JPH06104591A - マイクロ波モジュール - Google Patents
マイクロ波モジュールInfo
- Publication number
- JPH06104591A JPH06104591A JP24929092A JP24929092A JPH06104591A JP H06104591 A JPH06104591 A JP H06104591A JP 24929092 A JP24929092 A JP 24929092A JP 24929092 A JP24929092 A JP 24929092A JP H06104591 A JPH06104591 A JP H06104591A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- module
- package
- microwave
- ceramic
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モジュールパッケージ寸法を大きくすること
なく、任意の負荷条件に対して安定なマイクロ波モジュ
ールを提供することを目的とする。 【構成】 高周波入出力用の端子パターン３０の中途に
接地電極３１との間に薄膜抵抗５１による抵抗減衰器５
２を設ける。
なく、任意の負荷条件に対して安定なマイクロ波モジュ
ールを提供することを目的とする。 【構成】 高周波入出力用の端子パターン３０の中途に
接地電極３１との間に薄膜抵抗５１による抵抗減衰器５
２を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波の増幅、発
振、変調、混合等の機能を有するマイクロ波回路を構成
するＭＩＣ（マイクロ波集積回路）等の半導体素子およ
びその周辺回路基板を、１つの金属・セラミックパッケ
ージ内に実装したマイクロ波モジュールに関する。
振、変調、混合等の機能を有するマイクロ波回路を構成
するＭＩＣ（マイクロ波集積回路）等の半導体素子およ
びその周辺回路基板を、１つの金属・セラミックパッケ
ージ内に実装したマイクロ波モジュールに関する。
【０００２】この種のマイクロ波モジュールは、無線通
信、衛星通信、防衛機器等の様々の分野で使用されてい
るが、近年のＭＩＣ技術の発達によりＭＩＣが小型化・
高性能化するのに伴ってマイクロ波モジュールについて
も一層の小型化軽量化が要求され、安定に動作すること
が要望されている。
信、衛星通信、防衛機器等の様々の分野で使用されてい
るが、近年のＭＩＣ技術の発達によりＭＩＣが小型化・
高性能化するのに伴ってマイクロ波モジュールについて
も一層の小型化軽量化が要求され、安定に動作すること
が要望されている。
【０００３】
【従来の技術】図５はマイクロ波モジュールの一例を表
わす斜視図である。金属からなるパッケージベース１０
の上面の両側にバイアス入力用セラミック端子１２およ
び高周波入出力用セラミック端子１４が設けられ、端子
１２，１４の位置に切り欠き１６が施されたパッケージ
フレーム１８がパッケージベース１０上に設けられる。
パッケージベース１０とパッケージフレーム１８で構成
されるパッケージの中に、ＭＭＩＣ（モノリシックマイ
クロ波集積回路）２０等の半導体素子とバイパス用コン
デンサ２２およびバイアス回路基板２４等の周辺回路要
素が配置され、ボンディングワイヤ２６で相互に接続さ
れ、最後にモジュールキャップ２８で覆われる。
わす斜視図である。金属からなるパッケージベース１０
の上面の両側にバイアス入力用セラミック端子１２およ
び高周波入出力用セラミック端子１４が設けられ、端子
１２，１４の位置に切り欠き１６が施されたパッケージ
フレーム１８がパッケージベース１０上に設けられる。
パッケージベース１０とパッケージフレーム１８で構成
されるパッケージの中に、ＭＭＩＣ（モノリシックマイ
クロ波集積回路）２０等の半導体素子とバイパス用コン
デンサ２２およびバイアス回路基板２４等の周辺回路要
素が配置され、ボンディングワイヤ２６で相互に接続さ
れ、最後にモジュールキャップ２８で覆われる。
【０００４】外部からバイアス電圧を供給するためのバ
イアス入力用セラミック端子１２および高周波信号の入
出力のための高周波入出力用セラミック端子１４は絶縁
体であるセラミック基板上に金などの金属により端子パ
ターン３０を形成し底面および側面には接地電極３１を
形成したものであり、全体として、パッケージフレーム
１８に施された切り欠き１６の下半分をふさぐ断面を有
している。切り欠き１６の上半分は、端子パターン３０
とパッケージフレーム１８との距離を充分に保って絶縁
し、かつ、パッケージベース１０、パッケージフレーム
１８およびモジュールキャップ２８による遮蔽を完全に
するために、パッケージフレーム１８と同じ厚みのセラ
ミック製のブロック３２でふさがれる。
イアス入力用セラミック端子１２および高周波信号の入
出力のための高周波入出力用セラミック端子１４は絶縁
体であるセラミック基板上に金などの金属により端子パ
ターン３０を形成し底面および側面には接地電極３１を
形成したものであり、全体として、パッケージフレーム
１８に施された切り欠き１６の下半分をふさぐ断面を有
している。切り欠き１６の上半分は、端子パターン３０
とパッケージフレーム１８との距離を充分に保って絶縁
し、かつ、パッケージベース１０、パッケージフレーム
１８およびモジュールキャップ２８による遮蔽を完全に
するために、パッケージフレーム１８と同じ厚みのセラ
ミック製のブロック３２でふさがれる。
【０００５】端子パターン３０のうち、誘電体であるセ
ラミックのブロック３２が近接する部分３４は線路の特
性インピーダンスを一定にするために細く形成されてい
る。端子パターン３０のうち、パッケージの外側に露出
する部分３６はモジュール外の回路要素との配線のため
に金リボンのボンディング等に使用され、パッケージの
内側に露出する部分３８はボンディングワイヤ２６のボ
ンディングのために使用される。
ラミックのブロック３２が近接する部分３４は線路の特
性インピーダンスを一定にするために細く形成されてい
る。端子パターン３０のうち、パッケージの外側に露出
する部分３６はモジュール外の回路要素との配線のため
に金リボンのボンディング等に使用され、パッケージの
内側に露出する部分３８はボンディングワイヤ２６のボ
ンディングのために使用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子を内蔵した
マイクロ波モジュールでは、多くの場合モジュールの高
周波入出力負荷インピーダンスを通常５０オームとして
いるが、これ以外の適当でない負荷が接続されたり、あ
るいはたとえば高周波入出力端子を開放または短絡する
など最悪の条件にした場合、モジュールが発振などを引
き起こし、中の半導体素子が破壊に至る場合がある。
マイクロ波モジュールでは、多くの場合モジュールの高
周波入出力負荷インピーダンスを通常５０オームとして
いるが、これ以外の適当でない負荷が接続されたり、あ
るいはたとえば高周波入出力端子を開放または短絡する
など最悪の条件にした場合、モジュールが発振などを引
き起こし、中の半導体素子が破壊に至る場合がある。
【０００７】そこで、このような事態を防ぐため、負荷
条件によりモジュールが不安定になる可能性がある場合
には、モジュールの内部、たとえば入力側、あるいは出
力側、あるいは入出力側の両方にモジュール安定化用の
抵抗減衰器を挿入する。しかしながら、このような抵抗
減衰器をモジュール内に挿入すると、この抵抗減衰器の
回路基板の分だけモジュールの寸法が大きくなるといっ
た問題が生じる。
条件によりモジュールが不安定になる可能性がある場合
には、モジュールの内部、たとえば入力側、あるいは出
力側、あるいは入出力側の両方にモジュール安定化用の
抵抗減衰器を挿入する。しかしながら、このような抵抗
減衰器をモジュール内に挿入すると、この抵抗減衰器の
回路基板の分だけモジュールの寸法が大きくなるといっ
た問題が生じる。
【０００８】本発明はこのような点に鑑みて創作された
もので、モジュールパッケージ寸法を大きくすることな
く、任意の負荷条件に対して安定なマイクロ波モジュー
ルを提供することを目的としている。
もので、モジュールパッケージ寸法を大きくすることな
く、任意の負荷条件に対して安定なマイクロ波モジュー
ルを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成する本
発明のマイクロ波モジュールは、半導体素子を含むマイ
クロ波回路と、該マイクロ波回路を外部から電磁気的に
遮蔽する金属パッケージと、該マイクロ波回路と該金属
パッケージの外側との間の信号伝送路を提供するために
該金属パッケージを貫いて設けられた少なくとも１つの
端子パターンと、該端子パターンの中途に設けられた少
なくとも１つの抵抗減衰器とを具備することを特徴とす
るものである。
発明のマイクロ波モジュールは、半導体素子を含むマイ
クロ波回路と、該マイクロ波回路を外部から電磁気的に
遮蔽する金属パッケージと、該マイクロ波回路と該金属
パッケージの外側との間の信号伝送路を提供するために
該金属パッケージを貫いて設けられた少なくとも１つの
端子パターンと、該端子パターンの中途に設けられた少
なくとも１つの抵抗減衰器とを具備することを特徴とす
るものである。
【００１０】前記金属パッケージは所定の厚みを有し、
前記抵抗減衰器は該金属パッケージの厚みの範囲内に設
けられることが好適である。
前記抵抗減衰器は該金属パッケージの厚みの範囲内に設
けられることが好適である。
【００１１】
【作用】端子パターンの中途に抵抗減衰器を設けること
により、モジュールパッケージ寸法を大きくすることな
く、任意の負荷条件に対して安定化することができる。
また、この抵抗減衰器を金属パッケージの厚みの範囲内
に設けることにより、端子パターンのうち、金属パッケ
ージの内側と外側に露出する部分でのボンディングに支
障とならない。
により、モジュールパッケージ寸法を大きくすることな
く、任意の負荷条件に対して安定化することができる。
また、この抵抗減衰器を金属パッケージの厚みの範囲内
に設けることにより、端子パターンのうち、金属パッケ
ージの内側と外側に露出する部分でのボンディングに支
障とならない。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係るマイクロ波モ
ジュールに使用される高周波入出力用セラミック端子を
表わす斜視図である。図示された高周波入出力用セラミ
ック端子５０は図５に示されたマイクロ波モジュールの
入力側または出力側或いはそれら双方について高周波入
出力用セラミック端子１４に置き換えて使用される。他
の部分は図５と同様であるので説明を省略する。
ジュールに使用される高周波入出力用セラミック端子を
表わす斜視図である。図示された高周波入出力用セラミ
ック端子５０は図５に示されたマイクロ波モジュールの
入力側または出力側或いはそれら双方について高周波入
出力用セラミック端子１４に置き換えて使用される。他
の部分は図５と同様であるので説明を省略する。
【００１３】本実施例では、端子パターン３０の、セラ
ミックブロック３２が近接する部分３４に薄膜抵抗５１
によるπ型抵抗減衰器５２が設けられる。したがって、
モジュールパッケージ寸法を大きくすることなく、安定
なマイクロ波モジュールが得られる。また、薄膜抵抗に
よる減衰器はセラミックブロック３２に近接する部分３
４の範囲内、すなわち、パッケージフレーム１８の厚み
の範囲内に設けられるので、パッケージの外側部分３６
および内側部分３８におけるボンディングへの支障はな
い。
ミックブロック３２が近接する部分３４に薄膜抵抗５１
によるπ型抵抗減衰器５２が設けられる。したがって、
モジュールパッケージ寸法を大きくすることなく、安定
なマイクロ波モジュールが得られる。また、薄膜抵抗に
よる減衰器はセラミックブロック３２に近接する部分３
４の範囲内、すなわち、パッケージフレーム１８の厚み
の範囲内に設けられるので、パッケージの外側部分３６
および内側部分３８におけるボンディングへの支障はな
い。
