JPH0597760A - Z−3−ヘキセナールの製造方法 - Google Patents
Z−3−ヘキセナールの製造方法Info
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- JPH0597760A JPH0597760A JP3289231A JP28923191A JPH0597760A JP H0597760 A JPH0597760 A JP H0597760A JP 3289231 A JP3289231 A JP 3289231A JP 28923191 A JP28923191 A JP 28923191A JP H0597760 A JPH0597760 A JP H0597760A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】本発明は香料または各種有機化合物の中間体と
して有用なZ−3−ヘキセナールを純度よく容易に製造
する方法を提供する。 【構成】このZ−3−ヘキセナールの製造方法は、一般
式 CH3CH2-C≡C-M (式中MはLi、MgClまたはMgBrを示
す)で示される金属アセチリド化合物と一般式X-CH2-CH
(OR1)-OR2 (式中R1、R2は互いに結合していない低級ア
ルキル基を示し、Xはハロゲン原子を示す)で示される
ハロゲン化合物とを反応させ、式CH3CH2-C≡C-CH2-CH(O
R1)-OR2 (式中R1、R2は前記に同じ)で示される3−ヘ
キシナールジアルキルアセタールとした後、水素添加
し、ついで加水分解させることからなる。
して有用なZ−3−ヘキセナールを純度よく容易に製造
する方法を提供する。 【構成】このZ−3−ヘキセナールの製造方法は、一般
式 CH3CH2-C≡C-M (式中MはLi、MgClまたはMgBrを示
す)で示される金属アセチリド化合物と一般式X-CH2-CH
(OR1)-OR2 (式中R1、R2は互いに結合していない低級ア
ルキル基を示し、Xはハロゲン原子を示す)で示される
ハロゲン化合物とを反応させ、式CH3CH2-C≡C-CH2-CH(O
R1)-OR2 (式中R1、R2は前記に同じ)で示される3−ヘ
キシナールジアルキルアセタールとした後、水素添加
し、ついで加水分解させることからなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、香料または各種有機化
合物の中間体として有用なZ−3−ヘキセナールの製造
方法に関するものである。
合物の中間体として有用なZ−3−ヘキセナールの製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、下記化1式で表されるZ−3−ヘ
キセナールの合成に関しては、例えば1)Z−3−アル
ケノールを三酸化クロム−ピリジン錯体もしくはジメチ
ルスルホキシド−ジシクロヘキシルカルボジイミド−五
酸化りん系で相当するアルデヒド体を得る方法[Agric.
Biol. Chem., 39(1) 243(1975)]、2)アクロレインを
出発原料としてウィティヒ反応を経て合成する方法(特
開昭56-75448号公報)および3)2,4−アルカジエン
誘導体を金属カルボニルもしくはそのアレーン錯体触媒
の存在下に接触水素化反応させ、3位にZ−二重結合を
構築する方法(特公昭61 -2377号、特開平3 -34952号各
公報および第24回香料テルペンおよび精油化学に関する
討論会講演要旨集第 135頁など)などが提案されてい
る。
キセナールの合成に関しては、例えば1)Z−3−アル
ケノールを三酸化クロム−ピリジン錯体もしくはジメチ
ルスルホキシド−ジシクロヘキシルカルボジイミド−五
酸化りん系で相当するアルデヒド体を得る方法[Agric.
Biol. Chem., 39(1) 243(1975)]、2)アクロレインを
出発原料としてウィティヒ反応を経て合成する方法(特
開昭56-75448号公報)および3)2,4−アルカジエン
誘導体を金属カルボニルもしくはそのアレーン錯体触媒
の存在下に接触水素化反応させ、3位にZ−二重結合を
構築する方法(特公昭61 -2377号、特開平3 -34952号各
公報および第24回香料テルペンおよび精油化学に関する
討論会講演要旨集第 135頁など)などが提案されてい
る。
【0003】
【化1】
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、1)の方法は
大量のクロム廃棄物が生成する上、ジメチルスルホキシ
ドの臭気が香料物質に混入する、2)の方法はトリフェ
ニルホスフィン等の原料が高価である、3)の方法は特
殊な試薬の採用および高温・高圧下での激しい反応を必
要とするなどの問題があった。その上、Z−3−ヘキセ
ナールは製造過程においてE−2−ヘキセナールへ異性
化し易い性質があり、従来の技術ではこれを抑制するこ
とが難しかった。したがって、より簡便で経済的なZ−
3−ヘキセナールの工業的製造方法が求められていた。
大量のクロム廃棄物が生成する上、ジメチルスルホキシ
ドの臭気が香料物質に混入する、2)の方法はトリフェ
ニルホスフィン等の原料が高価である、3)の方法は特
殊な試薬の採用および高温・高圧下での激しい反応を必
要とするなどの問題があった。その上、Z−3−ヘキセ
ナールは製造過程においてE−2−ヘキセナールへ異性
化し易い性質があり、従来の技術ではこれを抑制するこ
とが難しかった。したがって、より簡便で経済的なZ−
3−ヘキセナールの工業的製造方法が求められていた。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく鋭意検討の結果、一般式 CH3CH2-C≡C-M
(式中MはLi、MgClまたはMgBrを示す)で示される金属
アセチリド化合物と一般式 X-CH2-CH(OR1)-OR2 (式中
R1、R2は互いに結合していない低級アルキル基を示し、
Xはハロゲン原子を示す)で示されるハロゲン化合物と
を反応させ、式CH3CH2-C≡C-CH2-CH(OR1)-OR2 (式中
R1、R2は前記に同じ)で示される3−ヘキシナールジア
ルキルアセタールとした後、その三重結合を水素添加に
よりZ−二重結合とし、ついでアセタールを加水分解さ
せることによりZ−3−ヘキセナールを収率よく製造で
きることを見出し本発明を完成した。
解決すべく鋭意検討の結果、一般式 CH3CH2-C≡C-M
(式中MはLi、MgClまたはMgBrを示す)で示される金属
アセチリド化合物と一般式 X-CH2-CH(OR1)-OR2 (式中
R1、R2は互いに結合していない低級アルキル基を示し、
Xはハロゲン原子を示す)で示されるハロゲン化合物と
を反応させ、式CH3CH2-C≡C-CH2-CH(OR1)-OR2 (式中
R1、R2は前記に同じ)で示される3−ヘキシナールジア
ルキルアセタールとした後、その三重結合を水素添加に
よりZ−二重結合とし、ついでアセタールを加水分解さ
せることによりZ−3−ヘキセナールを収率よく製造で
きることを見出し本発明を完成した。
【0006】これを説明すると、本発明の出発原料であ
る金属アセチリド化合物(3)は、1−ブチン(1)
を、メチルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウム
ブロミド等のグリニャール試薬やn−ブチルリチウム、
sec-ブチルリチウム等のアルキルリチウム化合物(2)
と反応させることにより得られる。 CH3CH2-C≡C-H(1)+ R-M(2)→ CH3CH2-C≡C-M(3)
る金属アセチリド化合物(3)は、1−ブチン(1)
を、メチルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウム
ブロミド等のグリニャール試薬やn−ブチルリチウム、
sec-ブチルリチウム等のアルキルリチウム化合物(2)
と反応させることにより得られる。 CH3CH2-C≡C-H(1)+ R-M(2)→ CH3CH2-C≡C-M(3)
【0007】本反応に用いられる溶媒はテトラヒドロフ
ラン(以下 THFとする)、エチルエーテル、n−ブチル
エーテル等のエーテル類、n−ヘキサン、トルエン、ベ
ンゼン等の炭化水素類を単独または2種以上を混合して
用いる。
ラン(以下 THFとする)、エチルエーテル、n−ブチル
エーテル等のエーテル類、n−ヘキサン、トルエン、ベ
ンゼン等の炭化水素類を単独または2種以上を混合して
用いる。
【0008】この金属アセチリド化合物(3)を2−ハ
ロアセトアルデヒドジアルキルアセタール(4)と反応
させると、3−ヘキシナールジアルキルアセタール
(5)が得られる。 (3)+ X-CH2-CH(OR1)-OR2(4)→ CH3CH2-C≡C-CH2-CH(OR1)-OR2(5)
ロアセトアルデヒドジアルキルアセタール(4)と反応
させると、3−ヘキシナールジアルキルアセタール
(5)が得られる。 (3)+ X-CH2-CH(OR1)-OR2(4)→ CH3CH2-C≡C-CH2-CH(OR1)-OR2(5)
【0009】本反応の溶媒には THF、エチルエーテル、
n−ブチルエーテル等のエーテル類、n−ヘキサン、ト
ルエン、ベンゼン等の炭化水素類を単独で用いることが
できるが、これらとヘキサメチルホスフォリックトリア
ミド(以下、HMPAとする)または1,3−ジメチル−2
−イミダゾリジノン(以下、 DMIとする)、1,3−ジ
メチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−
ピリミジノン(以下、DMPUとする)等のテトラアルキル
ウレア型溶媒との混合溶媒を用いる方が反応速度が速
い。しかし、HMPAに関しては発ガン性が報告されてお
り、工業的にはテトラアルキルウレア型溶媒が望まし
い。
n−ブチルエーテル等のエーテル類、n−ヘキサン、ト
ルエン、ベンゼン等の炭化水素類を単独で用いることが
できるが、これらとヘキサメチルホスフォリックトリア
ミド(以下、HMPAとする)または1,3−ジメチル−2
−イミダゾリジノン(以下、 DMIとする)、1,3−ジ
メチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−
ピリミジノン(以下、DMPUとする)等のテトラアルキル
ウレア型溶媒との混合溶媒を用いる方が反応速度が速
い。しかし、HMPAに関しては発ガン性が報告されてお
り、工業的にはテトラアルキルウレア型溶媒が望まし
い。
【0010】ついで、ここで得られた3−ヘキシナール
ジアルキルアセタール(5)は下記化2式による水素添
加反応を行うわけであるが、これに用いられる触媒はパ
ラジウム−炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウ
ム−アルミナ、パラジウム−ケイソウ土、ロジウム−炭
素、ルテニウム−炭素、P−2ニッケル、ラネーニッケ
ル、リンドラー触媒等を挙げることができる。この触媒
の使用量は反応基質に対して0.001 〜 0.2当量であり、
水素圧は常圧から10kg/cm2の範囲、反応温度は0〜80℃
で行われる。
ジアルキルアセタール(5)は下記化2式による水素添
加反応を行うわけであるが、これに用いられる触媒はパ
ラジウム−炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウ
ム−アルミナ、パラジウム−ケイソウ土、ロジウム−炭
素、ルテニウム−炭素、P−2ニッケル、ラネーニッケ
ル、リンドラー触媒等を挙げることができる。この触媒
の使用量は反応基質に対して0.001 〜 0.2当量であり、
水素圧は常圧から10kg/cm2の範囲、反応温度は0〜80℃
で行われる。
【0011】
【化2】
【0012】このようにして合成された(6)は、つい
で化3式により酸性条件下容易に脱アセタール化反応を
進行させ、E−2−ヘキセナールへの異性化を殆ど伴わ
ずに、Z−3−ヘキセナール(7)へと変換させること
ができる。
で化3式により酸性条件下容易に脱アセタール化反応を
進行させ、E−2−ヘキセナールへの異性化を殆ど伴わ
ずに、Z−3−ヘキセナール(7)へと変換させること
ができる。
【0013】
【化3】
【0014】本反応の溶媒には THF、エチルエーテル、
n−ブチルエーテル等のエーテル類、n−ヘキサン、ト
ルエン、ベンゼン等の炭化水素類、水などが例示され、
単独または2種以上を混合して用いられる。また、反応
に用いられる酸としては塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸
類、ギ酸、酢酸、シュウ酸、クロロ酢酸、p−トルエン
スルホン酸等の有機酸類、アンバーリスト−15等の酸性
イオン交換樹脂等を挙げることができる。
n−ブチルエーテル等のエーテル類、n−ヘキサン、ト
ルエン、ベンゼン等の炭化水素類、水などが例示され、
単独または2種以上を混合して用いられる。また、反応
に用いられる酸としては塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸
類、ギ酸、酢酸、シュウ酸、クロロ酢酸、p−トルエン
スルホン酸等の有機酸類、アンバーリスト−15等の酸性
イオン交換樹脂等を挙げることができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが本発
明はこの記載に限定されるものではない。 実験例1−1:3−ヘキシナールジエチルアセタールの
製造 1−ブチン( 150g、2.77モル)の THF( 400ml)溶液
を−20〜0℃に冷却し、かき混ぜながらn−ブチルリチ
ウム−n−ヘキサン溶液( 1.60M、1.35リットル、2.16
モル)を滴下した。冷却浴を取り去り、反応温度を室温
までゆっくりと上げ、室温で1時間かき混ぜ、乳白色の
リチウムアセチリドの懸濁液を得た。
明はこの記載に限定されるものではない。 実験例1−1:3−ヘキシナールジエチルアセタールの
製造 1−ブチン( 150g、2.77モル)の THF( 400ml)溶液
を−20〜0℃に冷却し、かき混ぜながらn−ブチルリチ
ウム−n−ヘキサン溶液( 1.60M、1.35リットル、2.16
モル)を滴下した。冷却浴を取り去り、反応温度を室温
までゆっくりと上げ、室温で1時間かき混ぜ、乳白色の
リチウムアセチリドの懸濁液を得た。
【0016】これに2−ブロモアセトアルデヒドジエチ
ルアセタール( 314g、1.59モル)の DMI( 120ml)溶
液を加えた。反応混合物を70℃で2時間かき混ぜた後、
冷水中にあけ、エーテルで抽出した。エーテル溶液を
水、ついで飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥
し、減圧濃縮した。残渣を減圧下に精留して目的物 242
gを、純度92.0%(収率82.2%)で得た。
ルアセタール( 314g、1.59モル)の DMI( 120ml)溶
液を加えた。反応混合物を70℃で2時間かき混ぜた後、
冷水中にあけ、エーテルで抽出した。エーテル溶液を
水、ついで飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥
し、減圧濃縮した。残渣を減圧下に精留して目的物 242
gを、純度92.0%(収率82.2%)で得た。
【0017】沸点:78〜80℃/12Torr。IR(液膜):ν
max 1119, 1063, 1022cm-1。13C-NMR(CDCl3) :δ 12.
3, 13.9, 15.0, 24.8, 61.5, 74.3, 83.0, 101.1ppm。
max 1119, 1063, 1022cm-1。13C-NMR(CDCl3) :δ 12.
3, 13.9, 15.0, 24.8, 61.5, 74.3, 83.0, 101.1ppm。
【0018】実験例1−2:Z−3−ヘキシナールジエ
チルアセタールの製造:実験例1−1において DMI( 1
20ml)溶液の代わりにDMPU( 150ml)溶液を使用したほ
かは同様にして目的物 245gを純度89.9%(収率81.2
%)で得た。得られた目的物のスペクトルは実験例1−
1のものと一致した。
チルアセタールの製造:実験例1−1において DMI( 1
20ml)溶液の代わりにDMPU( 150ml)溶液を使用したほ
かは同様にして目的物 245gを純度89.9%(収率81.2
%)で得た。得られた目的物のスペクトルは実験例1−
1のものと一致した。
【0019】実験例2:Z−3−ヘキセナールジエチル
アセタールの製造:3−ヘキシナールジエチルアセター
ル( 185g、1.00モル)の99.5%エタノール( 270g)
溶液をリンドラー触媒を用いて水素添加した。ガスクロ
マトグラフィで反応を追跡し原料が消失した後、反応混
合物を水にあけ、n−ヘキサンで抽出した。n−ヘキサ
ン溶液を水、ついで飽和食塩水で洗い硫酸マグネシウム
で乾燥し減圧濃縮した。残渣を減圧下に精留して目的物
154gを、純度92.2%(収率82.4%)で得た。
アセタールの製造:3−ヘキシナールジエチルアセター
ル( 185g、1.00モル)の99.5%エタノール( 270g)
溶液をリンドラー触媒を用いて水素添加した。ガスクロ
マトグラフィで反応を追跡し原料が消失した後、反応混
合物を水にあけ、n−ヘキサンで抽出した。n−ヘキサ
ン溶液を水、ついで飽和食塩水で洗い硫酸マグネシウム
で乾燥し減圧濃縮した。残渣を減圧下に精留して目的物
154gを、純度92.2%(収率82.4%)で得た。
【0020】沸点:75〜78℃/15Torr。IR(液膜):ν
max 3016, 1124, 1063, 1032cm-1。13C-NMR(CDCl3):δ
13.9, 15.1, 20.5, 31.8, 60.9, 102.5, 123.0, 133.7
ppm。
max 3016, 1124, 1063, 1032cm-1。13C-NMR(CDCl3):δ
13.9, 15.1, 20.5, 31.8, 60.9, 102.5, 123.0, 133.7
ppm。
【0021】実験例3:Z−3−ヘキセナールの製造:
Z−3−ヘキセナールジエチルアセタール(80.4g、0.
43モル)とエーテル(300ml)と10%塩酸( 300ml)と
の混合物を室温で30分間激しくかき混ぜた。分液してエ
ーテル層をとり、水層は少量のエーテルで抽出した。合
わせたエーテル層を水、10%炭酸水素ナトリウム溶液、
ついで飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥後、
減圧濃縮した。残渣を減圧蒸留して目的物38.0gを純度
90.2%(収率90.0%)で得た。
Z−3−ヘキセナールジエチルアセタール(80.4g、0.
43モル)とエーテル(300ml)と10%塩酸( 300ml)と
の混合物を室温で30分間激しくかき混ぜた。分液してエ
ーテル層をとり、水層は少量のエーテルで抽出した。合
わせたエーテル層を水、10%炭酸水素ナトリウム溶液、
ついで飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥後、
減圧濃縮した。残渣を減圧蒸留して目的物38.0gを純度
90.2%(収率90.0%)で得た。
【0022】沸点:48〜50℃/45Torr。IR(液膜):ν
max 3020, 2723, 1726cm-1。13C-NMR(CDCl3) :δ 13.
7, 20.8,42.3, 117.3, 136.8, 199.5ppm。
max 3020, 2723, 1726cm-1。13C-NMR(CDCl3) :δ 13.
7, 20.8,42.3, 117.3, 136.8, 199.5ppm。
【0023】
【発明の効果】このように本発明によれば、産業上有用
なZ−3−ヘキセナールを純度よく容易に製造すること
ができる。
なZ−3−ヘキセナールを純度よく容易に製造すること
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大島 光芳 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 山本 昭 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内
Claims (1)
- 【請求項1】一般式 CH3CH2-C≡C-M (式中MはLi、Mg
ClまたはMgBrを示す)で示される金属アセチリド化合物
と一般式 X-CH2-CH(OR1)-OR2 (式中R1、R2は互いに結
合していない低級アルキル基を示し、Xはハロゲン原子
を示す)で示されるハロゲン化合物とを反応させ、式
CH3CH2-C≡C-CH2-CH(OR1)-OR2 (式中R1、R2は前記に同
じ)で示される3−ヘキシナールジアルキルアセタール
とした後、水素添加し、ついで加水分解させることを特
徴とするZ−3−ヘキセナールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3289231A JPH0597760A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | Z−3−ヘキセナールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3289231A JPH0597760A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | Z−3−ヘキセナールの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0597760A true JPH0597760A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17740486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3289231A Pending JPH0597760A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | Z−3−ヘキセナールの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0597760A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995016660A1 (fr) * | 1993-12-17 | 1995-06-22 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Compose d'acetal de cis-3-hexenal cis-3-hexenyle, son procede de production, aromatisant, exhausteur de gout, et composition parfumee le contenant |
JP2013159595A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Nippon Zeon Co Ltd | cis−3−ヘキセナールの蒸留方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5315319A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-13 | Naarden International Nv | Method of manufacturing aromatic substance and perfume composite |
JPS5675448A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-22 | T Hasegawa Co Ltd | Preparation of cis-3-alkenals |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP3289231A patent/JPH0597760A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5315319A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-13 | Naarden International Nv | Method of manufacturing aromatic substance and perfume composite |
JPS5675448A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-22 | T Hasegawa Co Ltd | Preparation of cis-3-alkenals |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995016660A1 (fr) * | 1993-12-17 | 1995-06-22 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Compose d'acetal de cis-3-hexenal cis-3-hexenyle, son procede de production, aromatisant, exhausteur de gout, et composition parfumee le contenant |
US5739100A (en) * | 1993-12-17 | 1998-04-14 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Cis-3-hexenal-cis-3-hexenyl acetal compound, process for preparing same, and fragrance-or flavor-imparting or fragrance-or flavor-retaining agent and perfume composition containing same |
JP2013159595A (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-19 | Nippon Zeon Co Ltd | cis−3−ヘキセナールの蒸留方法 |
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