JPH0589996A - プラズマ密度分布測定方法及びプラズマ密度分布測定装置 - Google Patents
プラズマ密度分布測定方法及びプラズマ密度分布測定装置Info
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- JPH0589996A JPH0589996A JP3249809A JP24980991A JPH0589996A JP H0589996 A JPH0589996 A JP H0589996A JP 3249809 A JP3249809 A JP 3249809A JP 24980991 A JP24980991 A JP 24980991A JP H0589996 A JPH0589996 A JP H0589996A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、３次元のプラズマ密度分布を得るこ
とを目的とする。 【構成】プラズマ処理装置１０の回転マグネット１４の
回転面と垂直な方向及び回転マグネット１４の回転方向
に移動制御され、プラズマ処理装置１０のプラズマ発生
室１１の側壁に設けれた光透過窓１２からのプラズマ光
を平行光線束化するコリメ−タ２１と、このコリメ−タ
２１を介して得られた光透過窓１２からのプラズマ光の
強度を測定する光強度測定器２４と、この光強度測定器
２４で得られたプラズマ光の強度からプラズマ発生室１
１内のプラズマの密度分布を求める演算器２５とを備え
ていることを特徴とするプラズマ密度分布測定装置。
とを目的とする。 【構成】プラズマ処理装置１０の回転マグネット１４の
回転面と垂直な方向及び回転マグネット１４の回転方向
に移動制御され、プラズマ処理装置１０のプラズマ発生
室１１の側壁に設けれた光透過窓１２からのプラズマ光
を平行光線束化するコリメ−タ２１と、このコリメ−タ
２１を介して得られた光透過窓１２からのプラズマ光の
強度を測定する光強度測定器２４と、この光強度測定器
２４で得られたプラズマ光の強度からプラズマ発生室１
１内のプラズマの密度分布を求める演算器２５とを備え
ていることを特徴とするプラズマ密度分布測定装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に用
いるプラズマ処理装置におけるプラズマ密度分布測定方
法及びプラズマ密度分布測定装置に関する。
いるプラズマ処理装置におけるプラズマ密度分布測定方
法及びプラズマ密度分布測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩメモリ等の半導体集積回路の製造
工程では、しばしば、プラズマ放電を利用して半導体膜
や絶縁膜の表面を加工する工程がある。このような工程
では、加工の均一性を確保するために、プラズマ放電加
工装置のプラズマ発生室内のプラズマ密度分布を知る必
要がある。
工程では、しばしば、プラズマ放電を利用して半導体膜
や絶縁膜の表面を加工する工程がある。このような工程
では、加工の均一性を確保するために、プラズマ放電加
工装置のプラズマ発生室内のプラズマ密度分布を知る必
要がある。
【０００３】このような目的のために、従来よりプロ−
ブ法と呼ばれる測定方法を用いてプラズマ密度分布を求
めていた。この方法では、まず、プラズマ発生室にプロ
−ブを挿入し、その点のプラズマの電流密度を測定す
る。次いでプロ−ブの位置を移動させそこでのプラズマ
の電流密度を測定を行なう。このようにプロ−ブの位置
を順次変えながら各位置でのプラズマの電流密度を測定
する。そして得られた電流密度値からプラズマ密度分布
を求める。
ブ法と呼ばれる測定方法を用いてプラズマ密度分布を求
めていた。この方法では、まず、プラズマ発生室にプロ
−ブを挿入し、その点のプラズマの電流密度を測定す
る。次いでプロ−ブの位置を移動させそこでのプラズマ
の電流密度を測定を行なう。このようにプロ−ブの位置
を順次変えながら各位置でのプラズマの電流密度を測定
する。そして得られた電流密度値からプラズマ密度分布
を求める。
【０００４】また、他の方法として、プラズマ放電加工
装置のプラズマ形成室の上面に数箇所、小径のビュ−イ
ングポ−トを設け、このビュ−イングポ−トからプラズ
マ光の強度を光検出器を用いて測定し、このようにして
得られたプラズマ光の強度からプラズマ密度分布を求め
る方法がある。
装置のプラズマ形成室の上面に数箇所、小径のビュ−イ
ングポ−トを設け、このビュ−イングポ−トからプラズ
マ光の強度を光検出器を用いて測定し、このようにして
得られたプラズマ光の強度からプラズマ密度分布を求め
る方法がある。
【０００５】しかしながら、いずれの方法にあっても、
詳細なプラズマ密度分布、即ち、正確な２次元や３次元
のプラズマ密度分布を求めるのが困難であるという問題
があった。
詳細なプラズマ密度分布、即ち、正確な２次元や３次元
のプラズマ密度分布を求めるのが困難であるという問題
があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、プラズマ
放電加工装置を用いた半導体膜や絶縁膜の加工において
は、均一な加工を行なうためにプラズマ密度分布を知る
必要があったが、従来のプラズマ密度分布の測定方法で
は、１次元のプラズマ密度分布しか分からず、正確な２
次元や３次元のプラズマ密度分布を求めるのが困難であ
るという問題があった。
放電加工装置を用いた半導体膜や絶縁膜の加工において
は、均一な加工を行なうためにプラズマ密度分布を知る
必要があったが、従来のプラズマ密度分布の測定方法で
は、１次元のプラズマ密度分布しか分からず、正確な２
次元や３次元のプラズマ密度分布を求めるのが困難であ
るという問題があった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、３次元的のプラズマ密
度分布を得ることができるプラズマ密度分布測定方法及
びプラズマ密度分布測定装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、３次元的のプラズマ密
度分布を得ることができるプラズマ密度分布測定方法及
びプラズマ密度分布測定装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、ＣＴの
原理を用いてプラズマ分布密度を求めることにある。即
ち、上記の目的を達成するために、本発明のプラズマ密
度分布測定方法は、プラズマ内の同一平面内の所定の点
それぞれについて、その点を含む所定の全ての角度方向
の通路に沿っての前記プラズマの光強度を求める工程
と、これら光強度から前記プラズマの密度分布を求める
工程とを備えていることを特徴とする。また、本発明の
プラズマ密度分布測定装置は、プラズマ処理装置の回転
マグネットの回転面と垂直な方向及び前記回転マグネッ
トの回転方向に移動制御され、前記プラズマ処理装置の
プラズマ発生室に設けられた光透過窓からのプラズマ光
を平行光線束化するコリメ−タと、このコリメ−タを介
して得られた前記光透過窓からのプラズマ光の強度を測
定する光強度測定器と、この光強度測定器で得られた前
記プラズマ光の強度から前記プラズマ発生室内のプラズ
マの密度分布を求める演算器とを備えていることを特徴
とする。
原理を用いてプラズマ分布密度を求めることにある。即
ち、上記の目的を達成するために、本発明のプラズマ密
度分布測定方法は、プラズマ内の同一平面内の所定の点
それぞれについて、その点を含む所定の全ての角度方向
の通路に沿っての前記プラズマの光強度を求める工程
と、これら光強度から前記プラズマの密度分布を求める
工程とを備えていることを特徴とする。また、本発明の
プラズマ密度分布測定装置は、プラズマ処理装置の回転
マグネットの回転面と垂直な方向及び前記回転マグネッ
トの回転方向に移動制御され、前記プラズマ処理装置の
プラズマ発生室に設けられた光透過窓からのプラズマ光
を平行光線束化するコリメ−タと、このコリメ−タを介
して得られた前記光透過窓からのプラズマ光の強度を測
定する光強度測定器と、この光強度測定器で得られた前
記プラズマ光の強度から前記プラズマ発生室内のプラズ
マの密度分布を求める演算器とを備えていることを特徴
とする。
【０００９】
【作用】本発明のプラズマ密度分布測定方法では、プラ
ズマ内の同一平面内の所定の点それぞれについて、その
点を含む所定の全ての角度方向の通路に沿ってのプラズ
マの光度を求めることで投影デ−タを求めている。投影
デ−タが分かれば、ＣＴの原理よりプラズマ密度分布が
求められる。
ズマ内の同一平面内の所定の点それぞれについて、その
点を含む所定の全ての角度方向の通路に沿ってのプラズ
マの光度を求めることで投影デ−タを求めている。投影
デ−タが分かれば、ＣＴの原理よりプラズマ密度分布が
求められる。
【００１０】また、本発明のプラズマ密度分布測定装置
では、投影デ−タを得るためにプラズマ処理装置の回転
マグネットを利用している。即ち、プラズマ発生室内の
プラズマは回転マグネットの回転に伴い回転するため、
投影デ−タを得るには、単にコリメ−タを回転マグネッ
トの回転面と垂直な方向及び前記回転マグネットの回転
方向に移動させながら、光透過窓からのプラズマ光の強
度を測定すれば良い。したがって、簡単な構成で投影デ
−タを得ることができるので、測定装置の大型化や複雑
化を招くこと無く詳細なプラズマ密度分布を測定するこ
とができる。
では、投影デ−タを得るためにプラズマ処理装置の回転
マグネットを利用している。即ち、プラズマ発生室内の
プラズマは回転マグネットの回転に伴い回転するため、
投影デ−タを得るには、単にコリメ−タを回転マグネッ
トの回転面と垂直な方向及び前記回転マグネットの回転
方向に移動させながら、光透過窓からのプラズマ光の強
度を測定すれば良い。したがって、簡単な構成で投影デ
−タを得ることができるので、測定装置の大型化や複雑
化を招くこと無く詳細なプラズマ密度分布を測定するこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の一実施例に係るプラズマ密
度分布測定装置２０を備えたマグネトロンＲＩＥ装置１
０の模式的な概略構成図であり、同図（ａ）はその上面
図を示し、同図（ｂ）はその側面図を示している。
度分布測定装置２０を備えたマグネトロンＲＩＥ装置１
０の模式的な概略構成図であり、同図（ａ）はその上面
図を示し、同図（ｂ）はその側面図を示している。
【００１３】マグネトロンＲＩＥ装置１０のプラズマ発
生室１１は、その側壁に設けられたビュ−イングポ−ト
（光透過窓）１２を介してプラズマ密度分布測定装置２
０に接続されている。
生室１１は、その側壁に設けられたビュ−イングポ−ト
（光透過窓）１２を介してプラズマ密度分布測定装置２
０に接続されている。
【００１４】マグネトロンＲＩＥ装置１０は、プラズマ
発生室１１と、このプラズマ発生室１１内に設けられた
１対の電極板１３と、プラズマ発生室１１の上部に設け
られた回転マグネット１４等で構成されている。
発生室１１と、このプラズマ発生室１１内に設けられた
１対の電極板１３と、プラズマ発生室１１の上部に設け
られた回転マグネット１４等で構成されている。
【００１５】一方、プラズマ密度分布測定装置２０は、
小径の入射スリット及び出射スリットを有し、プラズマ
発生室１１のプラズマ光を平行光線束化するコリメ−タ
２１と、このコリメ−タ２１の出射スリットからのプラ
ズマ光を伝送するための光ファイバからなる光伝送路２
２と、この光伝送路２２を介してコリメ−タ２１に接続
され、光信号を検出して電気信号に変える光電変換器２
３と、この光電変換器２３の出力信号からプラズマ光の
強度を求める、増幅器，ＡＤコンバ−タ，ディスクリミ
ネイタ−等で構成された光強度測定器２４と、この光強
度測定器２４で得られたプラズマ光の強度デ−タを蓄え
デ−タ処理するコンピュ−タ２５とからなる。なお、コ
リメ−タ２１は、回転駆動装置（不図示）により、図１
（ａ）に示すように、プラズマ発生室１１の設置面を基
準面として、方位方向にθ2 度のステップで駆動制御さ
れると共に、垂直駆動装置（不図示）により、図１
（ｂ）に示すように、垂直方向にも駆動制御される。こ
のように構成された装置では、次のようにしてプラズマ
密度分布が測定される。
小径の入射スリット及び出射スリットを有し、プラズマ
発生室１１のプラズマ光を平行光線束化するコリメ−タ
２１と、このコリメ−タ２１の出射スリットからのプラ
ズマ光を伝送するための光ファイバからなる光伝送路２
２と、この光伝送路２２を介してコリメ−タ２１に接続
され、光信号を検出して電気信号に変える光電変換器２
３と、この光電変換器２３の出力信号からプラズマ光の
強度を求める、増幅器，ＡＤコンバ−タ，ディスクリミ
ネイタ−等で構成された光強度測定器２４と、この光強
度測定器２４で得られたプラズマ光の強度デ−タを蓄え
デ−タ処理するコンピュ−タ２５とからなる。なお、コ
リメ−タ２１は、回転駆動装置（不図示）により、図１
（ａ）に示すように、プラズマ発生室１１の設置面を基
準面として、方位方向にθ2 度のステップで駆動制御さ
れると共に、垂直駆動装置（不図示）により、図１
（ｂ）に示すように、垂直方向にも駆動制御される。こ
のように構成された装置では、次のようにしてプラズマ
密度分布が測定される。
【００１６】まず、プラズマ発生室１１内のガスを排気
して反応ガスを導入した後、電極板１３に高周波電力を
印加してプラズマを生成する。このとき、回転マグネッ
ト１４の磁場によりプラズマの生成が促進される。
して反応ガスを導入した後、電極板１３に高周波電力を
印加してプラズマを生成する。このとき、回転マグネッ
ト１４の磁場によりプラズマの生成が促進される。
【００１７】次いでビュ−イングポ−ト１２に取り付け
られたコリメ−タ１２を垂直駆動装置により垂直移動さ
せ、所定の初期高に固定する。次に回転駆動装置により
コリメ−タ１２を所定の初期位置まで回転させる。な
お、コリメ−タ１２を初期位置まで回転させた後、初期
高に固定しても良い。次にこの位置でのプラズマ光の強
度を光強度測定器２４により求め、その結果を測定デ−
タとしてコンピュ−タ２５に蓄積する。次に回転駆動装
置によりコリメ−タ１２を所定の方向にθ2 度回転さ
せ、その位置でのプラズマ光の強度を測定し、その結果
をコンピュ−タ２５に蓄積する。このような測定をコリ
メ−タ１２が所定の位置まで回転するまで繰り返す。
られたコリメ−タ１２を垂直駆動装置により垂直移動さ
せ、所定の初期高に固定する。次に回転駆動装置により
コリメ−タ１２を所定の初期位置まで回転させる。な
お、コリメ−タ１２を初期位置まで回転させた後、初期
高に固定しても良い。次にこの位置でのプラズマ光の強
度を光強度測定器２４により求め、その結果を測定デ−
タとしてコンピュ−タ２５に蓄積する。次に回転駆動装
置によりコリメ−タ１２を所定の方向にθ2 度回転さ
せ、その位置でのプラズマ光の強度を測定し、その結果
をコンピュ−タ２５に蓄積する。このような測定をコリ
メ−タ１２が所定の位置まで回転するまで繰り返す。
【００１８】次いで回転マグネット１４を所定の方向に
θ1 度回転させる。次に回転駆動装置によりコリメ−タ
１２を初期位置に戻す。なお、コリメ−タ１２を初期位
置に戻した後、回転マグネット１４をθ1 度回転させて
も良い。次にこの位置でのプラズマ光の強度を光強度測
定器２４により求め、その結果を測定デ−タとしてコン
ピュ−タ２５に蓄積する。このような測定をコリメ−タ
１２が所定の位置まで回転するまで繰り返す。
θ1 度回転させる。次に回転駆動装置によりコリメ−タ
１２を初期位置に戻す。なお、コリメ−タ１２を初期位
置に戻した後、回転マグネット１４をθ1 度回転させて
も良い。次にこの位置でのプラズマ光の強度を光強度測
定器２４により求め、その結果を測定デ−タとしてコン
ピュ−タ２５に蓄積する。このような測定をコリメ−タ
１２が所定の位置まで回転するまで繰り返す。
【００１９】以上述べた測定を回転マグネット１４が１
８０度回転するまで繰り返す。この結果、この高さにお
ける基準面に平行な平面上のプラズマ１５の所定の複数
点（θ1 ，θ2 によって決まる点）それぞれについて、
その点を含む所定の全ての角度方向（θ1 ，θ2 によっ
て決まる方向）の通路に沿ってのプラズマ光の強度（投
影デ−タ）が得られる。
８０度回転するまで繰り返す。この結果、この高さにお
ける基準面に平行な平面上のプラズマ１５の所定の複数
点（θ1 ，θ2 によって決まる点）それぞれについて、
その点を含む所定の全ての角度方向（θ1 ，θ2 によっ
て決まる方向）の通路に沿ってのプラズマ光の強度（投
影デ−タ）が得られる。
【００２０】次いでコリメ−タ１２を垂直駆動装置によ
り所定の位置まで垂直移動させる。次いでコリメ−タ１
２を初期位置からθ2 度毎回転させながらプラズマ光の
強度を求め、測定デ−タをコンピュ−タ２５に蓄積す
る。次に回転マグネット１４をθ1 度回転させ、上記の
如くコリメ−タ１２を回転させながらプラズマ光の強度
を測定する。このような測定を回転マグネット１４が１
８０度回転するまで行なう。以下、同様にして所定のデ
−タ数が得られるまで、コリメ−タ１２を垂直移動させ
たり、回転移動させながら、プラズマ光の強度を測定す
る。
り所定の位置まで垂直移動させる。次いでコリメ−タ１
２を初期位置からθ2 度毎回転させながらプラズマ光の
強度を求め、測定デ−タをコンピュ−タ２５に蓄積す
る。次に回転マグネット１４をθ1 度回転させ、上記の
如くコリメ−タ１２を回転させながらプラズマ光の強度
を測定する。このような測定を回転マグネット１４が１
８０度回転するまで行なう。以下、同様にして所定のデ
−タ数が得られるまで、コリメ−タ１２を垂直移動させ
たり、回転移動させながら、プラズマ光の強度を測定す
る。
【００２１】以上の測定により、各高さにおける、基準
面に平行な平面上のプラズマ１５の所定の複数点それぞ
れについて、その点を含む全ての所定角度方向の通路に
沿ってのプラズマ光の強度（投影デ−タ）が得られる。
面に平行な平面上のプラズマ１５の所定の複数点それぞ
れについて、その点を含む全ての所定角度方向の通路に
沿ってのプラズマ光の強度（投影デ−タ）が得られる。
【００２２】最後に、コンピュ−タ２５により、上記測
定で得られた投影デ−タから、ＣＴの原理（Ｒａｄｏｎ
の原理）を利用して画像再構成を行ない、３次元のプラ
ズマ密度分布を計算する。このプラズマ密度分布は、Ｃ
ＲＴ等の表示装置に表示したり、紙等にプリントアウト
することで視覚化できる。以上述べたように、本実施例
では、３次元のプラズマ密度分布を求めることができる
ので、加工の均一性を容易に評価することができるよう
になる。また、θ1 ，θ2 の値を調整することで必要な
精度の３次元のプラズマ密度分布を容易に得ることがで
きる。
定で得られた投影デ−タから、ＣＴの原理（Ｒａｄｏｎ
の原理）を利用して画像再構成を行ない、３次元のプラ
ズマ密度分布を計算する。このプラズマ密度分布は、Ｃ
ＲＴ等の表示装置に表示したり、紙等にプリントアウト
することで視覚化できる。以上述べたように、本実施例
では、３次元のプラズマ密度分布を求めることができる
ので、加工の均一性を容易に評価することができるよう
になる。また、θ1 ，θ2 の値を調整することで必要な
精度の３次元のプラズマ密度分布を容易に得ることがで
きる。
【００２３】更に、本実施例では、回転マグネット１４
によるプラズマの回転を利用して投影デ−タを得ている
ので、プラズマ密度分布測定装置２０の大型化や複雑化
を防止することができる。なお、２次元のプラズマ密度
分布で十分な場合には、所望の高さだけでプラズマ光の
強度を測定し、その高さでの投影デ−タを求めれば良
い。
によるプラズマの回転を利用して投影デ−タを得ている
ので、プラズマ密度分布測定装置２０の大型化や複雑化
を防止することができる。なお、２次元のプラズマ密度
分布で十分な場合には、所望の高さだけでプラズマ光の
強度を測定し、その高さでの投影デ−タを求めれば良
い。
【００２４】図２は本発明の他の実施例に係るプラズマ
密度分布測定装置を備えたマグネトロンＲＩＥ装置の模
式的な概略構成図である。なお、図１の装置と対応する
部分には図１と同一符号を付し、詳細な説明は省略す
る。この実施例の装置が先の実施例のそれと異なる点
は、光伝送路２２と光電変換器２３との間に分光器２６
を挿設したことにある。
密度分布測定装置を備えたマグネトロンＲＩＥ装置の模
式的な概略構成図である。なお、図１の装置と対応する
部分には図１と同一符号を付し、詳細な説明は省略す
る。この実施例の装置が先の実施例のそれと異なる点
は、光伝送路２２と光電変換器２３との間に分光器２６
を挿設したことにある。
【００２５】このような構成の装置でも先の実施例と同
様に３次元のプラズマ密度分布が得られるのは勿論のこ
と、分光器２６を調整することで特定の波長のプラズマ
光の強度のみを測定でき、プラズマの発光特性をより詳
細に調べることができるという利点がある。
様に３次元のプラズマ密度分布が得られるのは勿論のこ
と、分光器２６を調整することで特定の波長のプラズマ
光の強度のみを測定でき、プラズマの発光特性をより詳
細に調べることができるという利点がある。
【００２６】以上述べた実施例のマグネトロンＲＩＥ装
置では、ビュ−イングポ−トが設けられていたが、ビュ
−イングポ−トがないマグネトロンＲＩＥ装置の場合に
は、プラズマ発生室に新たに設ければ同様な方法でプラ
ズマ密度分布を測定することができる。
置では、ビュ−イングポ−トが設けられていたが、ビュ
−イングポ−トがないマグネトロンＲＩＥ装置の場合に
は、プラズマ発生室に新たに設ければ同様な方法でプラ
ズマ密度分布を測定することができる。
【００２７】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、上記実施例では、マグネトロ
ンＲＩＥ装置の場合について説明したが、本発明は回転
マグネトロンを備えたプラズマ堆積装置など他のプラズ
マ処理装置にも適用できる。また、回転マグネットを備
えていない装置の場合、その装置に回転マグネットを設
けることで同様な方法で３次元のプラズマ密度分布を測
定することができる。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施できる。
るものではない。例えば、上記実施例では、マグネトロ
ンＲＩＥ装置の場合について説明したが、本発明は回転
マグネトロンを備えたプラズマ堆積装置など他のプラズ
マ処理装置にも適用できる。また、回転マグネットを備
えていない装置の場合、その装置に回転マグネットを設
けることで同様な方法で３次元のプラズマ密度分布を測
定することができる。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施できる。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ｃ
Ｔの原理を用いることで３次元プラズマ分布密度を容易
に所望の精度で測定することができる。
Ｔの原理を用いることで３次元プラズマ分布密度を容易
に所望の精度で測定することができる。
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマ密度分布測定
装置を備えたマグネトロンＲＩＥ装置の模式的な概略構
成図。
装置を備えたマグネトロンＲＩＥ装置の模式的な概略構
成図。
【図２】本発明の他の実施例に係るプラズマ密度分布測
定装置を備えたマグネトロンＲＩＥ装置の模式的な概略
構成図。
定装置を備えたマグネトロンＲＩＥ装置の模式的な概略
構成図。
１０…マグネトロンＲＩＥ装置、１１…プラズマ発生
室、１２…ビュ−イングポ−ト、１３…平行電極板、１
４…回転マグネット、１５…プラズマ、２０…プラズマ
密度分布測定装置、２１…コリメ−タ、２２…光伝送
路、２３…光電変換器、２４…光強度測定器、２５…コ
ンピュ−タ、２６…分光器。
室、１２…ビュ−イングポ−ト、１３…平行電極板、１
４…回転マグネット、１５…プラズマ、２０…プラズマ
密度分布測定装置、２１…コリメ−タ、２２…光伝送
路、２３…光電変換器、２４…光強度測定器、２５…コ
ンピュ−タ、２６…分光器。
Claims (2)
- 【請求項１】プラズマ内の同一平面内の所定の点それぞ
れについて、その点を含む所定の全ての角度方向の通路
に沿っての前記プラズマの光強度を求める工程と、 これら光強度から前記プラズマの密度分布を求める工程
とを具備してなることを特徴とするプラズマ密度分布測
定方法。 - 【請求項２】プラズマ処理装置の回転マグネットの回転
面と垂直な方向及び前記回転マグネットの回転方向に移
動制御され、前記プラズマ処理装置のプラズマ発生室に
設けられた光透過窓からのプラズマ光を平行光線束化す
るコリメ−タと、 このコリメ−タを介して得られた前記光透過窓からのプ
ラズマ光の強度を測定する光強度測定器と、 この光強度測定器で得られた前記プラズマ光の強度から
前記プラズマ発生室内のプラズマの密度分布を求める演
算器とを具備してなることを特徴とするプラズマ密度分
布測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249809A JPH0589996A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | プラズマ密度分布測定方法及びプラズマ密度分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249809A JPH0589996A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | プラズマ密度分布測定方法及びプラズマ密度分布測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589996A true JPH0589996A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17198531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249809A Pending JPH0589996A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | プラズマ密度分布測定方法及びプラズマ密度分布測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0589996A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012038682A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法 |
| US10770273B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | OES device, plasma processing apparatus including the same and method of fabricating semiconductor device |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249809A patent/JPH0589996A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012038682A (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法 |
| US10770273B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | OES device, plasma processing apparatus including the same and method of fabricating semiconductor device |
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