JPH0582831A - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子Info
- Publication number
- JPH0582831A JPH0582831A JP24391291A JP24391291A JPH0582831A JP H0582831 A JPH0582831 A JP H0582831A JP 24391291 A JP24391291 A JP 24391291A JP 24391291 A JP24391291 A JP 24391291A JP H0582831 A JPH0582831 A JP H0582831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- control circuit
- circuit element
- light
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アルミによるマスクが不要で製造が容易に行な
え、しかも導光路を小さくすることができて、光伝達の
効率を向上させることができる光結合素子を提供するに
ある。 【構成】制御回路要素２は出力用ＭＯＳＦＥＴ５ととも
に、シリコン基板上に通常のシリコンプレーナ技術によ
り作成したもので、これら素子を形成したチップ１１を
導体フレーム上４、４に配設している。導体フレーム
４、４間に配置される導体フレーム３は太陽電池１を形
成しているチップのみを配設している。太陽電池１と、
導体フレーム６上の発光ダイオード７との間を光結合す
る導光路９は太陽電池１に絞って小さくし光伝達の向上
を図っている。
え、しかも導光路を小さくすることができて、光伝達の
効率を向上させることができる光結合素子を提供するに
ある。 【構成】制御回路要素２は出力用ＭＯＳＦＥＴ５ととも
に、シリコン基板上に通常のシリコンプレーナ技術によ
り作成したもので、これら素子を形成したチップ１１を
導体フレーム上４、４に配設している。導体フレーム
４、４間に配置される導体フレーム３は太陽電池１を形
成しているチップのみを配設している。太陽電池１と、
導体フレーム６上の発光ダイオード７との間を光結合す
る導光路９は太陽電池１に絞って小さくし光伝達の向上
を図っている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光結合素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来出力用ＭＯＳＦＥＴを備えた所謂光
リレーを構成する光結合素子は、図２に示すように太陽
電池１と、制御回路要素２とを同一チップ１０上に形成
した受光素子を中央に配置した導体フレーム３上に配設
し、この導体フレーム３の両側に並設した導体フレーム
４、４上に出力用ＭＯＳＦＥＴ５、５のチップを配設
し、更に上記導体フレーム３に近接して配置した導体フ
レーム６上には発光素子である発光ダイオード７のチッ
プを配置し、制御回路要素２と、両側の出力用ＭＯＳＦ
ＥＴ５、５とをワイヤボンディングにより電気的に接続
し、全体を不透明の樹脂８でモールドして１パケージ化
を図っている。
リレーを構成する光結合素子は、図２に示すように太陽
電池１と、制御回路要素２とを同一チップ１０上に形成
した受光素子を中央に配置した導体フレーム３上に配設
し、この導体フレーム３の両側に並設した導体フレーム
４、４上に出力用ＭＯＳＦＥＴ５、５のチップを配設
し、更に上記導体フレーム３に近接して配置した導体フ
レーム６上には発光素子である発光ダイオード７のチッ
プを配置し、制御回路要素２と、両側の出力用ＭＯＳＦ
ＥＴ５、５とをワイヤボンディングにより電気的に接続
し、全体を不透明の樹脂８でモールドして１パケージ化
を図っている。
【０００３】そして受光素子と、発光ダイオード７との
間を透明シリコン樹脂からなる導光路９により光結合し
て、発光ダイオード７からの光を受光素子内の太陽電池
１で受光できるようにしている。このように構成された
光結合素子は、発光ダイオード７を外部駆動信号で発光
させ、その発光ダイオード７からの光を受光した太陽電
池１は電圧を発生し、この電圧が一定レベルに達する
と、制御回路要素２の働きで出力用ＭＯＳＦＥＴ５、５
をスイッチングさせて出力をオン又はオフする。
間を透明シリコン樹脂からなる導光路９により光結合し
て、発光ダイオード７からの光を受光素子内の太陽電池
１で受光できるようにしている。このように構成された
光結合素子は、発光ダイオード７を外部駆動信号で発光
させ、その発光ダイオード７からの光を受光した太陽電
池１は電圧を発生し、この電圧が一定レベルに達する
と、制御回路要素２の働きで出力用ＭＯＳＦＥＴ５、５
をスイッチングさせて出力をオン又はオフする。
【０００４】ところで上記の図２に示す光結合素子で
は、受光素子の制御回路要素２と太陽電池１とは誘電体
分離基板上に作られていたため、工程が複雑でウェハが
反ったり、割れたりして、チップの製作コストが通常の
シリコンプレーナ技術で作られる素子に比べて高いとい
う問題があった。そこで図３に示すように受光素子中の
太陽電池１のみを誘電体分離基板上に作成し、制御回路
要素２のトランジスタ等の素子を通常のシリコン基板上
で作成し、制御回路要素２と太陽電池１とをワイヤボン
ディングで接続するものが提案されている。
は、受光素子の制御回路要素２と太陽電池１とは誘電体
分離基板上に作られていたため、工程が複雑でウェハが
反ったり、割れたりして、チップの製作コストが通常の
シリコンプレーナ技術で作られる素子に比べて高いとい
う問題があった。そこで図３に示すように受光素子中の
太陽電池１のみを誘電体分離基板上に作成し、制御回路
要素２のトランジスタ等の素子を通常のシリコン基板上
で作成し、制御回路要素２と太陽電池１とをワイヤボン
ディングで接続するものが提案されている。
【０００５】この場合、制御回路要素２を通常のシリコ
ン基板上に作成することにより、誘電体分離基板のよう
にウェハが反ったり、割れたりすることがなく、そのた
め微細加工が容易となって、制御回路要素２の占める面
積の縮小化も可能で、結果各制御回路要素２内の素子の
特性のばらつきも小さくなって歩留りが向上し、チップ
の製作コストを下げることができるという特徴がある。
ン基板上に作成することにより、誘電体分離基板のよう
にウェハが反ったり、割れたりすることがなく、そのた
め微細加工が容易となって、制御回路要素２の占める面
積の縮小化も可能で、結果各制御回路要素２内の素子の
特性のばらつきも小さくなって歩留りが向上し、チップ
の製作コストを下げることができるという特徴がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記図３に示し
た光結合素子では、同じ導体フレーム４上に太陽電池１
と、制御回路要素２とを配設するため、遮光のために制
御回路要素２上をアルミによってマスクを行なわなけれ
ばならず、そのため製造工程が複雑になり、更に導光路
９の大きさが図２の従来例と変わらないため、光伝達の
効率がいま一つであった。
た光結合素子では、同じ導体フレーム４上に太陽電池１
と、制御回路要素２とを配設するため、遮光のために制
御回路要素２上をアルミによってマスクを行なわなけれ
ばならず、そのため製造工程が複雑になり、更に導光路
９の大きさが図２の従来例と変わらないため、光伝達の
効率がいま一つであった。
【０００７】本発明は、上記の点に鑑みて為されたもの
で、その目的とするところはアルミによるマスクが不要
で製造が容易に行なえ、しかも導光路を小さくすること
ができて、光伝達の効率を向上させることができる光結
合素子を提供するにある。
で、その目的とするところはアルミによるマスクが不要
で製造が容易に行なえ、しかも導光路を小さくすること
ができて、光伝達の効率を向上させることができる光結
合素子を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、出力用ＭＯＳＦＥＴと、発光素子と、
この発光素子の光を受光する太陽電池と、太陽電池の出
力で上記出力用ＭＯＳＦＥＴのスイッチングを制御する
制御回路要素とを樹脂モールドして一体化するととも
に、太陽電池と発光素子との間を透明樹脂からなる導光
路にて光結合した光結合素子において、制御回路要素を
出力用ＭＯＳＦＥＴのチップ上に形成して同一の導体フ
レーム上に配設し、太陽電池を制御回路要素とは独立し
たチップで形成するとともに、上記導体フレームとは別
の導体フレーム上に単独で配設したものである。
達成するために、出力用ＭＯＳＦＥＴと、発光素子と、
この発光素子の光を受光する太陽電池と、太陽電池の出
力で上記出力用ＭＯＳＦＥＴのスイッチングを制御する
制御回路要素とを樹脂モールドして一体化するととも
に、太陽電池と発光素子との間を透明樹脂からなる導光
路にて光結合した光結合素子において、制御回路要素を
出力用ＭＯＳＦＥＴのチップ上に形成して同一の導体フ
レーム上に配設し、太陽電池を制御回路要素とは独立し
たチップで形成するとともに、上記導体フレームとは別
の導体フレーム上に単独で配設したものである。
【０００９】
【作用】而して本発明の構成によれば、制御回路要素を
太陽電池とは異なる導体フレーム上に配設するため、ア
ルミのマスクを制御回路要素に施す必要がなくなり、製
造が容易となる。また受光素子は太陽電池のみとなっ
て、その受光面に合わせて導光路を小さくすることがで
き、そのため導光路を通じて発光素子から太陽電池へ光
を伝達する際の効率を向上させることができる。
太陽電池とは異なる導体フレーム上に配設するため、ア
ルミのマスクを制御回路要素に施す必要がなくなり、製
造が容易となる。また受光素子は太陽電池のみとなっ
て、その受光面に合わせて導光路を小さくすることがで
き、そのため導光路を通じて発光素子から太陽電池へ光
を伝達する際の効率を向上させることができる。
【００１０】更に出力用ＭＯＳＦＥＴと同一チップ上に
形成するため、通常のシリコンプレーナ技術により制御
回路要素を作成できて、制御回路要素の占める面積の縮
小が図れ、その結果制御回路要素内の素子の特性のばら
つきも小さくなって、歩留りが向上且つ安定し、チップ
の製作コストもできる。
形成するため、通常のシリコンプレーナ技術により制御
回路要素を作成できて、制御回路要素の占める面積の縮
小が図れ、その結果制御回路要素内の素子の特性のばら
つきも小さくなって、歩留りが向上且つ安定し、チップ
の製作コストもできる。
【００１１】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。図１は
本発明の一実施例を示しており、制御回路要素２は出力
用ＭＯＳＦＥＴ５とともに、シリコン基板上に通常のシ
リコンプレーナ技術により作成したもので、これら素子
を形成したチップ１１を導体フレーム上４、４に配設し
ている。これらの導体フレーム４、４間に配置される導
体フレーム３上には太陽電池１のみを形成しているチッ
プを配設してあり、太陽電池１と、制御回路要素２とは
ワイヤボンディングにより接続する。
本発明の一実施例を示しており、制御回路要素２は出力
用ＭＯＳＦＥＴ５とともに、シリコン基板上に通常のシ
リコンプレーナ技術により作成したもので、これら素子
を形成したチップ１１を導体フレーム上４、４に配設し
ている。これらの導体フレーム４、４間に配置される導
体フレーム３上には太陽電池１のみを形成しているチッ
プを配設してあり、太陽電池１と、制御回路要素２とは
ワイヤボンディングにより接続する。
【００１２】発光ダイオード７のチップは従来例と同様
に導体フレーム６上に配設する。このようにして配置さ
れた各チップを不透明の樹脂８でモールドして１パケー
ジ化するとともに、太陽電池１と、発光ダイオード７と
の間を透明シリコン樹脂からなる導光路９により光結合
して、発光ダイオード７からの光を受光素子内の太陽電
池１が受光できるようしている。
に導体フレーム６上に配設する。このようにして配置さ
れた各チップを不透明の樹脂８でモールドして１パケー
ジ化するとともに、太陽電池１と、発光ダイオード７と
の間を透明シリコン樹脂からなる導光路９により光結合
して、発光ダイオード７からの光を受光素子内の太陽電
池１が受光できるようしている。
【００１３】ここで導光路９は受光側のチップ上の素子
が太陽電池１のみであるため太陽電池１に絞ることがで
き、効率の良い光伝達が行なえる。
が太陽電池１のみであるため太陽電池１に絞ることがで
き、効率の良い光伝達が行なえる。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、出力用ＭＯＳＦＥＴと、発光
素子と、この発光素子の光を受光する太陽電池と、太陽
電池の出力で上記出力用ＭＯＳＦＥＴのスイッチングを
制御する制御回路要素とを樹脂モールドして一体化する
とともに、太陽電池と発光素子との間を透明樹脂からな
る導光路にて光結合した光結合素子において、制御回路
要素を出力用ＭＯＳＦＥＴのチップ上に形成して同一の
導体フレーム上に配設し、太陽電池を制御回路要素とは
独立したチップで形成するとともに、上記導体フレーム
とは別の導体フレーム上に単独で配設したので、制御回
路要素が太陽電池とは同じ導体フレーム上に配設され
ず、そのためアルミのマスクを制御回路要素に施す必要
がなくなって製造が容易となるという効果があり、また
受光素子が太陽電池のみとなるため、その受光面に合わ
せて導光路を小さくすることができ、その結果導光路を
通じて発光素子から太陽電池へ光を伝達する際の効率を
向上させることができるという効果があり、更に出力用
ＭＯＳＦＥＴと同一チップ上に形成するため、通常のシ
リコンプレーナ技術により制御回路要素を作成でき、そ
の結果制御回路要素の占める面積の縮小が図れから、制
御回路要素内の素子の特性のばらつきも小さくなって歩
留りが向上且つ安定し、チップの製作コストも下げるこ
とができるという効果がある。
素子と、この発光素子の光を受光する太陽電池と、太陽
電池の出力で上記出力用ＭＯＳＦＥＴのスイッチングを
制御する制御回路要素とを樹脂モールドして一体化する
とともに、太陽電池と発光素子との間を透明樹脂からな
る導光路にて光結合した光結合素子において、制御回路
要素を出力用ＭＯＳＦＥＴのチップ上に形成して同一の
導体フレーム上に配設し、太陽電池を制御回路要素とは
独立したチップで形成するとともに、上記導体フレーム
とは別の導体フレーム上に単独で配設したので、制御回
路要素が太陽電池とは同じ導体フレーム上に配設され
ず、そのためアルミのマスクを制御回路要素に施す必要
がなくなって製造が容易となるという効果があり、また
受光素子が太陽電池のみとなるため、その受光面に合わ
せて導光路を小さくすることができ、その結果導光路を
通じて発光素子から太陽電池へ光を伝達する際の効率を
向上させることができるという効果があり、更に出力用
ＭＯＳＦＥＴと同一チップ上に形成するため、通常のシ
リコンプレーナ技術により制御回路要素を作成でき、そ
の結果制御回路要素の占める面積の縮小が図れから、制
御回路要素内の素子の特性のばらつきも小さくなって歩
留りが向上且つ安定し、チップの製作コストも下げるこ
とができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の概略構成図である。
【図２】従来例の概略構成図である。
【図３】従来例を改良した例の概略構成図である。
１ 太陽電池 ２ 制御回路要素 ３ 導体フレーム ４ 導体フレーム ５ 出力用ＭＯＳＦＥＴ ６ 導体フレーム ７ 発光ダイオード ８ 樹脂 ９ 導光路 １１ チップ
Claims (1)
- 【請求項１】出力用ＭＯＳＦＥＴと、発光素子と、この
発光素子の光を受光する太陽電池と、太陽電池の出力で
上記出力用ＭＯＳＦＥＴのスイッチングを制御する制御
回路要素とを樹脂モールドして一体化するとともに、太
陽電池と発光素子との間を透明樹脂からなる導光路にて
光結合した光結合素子において、制御回路要素を出力用
ＭＯＳＦＥＴのチップ上に形成して同一の導体フレーム
上に配設し、太陽電池を制御回路要素とは独立したチッ
プで形成するとともに、上記導体フレームとは別の導体
フレーム上に単独で配設したことを特徴とする光結合素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24391291A JPH0582831A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24391291A JPH0582831A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582831A true JPH0582831A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17110859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24391291A Withdrawn JPH0582831A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582831A (ja) |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP24391291A patent/JPH0582831A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |