JPH06105749B2 - レ−ザスクライビング方法 - Google Patents
レ−ザスクライビング方法Info
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- JPH06105749B2 JPH06105749B2 JP10612886A JP10612886A JPH06105749B2 JP H06105749 B2 JPH06105749 B2 JP H06105749B2 JP 10612886 A JP10612886 A JP 10612886A JP 10612886 A JP10612886 A JP 10612886A JP H06105749 B2 JPH06105749 B2 JP H06105749B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、レーザビームによりウエハをスクライブする
方法において、水がレーザビームのエネルギを相当減衰
させることを利用して、レーザビームのウエハに対する
照射幅を規制し、チッピングの少ないスクライブが行な
われるようにしたものである。
方法において、水がレーザビームのエネルギを相当減衰
させることを利用して、レーザビームのウエハに対する
照射幅を規制し、チッピングの少ないスクライブが行な
われるようにしたものである。
本発明はレーザスクライビング方法に関する。
ウエハをスクライブする方法の一つとして、レーザビー
ムでウエハ材料を溶融、蒸発させて切断するレーザスク
ライビング方法がある。この方法によれば、切断速度が
速く、ウエハの表面状態に依存せず、操作も簡単である
等の利点がある。
ムでウエハ材料を溶融、蒸発させて切断するレーザスク
ライビング方法がある。この方法によれば、切断速度が
速く、ウエハの表面状態に依存せず、操作も簡単である
等の利点がある。
従来のレーザスクライビング方法は第７図に示すよう
に、レーザビーム１をウエハ２上に照射し、矢印方向に
移動させることにより行なっており、レーザビーム１の
ウエハ２上のスポット３の走査軌跡に沿ってスクライブ
される。４はスクライブされた部分であり、二点鎖線で
示す幅Ｗのスクライブライン５の幅内に形成される。
に、レーザビーム１をウエハ２上に照射し、矢印方向に
移動させることにより行なっており、レーザビーム１の
ウエハ２上のスポット３の走査軌跡に沿ってスクライブ
される。４はスクライブされた部分であり、二点鎖線で
示す幅Ｗのスクライブライン５の幅内に形成される。
スクライブ部分４の側面はギザギザが非常に多く、従っ
て、切り出された個々のIC6は第８図に示すように、周
側面がギザギザの非常に多い面となる。このギザギザ
は、IC6内にマイクロクラックを形成してIC6の欠けの原
因を作り、IC6の信頼性上問題であった。
て、切り出された個々のIC6は第８図に示すように、周
側面がギザギザの非常に多い面となる。このギザギザ
は、IC6内にマイクロクラックを形成してIC6の欠けの原
因を作り、IC6の信頼性上問題であった。
本発明は、レーザビームによりウエハをスクライブする
方法において、水を利用して該レーザビームの該ウエハ
に対する照射幅を規制する照射幅規制手段を、上記ウエ
ハのスクライブライン上に配し、該レーザビームを該照
射規制手段に沿って照射する。
方法において、水を利用して該レーザビームの該ウエハ
に対する照射幅を規制する照射幅規制手段を、上記ウエ
ハのスクライブライン上に配し、該レーザビームを該照
射規制手段に沿って照射する。
照射幅規制手段は、ここに照射された部分のレーザビー
ムのエネルギを相当減衰させ、スクライブ能力を喪失さ
せ、チッピングを抑制する。
ムのエネルギを相当減衰させ、スクライブ能力を喪失さ
せ、チッピングを抑制する。
第１図は本発明の一実施例になるレーザスクライビング
方法を示す。同図中、10はスクライブされるウエハであ
り、多少傾斜して配されたテーブル11上に真空チャック
により固定してある。
方法を示す。同図中、10はスクライブされるウエハであ
り、多少傾斜して配されたテーブル11上に真空チャック
により固定してある。
12は照射幅規制治具であり、フレーム13に、一対の樋1
4,15を一組として、これが複数組所定ピッチＰで平行に
並んで固定された構成である。16は水を貯溜したタン
ク、17はタンク16内の水を各樋14,15に供給するホース
である。
4,15を一組として、これが複数組所定ピッチＰで平行に
並んで固定された構成である。16は水を貯溜したタン
ク、17はタンク16内の水を各樋14,15に供給するホース
である。
照射幅規制手段としての一対の樋14,15は、第２図
（Ａ），（Ｂ）に拡大して示すように、近接して平行に
配されており、両者間に幅W1のスリット18が形成してあ
る。一対の樋14,15の全幅W2は、スクライブライン19の
幅W3より小である。また各樋14,15は、断面が略Ｕ字形
であり、径が数10μのものである。
（Ａ），（Ｂ）に拡大して示すように、近接して平行に
配されており、両者間に幅W1のスリット18が形成してあ
る。一対の樋14,15の全幅W2は、スクライブライン19の
幅W3より小である。また各樋14,15は、断面が略Ｕ字形
であり、径が数10μのものである。
スクライビングは、上記治具12をウエハ10上にセット
し、各樋14,15に水を供給した状態で、炭酸ガスレーザ
ビーム20を照射して行なう。
し、各樋14,15に水を供給した状態で、炭酸ガスレーザ
ビーム20を照射して行なう。
治具12がセットされると、第２図（Ａ），（Ｂ）に示す
ように、樋14,15がウエハ10のスクライブライン19上に
当接して支持される。樋14,15は第２図（Ｂ）に示すよ
うに水21で満たされ、表面は表面張力により盛り上がっ
て且つ左右に多少迫り出した状態となる。
ように、樋14,15がウエハ10のスクライブライン19上に
当接して支持される。樋14,15は第２図（Ｂ）に示すよ
うに水21で満たされ、表面は表面張力により盛り上がっ
て且つ左右に多少迫り出した状態となる。
レーザビーム20は、スポット22の中心がスリット18の中
心と一致するように照射され、スリット18に沿って矢印
方向に移動される。
心と一致するように照射され、スリット18に沿って矢印
方向に移動される。
ここで、レーザビーム20のウエハ10上のスポット22の径
Ｄ及び上記幅寸法W1，W2は、W1＜Ｄ＜W2の関係を満たす
ように定めてある。
Ｄ及び上記幅寸法W1，W2は、W1＜Ｄ＜W2の関係を満たす
ように定めてある。
従って、レーザビーム20は、両側の部分20a,20bは樋14,
15の水21を照射し、スリット18に対向する部分20cがウ
エハ10を照射する。ビーム部分20a,20bのエネルギは、
水21を透過するときにかなり減衰され、スクライブ能力
を喪失され、ウエハ10にはこれをスクライブするに足る
エネルギが作用しない。
15の水21を照射し、スリット18に対向する部分20cがウ
エハ10を照射する。ビーム部分20a,20bのエネルギは、
水21を透過するときにかなり減衰され、スクライブ能力
を喪失され、ウエハ10にはこれをスクライブするに足る
エネルギが作用しない。
従って、ビーム部分20cだけがスクライブを行なう。
即ち、ウエハ10は、樋14,15内の水21によりレーザビー
ム20による照射幅を規制され、スクライブも樋14,15に
より幅を規制された状態で行なわれる。
ム20による照射幅を規制され、スクライブも樋14,15に
より幅を規制された状態で行なわれる。
これにより、ウエハ10は第３図に示すようにチッピング
が抑えられた状態で幅W1でスクライブされ、スクライブ
された部分23の面23a,23bはギザギザの少ない平滑な面
となる。
が抑えられた状態で幅W1でスクライブされ、スクライブ
された部分23の面23a,23bはギザギザの少ない平滑な面
となる。
従って、切り出されたIC24は、第４図に示すように、ギ
ザギザの少ない平滑な周側面25を有するものとなる。こ
のため、IC24にマイクロクラックが入ってこれが欠ける
という虞れは殆ど無くなり、IC24は、第８図の従来のIC
6に比べて高い信頼性を有する。
ザギザの少ない平滑な周側面25を有するものとなる。こ
のため、IC24にマイクロクラックが入ってこれが欠ける
という虞れは殆ど無くなり、IC24は、第８図の従来のIC
6に比べて高い信頼性を有する。
なお、第１図に示す状態で、レーザビーム20を各対をな
す樋に沿って走査させ、その後、テーブル11を矢印方向
に90度回動させ、レーザビーム20を上記と同様に走査さ
せることにより、ウエハ10は格子状にスクライブされ
る。
す樋に沿って走査させ、その後、テーブル11を矢印方向
に90度回動させ、レーザビーム20を上記と同様に走査さ
せることにより、ウエハ10は格子状にスクライブされ
る。
第５図及び第６図（Ａ），（Ｂ）は本発明の別の実施例
を示す。この実施例は、上記樋の代わりに糸30,31を張
り、この一対の糸30,31に水を湿らせて、照射幅規制手
段としたものである。第５図及び第６図（Ａ），（Ｂ）
中、第１図及び第２図（Ａ），（Ｂ）に示す構成と対応
する部分には同一符号を付しその説明は省略する。糸3
0,31は上記樋14,15と略同径である。
を示す。この実施例は、上記樋の代わりに糸30,31を張
り、この一対の糸30,31に水を湿らせて、照射幅規制手
段としたものである。第５図及び第６図（Ａ），（Ｂ）
中、第１図及び第２図（Ａ），（Ｂ）に示す構成と対応
する部分には同一符号を付しその説明は省略する。糸3
0,31は上記樋14,15と略同径である。
レーザビーム20のうち糸30,31を照射した部分のエネル
ギは糸30,31に含まれている及びこれに付着している水3
2により相当減衰され、スリット18に対応する部分のエ
ネルギがスクライブを行なう。これにより、スクライブ
は上記の場合と同様に、チッピングが押えられた状態で
行なわれ、マイクロクラックの入る虞れのない第４図に
示すIC24が切り出される。
ギは糸30,31に含まれている及びこれに付着している水3
2により相当減衰され、スリット18に対応する部分のエ
ネルギがスクライブを行なう。これにより、スクライブ
は上記の場合と同様に、チッピングが押えられた状態で
行なわれ、マイクロクラックの入る虞れのない第４図に
示すIC24が切り出される。
本発明によれば、水を利用した照射幅規制手段の作用
で、スクライブ手段としてレーザビームを使用してチッ
ピングが効果的に抑制されたスクライビングを行なうこ
とが出来、然してマイクロクラックが入る虞れが無く、
欠けの点で高信頼性を有するICを切り出すことが出来
る。
で、スクライブ手段としてレーザビームを使用してチッ
ピングが効果的に抑制されたスクライビングを行なうこ
とが出来、然してマイクロクラックが入る虞れが無く、
欠けの点で高信頼性を有するICを切り出すことが出来
る。
第１図は本発明の一実施例になるレーザスクライビング
