JPH0595368A - ネツトワーク - Google Patents

ネツトワーク

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JPH0595368A
JPH0595368A JP7297892A JP7297892A JPH0595368A JP H0595368 A JPH0595368 A JP H0595368A JP 7297892 A JP7297892 A JP 7297892A JP 7297892 A JP7297892 A JP 7297892A JP H0595368 A JPH0595368 A JP H0595368A
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JP7297892A
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Thomas J Cloonan
ジエイ クルーナン トーマス
John R Erickson
ロバート エリツクソン ジヨン
Anthony L Lentine
ロドヴイコ レンテイン アンソニー
Jr Frederick B Mccormick
ボサート マコーミツク ジユニア フレドリツク
Gaylord W Richards
ワーナー リチヤーズ ゲイロード
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AT&T Corp
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American Telephone and Telegraph Co Inc
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    • H04Q11/0001Selecting arrangements for multiplex systems using optical switching
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    • H04Q2011/0037Operation
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    • H04Q2011/0037Operation
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  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Data Exchanges In Wide-Area Networks (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Saccharide Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Electrotherapy Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光方式ネットワークにおいて、ネットワーク
に埋め込まれた制御素子による効率的な制御を実現す
る。 【構成】 本発明によるネットワークは、順次相互接続
された複数のノードステージからなり、各ノードは付随
するデータ接続状態を有し、ステージのうちの少なくと
も1つの各ノードは、後続の少なくとも1つのノードの
データ接続状態を制御するための制御記憶素子を含む。
ノードの光方式による実現は、4個の対称形自己電気光
学効果デバイスからなる。第1および第2のデバイスは
光クロスオーバ相互接続部を介して第3および第4のデ
バイスと光学的に接続される。連続するノードステージ
もまた、光クロスオーバ相互接続部によって光学的に接
続される。本発明によるシステムは、ノードの複数のス
テージからなり、各ノードは少なくとも2個の入力およ
び少なくとも2個の出力を有し、ノードステージの数は
少なくとも3個である。システムはさらに、ノードステ
ージのうちの1つの出力を、それに連続するノードステ
ージの入力に接続するリンクの複数のステージを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、情報処理及び交換用ネ
ットワークの制御に関する。
【0002】
【従来の技術】延長形一般化シャッフル(EGS)クラ
スのネットワークでは、ブロッキング(閉塞)の確率を
低く、且つ故障許容度を高く保ちながらシステムを非常
に柔軟性のあるものとすることが可能である。
【0003】例えばクルーナン(Cloonan)他の、特許
査定を受けた米国特許出願第 07/349,008号
(ここに本願の引例とする)、及び欧州特許出願公開第
90304731.4号 に開示されている光システム
のような、周知の光EGSネットワークの設計には、対
称形自己電気光学効果デバイス(S−SEEDデバイ
ス)のような、2次元光論理デバイス間を3次元に相互
接続した構造が用いられている。
【0004】これらの光論理デバイスは、AND(論理
積)、OR(論理和)、NAND(否定論理積)、及び
NOR(否定論理和)ゲートとして、又S−Rラッチと
しても作動可能である。互いに連続する配列(アレー)
上でのこれらのデバイス間の光相互接続は、レンズ、ビ
ームスプリッタ、及び反射グレーチングのような、大型
の自由空間光素子によって行われる。これらの受動光素
子は、節点(ノード)のステージ間にクロスオーバ相互
接続状態をもたらすために使用できることが知られてい
る。
【0005】これら周知の光EGSネットワーク設計に
は、ネットワーク制御を行うのに空間光変調器に依存す
るため、限界がある。空間光変調器とは、これに向けた
電子制御信号に基づいて透明にも不透明にもできるウイ
ンドウ(又は画素)の配列(アレー)である。上に引用
した周知の光EGSネットワーク設計においては、接続
経路(パス)の選択処理は外部の電子集中制御装置によ
って行われ、パス選択処理の結果はネットワーク(図2
1)内の光スイッチングノードに送られる。
【0006】集中制御装置内での電子制御信号の光制御
信号への変換は、空間光変調器によって行われる。残念
ながら、現在利用可能な空間光変調器技術では、スイッ
チング時間が比較的長く、μsのオーダーである。利用
できる空間光変調器の或るものは又、入出力電力比に関
して非効率的である。
【0007】スイッチング時間が長いと、高速の時分割
多重スイッチング(TMS)操作(図22に示す)が実
用的でなくなる。又、電力利用効率が悪いと、達成でき
るシステムデータレートが制約される。更に、空間光変
調器を用いると、周知のネットワーク設計において必要
とされる光関係のハードウエアと光学的構成が複雑にな
る。したがって、ネットワーク制御に空間光変調器を必
要としない光EGSネットワークがあればそれから得ら
れる利点は多い。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ホアン(A.Huang) 及び
クナウアー(S.Knauer)の論文「スターライト:高帯域デ
ィジタルスイッチ(Starlite:A Wideband Digital Switc
h)」(地球通信(Globe Com)'84)(IEEE84CH
2064−4)(1984年11月)(第1巻121ペ
ージ)に経路自己設定形スターライト・パケットスイッ
チの光方式実現例が述べられている。
【0009】この具体例においては、パス選択処理作業
を、スターライトネットワーク内のスイッチングノード
の各々に取り付けられた小形プロセッサに配分すること
によって、且つ、データを受信する各スイッチングノー
ドにおいて経路設定情報を利用できるように伝送された
データに経路設定情報を予め添付することによって、空
間光変調器を用いずにネットワーク制御を行うようにし
ている(図23)。
【0010】これら配分されたプロセッサの各々は周知
のEGSネットワーク設計に用いられる集中制御装置よ
りもはるかに簡単であるが、各ノードにプロセッサを持
たせることで個々のノードのハードウエアとしての要求
事項が相当に複雑なものとなる。実際に、光EGSネッ
トワークでは個々のノードに必要とするS−SEEDデ
バイスの数が最大4個であるのに対し、光方式スターラ
イトネットワークにおいてこれに相当するノードに必要
なS−SEEDデバイスの数は128個にもなる。
【0011】多数のS−SEEDデバイスの稼動が将来
実際的になるにしても、現時点では、ネットワーク相互
接続に光方式を採用することから得られる利点とこれに
よるハードウエアのコスト増加とを対比するとコスト増
加を冒してまで光方式にする根拠が見いだせない。結果
として、現在の空間光変調器の作動上の制約に煩わされ
ない、対費用効果のよい光スイッチング構造に対するニ
ーズが存在する。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の原理によれば、
上記の要求は満たされ、技術的進歩が達成される。本発
明の原理によるネットワークの実施例は、順次相互接続
された複数のノードステージからなる。
【0013】各ノードは付随するデータ接続状態を有
し、特にノード自体の一部として組み込まれた制御素子
を含む。この制御素子は、後続のステージの少なくとも
1つのノードのデータ接続状態を制御するためのもので
ある。
【0014】このネットワークは光方式による実現によ
く適しており、その制御は、空間光変調器を使用せず、
制御素子によって記憶するためにネットワーク内にビッ
トをシフトすることによって制御される。
【0015】本発明によるネットワークは、順次相互接
続された複数のノードステージからなり、各ノードは付
随するデータ接続状態を有し、ステージのうちの少なく
とも1つの各ノードは、後続の少なくとも1つのノード
のデータ接続状態を制御するための制御記憶素子を含
む。
【0016】例えば、各ノードは2つのデータ入力、2
つの制御入力、1つの制御出力、および1つのデータ出
力を有し、各制御入力は1つのデータ入力に付随してい
る。ネットワークは光クロスオーバ相互接続部からな
り、この相互接続部は、ある1つのノードステージの各
データ出力を次のノードステージの2つのデータ入力に
接続し、前記1つのノードステージの各制御出力を前記
次のノードステージの2つの制御入力に接続する。
【0017】前記1つのノードステージの各制御出力
は、前記1つのノードステージの1つのデータ出力に接
続されたデータ入力を有する次のノードステージの2つ
のノードのうちのただ1つのみを通じて、前記1つのノ
ードステージのデータ出力のうちの1つから受信可能な
データを選択的に伝送することを可能にする(図4
9)。
【0018】制御信号は、データ信号がノードのデータ
入力に加えられる前にノードの制御記憶素子を適切に設
定するために、ノードのデータ入力に加えられる。
【0019】ノードは、第1ならびに第2のANDゲー
トおよび第1および第2のORゲートからなる回路によ
って実行される機能と同一または論理的に同等の論理機
能を実行する。第1および第2ANDゲートの各出力は
第1および第2ORゲートの両方の入力に接続される。
【0020】第1ANDゲートは入力として1つのデー
タ入力および付随する制御入力を有し、第2ANDゲー
トは入力としてもう1つのデータ入力および付随する制
御入力を有する。第1ORゲートの出力はフリップフロ
ップを介してノードの制御出力として接続される。第2
ORゲートの出力はノードのデータ出力である。
【0021】ノードの光方式による実現は、4個の対称
形自己電気光学効果デバイスからなる。第1および第2
のデバイスは光クロスオーバ相互接続部を介して第3お
よび第4のデバイスと光学的に接続される。連続するノ
ードステージもまた、光クロスオーバ相互接続部によっ
て光学的に接続される。ノードは電気的に実現されるこ
とも可能である。
