２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、層間絶縁層
を介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処理が施され
ており、前記薄帯は、非晶質であるか、部分的に結晶質
を含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残留磁束密
度、Ｂ10Ｏは10eでの磁束密度）が０．７以上であるこ
とを特徴とする磁気スイッチ用磁心。 式［III］（ＦｅaCob)xXy ｛上記式［III］において、 Ｘは、ＳｉおよびＢ、またはＳｉおよびＢとＰおよび／
またはＣとの組合わせを表わす。 ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。 また、ａ＋ｂ＝１００％であり、このうち、ｂは０．１
〜２０％である。 さらに、Ｘ中のＳｉの含有比をｐ％としたとき、ｐは４
０〜７５％であり、しかも、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦
０．１ｐ＋１９、ｙ≧０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ
＋１３．７である。 さらに、Ｘ中にＰおよび／またはＣが含まれるとき、Ｐ
とＣとの総計は、Ｘ中の０．０１〜２４％である。｝3. A ribbon made of an amorphous magnetic alloy having a composition represented by the following formula [III] and having a thickness of 20 μm or less is wound with an interlayer insulating layer interposed between the ribbon and the ribbon. Heat treatment has been applied, and the ribbon is amorphous or partially crystalline amorphous, and Br / B 10 (Br is the residual magnetic flux density and B 10 O is 10e). A magnetic core for a magnetic switch, which has a magnetic flux density of 0.7 or more. Formula [III] (Fe a Co b ) x X y {In the above formula [III], X is Si and B, or Si and B and P and / or
Or represents a combination with C. x + y = 100at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%. Also, a + b = 100%, of which b is 0.1
~ 20%. Furthermore, when the content ratio of Si in X is p%, p is 4
0 to 75%, and y ≦ 0.5p + 1, y ≦
0.1p + 19, y ≧ 0.3p + 2 and y ≧ 0.13p
It is +13.7. Furthermore, when P and / or C is contained in X, P
And the total of C is 0.01 to 24% in X. }
２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、層間絶縁層を
介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処理が施されて
おり、前記薄帯は、非晶質であるか、部分的に結晶質を
含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残留磁束密度、
Ｂ10はＯ10eでの磁束密度）が０．７以上であることを
特徴とする磁気スイッチ用磁心。 式［IV］（Ｔc II Mna)xXy ｛上記式［IV］において、 ＴIIは、Ｆｅ、またはＦｅおよびＣｏを表わす。 Ｘは、ＳｉおよびＢ、またはＳｉおよびＢとＰおよび／
またはＣとの組合わせを表わす。 ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。 また、ｃ＋ｄ＝１００％であり、ｄは０．１〜５％であ
る。 さらに、ＴII中にＣｏが含まれるとき、Ｃｏは、ＴII中
の０．１〜２０％である。 加えて、Ｘ中のＳｉの含有比をｐ％としたとき、ｐは４
０〜７５％であり、しかも、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦
０．１ｐ＋１９、ｙ≧０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ
＋１３．７である。 そして、Ｘ中にＰおよび／またはＣが含まれるとき、Ｐ
とＣとの総計は、Ｘ中の０．０１〜２４％である。｝4. A thin ribbon of an amorphous magnetic alloy having a composition represented by the following formula [IV] and having a thickness of 20 μm or less is wound with an interlayer insulating layer interposed between the ribbon and the ribbon. Heat treatment has been applied, and the ribbon is amorphous or partially partially crystalline, and Br / B 10 (Br is the residual magnetic flux density,
B 10 is a magnetic core for a magnetic switch, which has a magnetic flux density at O10e of 0.7 or more. In the formula [IV] (T c II Mn a) x X y { the formula [IV], T II represents Fe or Fe and Co,. X is Si and B, or Si and B and P and / or
Or represents a combination with C. x + y = 100at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%. Further, c + d = 100%, and d is 0.1 to 5%. Furthermore, when included Co in T II, Co is 0.1 to 20% of the T II. In addition, when the content ratio of Si in X is p%, p is 4
0 to 75%, and y ≦ 0.5p + 1, y ≦
0.1p + 19, y ≧ 0.3p + 2 and y ≧ 0.13p
It is +13.7. When P and / or C is included in X, P
And the total of C is 0.01 to 24% in X. }
２０μｍ以下の非晶質磁性合金の薄帯を、層間絶縁層を
介して巻回してなり、前記薄帯には、熱処理が施されて
おり、前記薄帯は、非晶質であるか、部分的に結晶質を
含む非晶質であり、Ｂｒ／Ｂ10（Ｂｒは残留磁束密度、
Ｂ10はＯ10eでの磁束密度）が０．７以上であることを
特徴とする磁気スイッチ用磁心。 式［Ｖ］（Ｔe IIITIV f)xXy ｛上記式［Ｖ］において、 ＴIIIは、Ｆｅ、またはＦｅとＣｏおよびＭｎのうちの
１種以上との組合わせを表わし、 ＴIVは、IVＢ族元素の１種以上を表わし、 Ｘは、ＳｉおよびＢ、またはＳｉおよびＢとＰおよび／
またはＣとの組合わせを表わす。 ｘ＋ｙ＝１００at%であり、このうち、ｙは２１〜２
５．５at%である。 また、ｅ＋ｆ＝１００％であり、ｆは０．１〜７％であ
る。 さらに、ＴIII中にＣｏが含まれるとき、Ｃｏは、ＴIII
中の０．１〜２０％であり、また ＴIII中にＭｎが含まれるとき、ＭｎはＴIII中の０．１
〜５％である。 加えて、Ｘ中のＳｉの含有比をｐ％としたとき、ｐは４
０〜７５％であり、しかも、ｙ≦０．５ｐ＋１、ｙ≦
０．１ｐ＋１９、ｙ≧０．３ｐ＋２かつｙ≧０．１３ｐ
＋１３．７である。 そして、Ｘ中にＰおよび／またはＣが含まれるとき、Ｐ
とＣとの総計は、Ｘ中の０．０１〜２４％である。｝5. A ribbon made of an amorphous magnetic alloy having a composition represented by the following formula [V] and having a thickness of 20 μm or less is wound with an interlayer insulating layer interposed between the ribbon and the ribbon. Heat treatment has been applied, and the ribbon is amorphous or partially partially crystalline, and Br / B 10 (Br is the residual magnetic flux density,
B 10 is a magnetic core for a magnetic switch, which has a magnetic flux density at O10e of 0.7 or more. Formula [V] (T e III T IV f ) x X y {In the above formula [V], T III represents Fe or a combination of Fe and one or more of Co and Mn, and T IV Represents one or more IVB group elements, X represents Si and B, or Si and B and P and / or
Or represents a combination with C. x + y = 100at%, of which y is 21 to 2
It is 5.5 at%. Further, e + f = 100%, and f is 0.1 to 7%. Furthermore, when included Co in T III, Co is, T III
And 0.1 to 20% of the, also when included Mn in T III, Mn is in the T III 0.1
~ 5%. In addition, when the content ratio of Si in X is p%, p is 4
0 to 75%, and y ≦ 0.5p + 1, y ≦
0.1p + 19, y ≧ 0.3p + 2 and y ≧ 0.13p
It is +13.7. When P and / or C is included in X, P
And the total of C is 0.01 to 24% in X. }
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174795A JPH0611007B2 (en) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | Magnetic core for magnetic switch |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57174795A JPH0611007B2 (en) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | Magnetic core for magnetic switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963704A JPS5963704A (en) | 1984-04-11 |
| JPH0611007B2 true JPH0611007B2 (en) | 1994-02-09 |
Family
ID=15984797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57174795A Expired - Lifetime JPH0611007B2 (en) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | Magnetic core for magnetic switch |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0611007B2 (en) |
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-
1982
- 1982-10-05 JP JP57174795A patent/JPH0611007B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPS5963704A (en) | 1984-04-11 |
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