【００１４】図２は図１の抵抗減衰器の等価回路図であ
る。抵抗Ｒ2 が信号伝送路に直列に挿入され、その両端
に接地電極３１との間で並列にＲ1 とＲ3 が付加され
て、π型の抵抗減衰器が形成される。図３は本発明の第
２の実施例を表わす図１と同様な図である。本実施例で
は薄膜抵抗５３によるＴ型減衰器５４が設けられる。そ
の等価回路は図４に表わされる。
る。抵抗Ｒ2 が信号伝送路に直列に挿入され、その両端
に接地電極３１との間で並列にＲ1 とＲ3 が付加され
て、π型の抵抗減衰器が形成される。図３は本発明の第
２の実施例を表わす図１と同様な図である。本実施例で
は薄膜抵抗５３によるＴ型減衰器５４が設けられる。そ
の等価回路は図４に表わされる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、モ
ジュールのセラミック入出力端子内に抵抗減衰器を内蔵
することにより、モジュールに接続する種々の負荷に対
しても安定な動作をし、小型なマイクロ波モジュールを
提供することが可能になる。
ジュールのセラミック入出力端子内に抵抗減衰器を内蔵
することにより、モジュールに接続する種々の負荷に対
しても安定な動作をし、小型なマイクロ波モジュールを
提供することが可能になる。
【図１】本発明の一実施例を表わす斜視図である。
【図２】図１の等価回路図である。
【図３】本発明の他の実施例を表わす斜視図である。
【図４】図３の等価回路図である。
【図５】従来のマイクロ波モジュールを表わす斜視図で
ある。
ある。
１０…パッケージベース １２…バイアス入力用セラミック端子 １４，１５…高周波入出力用セラミック端子 １８…パッケージフレーム ２０…ＭＭＩＣ ２２，２４…周辺回路 ２６…ボンディングワイヤ ２８…モジュールキャップ ３０…端子パターン ３１…接地電極 ３２…セラミックブロック ５１，５３…薄膜抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 1/22
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子を含むマイクロ波回路と、 該マイクロ波回路を外部から電磁気的に遮蔽する金属パ
ッケージと、 該マイクロ波回路と該金属パッケージの外側との間の信
号伝送路を提供するために該金属パッケージを貫いて設
けられた少なくとも１つの端子パターンと、 該端子パターンの中途に設けられた少なくとも１つの抵
抗減衰器とを具備することを特徴とするマイクロ波モジ
ュール。 - 【請求項２】 前記金属パッケージは所定の厚みを有
し、前記抵抗減衰器は該金属パッケージの厚みの範囲内
に設けられる請求項１記載のマイクロ波モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24929092A JPH06104591A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | マイクロ波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24929092A JPH06104591A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | マイクロ波モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104591A true JPH06104591A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17190771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24929092A Withdrawn JPH06104591A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | マイクロ波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104591A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011166358A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波減衰器 |
| US9041483B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-05-26 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Attenuator |
| US9105957B2 (en) | 2011-12-28 | 2015-08-11 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Attenuator |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24929092A patent/JPH06104591A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011166358A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波減衰器 |
| US9105957B2 (en) | 2011-12-28 | 2015-08-11 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Attenuator |
| US9041483B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-05-26 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Attenuator |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |