JPH0580704A - 液晶表示装置用基板 - Google Patents
液晶表示装置用基板Info
- Publication number
- JPH0580704A JPH0580704A JP24390991A JP24390991A JPH0580704A JP H0580704 A JPH0580704 A JP H0580704A JP 24390991 A JP24390991 A JP 24390991A JP 24390991 A JP24390991 A JP 24390991A JP H0580704 A JPH0580704 A JP H0580704A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding layer
- substrate
- light shielding
- light
- liquid crystal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 カラーまたはモノクロなどの液晶表示パネル
の一方の基板10の表面に画素領域を画成するマトリック
ス状の遮光層11が形成される液晶表示装置用基板におい
て、その基板の遮光層形成部分を、最大粗度０．２μm
以上の表面粗さに粗面化した。 【効果】 遮光層での反射光に基づく画像に対する性能
の低下を大幅に防止できる。
の一方の基板10の表面に画素領域を画成するマトリック
ス状の遮光層11が形成される液晶表示装置用基板におい
て、その基板の遮光層形成部分を、最大粗度０．２μm
以上の表面粗さに粗面化した。 【効果】 遮光層での反射光に基づく画像に対する性能
の低下を大幅に防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示装置用基板
に係り、特にマトリックス状の遮光層が形成された液晶
表示装置用基板に関する。
に係り、特にマトリックス状の遮光層が形成された液晶
表示装置用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、その駆動方式により、
単純マトリックス型とアクティブマトリックス型とがあ
るが、いずれも、その表示パネルの液晶物質を挟んで対
向する一対の透明基板の一方には、多数の画素領域を画
成するマトリックス状の遮光層と、共通の透明導電膜か
らなる電極とが設けられている。
単純マトリックス型とアクティブマトリックス型とがあ
るが、いずれも、その表示パネルの液晶物質を挟んで対
向する一対の透明基板の一方には、多数の画素領域を画
成するマトリックス状の遮光層と、共通の透明導電膜か
らなる電極とが設けられている。
【０００３】たとえばＴＦＴ（Thin Film Transistor）
アクティブマトリックス型カラー液晶表示装置の一方の
基板は、図５に示すように、ガラスからなる平滑な透明
基板１の一方の面に、クロム金属の薄膜からなるマトリ
ックス状の遮光層２が設けられ、この遮光層２の間隙部
に一部が遮光層２と重なる如く３色着色層3B，3G，3Rが
所定の配列で設けられている。そしてこれら遮光層２お
よび着色層3B，3G，3R上に、表面が平滑な透明保護膜４
が設けられ、この透明保護膜４上に透明導電膜５が設け
られいてる。
アクティブマトリックス型カラー液晶表示装置の一方の
基板は、図５に示すように、ガラスからなる平滑な透明
基板１の一方の面に、クロム金属の薄膜からなるマトリ
ックス状の遮光層２が設けられ、この遮光層２の間隙部
に一部が遮光層２と重なる如く３色着色層3B，3G，3Rが
所定の配列で設けられている。そしてこれら遮光層２お
よび着色層3B，3G，3R上に、表面が平滑な透明保護膜４
が設けられ、この透明保護膜４上に透明導電膜５が設け
られいてる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＴＦＴアク
ティブマトリックス型液晶表示装置においては、その基
板上に設けられるＴＦＴの特性上、マトリックス状の遮
光層に高光学濃度、低反射率であることが要求される
が、上記液晶表示装置の一方の基板のように平滑な透明
基板に直接遮光層を設けると、バックライトからの光が
遮光層で反射し、その反射光によりＴＦＴがリークし、
液晶表示装置の画像に対する性能を低下させるという問
題が生ずる。
ティブマトリックス型液晶表示装置においては、その基
板上に設けられるＴＦＴの特性上、マトリックス状の遮
光層に高光学濃度、低反射率であることが要求される
が、上記液晶表示装置の一方の基板のように平滑な透明
基板に直接遮光層を設けると、バックライトからの光が
遮光層で反射し、その反射光によりＴＦＴがリークし、
液晶表示装置の画像に対する性能を低下させるという問
題が生ずる。
【０００５】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、マトリックス状の遮光層での光の
反射を低減して、画像に対する性能の低下を防止しうる
液晶表示装置用基板を構成することを目的とする。
なされたものであり、マトリックス状の遮光層での光の
反射を低減して、画像に対する性能の低下を防止しうる
液晶表示装置用基板を構成することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】液晶表示パネルの一方の
基板の表面に画素領域を画成するマトリックス状の遮光
層が形成される液晶表示装置用基板において、その基板
の遮光層形成部分を、最大粗度０．２μm 以上の表面粗
さに粗面化した。
基板の表面に画素領域を画成するマトリックス状の遮光
層が形成される液晶表示装置用基板において、その基板
の遮光層形成部分を、最大粗度０．２μm 以上の表面粗
さに粗面化した。
【０００７】
【作用】上記のように、基板の遮光層形成部分を最大粗
度０．２μm 以上の表面粗さに粗面化すると、遮光層で
の光の反射を大幅に低減でき、この遮光層での反射光に
基づく画像に対する性能の低下を防止することができ
る。
度０．２μm 以上の表面粗さに粗面化すると、遮光層で
の光の反射を大幅に低減でき、この遮光層での反射光に
基づく画像に対する性能の低下を防止することができ
る。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【０００９】図１にその一実施例であるＴＦＴアクティ
ブマトリックス型カラー液晶表示装置の表示パネルの一
方の基板を示す。この基板は、たとえば硼硅酸ガラスか
らなる平板状の透明基板10と、この透明基板10の一方の
面上に設けられたクロム金属の薄膜からなるマトリック
ス状の遮光層11と、この遮光層11の間隙部に一部が遮光
層11と重なる如く設けられた３色着色層12B ，12G ，12
R と、これら遮光層11および着色層12B ，12G ，12R 上
に設けられたアクリル樹脂などからなる表面が平滑な透
明保護層13と、この透明保護層13上に設けられたＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）などの透明導電薄膜14とからな
る。特にこの基板においては、透明基板10の遮光層11形
成部分が最大表面粗さＲmax を０．２μm 以上とする表
面粗さに粗面化され、この粗面化された表面上に遮光層
11が形成されたものとなっている。
ブマトリックス型カラー液晶表示装置の表示パネルの一
方の基板を示す。この基板は、たとえば硼硅酸ガラスか
らなる平板状の透明基板10と、この透明基板10の一方の
面上に設けられたクロム金属の薄膜からなるマトリック
ス状の遮光層11と、この遮光層11の間隙部に一部が遮光
層11と重なる如く設けられた３色着色層12B ，12G ，12
R と、これら遮光層11および着色層12B ，12G ，12R 上
に設けられたアクリル樹脂などからなる表面が平滑な透
明保護層13と、この透明保護層13上に設けられたＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）などの透明導電薄膜14とからな
る。特にこの基板においては、透明基板10の遮光層11形
成部分が最大表面粗さＲmax を０．２μm 以上とする表
面粗さに粗面化され、この粗面化された表面上に遮光層
11が形成されたものとなっている。
【００１０】このような基板の製造は、図３（ａ）に示
すように、透明基板10の一方の面にネガ型の感光剤層16
を塗布形成し、この感光剤層16をマトリックス状の遮光
層を形成するためのマスクを介して露光し現像して、同
（ｂ）に示すように、遮光層形成部以外の部分にマトリ
ックス状のレジスト17を形成する。ついで同（ｃ）に示
すように、このレジスト17の形成された基板の他方の面
に耐蝕保護層18を形成し、この基板を５０℃に加熱され
た10容量％の弗化水素酸水溶液によりエッチングして、
一方の面のレジスト17で覆われていない露出部19を粗面
化する。
すように、透明基板10の一方の面にネガ型の感光剤層16
を塗布形成し、この感光剤層16をマトリックス状の遮光
層を形成するためのマスクを介して露光し現像して、同
（ｂ）に示すように、遮光層形成部以外の部分にマトリ
ックス状のレジスト17を形成する。ついで同（ｃ）に示
すように、このレジスト17の形成された基板の他方の面
に耐蝕保護層18を形成し、この基板を５０℃に加熱され
た10容量％の弗化水素酸水溶液によりエッチングして、
一方の面のレジスト17で覆われていない露出部19を粗面
化する。
【００１１】つぎにレジスト17および耐蝕保護層18を剥
離し、同（ｄ）に示すように、そのレジストの剥離され
た一方の面に、スパッタリング法により膜厚１５００オ
ングストローム程度のクロム薄膜20を形成する。ついで
同（ｅ）に示すように、このクロム薄膜上にポジ型の感
光剤を塗布し、マトリックス状の遮光層を形成するため
のマスクを介して露光し現像して、遮光層形成部分にマ
トリックス状のレジスト21を形成し、さらにエッチング
して、同（ｆ）に示すように、クロム薄膜からなるマト
リックス状の遮光層11を形成する。
離し、同（ｄ）に示すように、そのレジストの剥離され
た一方の面に、スパッタリング法により膜厚１５００オ
ングストローム程度のクロム薄膜20を形成する。ついで
同（ｅ）に示すように、このクロム薄膜上にポジ型の感
光剤を塗布し、マトリックス状の遮光層を形成するため
のマスクを介して露光し現像して、遮光層形成部分にマ
トリックス状のレジスト21を形成し、さらにエッチング
して、同（ｆ）に示すように、クロム薄膜からなるマト
リックス状の遮光層11を形成する。
【００１２】その後、オフセット印刷法により顔料イン
クを塗布して、同（ｇ）に示すように、上記マトリック
ス状の遮光層11の間隙部に、３色着色層12B ，12G ，12
R を形成する。ついでスピンコート法によりアクリル樹
脂を塗布し、このアクリル樹脂をたとえばローラで加圧
し、その表面を平滑化して、同（ｈ）に示すように、上
記遮光層11および３色着色層12B ，12G ，12R 上に膜厚
約０．１μm の透明保護層13を形成する。その後、この
透明保護層13上にスパッタリング法によりＩＴＯを被着
して、同（ｉ）に示すように、透明導電薄膜14を形成す
ることにより得られる。
クを塗布して、同（ｇ）に示すように、上記マトリック
ス状の遮光層11の間隙部に、３色着色層12B ，12G ，12
R を形成する。ついでスピンコート法によりアクリル樹
脂を塗布し、このアクリル樹脂をたとえばローラで加圧
し、その表面を平滑化して、同（ｈ）に示すように、上
記遮光層11および３色着色層12B ，12G ，12R 上に膜厚
約０．１μm の透明保護層13を形成する。その後、この
透明保護層13上にスパッタリング法によりＩＴＯを被着
して、同（ｉ）に示すように、透明導電薄膜14を形成す
ることにより得られる。
【００１３】また、他の製造方法として、透明基板を粗
面化するに当り、その透明基板の遮光層形成部以外の部
分にマトリックス状のレジストを形成したのち、弗化水
素酸水溶液でエッチングするかわりに、２００〜４００
メッシュのアルミナ粉末などの研磨材を３〜５kg／cm2
の空気とともに吹付けることでも形成することができ
る。なお、この方法による基板製造方法のその他の工程
は、前記製造方法と同じである。ところで、上記のよう
に基板を構成すると、透明基板の遮光層形成部分が粗面
となっているため、バックライトの遮光層11での反射が
減少し、従来その反射光がＴＦＴに入射したために発生
したリークを軽減するでき、カラー液晶表示装置の画像
に対する性能の低下を防止できる。
面化するに当り、その透明基板の遮光層形成部以外の部
分にマトリックス状のレジストを形成したのち、弗化水
素酸水溶液でエッチングするかわりに、２００〜４００
メッシュのアルミナ粉末などの研磨材を３〜５kg／cm2
の空気とともに吹付けることでも形成することができ
る。なお、この方法による基板製造方法のその他の工程
は、前記製造方法と同じである。ところで、上記のよう
に基板を構成すると、透明基板の遮光層形成部分が粗面
となっているため、バックライトの遮光層11での反射が
減少し、従来その反射光がＴＦＴに入射したために発生
したリークを軽減するでき、カラー液晶表示装置の画像
に対する性能の低下を防止できる。
【００１４】図２に透明基板の遮光層形成部分の表面粗
さ（最大粗さＲmax）と遮光層からの反射率との関係を
曲線23に、またＴＦＴのリークによる特性の変動として
黒表示の輝度（液晶表示装置を動作させて黒表示したと
きの輝度）との関係を曲線24で示した。この黒表示の輝
度は、ＴＦＴのリークが大きくなると、大きくなる関係
にある。
さ（最大粗さＲmax）と遮光層からの反射率との関係を
曲線23に、またＴＦＴのリークによる特性の変動として
黒表示の輝度（液晶表示装置を動作させて黒表示したと
きの輝度）との関係を曲線24で示した。この黒表示の輝
度は、ＴＦＴのリークが大きくなると、大きくなる関係
にある。
【００１５】この図２からわかるように、表面の最大粗
さＲmax を０．２μm 以上にすると、遮光層からの反射
率および黒表示の輝度を、従来の粗面化しない場合にく
らべて１／５以下にすることができ、液晶表示装置の画
像に対する性能を大幅に向上させることができる。
さＲmax を０．２μm 以上にすると、遮光層からの反射
率および黒表示の輝度を、従来の粗面化しない場合にく
らべて１／５以下にすることができ、液晶表示装置の画
像に対する性能を大幅に向上させることができる。
【００１６】つぎに、他の実施例として、図４にモノク
ロ液晶表示装置の表示パネルの一方の基板を示す。この
基板は、前記実施例と同様に、たとえば硼硅酸ガラスか
らなる平板状の透明基板10と、この透明基板10の一方の
面上に設けられたクロム金属の薄膜からなるマトリック
ス状の遮光層11と、この遮光層11を覆って透明基板10の
一方の面上に設けられたＩＴＯなどの透明導電薄膜14と
からなり、特にその透明基板10の遮光層11形成部分が最
大表面粗さＲmax を０．２μm 以上とする表面粗さに粗
面化され、この粗面化された表面上に遮光層11が形成さ
れている。
ロ液晶表示装置の表示パネルの一方の基板を示す。この
基板は、前記実施例と同様に、たとえば硼硅酸ガラスか
らなる平板状の透明基板10と、この透明基板10の一方の
面上に設けられたクロム金属の薄膜からなるマトリック
ス状の遮光層11と、この遮光層11を覆って透明基板10の
一方の面上に設けられたＩＴＯなどの透明導電薄膜14と
からなり、特にその透明基板10の遮光層11形成部分が最
大表面粗さＲmax を０．２μm 以上とする表面粗さに粗
面化され、この粗面化された表面上に遮光層11が形成さ
れている。
【００１７】この基板も、前記実施例の製造方法と同様
に、透明基板10の一方の面にネガ型の感光剤を塗布し、
マトリックス状の遮光層を形成するマスクを介して露光
し現像して、遮光層形成部以外の部分にマトリックス状
のレジストを形成し、この基板を弗化水素酸水溶液にエ
ッチングするか、またはアルミナ粉末などの研磨材を吹
付けて、遮光層形成部分を表面化することにより製造さ
れる。
に、透明基板10の一方の面にネガ型の感光剤を塗布し、
マトリックス状の遮光層を形成するマスクを介して露光
し現像して、遮光層形成部以外の部分にマトリックス状
のレジストを形成し、この基板を弗化水素酸水溶液にエ
ッチングするか、またはアルミナ粉末などの研磨材を吹
付けて、遮光層形成部分を表面化することにより製造さ
れる。
【００１８】
【発明の効果】液晶表示パネルの一方の基板の表面の遮
光層形成部分を最大粗度０．２μm 以上の表面粗さに粗
面化し、その上に遮光層を形成すると、遮光層での光の
反射を大幅に低減でき、この遮光層での反射光に基づく
画像特性の低下を大幅に防止できる。
光層形成部分を最大粗度０．２μm 以上の表面粗さに粗
面化し、その上に遮光層を形成すると、遮光層での光の
反射を大幅に低減でき、この遮光層での反射光に基づく
画像特性の低下を大幅に防止できる。
【図１】この発明の一実施例であるカラー液晶表示装置
の表示パネルの一方の基板の構成を示す図である。
の表示パネルの一方の基板の構成を示す図である。
【図２】その基板の効果を説明するための図である。
【図３】図３（ａ）ないし（ｉ）はそれぞれ上記一方の
基板の製造方法を説明するための図である。
基板の製造方法を説明するための図である。
【図４】この発明の他の実施例であるモノクロ液晶表示
装置の表示パネルの一方の基板の構成を示す図である。
装置の表示パネルの一方の基板の構成を示す図である。
【図５】従来のカラー液晶表示装置の表示パネルの一方
の基板の構成を示す図である。
の基板の構成を示す図である。
10…透明基板 11…遮光層 12B ，12G ，12R …３色着色層 13…透明保護層 14…透明導電膜
Claims (1)
- 【請求項１】 液晶表示パネルの一方の基板の表面に画
素領域を画成するマトリックス状の遮光層が形成される
液晶表示装置用基板において、 上記基板の遮光層形成部分が最大粗度０．２μm 以上の
表面粗さに粗面化されていることを特徴とする液晶表示
装置用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24390991A JPH0580704A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 液晶表示装置用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24390991A JPH0580704A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 液晶表示装置用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580704A true JPH0580704A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17110813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24390991A Pending JPH0580704A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 液晶表示装置用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580704A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01251284A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Nec Corp | 画像処理システム |
| JP2007169138A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nippon Electric Glass Co Ltd | フラットディスプレイ用ガラス基板 |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP24390991A patent/JPH0580704A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01251284A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Nec Corp | 画像処理システム |
| JP2007169138A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nippon Electric Glass Co Ltd | フラットディスプレイ用ガラス基板 |
| WO2007074610A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | フラットディスプレイ用ガラス基板 |
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