方法を説明する図、 第２図（Ａ），（Ｂ）は第１図中レーザビームと一対の
樋との関係を拡大して示す図、 第３図は本発明方法による切断部分を示す図、 第４図は本発明方法により切り出されたICを示す図、 第５図は本発明の他の実施例のレーザスクライビング方
法を説明する図、 第６図（Ａ），（Ｂ）は第５図中レーザビームと一対の
糸との関係を拡大して示す図、 第７図は従来のレーザスクライビング方法を示す図、 第８図は従来のレーザスクライビング方法により切り出
されたICを示す図である。 第１図乃至第６図（Ａ），（Ｂ）中、 10はウエハ、11はテーブル、12は照射幅規制治具、14,1
5は樋、16はタンク、17はホース、18はスリット、19は
スクライブライン、20は炭酸ガスレーザビーム、21は
水、22はスポット、23はスクライブされた部分、23a,23
bは平滑な面、24はIC、25は平滑な周側面、30,31は糸、
32は糸に含まれている及びこれに付着している水であ
る。
方法を説明する図、 第２図（Ａ），（Ｂ）は第１図中レーザビームと一対の
樋との関係を拡大して示す図、 第３図は本発明方法による切断部分を示す図、 第４図は本発明方法により切り出されたICを示す図、 第５図は本発明の他の実施例のレーザスクライビング方
法を説明する図、 第６図（Ａ），（Ｂ）は第５図中レーザビームと一対の
糸との関係を拡大して示す図、 第７図は従来のレーザスクライビング方法を示す図、 第８図は従来のレーザスクライビング方法により切り出
されたICを示す図である。 第１図乃至第６図（Ａ），（Ｂ）中、 10はウエハ、11はテーブル、12は照射幅規制治具、14,1
5は樋、16はタンク、17はホース、18はスリット、19は
スクライブライン、20は炭酸ガスレーザビーム、21は
水、22はスポット、23はスクライブされた部分、23a,23
bは平滑な面、24はIC、25は平滑な周側面、30,31は糸、
32は糸に含まれている及びこれに付着している水であ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】レーザビーム（20）によりウエハ（10）を
スクライブする方法において、 水（21,32）を利用して該レーザビームの該ウエハに対
する照射幅を規制する照射幅規制手段（14,15,21,30,3
1,32）を、上記ウエハ（10）のスクライブライン（19）
上に配し、該レーザビーム（20）を該照射幅規制手段
（14,15,21,30,31,32）に沿って照射することを特徴と
するレーザスクライビング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10612886A JPH06105749B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | レ−ザスクライビング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10612886A JPH06105749B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | レ−ザスクライビング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62262442A JPS62262442A (ja) | 1987-11-14 |
| JPH06105749B2 true JPH06105749B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=14425778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10612886A Expired - Fee Related JPH06105749B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | レ−ザスクライビング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105749B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345658A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Kinseki Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
| US7772090B2 (en) * | 2003-09-30 | 2010-08-10 | Intel Corporation | Methods for laser scribing wafers |
| JP5258671B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2013-08-07 | 三菱化学株式会社 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP10612886A patent/JPH06105749B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62262442A (ja) | 1987-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |