JPH058470Y2 - - Google Patents

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JPH058470Y2
JPH058470Y2 JP1986107167U JP10716786U JPH058470Y2 JP H058470 Y2 JPH058470 Y2 JP H058470Y2 JP 1986107167 U JP1986107167 U JP 1986107167U JP 10716786 U JP10716786 U JP 10716786U JP H058470 Y2 JPH058470 Y2 JP H058470Y2
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JP
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pressure
firing chamber
firing
gate valve
bestible
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JP1986107167U
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JPS6315496U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は、バツチ式加圧雰囲気焼成炉に関する
ものである。
(従来技術とその問題点) たとえば、炉内圧力が10Kg/cm2以下の加圧雰囲
気中でセラミツクなどを焼成する場合、強制冷却
装置を備えた加圧雰囲気焼成炉としては、単室型
炉と2室型炉であるベスチブル型炉とが考えられ
る。
しかしながら、前者は、構造的に、インナチヤ
ンバ方式となり、焼成時の炉内圧力が5Kg/cm2
上となれば内部対流が発生し、温度分布が悪化す
る。
したがつて、インナチヤンバに冷却用上部開口
を設けることは、温度分布がさらに悪化すること
となり、実質上、単室型炉を実用化することは不
可能である。仮に、強制冷却装置を配設するとし
ても、クーラ、冷却フアンも耐圧構造とする必要
があり、制作費が大巾に増加する。
一方、後者は、焼成室内に冷却用開口を設けな
いため、温度分布の悪化に対しては対応できる
が、焼成室の開口部を開閉する中間扉のシールに
関し、特別な工夫をしていないため、ベスチブル
自体が焼成室と同様耐圧構造とならざるを得ず、
それ故、クーラ、冷却フアンも耐圧構造となり、
前者同様、制作費が大巾に増加するという問題を
有する。
(問題点を解決するための手段) 本考案は、前記従来の問題点を解決するために
なされたもので、バツチ式加圧雰囲気焼成炉を、
耐圧構造からなる焼成室の下部開口と、強制冷却
装置付ベスチブルとを、上部に設けた仕切弁で前
記下部開口を開閉する中間扉を介して連設すると
ともに、上部に処理材を支持する支持台を有し、
その下部に炉床、仕切弁とを備え、支持台上に支
持した処理材を前記焼成室とベスチブル間で移送
する材料移送装置を前記ベスチブル内に配設し、
かつ、前記両仕切弁を焼成室の下部開口に圧着し
て耐圧シールを形成する耐圧シール機構を設けた
ものである。
(実施例) つぎに、本考案を一実施例である図面にしたが
つて説明する。
本考案にかかるバツチ式加圧雰囲気焼成炉T
は、大略、ベスチブル1と焼成室6と中間扉9と
材料移送装置20とからなる。
そして、ベスチブル1は側方に、水冷コイル3
と冷却フアン4とからなる強制冷却装置2および
材料装入・抽出口5を有し、その天井部には、下
方を開口して設置した耐圧構造の焼成室6を備え
ている。
この焼成室6は、内部にヒータ8を備えるとと
もに、ベスチブル1と焼成室6とは真空排気源、
およびN2ガス供給源(いずれも図示せず)に連
通してある。
前記中間扉9は、シヤフト10を中心に図示し
ない手段で旋回、昇降可能に設けられたアーム1
1とこのアーム11上に取付けた仕切弁12、炉
床13とからなり、前記焼成室6の下部開口7を
開閉可能となつている。
前記材料移送装置20は、ガイドロツド21
と、ボールネジ22によつてベスチブル1内を昇
降する昇降台23と、この昇降台上に設けた仕切
弁24、炉床25および材料支持台26とからな
る。
また、前記焼成室6の下部開口7部には、クラ
ツチリング16を設け、前記各仕切弁12,24
とで、耐圧シールの一形態であるクラツチシール
機構15を構成するようになつている。
前記クラツチリング16は、所定角度回転する
ことにより、第3図に示すように、前記仕切弁1
2,24と圧着嵌合するものである。
すなわち、前記中間扉9あるいは材料移送装置
20の上昇により、仕切弁12,24が開口の下
端に当接すると、シリンダーなどの回動装置(図
示せず)により、クラツチリング16を所定角度
回転し、クラツチリング16と仕切弁12,24
を圧着嵌合させることにより開口7部を閉塞し、
焼成室6全体を耐圧構造とするものである。な
お、耐圧シール機構は、クラツチシール方式に限
らず、クランプ方式、その他の方式であつてもよ
い。
つぎに、前記構成からなるバツチ式加圧雰囲気
焼成炉Tを用いて、セラミツクス製品を焼結処理
する場合について説明する。
まず、材料装入・抽出口5から処理材Wを、最
下位置にある材料移送装置20の支持台26上に
載置し、図示しない手段でベスチブル1内を真空
排気(約10-3Torr)したのち、N2ガスを大気圧
近くまで供給してベスチブル1内を復圧する。
ついで、材料移送装置20を上昇させて、処理
材Wを焼成室6内に装入するとともに、クラツチ
リング16を回転し前記仕切弁24と嵌合させ
て、前記仕切弁24をシールパツキン14に圧着
させ、焼成室6を耐圧シールする。そして、焼成
室6内にN2ガスを供給して、たとえば、8.5Kg/
cm2の高圧雰囲気として、処理材Wをヒータ8で加
熱することにより焼成する。
このようにして、処理材Wの焼成が終了する
と、焼成室6内を大気圧近くまで下げ、かつ、ク
ラツチシール機構15を解除し、処理材Wを材料
移送装置20によりベスチブル1内に下降させ
る。これと同時に、前記中間扉9を旋回、上昇し
て前記仕切弁24と同様、中間扉9の仕切弁12
で焼成室6の下部開口7を耐圧シールする。
ついで、冷却フアン4を駆動し、ベスチブル1
内の処理材Wを所定温度になるまで冷却したの
ち、処理材Wは炉外に抽出され、以後、前記工程
を繰り返す。
なお、処理材Wを焼成室6に装入するときは、
中間扉10は、焼成室6の下部開口7を開放する
位置に旋回している(第2図参照)。
前記のように、ベスチブル1内の冷却時、およ
び処理材Wのベスチブル1への装入・抽出時に
は、焼成室6はの中間扉9の仕切弁12により閉
じられているため、焼成室6内が冷却されたり、
雰囲気が汚染されることはない。
(考案の効果) 以上の説明で明らかなように、本考案にかかる
バツチ式加圧雰囲気焼成炉によれば、焼成室の下
部開口は中間扉あるいは材料移送装置の仕切弁、
耐圧シール機構とで耐圧シールされるため、焼成
室のみを耐圧容器構造とすることができ、つま
り、強制冷却装置を有するベスチブルは耐圧構造
とする必要がなく、また、焼成室の高温ガスがベ
スチブル内に侵入しないため高耐熱構造とする必
要もなく、それだけ安価な焼成炉とすることがで
きる。しかも、焼成室の下部開口は、処理材の焼
成時を除き中間扉の仕切弁で耐圧シールされるた
め、ベスチブルの冷却時に焼成室内が冷却された
り、雰囲気が汚染されることもないという効果を
も奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案にかかる焼成炉の断面正面図、
第2図は仕切弁が旋回した状態の第1の断面平面
図で、第3図はシールクラツチ機構の部分断面図
である。 1……ベスチブル、2……強制冷却装置、6…
…焼成室、7……開口、8……ヒータ、9……中
間扉、12,24……仕切弁、14……シールパ
ツキン、15……クラツチシール機構、16……
締付リング、20……材料移送装置、23……昇
降台、25……炉床、26……材料支持台、W…
…処理材。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 耐圧構造からなる焼成室の下部開口と、強制冷
    却装置付ベスチブルとを、上部に設けた仕切弁で
    前記下部開口を開閉する中間扉を介して連設する
    とともに、上部に処理材を支持する支持台を有
    し、その下部に炉床、仕切弁とを備え、支持台上
    に支持した処理材を前記焼成室とベスチブル間で
    移送する材料移送装置を前記ベスチブル内に配設
    し、かつ、前記両仕切弁を焼成室の下部開口に圧
    着して耐圧シールを形成する耐圧シール機構を設
    けたことを特徴とするバツチ式加圧雰囲気焼成
    炉。
JP1986107167U 1986-07-11 1986-07-11 Expired - Lifetime JPH058470Y2 (ja)

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JP1986107167U JPH058470Y2 (ja) 1986-07-11 1986-07-11

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JPS6315496U JPS6315496U (ja) 1988-02-01
JPH058470Y2 true JPH058470Y2 (ja) 1993-03-03

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ID=30983198

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57137417A (en) * 1981-02-17 1982-08-25 Michio Sugiyama Semicontinuous vacuum heat treatment furnace and operating method
JPS5812983A (ja) * 1981-07-15 1983-01-25 株式会社ヤマザキ電機 連続加熱炉

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57137417A (en) * 1981-02-17 1982-08-25 Michio Sugiyama Semicontinuous vacuum heat treatment furnace and operating method
JPS5812983A (ja) * 1981-07-15 1983-01-25 株式会社ヤマザキ電機 連続加熱炉

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JPS6315496U (ja) 1988-02-01

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