JPH06104192A - 枚葉式拡散、cvd装置の温度検出器 - Google Patents
枚葉式拡散、cvd装置の温度検出器Info
- Publication number
- JPH06104192A JPH06104192A JP27790792A JP27790792A JPH06104192A JP H06104192 A JPH06104192 A JP H06104192A JP 27790792 A JP27790792 A JP 27790792A JP 27790792 A JP27790792 A JP 27790792A JP H06104192 A JPH06104192 A JP H06104192A
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- JP
- Japan
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- substrate
- temperature
- mounting table
- substrate mounting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】拡散、CVD装置に於いて経時的に変化なく常
に正確な基板の温度検出を行うことができる様にする。 【構成】チャンバ内に基板置台4を設け、該基板置台下
方に加熱源を設け、前記基板置台に載置した基板5を前
記基板置台を介し前記加熱源3により基板を加熱する様
にした枚葉式拡散、CVD装置に於いて温度検出器13
の温度検出端を前記基板置台に直接取付け、前記基板置
台を介して基板の温度を検出する様にし、拡散、CVD
装置の連続処理等による汚れ等に影響されることなく、
常に正確な基板置台、即ち基板の温度検出を行える。
に正確な基板の温度検出を行うことができる様にする。 【構成】チャンバ内に基板置台4を設け、該基板置台下
方に加熱源を設け、前記基板置台に載置した基板5を前
記基板置台を介し前記加熱源3により基板を加熱する様
にした枚葉式拡散、CVD装置に於いて温度検出器13
の温度検出端を前記基板置台に直接取付け、前記基板置
台を介して基板の温度を検出する様にし、拡散、CVD
装置の連続処理等による汚れ等に影響されることなく、
常に正確な基板置台、即ち基板の温度検出を行える。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の1つで
ある拡散、CVD装置、特に枚葉式拡散、CVD装置に
於ける温度検出器に関するものである。
ある拡散、CVD装置、特に枚葉式拡散、CVD装置に
於ける温度検出器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2、図3に於いて、従来の温度検出器
を備えた枚葉式拡散、CVD装置について説明する。
を備えた枚葉式拡散、CVD装置について説明する。
【0003】気密なチャンバ1内底面にはヒータカバー
2で覆われたヒータ3が設けられ、前記ヒータカバー2
には基板置台4が載設され、前記基板置台4と対峙し上
方にガス噴出ノズル6が設けられている。又、前記チャ
ンバ1には基板搬送口8が設けられ、該基板搬送口8に
はゲートバルブ9が設けられている。
2で覆われたヒータ3が設けられ、前記ヒータカバー2
には基板置台4が載設され、前記基板置台4と対峙し上
方にガス噴出ノズル6が設けられている。又、前記チャ
ンバ1には基板搬送口8が設けられ、該基板搬送口8に
はゲートバルブ9が設けられている。
【0004】ゲートバルブ9を開き基板5をチャンバ1
内に搬入し、前記基板置台4に載置する。ゲートバルブ
9を閉じ、ヒータ3により基板置台4を介して前記基板
5を加熱し、前記ガス噴出ノズル6から反応ガスを導入
し、低圧雰囲気中で基板5の拡散処理、或いはCVD
(Chemical Vapor Dipositio
n)処理を行い、反応後のガスは排気口7を経てチャン
バ1外へ排気する。
内に搬入し、前記基板置台4に載置する。ゲートバルブ
9を閉じ、ヒータ3により基板置台4を介して前記基板
5を加熱し、前記ガス噴出ノズル6から反応ガスを導入
し、低圧雰囲気中で基板5の拡散処理、或いはCVD
(Chemical Vapor Dipositio
n)処理を行い、反応後のガスは排気口7を経てチャン
バ1外へ排気する。
【0005】前記基板5の処理の品質は基板5の温度に
大きく影響される。ところが、連続運転した場合に前記
ヒータ3から基板5への伝熱状態が変化する。従って、
処理状態での基板5の温度にバラツキを生じる。この
為、従来前記チャンバ1の適宜な位置に温度検出用の窓
10を設け、該窓10を通して赤外線放射温度計11に
より前記基板置台4の温度を検出し、この検出した温度
を制御部15にフィードバックし、該制御部15は予め
設定された検出した温度が目標温度16に合致する様ヒ
ータ電源部17を制御し、前記ヒータ3への供給電力を
調整し、前記基板置台4の温度を制御していた。
大きく影響される。ところが、連続運転した場合に前記
ヒータ3から基板5への伝熱状態が変化する。従って、
処理状態での基板5の温度にバラツキを生じる。この
為、従来前記チャンバ1の適宜な位置に温度検出用の窓
10を設け、該窓10を通して赤外線放射温度計11に
より前記基板置台4の温度を検出し、この検出した温度
を制御部15にフィードバックし、該制御部15は予め
設定された検出した温度が目標温度16に合致する様ヒ
ータ電源部17を制御し、前記ヒータ3への供給電力を
調整し、前記基板置台4の温度を制御していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した従
来の温度検出では、基板置台4自身の汚れにより基板置
台4の放射率が変化し、或いは前記窓10の汚れ等で前
記基板置台4の正確な温度を検知することが困難であっ
た。
来の温度検出では、基板置台4自身の汚れにより基板置
台4の放射率が変化し、或いは前記窓10の汚れ等で前
記基板置台4の正確な温度を検知することが困難であっ
た。
【0007】本発明は斯かる実情に鑑み、経時的に変化
なく常に正確な基板の温度検出を行うことができる枚葉
式拡散、CVD装置の温度検出器を提供しようとするも
のである。
なく常に正確な基板の温度検出を行うことができる枚葉
式拡散、CVD装置の温度検出器を提供しようとするも
のである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、チャンバ内に
基板置台を設け、該基板置台下方に加熱源を設け、前記
基板置台に載置した基板を前記基板置台を介し前記加熱
源により基板を加熱する様にした枚葉式拡散、CVD装
置に於いて温度検出器の温度検出端を前記基板置台に直
接取付け、前記基板置台を介して基板の温度を検出する
様にしたことを特徴とするものである。
基板置台を設け、該基板置台下方に加熱源を設け、前記
基板置台に載置した基板を前記基板置台を介し前記加熱
源により基板を加熱する様にした枚葉式拡散、CVD装
置に於いて温度検出器の温度検出端を前記基板置台に直
接取付け、前記基板置台を介して基板の温度を検出する
様にしたことを特徴とするものである。
【0009】
【作用】温度検出端を基板置台に直接取付けているの
で、枚葉式拡散、CVD装置の連続処理等による汚れ等
に影響されることがなく、常に正確な基板置台、即ち基
板の温度検出を行うことができる。
で、枚葉式拡散、CVD装置の連続処理等による汚れ等
に影響されることがなく、常に正確な基板置台、即ち基
板の温度検出を行うことができる。
【0010】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【0011】尚、図1中、図2中で示したものと同一の
ものには同符号を付してある。
ものには同符号を付してある。
【0012】本実施例は、赤外線放射温度計を用いた例
を示している。
を示している。
【0013】前記チャンバ1にセンサ挿入ポート12を
設け、該センサ挿入ポート12にセンサファイバ13を
気密に挿通させ、該センサファイバ13の先端より線状
耐熱導光体14を延出させ、該線状耐熱導光体14の温
度検知端を前記基板置台4の内部に挿入する。更に、挿
入した線状耐熱導光体14先端を封入する。
設け、該センサ挿入ポート12にセンサファイバ13を
気密に挿通させ、該センサファイバ13の先端より線状
耐熱導光体14を延出させ、該線状耐熱導光体14の温
度検知端を前記基板置台4の内部に挿入する。更に、挿
入した線状耐熱導光体14先端を封入する。
【0014】前記線状耐熱導光体14の材質としては、
石英或いはサファイアのものが挙げられる。
石英或いはサファイアのものが挙げられる。
【0015】而して、前記基板置台4から発せられる赤
外線は、前記線状耐熱導光体14によって前記センサフ
ァイバ13に導かれ、更に図示しない赤外線放射温度計
によって基板置台4の温度が検出される。
外線は、前記線状耐熱導光体14によって前記センサフ
ァイバ13に導かれ、更に図示しない赤外線放射温度計
によって基板置台4の温度が検出される。
【0016】ここで、前記線状耐熱導光体14は前記基
板置台4の内部に挿入されている為、経時的な汚れが発
生することがなく、正確な温度検出が可能となる。
板置台4の内部に挿入されている為、経時的な汚れが発
生することがなく、正確な温度検出が可能となる。
【0017】尚、前記線状耐熱導光体14の先端は必ず
しも封入する必要はなく、更に前記ヒータ3は電気的な
ものでもよく、或いは熱媒体を介して基板置台4を加熱
するものでもよい。
しも封入する必要はなく、更に前記ヒータ3は電気的な
ものでもよく、或いは熱媒体を介して基板置台4を加熱
するものでもよい。
【0018】又、上記実施例では赤外線放射温度計を使
用し、赤外線を線状耐熱導光体14を用いて所要箇所迄
赤外線を導く様にしたが、熱電対の温度検知端を前記基
板置台4に埋設し、或いは固着し、温度を検出する様に
してもよい。
用し、赤外線を線状耐熱導光体14を用いて所要箇所迄
赤外線を導く様にしたが、熱電対の温度検知端を前記基
板置台4に埋設し、或いは固着し、温度を検出する様に
してもよい。
【0019】処理する基板はシリコンウェーハであって
もガラス基板であってもよい。
もガラス基板であってもよい。
【0020】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、基板置
台の温度を直接検出する様にしたので、基板置台の汚れ
等による経時的な測定誤差が生じることなく、常に正確
な基板の温度検出が可能となり、ヒータの適格な温度制
御を可能とし、而して基板間の処理温度を一定とするこ
とができ、枚葉処理した基板間の膜厚の均一性を向上さ
せることができるという優れた効果を発揮する。
台の温度を直接検出する様にしたので、基板置台の汚れ
等による経時的な測定誤差が生じることなく、常に正確
な基板の温度検出が可能となり、ヒータの適格な温度制
御を可能とし、而して基板間の処理温度を一定とするこ
とができ、枚葉処理した基板間の膜厚の均一性を向上さ
せることができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図2】従来例を示す概略図である。
【図3】基板温度制御装置の概略ブロック図である。
1 チャンバ 3 ヒータ 4 基板置台 5 基板 13 センサファイバ 14 線状耐熱導光体
Claims (2)
- 【請求項1】 チャンバ内に基板置台を設け、該基板置
台下方に加熱源を設け、前記基板置台に載置した基板を
該基板置台を介し前記加熱源により基板を加熱する様に
した枚葉式拡散、CVD装置に於いて温度検出器の温度
検出端を前記基板置台に直接取付け、前記基板置台を介
して基板の温度を検出する様にしたことを特徴とする枚
葉式拡散、CVD装置の温度検出器。 - 【請求項2】 温度検出器が赤外線放射温度計であっ
て、該温度検出器に赤外線を導く線状耐熱導光体の温度
検出端を基板置台の内部に挿入取付けた請求項1の枚葉
式拡散、CVD装置の温度検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27790792A JPH06104192A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 枚葉式拡散、cvd装置の温度検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27790792A JPH06104192A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 枚葉式拡散、cvd装置の温度検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06104192A true JPH06104192A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17589959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27790792A Pending JPH06104192A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 枚葉式拡散、cvd装置の温度検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06104192A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011132084A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP27790792A patent/JPH06104192A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011132084A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
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