JPH0582697A - Lead frame of semiconductor device - Google Patents
Lead frame of semiconductor deviceInfo
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- JPH0582697A JPH0582697A JP3241463A JP24146391A JPH0582697A JP H0582697 A JPH0582697 A JP H0582697A JP 3241463 A JP3241463 A JP 3241463A JP 24146391 A JP24146391 A JP 24146391A JP H0582697 A JPH0582697 A JP H0582697A
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- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、チップ素子を組み込
み設定した半導体装置のリードフレームの構造に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a lead frame of a semiconductor device in which a chip element is incorporated and set.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば、ノイズ電源を有する半導体回
路、あるいはジャイアントノイズが印加される環境で使
用される半導体回路等の集積回路を構成する半導体装置
にあっては、樹脂によってモールドされたリードフレー
ムに対して、ノイズ成分除去用のチップコンデンサ、チ
ップ抵抗等のチップ素子を実装している。2. Description of the Related Art For example, in a semiconductor device forming an integrated circuit such as a semiconductor circuit having a noise power source or a semiconductor circuit used in an environment where giant noise is applied, a lead frame molded with resin is used. On the other hand, chip elements such as chip capacitors and chip resistors for removing noise components are mounted.
【0003】具体的には、集積回路素子を取り付けるリ
ードフレームに対して、チップコンデンサを導電性接着
剤を用いて取り付け設定するもので、半導体回路素子と
共にチップ素子を取り付けたリードフレームを樹脂によ
ってモールドして半導体集積回路装置が完成されるよう
にしている。Specifically, a chip capacitor is attached and set to a lead frame to which an integrated circuit element is attached by using a conductive adhesive. The lead frame on which the chip element is attached together with the semiconductor circuit element is molded with resin. Then, the semiconductor integrated circuit device is completed.
【0004】図3は従来においてノイズ除去のためのノ
イズ除去チップ素子をリードフレームに実装した例を示
すもので、このリードフレームはアウターリード51と共
に第1および第2のインナーリード52および53を備え
る。FIG. 3 shows a conventional example in which a noise removing chip element for removing noise is mounted on a lead frame. This lead frame includes outer leads 51 and first and second inner leads 52 and 53. ..
【0005】ここで、アウターリード51は枠を構成する
ようにそれぞれXおよびYの直角方向に延びる2つの辺
部511 および512 を備えるもので、辺部511 および512
それぞれに対して、それぞれ内側方向に延びるように第
1および第2のタイバー54および55を突設し、これらタ
イバー54および55でそれぞれ第1および第2のインナー
リード52および53が支持されるようにしている。そし
て、この第1および第2のインナーリード52および53を
結合するようにして、チップコンデンサ56を導電ペース
トによる接着剤57を用いて取り付ける。Here, the outer lead 51 is provided with two side portions 511 and 512 extending in the directions perpendicular to X and Y so as to form a frame. The side portions 511 and 512 are provided.
First and second tie bars 54 and 55 are provided so as to extend inwardly, and the tie bars 54 and 55 support the first and second inner leads 52 and 53, respectively. I have to. Then, the chip capacitor 56 is attached using an adhesive 57 made of a conductive paste so as to connect the first and second inner leads 52 and 53.
【0006】この様なリードフレームにあっては、チッ
プコンデンサ56がインナーリード52と53の相互間を結合
するように接着された後、モールドされた半導体回路装
置を構成するために加熱する工程が存在する。リードフ
レームが加熱されると、熱膨脹が生ずるもので、第1お
よび第2のタイバー54および55部において、それぞれア
ウターリード51の各辺部511 、512 から離れる方向に延
びるようになる。In such a lead frame, the chip capacitor 56 is bonded so as to bond the inner leads 52 and 53 to each other, and then heated to form a molded semiconductor circuit device. Exists. When the lead frame is heated, thermal expansion occurs, and the first and second tie bars 54 and 55 extend in a direction away from the side portions 511 and 512 of the outer lead 51, respectively.
【0007】この熱膨脹による力は、タイバー54および
55にそれぞれ結合された第1および第2のインナーリー
ド52および53にそのまま作用し、またこの第1および第
2のインナーリード52および53がチップコンデンサ56に
よって結合されているものであるため、図に矢印で示す
ようにそれぞれ反対方向の力fがインナーリード52およ
び53それぞれに作用する。すなわち、加熱作用によって
チップコンデンサ56に対して捩じれの力および剪断力が
作用し、チップコンデンサ56が離脱するようになる。The force of this thermal expansion is due to the tie bars 54 and
Since the first and second inner leads 52 and 53, which are respectively coupled to 55, act as they are, and the first and second inner leads 52 and 53 are coupled by the chip capacitor 56, Forces f in opposite directions act on the inner leads 52 and 53, respectively, as indicated by arrows. That is, due to the heating action, a twisting force and a shearing force act on the chip capacitor 56, and the chip capacitor 56 comes off.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な点に鑑みなされたもので、アウターリードに対してタ
イバーを介してインナーリードを結合し、このインナー
リードにチップ抵抗、チップコンデンサ等のチップ素子
を接着して実装した場合においても、その後のリードフ
レームの加熱処理工程によってチップ素子が離脱される
ことがなく、信頼性に富む半導体回路装置を構成できる
ようにした半導体装置のリードフレームを提供しようと
するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an inner lead is connected to an outer lead via a tie bar, and the inner lead is connected to a chip resistor, a chip capacitor, or the like. Even when the chip element is bonded and mounted, the chip element is not detached in the subsequent heat treatment process of the lead frame, and the lead frame of the semiconductor device can be configured with high reliability. It is the one we are trying to provide.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明に係るリードフ
レームは、アウターリードに対してそれぞれ第1および
第2のタイバーによって第1および第2のインナーリー
ドを結合し、この第1および第2のインナーリードの相
互間をチップ素子を接着結合するようにしているもの
で、前記第1および第2のタイバーは前記アウターリー
ドの1つの方向に延びる部分に、その延びる方向と直角
に平行に突設して形成されるようにしている。In the lead frame according to the present invention, the first and second inner leads are joined to the outer leads by the first and second tie bars, respectively. A chip element is adhesively bonded between the inner leads, and the first and second tie bars are provided on a portion of the outer lead that extends in one direction and project in parallel to the extending direction at a right angle. To be formed.
【0010】[0010]
【作用】この様に構成される半導体装置のリードフレー
ムにおいて、チップ素子を実装した状態で加熱された場
合、第1および第2のインナーリードそれぞれの前記チ
ップ素子が接合された部分には、熱膨脹によって同一の
方向の力が作用するようになる。したがって、チップ素
子の第1および第2のそれぞれインナーリードとの結合
部には捩じれの力が作用することがなく、当然剪断力も
作用しない。したがって、リードフレームを加熱処理し
てもチップ素子が離脱されることがなく、この半導体装
置の信頼性は確実に確保される。In the lead frame of the semiconductor device having the above-described structure, when the chip element is mounted and heated, the parts of the first and second inner leads to which the chip element is bonded are thermally expanded. The forces in the same direction are applied by. Therefore, the twisting force does not act on the connecting portions of the chip element with the first and second inner leads, and naturally, the shearing force also does not act. Therefore, even if the lead frame is heat-treated, the chip element is not detached, and the reliability of this semiconductor device is reliably ensured.
【0011】[0011]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例を
説明する。図1はリードフレーム11の平面的な構成を示
すもので、このリードフレーム11は金属板を打ち抜き加
工等によって形成されたアウターリード12を備える。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a planar structure of a lead frame 11. The lead frame 11 includes outer leads 12 formed by punching a metal plate.
【0012】このアウターリード12は、直角に折曲され
た辺部121 および122 を備えるもので、その各辺部121
および122に対してそれぞれ内側に向けて第1および第
2のタイバー131 および132 が突設形成されている。ま
た、このアウターリード12の直角に形成された内側部分
に、アウターリード12との間に間隔を設定して第1のイ
ンナーリード14が配置される。The outer lead 12 is provided with side portions 121 and 122 which are bent at right angles.
First and second tie bars 131 and 132 are formed so as to project inwardly from and 122, respectively. Further, the first inner lead 14 is arranged on the inner portion of the outer lead 12 formed at a right angle, with a space from the outer lead 12.
【0013】この第1のインナーリード14は、アウター
リード12の辺部121 および122 それぞれと平行となる辺
部141 および142 を備えるもので、この辺部141 および
142はそれぞれ第1および第2のタイバー131 および132
によって結合される。The first inner lead 14 has side portions 141 and 142 which are parallel to the side portions 121 and 122 of the outer lead 12, respectively.
142 is the first and second tie bars 131 and 132, respectively.
Combined by
【0014】アウターリード12には、さらに第1のタイ
バー131 と平行に第3のタイバー15が突設されている。
そして、この第3のタイバー15に第2のインナーリード
16が結合保持されるもので、この第2のインナーリード
16はタイバー15の延びる方向に設定された辺部161 と、
この辺部161 から直角に折曲され、アウターリード12の
辺部121 と平行にされる辺部162 とによって構成され
る。The outer lead 12 is further provided with a third tie bar 15 protruding in parallel with the first tie bar 131.
Then, the second inner lead is attached to the third tie bar 15.
16 is to be connected and held, and this second inner lead
16 is a side portion 161 set in the extending direction of the tie bar 15,
The side portion 161 is bent at a right angle and is constituted by a side portion 162 which is parallel to the side portion 121 of the outer lead 12.
【0015】すなわち、第1のインナーリード14の辺部
141 と第2のインナーリード16の辺部162 とは、所定の
間隔をおいて平行に設定されるもので、この第1のイン
ナーリード14の第1のタイバー131 に結合される部分
と、第2のインナーリード16の辺部162 の中間位置部分
との間に、チップコンデンサ17が、導電ペーストによっ
て構成された接着剤181 、182 によって熱硬化接着され
ている。That is, the side portion of the first inner lead 14
141 and the side portion 162 of the second inner lead 16 are set in parallel with each other at a predetermined interval, and the portion of the first inner lead 14 coupled to the first tie bar 131 and the first The chip capacitor 17 is heat-cured and bonded between the second inner lead 16 and the intermediate portion of the side portion 162 by adhesives 181 and 182 made of a conductive paste.
【0016】この図において、アウターリード12の辺部
121 の延びる方向(図の垂直方向)をY方向、その直角
の方向をX方向とした直角座標を設定すると、このリー
ドフレーム11が加熱された場合に、アウターリード12お
よび第1および第2のインナーリード14および16がX軸
およびY軸に対応して熱膨脹する。In this figure, the side portion of the outer lead 12
When the rectangular coordinates in which the extending direction of 121 (vertical direction in the figure) is the Y direction and the direction perpendicular to the Y direction is the X direction are set, when the lead frame 11 is heated, the outer lead 12 and the first and second lead frames 11 and 12 are set. The inner leads 14 and 16 thermally expand corresponding to the X axis and the Y axis.
【0017】まず、第2のインナーリード16のチップコ
ンデンサ17との結合部においては、(Y−)方向には拘
束されていないために加熱膨脹によって力fy22 が発生
するが、このインナーリード16の辺部162 が(Y+)方
向に延びるように設定されているため、熱膨脹によって
fy21 が発生され、fy22 の大きな膨脹分が打ち消され
る。さらに、このインナーリード16は(X+)方向には
拘束されず、加熱によってfx2の力が発生する。First, at the connecting portion of the second inner lead 16 with the chip capacitor 17, the force f y22 is generated by thermal expansion because it is not constrained in the (Y-) direction. Since the side portion 162 is set to extend in the (Y +) direction, f y21 is generated by thermal expansion, and a large expansion amount of f y22 is canceled. Further, the inner lead 16 is not constrained in the (X +) direction, and a force f x2 is generated by heating.
【0018】この様に第2のインナーリード16の特にチ
ップコンデンサ17が結合された部分においては、fx2と
(fy22 −fy21 )との合成ベクトルによって、fxy2
の方向に熱膨脹をするようになる。In this way, especially in the portion of the second inner lead 16 to which the chip capacitor 17 is coupled, f xy2 is obtained by the combined vector of f x2 and (fy22 −fy21).
Thermal expansion will occur in the direction of.
【0019】これに対して、第1のインナーリード14に
おいては、第2のインナーリード16と熱膨脹方向を同一
にするため、(Y−)の方向に延ばすように辺部141 を
構成している。そして、この辺部141 の膨脹を制約する
ために、第1および第2のタイバー131 および132 によ
って、この第1のインナーリード14がアウターリード12
に結合されるようにしている。On the other hand, in the first inner lead 14, the side portion 141 is formed so as to extend in the (Y-) direction so that the second inner lead 16 has the same thermal expansion direction. .. In order to restrict the expansion of the side portion 141, the first and second tie bars 131 and 132 cause the first inner lead 14 to move to the outer lead 12.
To be combined with.
【0020】すなわち、この第1のインナーリード14の
チップ素子17が接合される部分においてfx1で示す(X
−)方向への膨脹と、その逆の(X+)方向への膨脹を
第1のタイバー131 によって制約する。したがって、こ
の第1のインナーリード14はfx1とfy1の合成によって
fxy1 の方向に熱膨脹する。That is, the portion of the first inner lead 14 to which the chip element 17 is joined is indicated by f x1 (X
The expansion in the − direction and the expansion in the opposite (X +) direction are restricted by the first tie bar 131. Therefore, the first inner lead 14 thermally expands in the direction of f xy1 due to the combination of f x1 and f y1 .
【0021】したがって、fxy1 とfxy2 のそれぞれ膨
脹方向と膨脹量をほぼ等価にすることが可能とされ、第
1および第2のインナーリード14と16との間を結合して
いるチップコンデンサ17に作用する捩じれ力および剪断
力が効果的に緩和される。したがって、チップコンデン
サ17は加熱処理された過程においても離脱されることが
なく、この半導体装置の信頼性が向上される。Therefore, it is possible to make the expansion directions and the expansion amounts of f xy1 and f xy2 approximately equal, and the chip capacitor 17 coupling between the first and second inner leads 14 and 16 is formed. The twisting and shearing forces acting on the are effectively relieved. Therefore, the chip capacitor 17 is not removed even during the heat treatment process, and the reliability of this semiconductor device is improved.
【0022】図2は他の実施例を示すもので、アウター
リード21の1つの辺部に、この辺部の延びる方向と直角
の方向に延びるようにして、第1および第2のインナー
リード22および23を設定する。そして、この第1および
第2のインナーリード22および23のそれぞれ基端部とア
ウターリード21との間を、それぞれタイバー24および25
によって結合させるようにする。FIG. 2 shows another embodiment, in which one side portion of the outer lead 21 extends in a direction perpendicular to the extending direction of the side portion, and the first and second inner leads 22 and 22 are formed. Set to 23. The tie bars 24 and 25 are provided between the base ends of the first and second inner leads 22 and 23 and the outer leads 21, respectively.
Try to combine by.
【0023】すなわち、このリードフレーム11にあって
は、第1および第2のインナーリード22および23のそれ
ぞれ取り出し方向および寸法が同一に設定されるもの
で、これら平行のインナーリード22と23との間にチップ
コンデンサ17が接着剤181 および182 によって接着結合
されている。したがって、このインナーリード22、23そ
れぞれとチップコンデンサ17の接着結合部において、加
熱によって発生するf1 およびf2 の膨脹方向と膨脹量
を等価にすることができる。That is, in this lead frame 11, the first and second inner leads 22 and 23 are set to have the same take-out direction and dimensions, and the inner leads 22 and 23 are parallel to each other. The chip capacitor 17 is adhesively bonded between them by adhesives 181 and 182. Therefore, the expansion direction and the expansion amount of f 1 and f 2 generated by heating can be made equal in the adhesive joints of the inner leads 22 and 23 and the chip capacitor 17, respectively.
【0024】[0024]
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体装置
のリードフレームにあっては、例えばノイズ電源を有す
る場合、あるいはジャイアントノイズが印加される場合
の対策としてチップ抵抗あるいはチップコンデンサ等の
チップ素子が実装される場合、リードフレームの加熱処
理等が行われても、チップ素子の実装部分に対して、熱
膨脹によって捩じれ力、剪断力等が作用されることを抑
制できるものであり、チップ素子の離脱等が生ずること
がなく、この半導体装置の信頼性が確実に向上されるよ
うになる。As described above, in the lead frame of the semiconductor device according to the present invention, a chip element such as a chip resistor or a chip capacitor is provided as a countermeasure against a noise power source or a giant noise applied. In the case where the chip element is mounted, it is possible to suppress a twisting force, a shearing force, or the like from being applied to the mounting portion of the chip element due to thermal expansion even if the lead frame is subjected to heat treatment or the like. There is no separation or the like, and the reliability of this semiconductor device is surely improved.
【図1】この発明の一実施例に係るリードフレームを示
す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の他の実施例に係るリードフレームを
示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing a lead frame according to another embodiment of the present invention.
【図3】従来のリードフレームを説明する平面図。FIG. 3 is a plan view illustrating a conventional lead frame.
11…リードフレーム、12、21…アウターリード、131 、
132 、15、24、25…タイバー、14、22…第1のインナー
リード、16、23…第2のインナーリード、17…チップコ
ンデンサ、181 、182 …接着剤。11 ... Lead frame, 12, 21 ... Outer leads, 131,
132, 15, 24, 25 ... Tie bar, 14, 22 ... First inner lead, 16, 23 ... Second inner lead, 17 ... Chip capacitor, 181, 182 ... Adhesive.
フロントページの続き (72)発明者 伊澤 一朗 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 加藤 初幸 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 石川 克己 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内Front page continuation (72) Inventor Ichiro Izawa, 1-1, Showa-cho, Kariya city, Aichi Prefecture, Nihon Denso Co., Ltd. (72) Inventor, Hatsuko Kato, 1-1, Showa-cho, Kariya city, Aichi prefecture (72) Inventor Katsumi Ishikawa 1-1-1, Showa-cho, Kariya city, Aichi prefecture Nihon Denso Co., Ltd.
Claims (1)
て結合された第1のインナーリードと、 前記アウターリードに第2のタイバーによって結合され
た第2のインナーリードと、 前記第1および第2のインナーリードの相互間に接着結
合されたチップ素子とを具備し、 前記第1および第2のタイバーは、前記アウターリード
の1つの方向に延びる部分に、このアウターリードの延
びる方向と直角の方向に向けて平行状態に設定されるよ
うにしたことを特徴とする半導体装置のリードフレー
ム。1. A first inner lead joined to an outer lead by a first tie bar, a second inner lead joined to the outer lead by a second tie bar, and the first and second inner leads. A chip element adhesively bonded between the leads, wherein the first and second tie bars are directed to a portion of the outer lead extending in one direction in a direction perpendicular to the extending direction of the outer lead. A lead frame for a semiconductor device, wherein the lead frame is set in a parallel state.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3241463A JP2727820B2 (en) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | Semiconductor device lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3241463A JP2727820B2 (en) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | Semiconductor device lead frame |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0582697A true JPH0582697A (en) | 1993-04-02 |
JP2727820B2 JP2727820B2 (en) | 1998-03-18 |
Family
ID=17074694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3241463A Expired - Lifetime JP2727820B2 (en) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | Semiconductor device lead frame |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2727820B2 (en) |
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- 1991-09-20 JP JP3241463A patent/JP2727820B2/en not_active Expired - Lifetime
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