JPH0590359A - Semiconductor wafer and its probe card - Google Patents

Semiconductor wafer and its probe card

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JPH0590359A
JPH0590359A JP27701691A JP27701691A JPH0590359A JP H0590359 A JPH0590359 A JP H0590359A JP 27701691 A JP27701691 A JP 27701691A JP 27701691 A JP27701691 A JP 27701691A JP H0590359 A JPH0590359 A JP H0590359A
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JP
Japan
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probe
positioning
electrodes
alignment
semiconductor wafer
Prior art date
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Pending
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JP27701691A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Yamazaki
孝次 山崎
Tatsuhiro Akaha
辰弘 赤羽
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To bring probe needles into contact with probe test electrodes accurately and improve the reliability and the throughput of the probe test by a method wherein alignment electrodes are formed on a semiconductor wafer and alignment needles are provided on a probe card. CONSTITUTION:A plurality of alignment electrodes 20, 21 and 22 are provided on a position which is not hidden by probe needles 44 at the time of a probe test, for instance on a street positioned between corresponding corners of respective chips 12 on a semiconductor wafer 10 and, further, electrode wirings 30 which connect the respective alignment electrodes 21 and 22 to each other are provided on the street 11. Alignment needles 50 which correspond to the alignment electrodes 20 are provided on a probe card 40. With this constitution, the respective probe test electrodes of the chips 12 can be aligned with the respective probe needles 44 of the probe card 40 simply by aligning the alignment electrodes 20 with the alignment needles 50. Therefore, an alignment process can be simplified and accurate.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハとそのプ
ローブテストに用いるプローブカードに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer and a probe card used for a probe test of the semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程では、通常半導体ウエハ
に前工程プロセスを行って複数のチップを形成した後、
各チップの電気的特性を検査するプローブテストを行
う。プローブテストでは、ウエハプローバにプローブカ
ードを装着し、プローブカードの複数のプローブ針をプ
ローブテストの対象になるチップの該当するプローブテ
スト用電極に接触させて、チップの電気的特性を検査す
る。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, a semiconductor wafer is usually subjected to a pre-process to form a plurality of chips,
A probe test is performed to inspect the electrical characteristics of each chip. In the probe test, a probe card is mounted on a wafer prober, and a plurality of probe needles of the probe card are brought into contact with corresponding probe test electrodes of a chip to be probe-tested to inspect the electrical characteristics of the chip.

【0003】上記半導体ウエハを、図5の平面図および
図6に示す図5中のA部拡大図により説明する。図に示
す如く、一枚の半導体ウエハ80には、通常ダイシング
するためのストリート11で区画された複数のチップ1
2が縦横に配設されている。各チップ12内の周辺部に
は、プローブテストを行うためのプローブテスト用電極
13が複数配設されている。
The semiconductor wafer will be described with reference to a plan view of FIG. 5 and an enlarged view of a portion A in FIG. 5 shown in FIG. As shown in the figure, a single semiconductor wafer 80 has a plurality of chips 1 divided by streets 11 for normal dicing.
2 are arranged vertically and horizontally. A plurality of probe test electrodes 13 for performing a probe test are arranged in the peripheral portion of each chip 12.

【0004】次にプローブカードを図7の平面図により
説明する。図に示すように、プリント配線板41にはほ
ぼ円形の孔42が設けられている。この孔42の周囲の
プリント配線板41には、環状取付け部43が設けられ
ている。環状取付け部43には複数のプローブ針44が
チップ12のプローブテスト用電極13(図6参照)の
配列方向に対してほぼ直角にかつ当該チップ12の外側
方向に向けて支持されている。上記各プローブ針44の
先端は、検査するチップ12(図6参照)のプローブテ
スト用電極13(図6参照)に1対1に対応する状態に
配置されている。また各プローブ針44の末端は、例え
ばプリント配線よりなるプローブ配線45の一端に1対
1に対応して接続されている。さらに各プローブ配線4
5の他端にはコネクタ接続用接触部46が形成されてい
る。上記の如くに、プローブカード90は構成される。
Next, the probe card will be described with reference to the plan view of FIG. As shown in the figure, the printed wiring board 41 is provided with a substantially circular hole 42. An annular mounting portion 43 is provided on the printed wiring board 41 around the hole 42. A plurality of probe needles 44 are supported on the annular mounting portion 43 substantially at right angles to the arrangement direction of the probe test electrodes 13 (see FIG. 6) of the tip 12 and toward the outer side of the tip 12. The tip of each probe needle 44 is arranged in a one-to-one correspondence with the probe test electrode 13 (see FIG. 6) of the chip 12 to be inspected (see FIG. 6). Further, the ends of the probe needles 44 are connected to one ends of probe wires 45 made of, for example, printed wires in a one-to-one correspondence. Furthermore, each probe wiring 4
On the other end of 5, a connector connecting contact portion 46 is formed. The probe card 90 is configured as described above.

【0005】次に上記半導体ウエハ80のあるチップ1
2の各プローブテスト用電極13と上記プローブカード
90の各プローブ針44とを位置合わせする方法を説明
する。各プローブ針44に各プローブテスト用電極13
を1対1に対応させて接触させるには、ウエハプローバ
(図示せず)に設置された顕微鏡(図示せず)で観察し
ながら半導体ウエハ80を移動して、位置合わせするた
めに基準とした幾つかのプローブ針44に対して、当該
プローブ針44に対応するプローブテスト用電極13を
合わせて接触させる。
Next, the chip 1 having the semiconductor wafer 80
A method of aligning the probe test electrodes 13 of No. 2 with the probe needles 44 of the probe card 90 will be described. Each probe test electrode 13 is attached to each probe needle 44.
In order to make one-to-one contact with each other, the semiconductor wafer 80 is moved while observing it with a microscope (not shown) installed in a wafer prober (not shown) and used as a reference for alignment. The probe test electrodes 13 corresponding to the probe needles 44 are brought into contact with some of the probe needles 44.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、チップ
に形成される素子が高集積化,高性能化されるにしたが
い、プローブテストの検査項目は増加する。このため、
プローブテスト用電極の数も多くなり、しかも微細化さ
れる。したがって、プローブ針の数も多くなるので、プ
ローブ針は密集した状態に配置される。このため、プロ
ーブ針によってプローブテスト用電極が隠されるので、
プローブ針とプローブテスト用電極との位置合わせが確
実に行えない。この結果、プローブ針とプローブテスト
用電極との接触不良が発生し易くなって、良品を不良品
と判定する歩留り損失が生じ易くなる。したがって、プ
ローブテストの信頼性が低下する。そこでプローブ針を
正確に位置合わせしようとすると、非常に時間がかか
り、プローブテストのスループットが低下する。
However, the inspection items of the probe test increase as the elements formed on the chip become highly integrated and have high performance. For this reason,
The number of probe test electrodes also increases, and the electrodes are miniaturized. Therefore, since the number of probe needles also increases, the probe needles are arranged in a dense state. Therefore, since the probe needle hides the probe test electrode,
The probe needle and the probe test electrode cannot be aligned reliably. As a result, contact failure between the probe needle and the probe test electrode is likely to occur, and yield loss in which a good product is determined to be a defective product is likely to occur. Therefore, the reliability of the probe test is reduced. Therefore, trying to accurately align the probe needles takes a very long time, and the throughput of the probe test is reduced.

【0007】本発明は、プローブテストの信頼性とスル
ープットに優れた半導体ウエハとそのプローブカードと
を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer and a probe card for the semiconductor wafer, which are excellent in reliability and throughput of a probe test.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた半導体ウエハとそのプローブカー
ドである。すなわち、ストリートで区画された複数のチ
ップを有する半導体ウエハであって、各チップの周囲の
ストリートまたは当該チップに、複数の位置合わせ用電
極をプローブテスト時のプローブ針によって隠されるこ
とがない状態に形成し、かつストリートまたはチップに
当該各位置合わせ用電極同士を接続する電極配線を形成
したものである。またプローブテストする半導体ウエハ
のチップに形成した複数のプローブテスト用電極の配置
に対応させてプローブ針を配設したプローブカードであ
って、半導体ウエハに形成した複数の位置合わせ用電極
のそれぞれに対応する複数の位置合わせ用針と当該各位
置合わせ用針に接続する位置合わせ用配線とをプローブ
カードに形成したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a semiconductor wafer and a probe card therefor, which are made to achieve the above object. That is, in a semiconductor wafer having a plurality of chips partitioned by streets, in a state in which the plurality of alignment electrodes are not hidden by the probe needles at the time of the probe test on the streets around the chips or on the chips. In addition, the electrode wiring for connecting the respective positioning electrodes is formed on the street or the chip. A probe card in which probe needles are arranged corresponding to the arrangement of a plurality of probe test electrodes formed on a chip of a semiconductor wafer to be probe tested, and which corresponds to each of a plurality of alignment electrodes formed on a semiconductor wafer. The probe card is formed with a plurality of alignment needles and alignment wirings connected to the alignment needles.

【0009】[0009]

【作用】上記構成の半導体ウエハでは、各チップの周囲
のストリートまたはチップに複数の位置合わせ用電極を
プローブ針によって隠されることがない状態に設けたの
で、プローブ針によって位置合わせ用電極が隠されるこ
とがなくなり、位置合わせ用電極が見やすくなる。また
各位置合わせ用電極を電極配線で接続したので、各位置
合わせ用電極間に電流を流すことによって、各位置合わ
せ用電極に各位置合わせ用針が正確に接触しているか否
かが検出される。上記構成のプローブカードでは、半導
体ウエハに形成した複数の位置合わせ用電極に対応する
位置合わせ用針を設けたので、各位置合わせ用針がプロ
ーブ針と重なって見え難くなることがない。また各位置
合わせ用針に接続する位置合わせ用配線を形成したの
で、各位置合わせ用配線間に電流計を接続することで、
位置合わせ用電極間の導通が確かめられる。このため、
間接的にプローブ針がプローブテスト用電極に正確に接
触しているか否かが確認される。
In the semiconductor wafer having the above structure, the plurality of alignment electrodes are provided on the streets around each chip or on the chips in such a state that the alignment electrodes are not hidden by the probe needles, so that the alignment electrodes are hidden by the probe needles. And the positioning electrode becomes easy to see. Also, since each positioning electrode is connected by electrode wiring, it is possible to detect whether or not each positioning needle is accurately in contact with each positioning electrode by passing a current between each positioning electrode. It In the probe card having the above configuration, since the positioning needles corresponding to the plurality of positioning electrodes formed on the semiconductor wafer are provided, each positioning needle does not overlap with the probe needle and become difficult to see. Moreover, since the wiring for positioning that connects to each positioning needle is formed, by connecting an ammeter between each wiring for positioning,
The conduction between the positioning electrodes can be confirmed. For this reason,
It is indirectly confirmed whether or not the probe needle is accurately in contact with the probe test electrode.

【0010】[0010]

【実施例】本発明の半導体ウエハとプローブカードとの
実施例を図1の部分省略平面図により説明する。なお従
来の技術の図5ないし図7中で説明した構成部品と同様
の構成部品には同一の番号を付す。また半導体ウエハ1
0を構成するプローブテスト用電極13、プローブカー
ド40を構成するプリント配線板41,孔42,環状取
付け部43,プローブ針44,プローブ配線45,コネ
クタ接続用接触部46等は、従来の技術中で説明したの
で、ここでは説明を省略する。図に示すように、半導体
ウエハ10は、プローブテスト時のプローブ針44によ
って隠されることがない位置として、例えば各チップ1
2の一つの対角に位置するストリート11(11a,1
1b)に複数の位置合わせ用電極20(21,22)を
設け、かつストリート11に各位置合わせ用電極21,
22同士を接続する電極配線30を設けたものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a semiconductor wafer and a probe card according to the present invention will be described with reference to FIG. The same components as those explained in FIGS. 5 to 7 of the prior art are designated by the same reference numerals. Also semiconductor wafer 1
The probe test electrode 13 forming the 0, the printed wiring board 41 forming the probe card 40, the hole 42, the annular mounting portion 43, the probe needle 44, the probe wiring 45, the connector connecting contact portion 46, etc. Since it was explained above, the explanation is omitted here. As shown in the figure, the semiconductor wafer 10 is, for example, each chip 1 at a position that is not hidden by the probe needles 44 during the probe test.
Street 11 (11a, 1
1b) is provided with a plurality of alignment electrodes 20 (21, 22), and each alignment electrode 21, 21 is provided on the street 11.
The electrode wiring 30 for connecting the two 22 is provided.

【0011】プローブカード40は、前記従来の技術の
図7で説明したプローブカード(90)に、例えば上記
半導体ウエハ10のストリート11に形成した各位置合
わせ用電極20に1対1に対応する位置合わせ用針50
を設け、かつ各位置合わせ用針50にプリント配線より
なる位置合わせ用配線60の一端を接続したものであ
る。位置合わせ用配線60の他端には、各位置合わせ用
針50を各位置合わせ用電極20に接触させたときに電
流が流れるか否かを確認するための電流計(図示せず)
を接続することが可能な端子70が形成されている。
The probe card 40 has a position corresponding to the positioning electrodes 20 formed on the streets 11 of the semiconductor wafer 10 in a one-to-one correspondence with the probe card (90) described with reference to FIG. Aligning needle 50
And each end of the positioning needle 50 is connected to one end of a positioning wiring 60 made of a printed wiring. An ammeter (not shown) for confirming whether or not a current flows when each of the positioning needles 50 is brought into contact with each of the positioning electrodes 20 at the other end of the positioning wiring 60.
A terminal 70 that can be connected to is formed.

【0012】上記半導体ウエハ10における各位置合わ
せ用電極20は、上記した配置に限定されることはな
い。例えば、プローブ針44(図1参照)によって隠さ
れることがない位置であれば、図2に示すように、チッ
プ12の対角に位置するストリート11の3か所(11
a,11b,11c)に形成することも可能である。こ
の場合も、それぞれの位置合わせ用電極20(21ない
し23)は電極配線30(31,32)で接続される。
また位置合わせ用電極20を4か所以上の位置に形成す
ることも可能である。また、上記実施例では位置合わせ
用電極20をストリート11に設けたが、位置合わせ用
電極20をチップ12内のパターン形成領域14(斜線
で示す領域)以外の領域でかつプローブテスト時のプロ
ーブ針によって隠されることがない位置に形成すること
も可能である。なお図面では一つのチップ12に対して
位置合わせ用電極20が形成されている状態を示した
が、通常は全チップ12に対して位置合わせ用電極20
が形成される。
The positioning electrodes 20 on the semiconductor wafer 10 are not limited to the above arrangement. For example, if the position is not hidden by the probe needles 44 (see FIG. 1), as shown in FIG.
a, 11b, 11c). Also in this case, the respective positioning electrodes 20 (21 to 23) are connected by the electrode wiring 30 (31, 32).
It is also possible to form the positioning electrodes 20 at four or more positions. Further, although the alignment electrode 20 is provided on the street 11 in the above-described embodiment, the alignment electrode 20 is located in a region other than the pattern forming region 14 (diagonally shaded region) in the chip 12 and the probe needle at the time of the probe test. It is also possible to form it in a position that is not hidden by. Although the drawing shows a state in which the positioning electrodes 20 are formed on one chip 12, normally, the positioning electrodes 20 are formed on all the chips 12.
Is formed.

【0013】さらに例えば位置合わせ用電極20がスト
リート11の3か所に設けられている場合には、図3に
示すように、各位置合わせ用電極21ないし23に1対
1に対応する位置のプローブカード40には、3本の位
置合わせ用針50(51ないし53)を設ける。各位置
合わせ用針51ないし53には、プリント配線よりなる
位置合わせ用配線60(61ないし63)を接続する。
各位置合わせ用配線60(61ないし63)には電流計
を接続するための端子70(71ないし73)を形成す
る。また位置合わせ用電極20が4か所以上に形成され
ている場合(図示せず)には、上記同様に、各位置合わ
せ電極に対応する位置におけるプローブカードに、位置
合わせ用針を設ける。各位置合わせ用針には位置合わせ
用配線を接続し、各位置合わせ用配線には端子を形成す
る。
Further, for example, when the alignment electrodes 20 are provided at three places on the street 11, as shown in FIG. 3, the alignment electrodes 21 to 23 are arranged in one-to-one correspondence with each other. The probe card 40 is provided with three alignment needles 50 (51 to 53). Positioning wirings 60 (61 to 63) made of printed wirings are connected to the respective positioning needles 51 to 53.
Terminals 70 (71 to 73) for connecting an ammeter are formed on each of the alignment wires 60 (61 to 63). When the positioning electrodes 20 are formed at four or more locations (not shown), the positioning needles are provided on the probe card at the positions corresponding to the positioning electrodes as described above. A positioning wire is connected to each positioning needle, and a terminal is formed on each positioning wire.

【0014】次に上記プローブカード40の各プローブ
針50にチップ12の当該プローブテスト用電極13を
位置合わせする方法を前記図1と図4のウエハプローバ
の概略構成説明図とにより説明する。
Next, a method for aligning the probe test electrode 13 of the chip 12 with each probe needle 50 of the probe card 40 will be described with reference to the schematic configuration diagrams of the wafer prober shown in FIGS. 1 and 4.

【0015】まずプローブカード40を予めウエハプロ
ーバ100の所定の位置に取り付ける。またウエハプロ
ーバ100のステージ110に設けたウエハチャック1
15上にプローブテストを行う半導体ウエハ10を載置
する。そして、ステージ110をx軸方向(図面に対し
て垂直方向),y軸方向(横方向),z軸方向(高さ方
向)あるいはθ方向(矢印方向)等に移動して、プロー
ブカード40の位置合わせ用針50にチップ12の位置
合わせ用電極20を位置合わせして接触させる。このと
き、位置合わせの微調整は、ウエハプローバ100の顕
微鏡120で観察しながら例えばジョイスティック13
0を操作することによって、ステージ110を移動させ
て行う。
First, the probe card 40 is previously attached to a predetermined position of the wafer prober 100. Further, the wafer chuck 1 provided on the stage 110 of the wafer prober 100
A semiconductor wafer 10 to be subjected to a probe test is placed on 15. Then, the stage 110 is moved in the x-axis direction (vertical direction with respect to the drawing), the y-axis direction (horizontal direction), the z-axis direction (height direction), the θ direction (arrow direction) or the like to move the probe card 40. The positioning electrode 20 of the chip 12 is positioned and brought into contact with the positioning needle 50. At this time, the fine adjustment of the alignment is performed by observing with the microscope 120 of the wafer prober 100, for example, the joystick 13
The stage 110 is moved by operating 0.

【0016】位置合わせ用針50を位置合わせ用電極2
0の位置に合わせた後、位置合わせ用電極20間に電流
を流して、位置合わせ用電極20と位置合わせ用針50
とが十分に接触しているか否かを確認する。このとき、
電流が流れない場合は、位置合わせ用電極20と位置合
わせ用針50との接触が正しくないので、再度位置合わ
せをやり直す。また流れる電流の値が小さい場合または
不安定な場合には、位置合わせ用電極20と位置合わせ
用針50との接触が十分でないために、接触抵抗が大き
くなる。この場合には、位置合わせ用電極20に接触さ
せる位置合わせ用針50の位置を変えて位置合わせをや
り直すかまたは位置合わせ用針50の押圧力を高める。
このように、位置合わせ用電極20と位置合わせ用針5
0との接触を確認することによって、間接的にプローブ
針44とプローブテスト用電極13との接触状態が確認
される。
The alignment needle 50 is attached to the alignment electrode 2
After aligning with the position of 0, a current is passed between the alignment electrodes 20 to align the alignment electrode 20 and the alignment needle 50.
Check if and are in good contact. At this time,
If no current flows, the contact between the positioning electrode 20 and the positioning needle 50 is incorrect, and the positioning is performed again. If the value of the flowing current is small or unstable, the contact between the positioning electrode 20 and the positioning needle 50 is not sufficient, and the contact resistance increases. In this case, the position of the positioning needle 50 to be brought into contact with the positioning electrode 20 is changed to perform the positioning again, or the pressing force of the positioning needle 50 is increased.
In this way, the positioning electrode 20 and the positioning needle 5
By confirming the contact with 0, the contact state between the probe needle 44 and the probe test electrode 13 is indirectly confirmed.

【0017】上記の如く、半導体ウエハ10に位置合わ
せ用電極20を形成し、プローブカード40に位置合わ
せ用針50を設けることにより、プローブ針44が多数
になって、プローブ針44によってプローブテスト用電
極13が隠される場合にも、各プローブ針44を各プロ
ーブテスト用電極13に正確に接触させることが可能に
なる。
As described above, by forming the positioning electrodes 20 on the semiconductor wafer 10 and providing the positioning needles 50 on the probe card 40, the number of the probe needles 44 is increased, and the probe needles 44 are used for the probe test. Even when the electrode 13 is hidden, each probe needle 44 can be accurately brought into contact with each probe test electrode 13.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
半導体ウエハにプローブ針を合わせるための位置合わせ
用電極を複数設けた。また位置合わせ用電極に対応する
位置合わせ用針をプローブカードに設けた。このため、
位置合わせ用針に位置合わせ用電極を合わせるだけで、
プローブカードの各プローブ針にチップの各プローブテ
スト用電極が位置合わせされる。この結果、位置合わせ
工程が簡単化され、しかも正確になる。よって、プロー
ブテストの信頼性の向上が図れる。また位置合わせ工程
のスループットを大幅に向上できる。
As described above, according to the present invention,
A plurality of alignment electrodes for aligning the probe needles were provided on the semiconductor wafer. Further, the probe card was provided with a positioning needle corresponding to the positioning electrode. For this reason,
Simply align the positioning electrode with the positioning needle,
Each probe test electrode of the chip is aligned with each probe needle of the probe card. As a result, the alignment process is simplified and accurate. Therefore, the reliability of the probe test can be improved. In addition, the throughput of the alignment process can be significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例の部分省略平面図である。FIG. 1 is a partially omitted plan view of an embodiment.

【図2】別の実施例の半導体ウエハの要部平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view of a main part of a semiconductor wafer according to another embodiment.

【図3】別の実施例のプローブカードの部分省略平面図
である。
FIG. 3 is a partially omitted plan view of a probe card according to another embodiment.

【図4】ウエハプローバの概略構成説明図である。FIG. 4 is a schematic configuration explanatory view of a wafer prober.

【図5】従来例の半導体ウエハの平面図である。FIG. 5 is a plan view of a conventional semiconductor wafer.

【図6】図5中のA部拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view of part A in FIG.

【図7】従来例のプローブカードの平面図である。FIG. 7 is a plan view of a conventional probe card.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体ウエハ 11 ストリート 12 チップ 13 プローブテスト用電極 20 位置合わせ用電極 30 電極配線 40 プローブカード 44 プローブ針 50 位置合わせ用針 60 位置合わせ用配線 10 Semiconductor Wafer 11 Street 12 Chip 13 Probe Test Electrode 20 Positioning Electrode 30 Electrode Wiring 40 Probe Card 44 Probe Needle 50 Positioning Needle 60 Positioning Wiring

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ストリートで区画された複数のチップを
有する半導体ウエハにおいて、 前記各チップの周囲の前記ストリートまたは当該チップ
に、複数の位置合わせ用電極をプローブテスト時のプロ
ーブ針によって隠されることがない状態に設け、かつ前
記ストリートまたは前記チップに前記各位置合わせ用電
極同士を接続する電極配線を形成したことを特徴とする
半導体ウエハ。
1. In a semiconductor wafer having a plurality of chips partitioned by streets, a plurality of alignment electrodes may be hidden by the probe needles at the time of a probe test on the streets around the respective chips or on the chips. A semiconductor wafer, characterized in that it is provided in a non-existing state, and electrode wirings that connect the respective positioning electrodes are formed on the streets or the chips.
【請求項2】 プローブテストする半導体ウエハのチッ
プに形成した複数のプローブテスト用電極の配置に対応
させて配設したプローブ針を有するプローブカードにお
いて、 前記プローブカードに、前記半導体ウエハに形成した複
数の位置合わせ用電極のそれぞれに対応する位置合わせ
用針と当該各位置合わせ用針に接続する位置合わせ用配
線とを形成したことを特徴とするプローブカード。
2. A probe card having probe needles arranged corresponding to the arrangement of a plurality of probe test electrodes formed on a chip of a semiconductor wafer to be probe tested, wherein a plurality of probe needles formed on the semiconductor wafer are provided on the probe card. 2. A probe card in which a positioning needle corresponding to each of the positioning electrodes and a positioning wire connected to each positioning needle are formed.
JP27701691A 1991-09-26 1991-09-26 Semiconductor wafer and its probe card Pending JPH0590359A (en)

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