【0022】本発明によるシステムは、ノードの複数の
ステージからなり、各ノードは少なくとも2個の入力お
よび少なくとも2個の出力を有し、ノードステージの数
は少なくとも3個である。
【0023】システムはさらに、ノードステージのうち
の1つの出力を、それに連続するノードステージの入力
に接続するリンクの複数のステージを含む。ノードステ
ージおよびリンクステージは、全体として、完全シャッ
フル等価ネットワークからなる。ノードステージのうち
の少なくとも1つの各ノードは、システムを通じてのデ
ータの伝送を制御する制御情報を格納するための制御素
子を含む。
【0028】
【実施例】本発明の具体的な実施例が、光システム例1
0(機能的に図1に示す)に用いられている。この内容
は、パケット交換又は路分割多重回線交換ネットワーク
として使用できる16×16空間分割交換ネットワーク
である。16個の光入力信号が、2×8光ファイバアレ
ー21の光ファイバ上で受信される。各光入力信号は、
光システムによって切り換えられ、光出力信号として2
×8光ファイバアレー22の1本の光ファイバ上で伝送
される。
【0029】光システム10は、複数の入力ライン回路
30、1つの4×8光ファイバアレー23、レンズ8
0、8対の光ハードウエアモジュール50、50’から
57、57’まで、レンズ70、1つの4×4光ファイ
バアレー24、及び複数の出力ライン回路40を有する
(光学的構成の詳細を図9から図11までに示す)。光
システム10が光ビームの配列(アレー)を並行して処
理すること、及び個々の光ビームによる光伝送が矩形断
面の光ビームアレーを構成することは重要であるのでこ
こに注記したい。
【0030】ネットワーク制御装置60は、ソフトウエ
アで制御される1個のプロセッサでも、又、ハードウエ
ア論理回路から構成される装置でもよい。このネットワ
ーク制御装置60は、制御情報を入力ライン回路30を
経てネットワーク内へ挿入してそこで記憶させることに
より、光システム10を通じて接続経路(パス)を設定
し、又切断する。
【0031】光システム10の形で実現されたネットワ
ークトポロジーは、拡大部、完全シャッフル等価ネット
ワーク、及び集中部から構成され、8個のノードステー
ジN1からN8までと7個のリンクステージL1からL
7までとを有する3次元クロスオーバネットワーク(図
18から図20までを参照)を基本としている。このト
ポロジーは、上記引例のクルーナン他の米国特許出願第
07/349,008号(以下、クルーナン米国出願)
においてその第1図の光システム10の形で実現された
トポロジーと同じものとしたので、これら2つのシステ
ムをすぐに比較できる。
【0032】光ハードウエアモジュールは各々(例えば
図2の光ハードウエアモジュール51)、上記引例のク
ルーナン米国出願においてその第93図に関連して詳細
に述べられている光ハードウエア装置に基づいている。
【0033】レーザ光源「プリセット(preset)」は、
上記引例のクルーナン米国出願の場合と同じ目的で用い
られているが、更に、8×8・S−SEEDデバイスア
レー500(図3)の奇数横列と偶数横列とを照射する
ためにレーザ光源「パワー(奇数)」及び「パワー(偶
数)」が用いられている。S−SEEDデバイスアレー
の向きは、上記引例のクルーナン米国出願と同様に垂直
でなく水平の方向である。
【0034】本願の光システム10における光ノード
(2つのデータ入力部、1つのデータ出力部、及び容量
1を有するので、光ノード(2,2,1)と表現する)
は4個のS−SEEDデバイス、すなわち、1つのS−
SEEDデバイスアレーからの2個とこの後に続くS−
SEEDデバイスアレーからの2個とを用いて実現され
ているので、このトポロジーのノードステージとリンク
ステージとを実現するためには、2倍の数のS−SEE
Dデバイスアレーと光ハードウエアモジュールとが必要
となる。
【0035】本願で光ノード(2,2,1)に関連して
用いる用語「データ接続状態」は、データ入力部がデー
タ出力部に接続されている場合に、2つのデータ入力部
のどちらが接続されているか、を表示するためのもので
ある。光ハードウエアモジュール50、50’から5
7、57’までについての光学的構成を図9から図11
までに示す。又、互いに連続する3個の光ハードウエア
モジュールの詳細を図14から図16までに示す。
【0036】各光ハードウエアモジュールは、光クロス
オーバ相互接続部、例えば100、100’(図9)、
に連携するミラー及びプリズムミラーの向き及び粒状度
を除いては同一である。相互接続部100は、トポロジ
ーのリンクステージL1を設けるために用いられ、又相
互接続部100’は、光ノード(2,1,1)内のS−
SEEDデバイスの第1対と第2対との間の光相互接続
を行わせるために用いられる。
【0037】光ハードウエアモジュール50から57ま
でについての光クロスオーバ相互接続部100の間の差
異変動は、図4及び図5によって示される法則及び図1
8から図20までのトポロジーによって定まる。光ハー
ドウエアモジュール50’から57’までについての光
クロスオーバ相互接続部100’は互いに同一で、図6
に示すようなプリズムミラーアレーを有する。
【0038】本願の光システム10(図1)は、スイッ
チングの制御方法が上記引例のクルーナン米国出願と異
なる。上記引例のクルーナン米国出願においては、ネッ
トワーク制御装置60は、空間光変調器、例えば40
9、を用いてステージ制御装置30から35までを介し
てパスを設定し、又切断する。この空間光変調器409
は、個々のS−SEEDデバイスの使用不能化状況に対
応して、光ビームの使用不能化の発生状況を制御するも
のである。
【0039】本願においては、ネットワーク制御装置6
0は、入力ライン回路30を経て制御情報を挿入するこ
とによってパスを設定し、又切断する。制御情報は、デ
ータ通信用に使用可能化されるノードに先行するノード
ステージの、他には使用されないS−SEEDデバイス
に記憶させるために、トポロジーの並行直進接続を経て
ネットワーク内へシフトされる。尚、本明細書では、ネ
ットワークを、埋め込み制御ネットワークともいう。そ
の理由は、制御情報がネットワークノード内に記憶され
るからである。
【0040】パス選択(パスハント)アルゴリズムとネ
ットワーク制御装置の機能については、上記引例のクル
ーナン米国出願の25ページ26行から40ページ18
行に述べられている。
【0041】本願のネットワーク制御装置60は、埋め
込み制御ネットワークのアルゴリズムと機能とを実現す
るもので、横列方式に基づきアルゴリズムからのパス設
定情報を再フォーマットする。(ネットワークを通して
の特定のパス用に稼動化されるノードの見出し事項を、
先行するステージの、これらに対応するノードの見出し
事項に変換する作業を含む。)この横列方式のフォーマ
ットは、制御情報をネットワークのノードの複数の横列
に同時にシフトするために用いられる。
【0042】ネットワーク制御装置60は、パス選択機
能を行う際に用いるために、光システム10の全てのノ
ード及びリンクの使用中か/空きかの状態を記憶する。
光システム10を通してパスが稼動化されると、ネット
ワーク制御装置60は、そのパスを入口部から出口部ま
での或る接続に割り当てる。そして、そのパスを経てそ
の或る接続に対してだけ通信が可能化される。ネットワ
ーク制御装置60は、割り当てられたパスがその一部分
でも他のどの接続(入口部から出口部までを含む)にも
使われないようにする。
【0043】入力ライン回路30(図7)は、光ファイ
バアレー21の光ファイバの1本上で、情報、例えば音
声、ディジタルコンピュータデータ、画像、又はビデオ
情報を表す光データを受信し、その光データを、O/E
(光/電気)変換器31を介して対応する電気信号に変
換し、その電気信号を記憶させるために2個のバッファ
32のうちの1つに選択的に伝送する。
【0044】2個のバッファを用いるのは、周知のよう
に、第2のバッファから別の情報を読み取り中でも第1
のバッファに情報を記憶させられるようにするためであ
る。バッファ32の読み取り/書き込み制御は、ネット
ワーク制御装置60で行ってもよく、又、クロック回路
(図示しない)で行ってもよい。
【0045】光システム10がパケット交換作業に用い
られる場合には、バッファ32の内容が定期的にネット
ワーク制御装置60によって点検される。詳しくは、ネ
ットワーク制御装置60がバッファ32のうちの一方に
記憶されているパケットヘッダ(見出し)を読み取り、
パケットヘッダの内容に基づいて光ネットワーク出口部
を特定し、そのバッファ32に連携する光ネットワーク
入口部と特定された光ネットワーク出口部との間で、使
用されていないパスを特定する。
【0046】次いで、ネットワーク制御装置60は、特
定された使用されていないパスの一部をなす連続する次
のステージノードを稼動化するために予め定められた制
御情報ビットを記憶する必要のある、図18から図20
までのトポロジー内の全てのネットワークノードについ
て、横列、縦列、及びステージアドレス(番地)のよう
な、見出し事項を計算する。計算されたアドレスは、全
ての入力ライン回路30を通し、複数の母線B1からB
7までを経て伝送される。
【0047】アドレス復号器34が、伝送されたアドレ
スに応答して、適切な横列の制御情報ビットをフリップ
フロップ回路(F/F)35に記憶する。制御ローディ
ングモードの間、入力ライン回路30に含まれる各横列
の制御ビットが、その連携するマルチプレクサ(MU
X)36、E/O変換器37、及び光ファイバアレー2
3内の対応する光ネットワーク入口部の光ファイバを経
てシフトされ、光ネットワークの適切なノードに記憶さ
れる。
【0048】データパシングモードの間、バッファ32
のうちの1つのバッファに記憶されているデータが、マ
ルチプレクサ33、36、及びE/O(電気/光)変換
器37を経てその連携する光ファイバアレー23内のそ
の連携する光ネットワーク入口部の光ファイバに伝送さ
れて、今や稼動化されたパスからなる光ノードによって
設定された非共用接続路を経て光ネットワークを通して
のパケット又はタイムスロットの通信が行われる。
【0049】出力ライン回路40(図12)は、光ファ
イバアレー24の光ファイバの1本から光データと制御
情報とを受信し、情報を、0/E変換機41を介して対
応する電気信号に変換し、その電気信号を排他的ORゲ
ート43の1つの入力端末に伝送する。もし受信したデ
ータの第1ビットが、これに続くデータストリームがこ
の光ネットワークを通しての伝送が原因で反転している
ことを示す予め定められた値である場合は、フリップフ
ロップ回路42がセットされる。
【0050】もしフリップフロップ回路42がセットさ
れた場合には、排他的ORゲート43が、0/E変換機
41から受信した電気信号を反転させる。排他的ORゲ
ート43から伝送された電気信号は、2個のバッファ4
4のうちの1つに選択的に伝送されそこで記憶される。
2個のバッファを用いるのは、周知のように、第2のバ
ッファか44ら別の情報を読み取り中でも第1のバッフ
ァ44に情報を記憶させられるようにするためである。
【0051】バッファ44の読み取り/書き込み制御
は、クロック回路(図示しない)で行われ、バッファ4
4に記憶されている情報から制御情報を削除するために
使用される。2個のバッファ44の内容はその結果とし
て制御情報でなくデータを表すものとなり、各々交替に
マルチプレクサ45を経て伝送され、E/O変換器を介
して光信号に変換され、光出力信号として、光ファイバ
アレー22の光ファイバのうちの1本上を伝送される。
【0052】以下、本発明に基づいて光システム10を
実現する際に必要な種々の原則を、特に図41の埋め込
み制御ネットワークに関連して説明する。埋め込み制御
に基づくシステムにおいては、スイッチングノード内の
複雑さを増すことなく空間光変調器の使用を避けること
ができる。
【0053】これは、電子集中制御装置内でパス選択処
理を行い、パス選択の結果をネットワークの入力部にお
いて伝送データに予め添付し、伝送データを搬送するの
と同じリンク上でネットワーク内に注入することによっ
て得られる。パス選択処理結果を記憶するために、光E
GS(延長形一般化シャッフル)ネットワークの各スイ
ッチングノード内に単独のS−Rラッチを設ける。
【0054】〔EGSネットワークの背景〕埋め込み制
御に基づく光EGSネットワークのハードウエア要件に
ついて述べる前に、一般的なEGSネットワークについ
て簡単に説明する。EGSネットワークは、上記引例の
クルーナン米国出願に定義されているマルチステージ相
互接続ネットワークのうちの広い分類クラスの1つであ
る。
【0055】ここでは考慮対象を、ファンアウト部、ス
イッチング部、及びファンイン部からなりN個の入力部
とN個の出力部とを有するEGSネットワークに限定す
る(図24)。そして更に考慮対象を、スイッチングノ
ードが入力部2個、出力部2個を有するようなネットワ
ークに限定する。すなわち、スイッチング部の各ノード
ステージは、NF/2、2ー入力、2ー出力形スイッチ
ングノードを有することとなる。
【0056】(注:2ー入力、2ー出力形スイッチング
ノードの機能性についてはまだ指定しない。機能性は、
後に定義するノード(2,1,1)から上記引例のクル
ーナン米国出願に定義されている2ーモジュール形まで
の変化幅が有り得る。)
【0057】ネットワークの入力端部にあるファンアウ
ト部はN個の入力部の各々をスイッチング部への入力部
にあるF個のリンクに展開(ファンアウト)する。その
結果、スイッチング部に入るリンク及びそこから出るリ
ンクは、NF個のリンクとなる。ネットワークの中央部
にあるスイッチング部は、S個のノードステージを有
し、各ノードステージは、完全シャッフルとトポロジー
的に等価な相互接続によって前のステージと後のステー
ジとに相互接続されている。
【0058】ファンイン部はネットワークの出力端部に
あり、スイッチング部を離れようとするF個のリンクを
束ねてグループ分けし、N個の出力部の1つづつにつぼ
め込む。
【0059】ここで、光EGSネットワークの実現には
3次元クロスオーバ相互接続を用いるものと仮定する。
図25及び図26は、N=4、F=2、及びS=4とし
たEGSネットワークについての2つの異なる2次元実
現例を示す。図25のネットワークはクロスオーバ相互
接続を用い、図26のネットワークはシャッフル相互接
続を用いている。
【0060】これら図25及び図26は、クロスオーバ
ネットワークの2次元実現例におけるノードの番号ラベ
ルを付け替えて、オメガネットワーク(シャッフル相互
接続を用いる)の2次元実現例にみられるのと同じ接続
性を得る方法を示している。尚、シャッフル相互接続
は、リンクステージごとに物理的に同一であるが、クロ
スオーバ相互接続では、リンクステージごとに交差接続
状態が異なる。
【0061】図27及び図28は、クロスオーバネット
ワークの2次元実現例のノードを折り返し技術を用いて
配列替えして、クロスオーバネットワークの3次元実現
例を得る方法を示す。2次元実現例の折り返し線を通過
する交差接続は全て、3次元実現例においては垂直接続
となるが、一方、他の接続は全て水平のままである。E
GSネットワークの光学的実現例に用いられる光論理デ
バイスの2次元アレーには、3次元実現例の方が適して
いる。
【0062】EGSネットワークの種々のステージの設
計方法の一例をを図29に示す。ここでは、ファンアウ
ト部、ファンイン部、及びスイッチング部の内部の接合
部に2ー入力、2ー出力形スイッチングノードが用いら
れている。もし図29で用いられている入力部位置と出
力部位置との間に適切な間隔を設けた場合には、クロス
オーバ相互接続をファンアウト部及びファンイン部にも
使用することが可能である。
【0063】ネットワークがこのように構築された場合
には、ファンアウト部の各ステージから2の値のファン
アウトが得られ、又、ファンイン部の各ステージから2
の値のファンインが得られるので、ファンアウト部内部
にFの値のファンアウトを得るには、log2F の数の
ステージが必要となる。ファンイン部についても同様で
ある。
【0064】したがって、スイッチング部にS個のステ
ージを有しファンアウト及びファンインの値がFに等し
いネットワークにおいて必要とされるノードステージの
総数(T)は、S+2log2F で与えられる。図29
の特定ネットワークにおいては、パラメータはN=4、
F=4、及びS=2で、ノードステージの総数は6であ
る。
【0065】もし図29のブロックが実際にノード
(2,1,1)として実現された場合は、図29のブロ
ックは、図30に示すように、ブール論理回路(2個の
AND(論理積)ゲート及び1個のOR(論理和)ゲー
ト)によって置き換えが可能である。ハードウエアのコ
ストが論理ゲートのステージ数で記述されるとすると、
図30の設計において必要とされる論理ゲートのステー
ジ数Aは、次の[数1]式で与えられる。
【0066】 [数1]A = 2S + 4log2
【0067】図30の特定ネットワークにおいては、パ
ラメータはN=4、F=4、及びS=2で、論理ゲート
の計算値はA=12となる。もしファンアウト及びファ
ンイン部を単純なORゲートを用いて実現すれば、ハー
ドウエアのコストを節減できる。しかし、ファンイン部
の第1ステージは、出力部までのパス選択を可能とする
ためにスイッチングノード(2,1,1)としなければ
ならない。
【0068】更に、もし図30で用いられている入力部
位置と出力部位置との間に適切な間隔を設けた場合に
は、クロスオーバ相互接続をファンアウト部及びファン
イン部にも使用することが可能である。これらの変更の
全てを図31に示す。これらの変更によって、論理ゲー
トステージ数(A)は、次の[数2]式で示される値に
削減される。
【0069】 [数2]A = 2S + 2log2F +1
【0070】図29の特定ネットワークにおいて、論理
ゲートの計算値はA=9となる。
【0071】もしノード(2,1,1)の代わりに2ー
モジュールが用いられる場合には、図29の各ステージ
に必要とされるのはは論理ゲート1アレーだけであり、
したがって必要論理ゲートの総数は、次の[数3]式で
与えられる。
【0072】 [数3]A = S + 2log2
【0073】図29の特定ネットワーク(2ーモジュー
ルに基づく)において、論理ゲートステージの計算値は
A=6となる。
【0074】したがって、2ーモジュールに基づくネッ
トワークにおいては、ノード(2,1,1)に基づく類
似のネットワークよりも論理ゲートアレー数が少なくて
よいことは明かである。しかし、2ーモジュールに基づ
くネットワークにおいては、F及びSの値を修正しなけ
れば閉塞(ブロッキング)の確率がより高くなる。
【0075】例えば、N=256で閉塞の確率が10-8
より小さいEGSネットワークを得るには、ノード
(2,1,1)で実現した場合には、F=8、S=10
を要するが、2ーモジュールの場合には、F=16、S
=9を必要とする。
【0076】S−SEEDデバイスアレーの場合でいえ
ば、ノード(2,1,1)に基づくネットワークでは、
27個の64×32・S−SEEDデバイスアレーを要
し、2ーモジュールのネットワークでは、17個の64
×32・S−SEEDデバイスアレーを要する。
【0077】結果として、特定の閉塞の確率に対して、
ノード(2,1,1)による実現の代わりに2ーモジュ
ールによって実現させると、ハードウエアコストは一般
的に減少する。
【0078】EGSネットワークに制御装置を埋め込ん
だ本発明の実施例(図1の光システム10)は、ノード
(2,1,1)を用いて実現されている。2ーモジュー
ルを用いた場合にハードウエアの要件事項が減少すると
いう事実が一方にあるにも関わらず、埋め込み制御を用
いた場合には、その運用上の利点によって、ノード
(2,1,1)を用いることによって場合によっては生
じるハードウエアのコスト増加を補うことができる。
【0079】更に、空間光変調器を用いるとシステムの
光学関係が複雑化する傾向があるので、代わりに埋め込
み制御を用いることによってシステム全体の複雑さがが
簡素化される。
【0080】EGSクラスのネットワークは、閉塞性ネ
ットワーク及び非閉塞性ネットワークの両方を有する。
スイッチング部にS個のスイッチングノード(2,1,
1)を有し、値Fのファンアウト部及びファンイン部を
有する、Nー入力、N−出力のEGSネットワーク(N
=2k、 kは正の整数)において、点と点との接続に対
しては、次の[数4]式が満足されるならば、ネットワ
ークは厳密に、非閉塞性である。
【0081】
【数4】
【0082】上記の[数4]式の不等式は、次の[数
5]式に示すより一般的な式から得られる。
【0083】
【数5】
【0084】更に、ここにおいて、 [数6]P(S) = 0(Sが偶数の場合)又は、1
(Sが奇数の場合)である。
【0085】ステージSの数は、0と無限大との間のど
の数でもよいが、Sを2log2Nー2」以上に増加さ
せてもネットワークを厳密に非閉塞性にするのに必要な
最小ファンアウト数にはあまり効果がない。例えば、も
し入力部(又は出力部)の数が、N=256に固定の場
合は、Sが0と 2log2Nー2=14との間で変化す
るときには必要なFの最小値を求める不等式を解くこと
ができる。次の[表1]「N=256の非閉塞性EGS
ネットワークに対するハードウエア要件」の最初の2つ
の縦列は、[数4]式から得られる、k=8(N=25
6)及び0≦S≦2k−2に対するFの必要最小値を示
す。
【0086】
【表1】
【0087】必要なファンアウト数Fとスイッチング部
ステージ数Sとの関係を表す曲線を図32に示す。この
曲線は、Sの増加数が適切である限り、たとえFが減少
しても、非閉塞性EGSネットワークは非閉塞性であり
続けることを示している。又、Fの増加数が適切である
限り、たとえSが減少しても、非閉塞性EGSネットワ
ークは非閉塞性であり続ける。
【0088】結果として、Fを大きくSを小さくすれ
ば、非閉塞性EGSネットワークを構築することができ
る(図33)。又、小さいFと大きいSとでも可能であ
る(図34)。このように、システム設計者は、その特
定要件にマッチするように非閉塞性EGSネットワーク
の長さと幅とをカスタマイズさせることができる。
【0089】図32の太い実曲線は、非閉塞性領域と閉
塞性領域との境界線を示す。
【0090】〔スイッチングシステムの光学的実現に対
するハードウエア要件〕ここで述べる光EGSシステム
設計の中でS−SEEDデバイス(対称形自己電気光学
効果デバイス)を用いるものと仮定する。この設計は、
3つのサブシステム、すなわち、伝送/スイッチ・イン
タフェース、制御プロセッサ、及びスイッチング構造部
からなる。ここで、S−SEEDデバイスの使用対象を
スイッチング構造部に限定する。この部分においては、
S−SEEDデバイスの、電子方式に対抗しての利点を
活用しやすい。制御プロセッサ及び伝送/スイッチ・イ
ンタフェース機能については、電子方式とする。
【0091】すなわち、本スイッチにおいて、電子技術
を用いるのが最適な部分には電子技術を用い、光学方式
を用いるのが最適な部分には光学方式を用いるというこ
とである。特に、光学方式にはステージ間での大量の接
続が可能であるという利点がある。したがって、NF信
号を形成するためにN入力信号が展開(ファンアウト)
された後に光学方式が使用される。その結果、光学方式
は、EGSネットワークにおいてステージ間に多数の接
続が必要な、スイッチング構造部にだけ用いられる。
【0092】図35において、入力データは光ファイバ
伝送リンク上に到着し、入側の電子式伝送/スイッチイ
ンタフェースに入る。そこでデータは、O/E(光/電
気)変換される。説明を簡単にわかりやすくするため図
中では、M個の光ファイバ伝送リンクは各々、個別の電
子回路基板上で終結する。伝送/スイッチインタフェー
ス機能は全て、電子回路基板上で電子方式によって得ら
れる。データはそれから再び光信号に変換される。
【0093】光信号は、伝送/スイッチインタフェース
を出て、1本の光ファイバ上を光EGS構造部に向か
う。この光ファイバはマトリックス状の光ファイババン
ドルに束ねられる。光ファイババンドルの出力は、レン
ズシステムを経てEGS構造部内の最初のS−SEED
デバイスアレー上にイメージ化される。
【0094】S−SEEDデバイスアレーは各々、上記
引例のクルーナン米国出願に述べられているような光ハ
ードウエアモジュールに連携している。一般的に、光E
GS構造部がEGSネットワーク全体の接続を行うに
は、複数のS−SEEDデバイスアレーと、光ハードウ
エアモジュールのうちの対応するハードウエアとが必要
である。
【0095】光信号が複数のS−SEEDデバイスアレ
ーと光ハードウエアモジュールと経て送られた後、最後
のS−SEEDデバイスアレーの出力イメージとして再
びマトリックス状光ファイババンドル内に収容される。
光ファイババンドルは複数の別個の光ファイバに分割さ
れ、各光ファイバは電子回路基板までの単一データチャ
ンネルを形成し、光信号はここを流れて電子回路基板上
で再びO/E変換される。
【0096】電子データ信号は今、出伝送/スイッチイ
ンタフェース内にあり、ここで、必要な信号調整(例え
ば、より高いビットレートへの多重化)が行われる。調
整された電子信号は、最終O/E変換器によって光信号
に変換され、この光信号は、出力光ファイバ伝送リンク
に送り出される。
【0097】EGS構造部内の伝送パスの制御は、電子
プロセッサによって行われる。電子プロセッサは、帯域
外の信号源(例えば、CCS信号リンク)から、又は着
信データストリームに含まれている帯域内信号源から
(伝送/スイッチインタフェースによって抽出される)
の信号伝送情報を受信する。コールをセットアップする
間、電子プロセッサは、入(着信)コールに使用すべき
パスを定め、空間光変調器に電子制御信号を送ってその
パスを設定する。
【0098】空間光変調器は、加えられた電子制御信号
によって透明にも不透明にもなるウインドウのアレーを
有する。スイッチ内の或る特定のステージにおいて、光
ハードウエアモジュール内のレーザダイオードの1つか
らの光がこれらのウインドウを通過してS−SEEDデ
バイスアレー上に結像する。この変調された光は、デー
タを光EGS構造部内でどのような経路に沿って流すか
を定める制御信号となる。
【0099】ここで、図36に示すように、1つの光ノ
ード(2,1,1)を、2つのANDゲート及び1つの
ORゲート、として作動するS−SEEDデバイスを用
いて実現する。この図36に示す光ノード(2,1,
1)の実現には、1対のS−SEEDデバイスアレーが
必要で、これらのアレーは各々、2つの論理ゲートを備
える必要がある。2つのS−SEEDデバイスアレーと
これらを相互接続する光装置との組合せを1つのノード
ステージと呼ぶこととする。
【0100】もしノード(2,1,1)が水平方向を向
いている場合は、ノード(2,1,1)は、各S−SE
EDデバイスアレーの横列に沿って2個のデバイスを使
い、各S−SEEDデバイスアレーの縦列に沿って1個
のデバイスを使う。
【0101】したがって、「Cテ゛ハ゛イス」個の縦列のデバ
イスと「Rテ゛ハ゛イス」個の横列のデバイスとを有するS−
SEEDデバイスアレーを1対使用すれば、「Cノート゛
個の縦列のノードと「Rノート゛」個の横列のノードとを有
するノード(2,1,1)の1アレーを構築できる。
【0102】ここに、 Cノート゛ = Cテ゛ハ゛イス/2 = Rテ゛ハ゛イス、 Rノート゛ = Rテ゛ハ゛イス、 である。Cテ゛ハ゛イス及びRテ゛ハ゛イスはいずれも2の累乗なの
で、Cノート゛もRノート゛も2の累乗である。2つの連続する
ノードステージの間の相互接続を一括して1つのリンク
ステージと呼ぶこととする。
【0103】EGSネットワークにおいて、リンクステ
ージ内の相互接続は、トポロジー的に完全シャッフルと
等価である。そして、前に述べたように、クロスオーバ
相互接続はこの要件を満足させる。クロスオーバネット
ワークにおいて、特定のステージ内のノードの数は、2
の累乗に等しい。
【0104】更に、クロスオーバネットワークを3次元
で実現するには、どの縦列に沿ったノードの総数も、ど
の縦列に沿ったノードの総数も、2の累乗でなければな
らない。S−SEEDデバイスは現在、Rテ゛ハ゛イス個の横
列とCテ゛ハ゛イス個の縦列とを有する矩形アレーの形に実現
されている。
【0105】EGSネットワークにおいて(閉塞性又は
非閉塞性)ファンアウトのF値は、正の整数ならどれで
もよく、非閉塞性のEGSネットワークでは、ファンア
ウトのF値は、[数4]の不等式を満足する正の整数な
らよい。しかし、クロスオーバネットワーク及びS−S
EEDデバイスに基づく光EGSネットワークにおいて
は、ファンアウトのF値に更に制約がかかる。これらの
制約は、光クロスオーバ相互接続によって得られる形式
の接続から直接由来するものである。
【0106】更に、各S−SEEDデバイスアレーは、
FN個のS−SEEDデバイスを必要とする。(但し、
デバイスの半数は、ORゲートを操作するS−SEED
デバイスアレー内の間隔設定のためだけに使われる。)
このことから、ノード(2,1,1)は矩形のアレーに
配列される必要がある。
【0107】ここで、この矩形のノードアレーが、横列
に 2i個のノードを、そして縦列に2j個 のノードを有
すると仮定すると(iとjとは負ではない整数)、アレ
ー内のノードの総数は 2i×2j=2i+j個となる。そし
て、EGSネットワークのスイッチング部の各ノードは
それに対して2個の入力部を有するので、EGSネット
ワークのスイッチング部のノードステージに入るリンク
の総数は、 2×2i+j個となる。EGSネットワークの
ファンアウト部への入力リンク数を N=2mと仮定する
と、ネットワークのファンアウトのF値は、次の[数
7]、[数8]及び[数9]の各式の順に式を書き換え
ることによって計算できる。
【0108】[数7] F = (スイッチング部のステージにおけるリンクの
数) ÷(ファンアウト部の入力部におけるリンクの数)
【0109】[数8] F = (2×2i+j)÷ 2m
【0110】[数9] F = 2i+j+1-m
【0111】ファンアウトのF値は1より大きいか等し
い整数でなければならないので、次の[数10]式も満
足する必要がある。[数10] i+j+1 ≧ mこの条件が満足されると、Fの値は2
の累乗であることが保証される。非閉塞性の光EGSネ
ットワークに対するファンアウトの値F’は、[数1
0]式において有効なiとjとに負でない整数を用いて
[数4]式と[数9]式とを満足させるF値、のうちの
可能最小値でなければならない。
【0112】F’値が計算が済むと、F’を次の[数1
1]式([数2]式から導かれる)中のファンアウト値
として用いて、非閉塞性ネットワークの実現に必要なS
−SEEDデバイスアレーの数A’を計算できる。
【0113】[数11] A’= 2S + 2log2F’+ 1
【0114】[数11]式は[数2]式に類似である
が、[数11]式は、ファンアウトのF'/2 個のステ
ージが電子方式からなり、最後のファンアウト値の2に
ついては光方式によること、そして、ファンインの全て
が光方式によることを仮定している。
【0115】F’の値は又、光EGSネットワークにお
けるファンアウトを支援するのに必要なS−SEEDデ
バイスアレーの寸法(D') を定めるのにも用いられ
る。まず、スイッチング部の或るステージにおけるリン
クの数はスイッチング部のステージにおけるノードの数
の2倍に等しいので、[数7]式を、F’に関して以下
のように[数12]式から[数14]式まで順次書き換
えることができる。
【0116】[数12] F’= (スイッチング部のステージにおけるリンクの
数) ÷(ファンアウト部の入力部におけるリンクの数)
【0117】[数13] F’= 2×(スイッチング部のステージにおけるノー
ドの数) ÷(ファンアウト部の入力部におけるリンクの数)
【0118】[数14] F’= 2×(スイッチング部のステージにおけるノー
ドの数) ÷ N
【0119】したがって、スイッチング部のステージに
おけるノードの数は、[数15]式で表せる。
【0120】[数15] (スイッチング部のステージにおけるノードの数)=
(F'×N)÷ 2
【0121】上に述べたことから、ノードが矩形アレー
の形に配列されることがわかっており、矩形ノードアレ
ーは、横列に 2i個のノード、縦列に 2j個のノードを
有し(i及びjは負でない整数)、アレーのノードの総
数は、2i×2j=2i+j であるので、次の[数16]式
が成立する。
【0122】[数16] 2i+j = (F'×N)÷ 2
【0123】したがって、S−SEEDアレーの寸法
D’は、次の[数17]式で与えられる。
【0124】[数17] D’= 2i×2j+1
【0125】ここで重要なのは、クロスオーバネットワ
ークとS−SEEDデバイスとによって実現された光E
GSネットワークにおいては、D’の許容値は、離散値
に限定されるということである。最小のD’離散値は1
×1・S−SEEDデバイスアレーである。離散値の或
る1つの値が与えられれば、前の値より大きい次の離散
値は、前の離散値の寸法の1つを倍にすることで得られ
る。
【0126】[表1]の右側3本の縦列には、N=25
6個の入力部を有する非閉塞性光EGSネットワークを
得るのに必要なF'値、A'値、及びD'値が含まれる。
図37の曲線は、N=256の光EGSネットワークに
おいて非閉塞性作動に必要なS−SEEDデバイスアレ
ーの寸法D’とS−SEEDデバイスアレーの数A’と
の関係を示す。この曲線は、光ファンアウト(又は、フ
ァンイン)の全てがS−SEEDデバイスアレーを通し
て多重分割(又は、結合)によって得られるとの仮定に
基づいている。
【0127】図37の太い実線の右上方又は太い実線上
にある点に対するD’及びA’値によって構築されるE
GSネットワークは全て、非閉塞性で、この太い実線の
左下方にある点に対するD’及びA’値によって構築さ
れるEGSネットワークは、閉塞性である。
【0128】一般に、システム設計者は、ハードウエア
のコストを下げるためにファンアウト及びステージ数の
両方を最小に保とうと努力するものである。しかし、E
GSネットワークの光学的に実現する際には、ファンア
ウトを最小に保つ方がステージ数を最小に保つよりも重
要である。ファンアウトを最小に保つことでS−SEE
Dデバイスアレーを寸法的に小さくできる。そして、小
さな寸法であるとデバイスアレーの製造が容易になり、
アレーに対するイメージを扱うレンズシステムも簡素化
される。
【0129】更に、S−SEEDデバイスアレーが小さ
くなれば、システムの各ステージを駆動するのに必要な
レーザパワーも、より少なくて済む。このことから影響
を受けて、光EGSネットワークのシステム設計者は、
図37の下半部の位置条件に該当するハードウエアを備
えたシステムを構築しようとする、すなわち、アレー寸
法D’を小さくしようとするようになる。
【0130】もし非閉塞性の作動を望む場合には、その
ための最良の作動条件は図37の点Pで示される。すな
わち、点Pの条件で作動させることによって、可能最小
値(D’=64×64)のS−SEEDデバイスアレー
寸法と中位の値(A’=36)のデバイスアレー数とを
持った非閉塞性ネットワークが得られる。
【0131】〔埋め込み制御に基づくEGSネットワー
クの光学的実現〕埋め込み制御に基づくEGSネットワ
ークを光学的に実現させるに際しては、次のような発展
の過程をたどった。発展進化の基本目標として必要だっ
たのは、ネットワークを時分割多重交換又はパケット交
換の用途に対して時分割多重化空間スイッチとして作動
させることであった。(注:パケット交換の場合には、
パケットが入力部においてバッファ作用を受けることに
なり、又、ネットワークに入る各パケットに対して各パ
ケット時間内にパス選択作業を急速に行う必要が生じ
る。)この発展及びそれから得られた実現結果を以下に
説明する。
【0132】〔埋め込み制御の発展〕発展の第1段階と
して、ネットワークに入るパケット(タイムスロット)
を同期させるためのパケット/タイムスロット同期電子
回路が必要であった(図38)。更に、保護周波数帯間
隔をパケット(タイムスロット)間に追加して、ネット
ワークが再構成された場合に空間光変調器のスイッチン
グが可能なようにした。この発展過程で、時分割多重ス
イッチング(TMS)作動の可能なネットワークが得ら
れたが、その作動は空間光変調器のスイッチング速度が
比較的遅いことから制約を受け、保護周波数帯間隔がか
なり長いものになってしまった。
【0133】この問題を避けるために、設計発展の第2
段階において、空間光変調器(SLM)とS−SEED
デバイスアレーとの間に、スイッチングノード機能が得
られるSEED(自己電気光学効果)デバイスメモリア
レーを追加した(図39)。この設計によって、空間光
変調器をダブルバッファメモリに効果的に置き換えるこ
とができる。
【0134】すなわち、パケット時間Nの全時間の間、
パケット時間N+1に対する制御情報が空間光変調器に
書き込まれ、パケット時間Nの間ネットワークを通して
送られるデータパケットに対するパケット時間Nについ
ての制御情報がSEEDデバイスメモリアレーに保持さ
れる。
【0135】その結果、保護周波数帯間隔を非常に短く
できた。それは、空間光変調器アレーからSEEDデバ
イスメモリアレーにデータを平行移動できるだけの長さ
があればよいからである。しかし、ネットワークの各ス
テージに第2のSEEDデバイスメモリアレーを加える
と光ハードウエアモジュールの設計が複雑になるので、
設計発展の次の段階においては別の方法を考えた。
【0136】発展の次の段階では、空間光変調器(SL
M)制御機能を各ステージ内に保持しながら、SEED
デバイスメモリアレーをスイッチングノードの論理回路
機能を有するSEEDデバイスアレー内に合体させた
(図40)。この設計における作動は、図39の設計に
おける作動と同一であるが、追加のSEEDデバイスメ
モリアレーはもはや必要がない。
【0137】初めはこの、メモリとノード論理回路との
置き換えで、より大きい視野にわたってイメージ化を行
うための光回路が必要のように見えるが、実際にはイメ
ージ野を増大させずにメモリをノード論理回路に追加す
る方法があることを次に説明する。図40の設計は、実
現可能ではあるが、空間光変調器を用いていることと、
制御情報をネットワーク内の各ノードステージに送らな
ければならないことが欠点として存在するので、これら
を除くには、本発明に基づく次の最終段階へ更に発展さ
せる必要がある。
【0138】最終段階においては、空間光変調器を完全
に除去し、全ての制御情報を、ネットワークの入力側で
光ファイババンドルを通してネットワーク内に注入する
ようにした(図41)。その結果、入力側の電子回路
は、データと制御情報とを多重化できる機能が必要とな
る。そして、ネットワークは、データパシングモードと
制御ローディングモードとの2つの機能モードのうちの
いずれかのモードで作動することになる。
【0139】データパシングモードの作動中、ネットワ
ークに入るデータは、伝送ラインからのもので、直前の
制御ローディング時間中にネットワークに記憶された制
御情報に基づいてステージからステージへと送られる。
又、制御ローディングモードの作動中、ネットワークに
入るデータは、制御ハードウエアからのもので、予め定
められた固定の経路(パス)に沿ってステージからステ
ージへと送られる。
【0140】尚、以下の説明においては、制御情報がス
テージからステージへ送られる経路には、クロスオーバ
相互接続の並行直進パスだけが用いられる例を示す。こ
の構成では空間光変調器の必要がなくなり、制御情報に
ついてはネットワークの入力ステージにおいて電子回路
に伝送するだけでよいが、全ての制御情報ビットをネッ
トワークを通してシリアルにシフトしなければならない
ので、より長い保護周波数帯間隔(制御ローディング時
間)が必要となる。
【0141】〔埋め込み制御に基づくスイッチングシス
テムの一般的作動〕図41のネットワーク作動について
詳細に説明する。パケット又はタイムスロットが、入力
ライン上に到着する。これらのパケット(又はタイムス
ロット)は、ネットワークの構造部への供給に先立ちま
ずビット及びフレームについて同期をとる必要がある。
この同期は、ネットワークの縁端部においてラインカー
ドによって得られる。ラインカードは電子方式で実現さ
れるので、ネットワークを最初に実現する際には、ライ
ンカードに先立ってデータのO/E変換を要する。
【0142】同期付与の他に、ラインカードは、もし帯
域内信号伝送方式が用いられている場合には、パケット
又はタイムスロットからの経路情報の抽出も行う。もし
帯域外信号伝送方式が用いられている場合には、経路情
報は制御データ専用の外部ラインから抽出される。経路
情報は、帯域内又は帯域外のいずれの情報源から得られ
た場合も、最終的には電子制御部に送られ、そこで高速
のパス選択作業が行われる。これが行われている一方で
ラインカードがパス計算対象のパケット(又はタイムス
ロット)をバッファリング(緩衝/一時保留)する。
【0143】パス選択作業の結果はラインカードに送ら
れ、そこでパス制御情報はパケット(又はタイムスロッ
ト)に添付される。CRC(巡回冗長検査)コード又は
パリティ(奇偶検査)ビットをパケット(又はタイムス
ロット)に追加することもできる。制御情報及びCRC
コードの追加によってパケット(又はタイムスロット)
の全長が増大するので、パケットをネットワーク構造部
内に注入する際に、データレートを少し加速する必要が
ある。
【0144】上記のように、ネットワークは、制御ロー
ディングモードとデータパシングモードとの2つの機能
モードのうちのいずれかのモードで作動する。制御ロー
ディングモードの作動時間中、パケットに添付されたパ
ス制御情報が、ネットワークを通して送られる。この時
間は、上に述べた保護周波数帯時間に類似のものであ
る。この時間中、データは、クロスオーバ構造部内の並
行直進パスに沿ってのみ伝送される。
【0145】その結果、或る特定のノード用としてメモ
リに記憶される必要のある制御ビットが、そのノードを
通る並行直進パスに沿ってネットワーク内へ送られるこ
とになる。全ての制御ビットがネットワーク内を通って
適切なノードメモリにシリアルにシフトされると、ネッ
トワーク操作は制御ローディングモードからデータパシ
ングモードに切り換えられる。データパシングモードの
時間中、データはネットワーク内を流れ、ノード内のメ
モリに記憶されている制御ビットに基づいて所定の経路
に沿って送られる。
【0146】各パケット(又はタイムスロット)のデー
タはそれから適切な出力ポートに送られ、そこで制御情
報とCRCコードがパケット(又はタイムスロット)か
ら抽出される。それからCRCコードが点検され、破損
データの有無が判断される。もし破損データの存在が特
定された場合には、故障探索プロセスによって特定のデ
ータパス内の故障が探索され、将来パケット(又はタイ
ムスロット)のデータが破損しないような対応が行われ
る。
【0147】〔埋め込み制御に基づくスイッチングシス
テムにおけるノード〕ノード(2,1,1)の連続する
ノードステージを相互接続するのにクロスオーバ相互接
続を用いることは、既に仮定してある。S−SEEDデ
バイスを用いて実現した単一のノード(2,1,1)を
図36に示す。出力アレーにおける、使用されていない
ORゲートは、図41に示す埋め込み制御システム内の
メモリセルに用いられるので特に注目したい。図42
に、NANDゲート及びNORゲート(S−SEEDデ
バイスを用いて実現できる)に基づく等価回路を示す。
【0148】図42の回路の実現には、データがデバイ
スからデバイスへ伝搬する際にデータ反転が必要であ
る。S−SEEDデバイスにはデュアルレール・データ
が用いられるので、2本のデータレールを交差させるこ
とでデータ反転が得られる。S−SEEDデバイス間の
各データレールについての実際の接続を図43に示す。
図43の接続を構成するのに必要な光ハードウエアを図
44に示す。このハードウエアは、上記引例のクルーナ
ン米国出願に述べられている光クロスオーバ相互接続ハ
ードウエアである。
【0149】図45からわかるように、クロスオーバハ
ードウエアで得られる接続の数は図44の場合よりも多
い。実際には、ノード(2,1,1)の第2のステージ
にある使用されていないORゲート(ノードのメモリセ
ルとして作動する)への接続もこのクロスオーバハード
ウエアによって得られる。S−SEEDデバイス間の接
続を図46に再度示す。又、NANDゲート及びNOR
ゲートに基づく等価方式を図47に示す。
【0150】もしデータの伝搬中に発生するデータ反転
を論理ゲートと組み合わせると、図48と等価のAND
−OR回路を実現できる。その結果、使用されていない
ORゲートが2つの入力部のどちらからでもアクセスで
きることは明かなので、これを、ノード(2,1,1)
用の埋め込み制御情報を保持するメモリセルとして使用
できる。
【0151】〔埋め込み制御に基づいたスイッチングシ
ステムにおけるリンクステージ接続〕上に概説した埋め
込み制御の概念が実現できることを保証するには、メモ
リセルへの単なるアクセスだけでは不十分であって、制
御ローディングモード中に制御ビットが適切な経路で伝
送されることと、データパシングモード中にデータビッ
トが適切に流れることを示す必要がある。まず、リンク
ステージクロスオーバ相互接続によって得られる、世界
全体にわたる通信接続を調査した。
【0152】例えば、或るノードステージの4つのノー
ド(2,1,1)とその次のノードステージの4つのノ
ード(2,1,1)との間のクロスオーバ相互接続を図
49に示す。各ノード(2,1,1)の右上隅のNOR
ゲートが制御メモリを保持するものと仮定し、制御A、
制御B、制御C,及び制御Dと名付ける。一般に、制御
xは、xの符号の付いたノード(2,1,1)出力が次
のノードステージにおいてたどる経路を定める制御ビッ
トを意味する。例えば、制御Aは、最下部のノード
(2,1,1)からのAビットが次のステージでたどる
経路を制御する。
【0153】Aビットを次のノードステージまで追跡し
てみると、Aビットが、最上部のノード(2,1,1)
の上側入力部と、最下部のノード(2,1,1)の下側
入力部とに送られることがわかる。又、制御Aビットを
次のノードステージまで追跡してみると、制御Aビット
も、最上部のノード(2,1,1)の上側入力部と、最
下部のノード(2,1,1)の下側入力部とに送られる
ことがわかる。すなわち、制御AとAとは次のノードス
テージにおいて同じ入力部に導かれる。
【0154】尚、制御Aビットはクロスパスで反転する
が、並行直進パスでは反転しない。制御Aを論理値1と
すると、この制御ビットは論理値1として最上部ノード
に(反転せずに)到達するが、最下部ノードには論理値
0として到達する。すなわち、Aビットは、最上部のノ
ードを経由するが、最下部のノードは経由しない。
【0155】もし制御Aを論理値0とすると、この制御
ビットは論理値0として最上部ノードに(反転せずに)
到達するが、最下部ノードには論理値1として到達す
る。すなわち、Aビットは、最下部のノードを経由する
が、最上部のノードは経由しない。その結果、望む出力
部へのデータの、所定経路による伝送は、メモリセルに
適切な制御ビットをローディングすることによって行わ
れる。
【0156】一般に、埋め込み制御ビットが効果的にデ
ータを経路によって伝送するには、2つの要件が満たさ
れなければならない。その1つは、ノードステージ
「i」にある或る特定の制御ビットが、ノードステージ
「i+1」において、その制御対象のデータと同じ2つ
のノード入力部に到達する必要があること、そして他の
1つは、或るパスを伝搬する制御ビットは反転しなけれ
ばならず、一方他のパスを伝搬する制御ビットは反転し
てはならないということである。
【0157】上記の記述は、2次元のクロスオーバネッ
トワークにのみ該当する。光システム10(図1)は3
次元クロスオーバネットワークを用いて実現されている
ので、上記の2つの要件は、3次元ネットワーク内に存
在する水平及び垂直クロスオーバ接続の両方について満
たされる必要がある。
【0158】ここで、S−SEEDデバイスがS−SE
EDアレー内で水平を向いている、すなわち、各S−S
EEDデバイス内の2つのホトダイオードがを接続する
線が水平である(図3)、と仮定する。(但しこの仮定
は例示のためで、本発明の範囲を制約するものではな
い。)この仮定に基づけば、水平クロスオーバ接続は、
リンクステージの横列の全てにわたって平行になるよう
に実現されている(図50)ことを除いては、図49の
接続と同一である。
【0159】図50に示すように、水平交差接続(制御
ビットを反転させる)を構成するためにプリズム状ミラ
ーのアレー(配列)を設け、一方、並行直進接続(制御
ビットを反転させない)を得るために1つの平面ミラー
を用いている。その結果、上記2つの要件は、水平クロ
スオーバ接続について満足される。垂直クロスオーバ接
続については、上記2つの要件が確実に満足されるよう
にするために僅かな変更が必要となる。
【0160】図51に示すように、垂直交差接続(制御
ビットを反転させない)を構成するためにプリズム状の
ミラーが用いられている。しかし、並行直進接続(制御
ビットを反転させる)を得るために細粒状度プリズム状
ミラーのアレーも使われている。その結果、並行直進接
続は、厳密にいえば、並行直進接続ではなく、シフト接
続である。しかし、この接続は、その端を発しているノ
ードとそのノードの直前のノードとを直接接続してい
る。ノードの接続性の観点からすれば、平行直進であ
る。図51の接続を分析した結果、その結果としての垂
直クロスオーバ接続については、上記の2つの要件を満
足させている。
【0161】〔埋め込み制御に基づくスイッチングシス
テムにおける制御ビットのローディング及び記憶〕制御
ローディングモード中の、埋め込み制御に基づく光EG
Sネットワークの動きは、データパシングモード中の動
きと異なる。実際、制御ビットのローディングの結果と
してシステムに課される要件が、システムハードウエア
全体の要件とシステムの作動特性とに大きなインパクト
を与える。例えば、個別の制御ビットがネットワーク内
の横列及び縦列の各々に送られる必要があるので、EG
Sファンアウトは全て、最初のクロスオーバ相互接続で
生じる最終の2進分割を除いては、電子方式で得られ
る。
【0162】その結果、制御ローディングについての必
要要件は、ファンアウトに対して、F(電子)=F/
2、又、F(光)=2である。(注:F(電子)は電子
ラインカードで得られ、F(光)は、光EGSネットワ
ーク内で得られる。この要件のため、ネットワークの入
力部において比較的大きな光ファイババンドルが必要と
なる。更に、図52に示すように、光ファイババンドル
内の各光ファイバに対するドライバ回路は、制御ビット
とデータビットとを組み合わせるためにマルチプレクサ
が必要である。
【0163】図52における入力部は、シングルレール
の入力部と仮定する。S−SEEDデバイスの第1ステ
ージには、プリセット信号を供給する必要がある。
(注:プリセットはデータ入力とのどうきにひつようで
ある。)もし第1ステージにおいてプリセット信号が望
ましくないなら、デュアルレール入力を光ファイババン
ドルを通して流してもよいが、バンドル内の光ファイバ
の数は2倍になる。
【0164】ファンアウト部の大部分は電子方式なの
で、ファンイン部を電子方式に切り換えることを考慮し
てもよい(これによって、S−SEEDデバイスアレー
の必要数が減少する。)。この切換は可能であるが、ラ
インカードに絞り込まれる(ファンイン)ラインが全て
アクティブデータを流しているので、ファンインが行わ
れる出力ラインカードに経路情報を送る必要がある。そ
の結果、ラインカードが事実上、スイッチング構造部の
一部となるので、ラインカードを実現する際の構成が更
に複雑となる。
【0165】1つのタイムスロット時間内にデータビッ
トと制御ビットとの両方をネットワーク内に通さなけれ
ばならないので、システム内のパルスクロックレーザの
全体のクロックレートを少し増加させて制御ローディン
グを可能にする必要がある。一例として、ネットワーク
内の単一ビットの時間がTヒ゛ットで与えられると仮定す
る。ネットワークがY個のS−SEEDデバイスアレー
を有する場合、制御ローディング時間中ネットワークを
通してY個の制御ビットを時間計測する必要がある。制
御ビットをロードするに要する時間量は、YTヒ゛ットで与
えられる。もし1つのタイムスロット(パケット)にP
個のデータビットが含まれるとすると、データビットの
伝送に要する時間量は、PTヒ゛ットで与えられる。そし
て、ネットワーク全体のクロック増速は、次の[数1
8]式で得られる。
【0166】[数18] 増速 = (Y+P)÷ P
【0167】すなわち、埋め込み制御を効率的に行うに
は、P>>Y、を要する。
【0168】制御ローディングモード中、制御ビット
は、ネットワークの入力縁端部から出力縁端部まで並行
直進パスに沿って伝送する必要がある。この機能を得る
ため、制御ビットを有する横列中のデバイスを駆動する
クロックレーザのみが使用可能化され、他のクロックレ
ーザは全て使用不能化される。これを、図53に示す。
図中、クロスハッチングしてないデバイスはクロック信
号を受信し、クロスハッチングしたデバイスは受信しな
い。
【0169】すなわち、偶数番号の横列と連携するクロ
ックのみが使用可能化され、奇数番号の横列と連携する
クロックは使用不能化される。図53を解析すると、入
力された制御ビットが、シフトレジスタふうに、デバイ
スからデバイスへ、EGSネットワーク内の並行直進パ
スに沿ってのみ伝送されることがわかる。更に、制御ビ
ットは、ノード(2,1,1)内の並行直進パスに沿っ
てのみ伝送される。
【0170】奇数番号の横列内のクロックを使用不能化
しながら偶数番号の横列内のクロックを使用可能化する
操作を行うにはいくつかの方法がある。それらのうちの
或る方法では、1つのレーザダイオードが偶数番号の横
列全てを駆動し、別の1つのレーザダイオードが奇数番
号の横列全てを駆動する。S−SEEDデバイスは論理
ゲートとして作動し、又、プリセットに別のレーザダイ
オードを必要とするので、本例のシステムにおけるS−
SEEDデバイスアレーは各々、駆動用に3個のレーザ
ダイオードを要する。
【0171】ネットワークに制御ビットをローディング
する別の方法においては、電子ネットワーク集中制御装
置が各ラインカードに適切な制御ビットを送ってその制
御ビットを光ファイババンドル内へ駆動させるようにす
る必要がある。これは、集中制御装置内のハードウエア
によって設定されたネットワークパスの全てに対して、
固定の、予め定められた制御ビットの交換を必要とす
る。
【0172】〔埋め込み制御に基づくスイッチングシス
テムでのデータビットの経路設定〕EGSネットワーク
がデータパシングモードにある場合、クロックレーザの
変調も修正される。図54の単一ノード(2,1,1)
の説明図において、データパシングモード時間中、この
ノード内の論理ゲートのうちの3つが1つのパルスクロ
ックレーザによって駆動され、残りの1つの論理ゲート
は、データパシングモード時間中、連続波(CW)レー
ザによって駆動される必要がある。
【0173】この理由から、図46の論理回路は、もし
図中右上のORゲートの後に(図55に示すように)制
御ビット記憶素子としてフリップフロップを挿入すれ
ば、埋め込み制御付き光ノード(2,1,1)をより正
確に表すことになる。もし制御ビットメモリに対するC
Wレーザのパワーが到着するデータ信号のパワーよりも
はるかに大きい場合は、データ信号はCWレーザによっ
て効果的に「洗い流され」て、メモリ内に記憶された制
御ビットがデータ信号によって修正されることはない。
【0174】偶数横列と奇数横列とにそれぞれ別個のレ
ーザダイオードを用いることで、制御ビットメモリに対
するクロックを連続的に使用可能化し且つ他のクロック
レーザをパルス状の動きにすることができるようにな
る。
【0175】埋め込み制御に基づくEGSネットワーク
を通して送られる2進データは、クロスオーバの枝線の
いくつかでは反転し、他の枝線では反転しない。ネット
ワーク内でデータがとるパス次第で、出力ポート到達時
のデータの形状が元の形状であったりなかったり、すな
わち、反転されなかったりされたりする。パス選択を行
う電子集中ネットワーク制御装置によってデータの最終
的な状態(反転しているかいないか)が計算されるが、
この情報を出力ラインカードに送ってデータの反転状態
を修正しなければならない(もし必要なら)。
【0176】これには、ネットワークの同期的性質と、
全てのタイムスロット(パケット)はネットワークを通
して伝搬する際にフレーム同期信号なければならないこ
ととを利用する方法がある。すなわち、もしネットワー
クの入力ラインカードにおいて単一のビットが各タイム
スロット(パケット)に添付された場合、そしてそのビ
ットが最初に論理値0である場合、出力ラインカード
は、そのビットが出力部に到達した際にラッチをかけて
保留する。
【0177】もしラッチをかけられたビットが論理値0
なら、そのデータはネットワーク内を反転無しに伝搬し
たのであり、補正は不要である。しかし、もしラッチを
かけられたビットが論理値1なら、そのデータはネット
ワーク内を伝搬中に反転したことを意味するので、っそ
のタイムスロット(パケット)全体を反転する必要があ
る。各出力ラインカード内での出力データの反転状態の
補正には、図56の回路が用いられる。
【0178】埋め込み制御の使用は、データの経路設定
に重要な意味を持っている。ノード(2,1,1)を出
たデータについては、並行直進接続と交差接続とのいず
れか一方を経て送ることができるようになっており(両
方は不可)、埋め込み制御EGSスイッチング構造部内
で、1つの入力ポートから多数の出力ポートへの多重流
し込みはできない。
【0179】これは望ましくない状態であり、問題を部
分的に解決する方法として、入力ラインカード内の電子
式ファンアウトが、各入力のF(電子)個までのコピー
を光EGS構造部内に注入するために使用できることを
利用するものがある。F(電子)の値は一般にF(合
計)の1/2に等しいので、上記方法によって、F(合
計)の1/2の個数の出力部に対して多重流し込みが可
能である。
【0180】〔参考定義〕次に示すマルチステージ接続
に関する定義は、上記引例のクルーナン米国出願に述べ
られているものであるが、本発明の理解に便利なのでこ
こに参考として説明する。図57に示すマルチステージ
相互接続ネットワーク(MIN)1010は、以下の5
つの条件で定義される。
【0181】(1)MINは任意の数であるS個のノー
ドステージを有する。 (2)ステージiには ri個のノードがあり、各ノード
は、 ni個の入力部とmi個の出力部とを有する。 (3)異なるステージのノードは、異なる値のniとmi
とを有する。 (4)iが 1≦i≦ S−1、の場合、ステージiにお
けるノードの出力部は、ステージi+1におけるノード
の入力部にリンクを経て接続されている。 (5)iが 1≦i≦ S−1、の場合、rii=ri+1
i+1、である。
【0182】延長形一般化シャッフル(EGS)ネット
ワーク1012を図58に示す。EGSネットワーク
は、特定のリンク相互接続パターンを有するMINであ
る。どのステージiにおいても、ノードは0から ri-1
まで、又、特定のノードにおける出力部は、0から mi
-1までの連続番号が付けられている。更に、ステージi
のノードの出力部は、0からrii-1までの連続番号が
付けられる。又、 ノードxiにおける出力部oiの番号
は、xii+oiである。
【0183】EGS相互接続パターンは次のように表現
される。すなわち「ステージiの出力部xii+o
iが、ステージi+1のノード(xii+oi)mod
i+1 に接続される。」である。この相互接続パター
ンにおいては、リンクが次のステージのノードに連続的
に割り当てられる(いわゆる完全シャッフル)。
【0184】マルチステージ相互接続ネットワーク(M
IN)Gは、次の2つの条件、〔条件1〕及び〔条件
2〕のどちらかを備えている場合、完全シャッフル等価
ネットワークであると称する。
【0185】〔条件1〕ネットワークGの各ステージi
に対して、Gのステージiのノードri から整数のセッ
ト{0,1,・・・,ri−1}への1対1のマッピングφ
i が存在し、このマッピングφi は、次の[数19]式
が満足される場合にのみGのステージiのノードαがG
のステージi+1のノードβに接続されるようなマッピ
ングである。
【0186】
【数19】
【0187】〔条件2〕ネットワークGの各ステージi
に対して、Gのステージiのノードri から整数のセッ
ト{0,1,・・・,ri−1}への1対1のマッピングφ
i が存在し、このマッピングψi は、次の[数20]式
が満足される場合にのみGのステージi+1のノードβ
がGのステージiのノードαに接続されるようなマッピ
ングである。
【0188】
【数20】
【0189】尚、各φi が単に識別用のマッピングであ
る場合に〔条件1〕が成立するということを基本にした
完全シャッフル等価ネットワークである。ここで、次の
[数21]式で示されるC1 が、〔条件1〕を満足する
S個のマッピングφi のセットを表すものとする。
【0190】
【数21】
【0191】又、次の[数22]式で示されるC2 が、
〔条件2〕を満足するS個のマッピングψi のセットを
表すものとする。
【0192】
【数22】
【0193】拡大手段は、次の〔条件1e〕又は〔条件
2e〕のいずれかが成立する場合にのみ、完全シャッフ
ル持続パターン内のGのN個の入口部の各々をGの第1
ステージノードの多重入力部に接続するものである。
【0194】〔条件1e〕C1 が存在する。(n11
÷N=F(整数)、である。そして、GのN個の入口部
から整数のセット{0,1,・・・, N−1}への1対1
のマッピングφI が存在し、このマッピングφI は、次
の[数23]式が満足される場合にのみGの入口部αが
Gのステージ1のノードβに接続されるようなマッピン
グである。
【0195】
【数23】
【0196】〔条件2e〕C2 が存在する。(n11
÷N=F(整数)、である。そして、GのN個の入口部
から整数のセット{0,1,・・・, N−1}への1対1
のマッピングψI が存在し、このマッピングψI は、次
の[数24]式が満足される場合にのみGのステージ1
のノードβがGの入口部αに接続されるようなマッピン
グである。
【0197】
【数24】
【0198】集中手段は、次の〔条件1c〕又は〔条件
2c〕のいずれかが成立する場合にのみ、完全シャッフ
ル持続パターン内のGのノードの最後のステージSの多
重出力部をGのM個の入口部の各々に接続するものであ
る。
【0199】〔条件1c〕C1 が存在する。(nss
÷M=F(整数)、である。そして、GのM個の出口部
から整数のセット{0,1,・・・, M−1}への1対1
のマッピングφo が存在し、このマッピングφo は、次
の[数25]式が満足される場合にのみGのステージS
のノードαが出口部βに接続されるようなマッピングで
ある。
【0200】
【数25】
【0201】〔条件2c〕C2 が存在する。(nss
÷N=F(整数)、である。そして、GのM個の出口部
から整数のセット{0,1,・・・, M−1}への1対1
のマッピングψo が存在し、このマッピングψo は、次
の[数26]式が満足される場合にのみ出口部βがGの
ステージSのノードαに接続されるようなマッピングで
ある。
【0201】
【数26】
【0202】このような拡大手段と集中手段とを有する
ネットワークGは、N個の1xFノードからなる1つの
拡大ステージと、それに続くGのS個のステージと、そ
れに続くM個のF’x1ノードからなる1つの集中ステ
ージとから構成されるS+2個のステージの完全シャッ
フル等価ネットワークとして等価的に表すことができ
る。
【0203】もし〔条件1〕(又は2)が成立する場
合、〔条件1e〕(又は2e)に基づいて、φI(又は
ψI)がN個の入口ノードに適用され、入口ノードαが
Gのステージ1のノードβに接続され、又、〔条件1
c〕(又は2c)に基づき、 φo(又はψo) がM個の
出口ノードに適用され、GのステージSのノードαが出
口ノードβに接続される。
【0204】以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例を考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。
【0205】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、E
GSクラスの光ネットワークの制御において、2次元の
ノードアレー間を自由空間光クロスオーバ相互接続部と
直進相互接続部とからなるリンクステージで接続する構
成とし、ネットワークに光制御素子を埋め込んだ埋め込
み制御方式をとり、空間光変調器(SLM)の使用を避
けたので、スイッチング時間が長いというSLMの欠点
が除去されて、高速の時分割多重スイッチング操作が可
能となり、又、同じく、光/電子変換比率が低いという
欠点が除去されて、データレートへの制約がなくなる。
【0206】データ伝送前に、使用されていないパスを
選択して稼動化しそのデータ伝送用にのみ用いるように
したので、データが伝送中にバッファの作用を受けるこ
とがなく、伝送遅れが改善され、ネットワークの効率が
増大する。ネットワーク制御情報を伝送データに添付し
てデータ伝送経路と同じ経路で伝送するので、パスが簡
素化され、コストダウンが計れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】埋め込み制御素子を有する光システム例を示す
機能線図である。
【図2】図1の光システムの有する光ハードウエアモジ
ュールの概略線図である。
【図3】図1の光システムに用いられる対称形自己電気
光学効果デバイス(S−SEED)の配列(アレー)の
概略線図である。
【図4】図1の光システム内の水平クロスオーバステー
ジ用の光クロスオーバ相互接続部の変形例を示す説明図
である。
【図5】図1の光システム内の垂直クロスオーバステー
ジ用の光クロスオーバ相互接続部の変形例を示す説明図
である。
【図6】図1の光システム内のノードステージを具体化
した2つの連続する光ハードウエアモジュールの相互接
続用の光クロスオーバ相互接続部の説明図である。
【図7】図1の光システムに含まれる入力ライン回路を
示す詳細線図である。
【図8】図1に機能的にのみ示した光システムの光学的
構成を、より詳細に示す線図で、図中に示す順に配列し
た図9、図10、及び図11からなる。
【図9】図1に機能的にのみ示した光システムの光学的
構成を、より詳細に示す線図で、図8の左部分に該当す
る。
【図10】図1に機能的にのみ示した光システムの光学
的構成を、より詳細に示す線図で、図8の中央部分に該
当する。
【図11】図1に機能的にのみ示した光システムの光学
的構成を、より詳細に示す線図で、図8の右部分に該当
する。
【図12】図1の光システムに含まれる出力ライン回路
を示す詳細線図である。
【図13】図1の光システム内の3つの連続する光ハー
ドウエアモジュールを、より詳細に示す説明図で、図中
に示す順に配列した図14、図15、及び図16から構
成される。
【図14】図1の光システム内の3つの連続する光ハー
ドウエアモジュールを、より詳細に示す説明図で、図1
3の左部分を構成する。
【図15】図1の光システム内の3つの連続する光ハー
ドウエアモジュールを、より詳細に示す説明図で、図1
3の中央部分を構成する。
【図16】図1の光システム内の3つの連続する光ハー
ドウエアモジュールを、より詳細に示す説明図で、図1
3の右部分を構成する。
【図17】図1の光システムにおいて具体化されたクロ
スオーバネットワークの3次元形状を示す説明図で、図
中に示す順に配列した図18、図19、及び図20から
構成される。
【図18】図1の光システムにおいて具体化されたクロ
スオーバネットワークの3次元形状を示す説明図で、図
17の左部分を構成する。
【図19】図1の光システムにおいて具体化されたクロ
スオーバネットワークの3次元形状を示す説明図で、図
17の中央部分を構成する。
【図20】図1の光システムにおいて具体化されたクロ
スオーバネットワークの3次元形状を示す説明図で、図
17の右部分を構成する。
【図21】制御用に空間光変調器を用いる、従来技術の
光システムの機能線図である。
【図22】パケット又は時間スロット間隔の間に保護周
波数帯を用いる時分割多重スイッチの動作を示す線図で
ある。
【図23】経路自己設定形スターライト・パケットスイ
ッチとして知られる従来技術の光システムの機能線図で
ある。
【図24】拡大部、完全シャッフル等価ネットワーク、
及び集中部からなる従来技術のシステムに対するネット
ワーク形状を例示する線図である。
【図25】特定の完全シャッフル等価ネットワーク、す
なわちクロスオーバ(又は、半クロスオーバ)ネットワ
ークの線図である。
【図26】完全シャッフル等価ネットワークの重要な特
例を表す延長形一般化シャッフル(EGS)ネットワー
クの線図である。
【図27】2次元クロスオーバネットワークを示す線図
で、図28との対比で2次元と3次元のクロスオーバネ
ットワークの間の関係を示す。
【図28】3次元クロスオーバネットワークを示す線図
で、図27との対比で2次元と3次元のクロスオーバネ
ットワークの間の関係を示す。
【図29】特定のネットワーク例に対するファンアウト
部、スイッチング部、及びファンイン部を示す線図であ
る。
【図30】図29のネットワークの論理ゲートを表す線
図である。
【図31】図29のネットワークの変形実施例の論理ゲ
ートを表す線図である。
【図32】異なる値のS(スイッチング部ステージ)及
びF(ファンイン/ファンアウト)を有するEGSネッ
トワークの閉塞(ブロッキング)特性曲線である。
【図33】大きなF値と小さなS値とを有するネットワ
ークの説明図である。
【図34】小さなF値と大きなS値とを有するネットワ
ークの説明図である。
【図35】ネットワーク制御に空間光変調器(SLM)
を用いる従来技術の光システムの機能線図である。
【図36】光ノード(2,1,1)の実現例におけるA
ND/OR(論理積/論理和)の説明図である。
【図37】異なる値のA’(対称形自己電気光学効果デ
バイス(S−SEED)アレーの数)及びD’(アレー
寸法値)を有するEGSネットワークの閉塞(ブロッキ
ング)特性曲線である。
【図38】最終的に図41の埋め込み制御光ネットワー
クに至るまでの展開過程を図39及び図40と共に示す
ネットワーク機能線図である。
【図39】最終的に図41の埋め込み制御光ネットワー
クに至るまでの展開過程を図38及び図40と共に示す
ネットワーク機能線図である。
【図40】最終的に図41の埋め込み制御光ネットワー
クに至るまでの展開過程を図38及び図39と共に示す
ネットワーク機能線図である。
【図41】埋め込み制御光ネットワークの機能線図であ
る。
【図42】光ノード(2,1,1)のNAND/NOR
(否定論理積/否定論理和)の説明図である。
【図43】光ノード(2,1,1)のR−Sフリップフ
ロップの説明図である。
【図44】光ノード(2,1,1)の、2ステージの対
称形自己電気光学効果デバイス(S−SEED)の間に
クロスオーバ相互接続を行うために必要な光ハードウエ
アの線図である。
【図45】図44のハードウエアによって得られる追加
クロスオーバ相互接続部を示す線図である。
【図46】前に使用されていなかったORゲートがノー
ドの埋め込み制御記憶素子として使用されるような光ノ
ード(2,1,1)のAND/ORの説明図である。
【図47】埋め込み制御記憶素子を有する光ノード
(2,1,1)のNAND/NORの説明図である。
【図48】埋め込み制御記憶素子を有する光ノード
(2,1,1)のR−Sフリップフロップの説明図であ
る。
【図49】或る1つのノードステージの4つの光ノード
(2,1,1)とその後に続くノードステージの4つの
光ノード(2,1,1)との間のクロスオーバ相互接続
部を拡大して表す線図で、各ノードの制御素子の表示付
きで示す。
【図50】水平クロスオーバに対するリンクステージ接
続を示す線図である。
【図51】垂直クロスオーバに対するリンクステージ接
続を示す線図である。
【図52】埋め込み制御ネットワークにおける制御ビッ
トのローディング状況を示す線図である。
【図53】図49のネットワーク部分の偶数及び奇数横
列の、別個のパワー(クロック)レーザ源による照射を
示す線図である。
【図54】ノード(2,1,1)のNAND/NOR表
示の制御NORゲートの、別個の連続クロックによる照
射の説明図である。
【図55】フリップフロップで表した埋め込み制御ネッ
トワークを有する場合の、ノード(2,1,1)の、よ
り正確なAND/ORの表示説明図である。
【図56】光ネットワークによるデータ反転の補正用回
路を示す線図である。
【図57】マルチステージ相互接続ネットワーク(MI
N)を示す線図である。
【図58】延長形一般化シャッフル(EGS)ネットワ
ークとして本明細書に引用されている、特定の形式のマ
ルチステージ相互接続ネットワークを示す線図である。
【符号の説明】
10 光システム例(16×16空間分割交換ネットワ
ーク) 21、22 2×8光ファイバアレー 23 4×8光ファイバアレー 24 4×4光ファイバアレー 30 入力ライン回路 31、41 O/E(光/電気)変換器 32、44 バッファ 33、36 マルチプレクサ(MUX) 34 アドレス復号器 35、42 フリップフロップ回路(F/F) 37 E/O(電気/光)変換器 40 出力ライン回路 43 排他的ORゲート 50、50’〜57、57’ 光ハードウエアモジュー
ル(8対) 51 光ハードウエアモジュール 60 ネットワーク制御装置 70、80 レンズ 100、100’ 光クロスオーバ相互接続部 500 8×8対称形自己電気光学効果デバイス(S−
SEED)アレー B1〜B7 母線 N1〜N8 ノードステージ(8個) L1〜L7 リンクステージ(7個)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス ジエイ クルーナン アメリカ合衆国 60516 イリノイ ダウ ナーズグローブ、ベインブリツジ ドライ ブ 7625 (72)発明者 ジヨン ロバート エリツクソン アメリカ合衆国 63040 ミズーリ グロ ーヴアー、ビーコン ポイントレーン 551 (72)発明者 アンソニー ロドヴイコ レンテイン アメリカ合衆国 60175 イリノイ セン ト チヤールズ、オーク ロード 36 ダ ブリユー 835 (72)発明者 フレドリツク ボサート マコーミツク ジユニア アメリカ合衆国 60532 イリノイ ライ ル、メドウ ドライブ 5905 (72)発明者 ゲイロード ワーナー リチヤーズ アメリカ合衆国 60532 イリノイ ライ ル、オールド カレツジ ロード 6730

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 各々複数のノードからなる順次相互接続
    された複数のステージからなり、 これら複数のノードが各々その属するデータ接続状態を
    有し、 これらのステージのうちの少なくとも1つのステージの
    各ノードが、 前記少なくとも1つのステージの後に続くステージの少
    なくとも1つのノードのデータ接続状態の制御用の制御
    情報を記憶するための手段からなる、 ことを特徴とするネットワーク。
  2. 【請求項2】 前記ネットワークにおいて、 前記少なくとも1つのノードステージの各ノードと前記
    後に続くステージの各ノードとが各々、2つのデータ入
    力部と、2つの制御入力部と、1つの制御出力部と、1
    つので出力部とを有し、これらの制御入力部は各々、1
    つのデータ入力部に属し、 前記ネットワークが更に、 前記少なくとも1つのノードステージの各データ出力部
    を前記後に続くステージの2つのデータ入力部に接続し
    且つ前記少なくとも1つのノードステージの各制御出力
    部を前記後に続くステージの2つの制御入力部に接続す
    るための手段からなり、 この接続するための手段は、 前記少なくとも1つのノードステージの各制御出力部
    を、 前記後に続くノードステージのノードであって、前記少
    なくとも1つのノードステージのデータ出力部のうちの
    前記1つのデータ出力部にそれらのデータ入力部が接続
    されている2つのノード、のうちの一つだけを通して、
    前記少なくとも1つのノードステージのデータ出力部の
    うちの一つから受信できるデータの伝送、を選択的に可
    能化するために使用できるように前記接続を行う手段で
    ある、ことを特徴とする請求項1記載のネットワーク。
  3. 【請求項3】 前記ネットワークが更に、 前記少なくとも1つのノードステージのデータ入力部に
    データ信号を供給する前に前記少なくとも1つのノード
    ステージのデータ出力部に制御信号を供給するように制
    御するための手段からなる、 ことを特徴とする請求項2記載のネットワーク。
  4. 【請求項4】 前記ネットワークにおいて、 前記少なくとも1つのノードステージの前記各ノード
    の、記憶するための手段が、そのノードのデータ入力部
    のうちの少なくとも1つのデータ入力部から受信できる
    制御信号を記憶し、且つそのノードの制御出力部に接続
    される、 ことを特徴とする請求項2記載のネットワーク。
  5. 【請求項5】 前記ネットワークにおいて、 前記少なくとも1つのノードステージの前記各ノード
    が、 第1及び第2論理積ゲート並びに第1及び第2論理和ゲ
    ートからなる回路によって演算される関数と同じまたは
    論理的に同等な論理関数を演算するための手段からな
    り、 前記第1及び第2論理積ゲートの各々の出力部は、前記
    第1及び第2論理和ゲートの両方の入力部に接続され、
    前記第1論理積ゲートは、そのノードの一方のデータ入
    力部及びそれの属する制御入力部を入力部として有し、
    前記第2論理積ゲートは、そのノードの他方のデータ入
    力部及びそれの属する制御入力部を入力部として有し、
    第1論理和ゲートの出力部は、フリップフロップ回路を
    介してそのノードの制御出力部として接続され、第2論
    理和ゲートの出力部は、そのノードのデータ出力部を構
    成する、 ことを特徴とする請求項2記載のネットワーク。
  6. 【請求項6】 前記ネットワークにおいて、 前記演算するための手段が光手段からなることを特徴と
    する請求項5記載のネットワーク。
  7. 【請求項7】 前記ネットワークにおいて、 前記光手段が、複数の対称形自己電気光学効果デバイス
    からなることを特徴とする請求項6記載のネットワー
    ク。
  8. 【請求項8】 前記ネットワークにおいて、 前記光手段が、光クロスオーバ相互接続手段を介して第
    3及び第4の対称形自己電気光学効果デバイスに光学的
    に接続された第1及び第2の対称形自己電気光学効果デ
    バイスからなる、ことを特徴とする請求項6記載のネッ
    トワーク。
  9. 【請求項9】 前記ネットワークにおいて、 前記接続するための手段が、光クロスオーバ相互接続手
    段であることを特徴とする請求項6記載のネットワー
    ク。
  10. 【請求項10】 前記ネットワークにおいて、 前記演算するための手段が、電気的手段であることを特
    徴とする請求項5記載のネットワーク。
  11. 【請求項11】 前記ネットワークにおいて、 前記2つのデータ入力部が、第1のデータ入力信号、第
    1の相補データ入力信号、第2のデータ入力信号、及び
    第2の相補データ入力信号を受信し、 前記2つの制御入力部が、第1の制御入力信号、第1の
    相補制御入力信号、第2の制御入力信号、及び第2の相
    補制御入力信号を受信し、 前記少なくとも1つのノードステージの前記各ノード
    が、 各々、1つの量子井戸領域を有する第1の光検出器と1
    つの量子井戸領域を有する第2の光検出器とから構成さ
    れる、第1、第2、第3、及び第4の対称形自己電気光
    学効果デバイスからなり、 前記第1の対称形自己電気光学効果デバイスの第1の光
    検出器が、前記第1のデータ入力信号と前記第1の制御
    入力信号とを受信するための光検出器であり、前記第3
    の対称形自己電気光学効果デバイスの第2の光検出器と
    前記第4の対称形自己電気光学効果デバイスの第2の光
    検出器とに光手段を介して結合され、 前記第1の対称形自己電気光学効果デバイスの第2の光
    検出器が、前記第1の相補データ入力信号と前記第1の
    相補制御入力信号とを受信するための光検出器であり、
    前記第3の対称形自己電気光学効果デバイスの第1の光
    検出器と前記第4の対称形自己電気光学効果デバイスの
    第1の光検出器とに光手段を介して結合され、 前記第2の対称形自己電気光学効果デバイスの第1の光
    検出器が、前記第2のデータ入力信号と前記第2の制御
    入力信号を受信するための光検出器であり、前記第3の
    対称形自己電気光学効果デバイスの第2の光検出器と前
    記第4の対称形自己電気光学効果デバイスの第2の光検
    出器とに光手段を介して結合され、 前記第2の対称形自己電気光学効果デバイスの第2の光
    検出器が、前記第2の相補データ入力信号と前記第2の
    相補制御入力信号を受信するための光検出器であり、前
    記第3の対称形自己電気光学効果デバイスの第1の光検
    出器と前記第4の対称形自己電気光学効果デバイスの第
    3の光検出器とに光手段を介して結合される、 ことを特徴とする請求項2記載のネットワーク。
  12. 【請求項12】 前記ネットワークにおいて、 前記データ出力部が、データ出力信号と相補データ出力
    信号とからなり、前記制御出力部が、制御出力信号と相
    補制御出力信号とからなり、 前記第3の対称形自己電気光学効果デバイスの第1の光
    検出器が、前記相補制御出力信号を伝送し、 前記第3の対称形自己電気光学効果デバイスの第2の光
    検出器が、前記制御出力信号を伝送し、 前記第4の対称形自己電気光学効果デバイスの第1の光
    検出器が、前記相補データ出力信号を伝送し、 前記第4の対称形自己電気光学効果デバイスの第2の光
    検出器が、前記データ出力信号を伝送する、 ことを特徴とする請求項11記載のネットワーク。
  13. 【請求項13】 前記ネットワークにおいて、 前記光手段が、光クロスオーバ相互接続手段であること
    を特徴とする請求項11記載のネットワーク。
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