JPH06104475A - 受光ダイオード - Google Patents
受光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH06104475A JPH06104475A JP4274912A JP27491292A JPH06104475A JP H06104475 A JPH06104475 A JP H06104475A JP 4274912 A JP4274912 A JP 4274912A JP 27491292 A JP27491292 A JP 27491292A JP H06104475 A JPH06104475 A JP H06104475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- passivation film
- thermal oxidation
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光ダイオードの受光効率を上げることを目
的とする。 【構成】 パッシベーション膜を下地の熱酸化膜上に細
かなポリシリコン粒を残してパッシベーション膜の表面
に細かな凹凸ができるように形成することを特徴とす
る。
的とする。 【構成】 パッシベーション膜を下地の熱酸化膜上に細
かなポリシリコン粒を残してパッシベーション膜の表面
に細かな凹凸ができるように形成することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトセンサに用いられ
ている受光ダイオードに関する。
ている受光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の受光ダイオードの一例の構
造を示す。図において、１はパッシベーション膜、２は
Ａｌ電極、３は熱酸化膜、４は基板と同タイプの不純物
を拡散したチャンネルストッパー層、５は基板と逆タイ
プの不純物拡散層、６は裏面に設けるメタライズ層とオ
ーミックをとるための基板と同タイプの高濃度拡散層、
７は裏面のメタライズ層、９は基板である。パッシベー
ション膜１を透過して光が入射すると、光の強さに比例
した起電力が発生し、メタライズ層７とＡｌ電極２間に
電流が流れ、この電流によって光を検出することができ
る。
造を示す。図において、１はパッシベーション膜、２は
Ａｌ電極、３は熱酸化膜、４は基板と同タイプの不純物
を拡散したチャンネルストッパー層、５は基板と逆タイ
プの不純物拡散層、６は裏面に設けるメタライズ層とオ
ーミックをとるための基板と同タイプの高濃度拡散層、
７は裏面のメタライズ層、９は基板である。パッシベー
ション膜１を透過して光が入射すると、光の強さに比例
した起電力が発生し、メタライズ層７とＡｌ電極２間に
電流が流れ、この電流によって光を検出することができ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の受光ダイオード
では、基板上に形成されたパッシベーション膜１は表面
が非常に平坦なために、膜表面で光が反射したり、膜厚
を適当に選定しないと光の干渉が発生したりするので、
受光効率が下がったり、受光効率のばらつきが大きくな
るという問題があった。本発明は、膜表面での光の反射
及び光の干渉の発生等が少なくて受光効率の良いものを
得ることを目的とする。
では、基板上に形成されたパッシベーション膜１は表面
が非常に平坦なために、膜表面で光が反射したり、膜厚
を適当に選定しないと光の干渉が発生したりするので、
受光効率が下がったり、受光効率のばらつきが大きくな
るという問題があった。本発明は、膜表面での光の反射
及び光の干渉の発生等が少なくて受光効率の良いものを
得ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱酸化膜上に
細かなポリシリコン粒を残して、パッシベーション膜で
覆うことにより表面に細かな凹凸ができるように形成す
るものである。
細かなポリシリコン粒を残して、パッシベーション膜で
覆うことにより表面に細かな凹凸ができるように形成す
るものである。
【０００５】
【作用】下地の熱酸化膜上に細かなポリシリコン粒を残
してその上にパッシベーション膜を形成すると、パッシ
ベーション膜の表面に細かな凹凸を作ることができ、膜
表面が平坦なとき発生する光の反射及び光の干渉等を効
果的に抑えることができ、受光効率が上がる。特に、赤
外線用の受光ダイオードでは、ポリシリコン粒は光を遮
蔽しないので、効果的である。
してその上にパッシベーション膜を形成すると、パッシ
ベーション膜の表面に細かな凹凸を作ることができ、膜
表面が平坦なとき発生する光の反射及び光の干渉等を効
果的に抑えることができ、受光効率が上がる。特に、赤
外線用の受光ダイオードでは、ポリシリコン粒は光を遮
蔽しないので、効果的である。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の受光ダイオードの一例の構造
を示す。図において図２と同一符合は同一または相当す
る部分を示し、８は熱酸化膜３上に残したシリコンノジ
ュールである。従来、この種の受光ダイオードの製造方
法は、熱酸化膜３の上にＡｌ−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等の金属層を設け、ドライエッチングによりエッチ
ングを行ないＡｌ電極３を形成していた。ドライエッチ
ングでは金属層内のポリシリコンも除去され、熱酸化膜
上は平坦となり、この上にパッシベーション膜を形成し
ていた。本発明はポリシリコン粒は光を遮蔽しないこと
に着目し、ウエットエッチングによりポリシリコン粒を
残すようにしたものである。ポリシリコン粒には、Ａｌ
−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等をウエットエッチング
した時に熱酸化膜３上に残るシリコンノジュール８を使
用する。熱酸化膜３上にシリコンノジュール８を残して
パッシベーション膜１を形成すると、パッシベーション
膜１表面に凹凸ができる。この表面の凹凸により、表面
からの反射が大幅に減り、光の干渉の発生が殆どなくな
り、受光効率が上がる。
を示す。図において図２と同一符合は同一または相当す
る部分を示し、８は熱酸化膜３上に残したシリコンノジ
ュールである。従来、この種の受光ダイオードの製造方
法は、熱酸化膜３の上にＡｌ−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ等の金属層を設け、ドライエッチングによりエッチ
ングを行ないＡｌ電極３を形成していた。ドライエッチ
ングでは金属層内のポリシリコンも除去され、熱酸化膜
上は平坦となり、この上にパッシベーション膜を形成し
ていた。本発明はポリシリコン粒は光を遮蔽しないこと
に着目し、ウエットエッチングによりポリシリコン粒を
残すようにしたものである。ポリシリコン粒には、Ａｌ
−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等をウエットエッチング
した時に熱酸化膜３上に残るシリコンノジュール８を使
用する。熱酸化膜３上にシリコンノジュール８を残して
パッシベーション膜１を形成すると、パッシベーション
膜１表面に凹凸ができる。この表面の凹凸により、表面
からの反射が大幅に減り、光の干渉の発生が殆どなくな
り、受光効率が上がる。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パッシベーション膜１の表面に細かな凹凸ができ、これ
がレンズ効果を持ち、膜表面での反射が大幅に減り、ま
た、ポリシリコン粒の存在によって光路がランダムに変
化するため、光の干渉の発生が殆どなくなるとともに、
細かな凹凸になっているパッシベーション膜１の表面か
ら入射した光は基板側から反射されても殆ど膜外に放出
されることなく、効率良く基板側へ反射されるので受光
効率が大幅に上がる。
パッシベーション膜１の表面に細かな凹凸ができ、これ
がレンズ効果を持ち、膜表面での反射が大幅に減り、ま
た、ポリシリコン粒の存在によって光路がランダムに変
化するため、光の干渉の発生が殆どなくなるとともに、
細かな凹凸になっているパッシベーション膜１の表面か
ら入射した光は基板側から反射されても殆ど膜外に放出
されることなく、効率良く基板側へ反射されるので受光
効率が大幅に上がる。
【図１】本発明の製造方法による受光ダイオードの一例
の構造を示す図である。
の構造を示す図である。
【図２】従来の受光ダイオードの一例の構造を示す図で
ある。
ある。
１ パッシベーション膜 ２ Ａｌ電極 ３ 熱酸化膜 ４ チャンネルストッパー層 ５ 不純物拡散層 ６ 高濃度不純物拡散層 ７ メタライズ層 ８ シリコンノジュール ９ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面の電極及び熱酸化膜を覆うパッ
シベーション膜を設けた受光ダイオードにおいて、上記
熱酸化膜上に細かなポリシリコン粒を残してパッシベー
ション膜で覆うことを特徴とする受光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274912A JPH06104475A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 受光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274912A JPH06104475A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 受光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104475A true JPH06104475A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17548267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4274912A Pending JPH06104475A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 受光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104475A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106535A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Sharp Corp | 受光素子及び受光素子形成方法 |
| US9238503B2 (en) | 2013-07-10 | 2016-01-19 | Suzuki Motor Corporation | Transmission of outboard motor |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP4274912A patent/JPH06104475A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106535A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Sharp Corp | 受光素子及び受光素子形成方法 |
| US9238503B2 (en) | 2013-07-10 | 2016-01-19 | Suzuki Motor Corporation | Transmission of outboard motor |
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