JPH0580199A - Ｘ線ミラ− - Google Patents
Ｘ線ミラ−Info
- Publication number
- JPH0580199A JPH0580199A JP3243747A JP24374791A JPH0580199A JP H0580199 A JPH0580199 A JP H0580199A JP 3243747 A JP3243747 A JP 3243747A JP 24374791 A JP24374791 A JP 24374791A JP H0580199 A JPH0580199 A JP H0580199A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- angle
- mirror
- incident
- ray mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、反射面に入射したＸ線を高い反射
率で所望する方向へ反射させることができるようにした
Ｘ線ミラ−を提供することを目的とする。 【構成】Ｘ線Ｌを反射させるための反射面を有する斜入
射型のＸ線ミラ−１１において、複数の反射面１３ａ、
１３ｂを有し、これら反射面１３ａ、１３ｂは順次隣り
合うとともに、それぞれ所定の角度で傾斜して設けられ
ていることを特徴とする。
率で所望する方向へ反射させることができるようにした
Ｘ線ミラ−を提供することを目的とする。 【構成】Ｘ線Ｌを反射させるための反射面を有する斜入
射型のＸ線ミラ−１１において、複数の反射面１３ａ、
１３ｂを有し、これら反射面１３ａ、１３ｂは順次隣り
合うとともに、それぞれ所定の角度で傾斜して設けられ
ていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はシンクロトロン放射光
源から放射されたシンクロトロン放射光を反射させるＸ
線ミラ−に関する。
源から放射されたシンクロトロン放射光を反射させるＸ
線ミラ−に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、半導体集積回路のパタ−ンを形成
するリソグラフィ−において、光源にシンクロトロン放
射光を利用したＸ線リソグラフィ−が注目されている。
するリソグラフィ−において、光源にシンクロトロン放
射光を利用したＸ線リソグラフィ−が注目されている。
【０００３】図５は、一般的なＸ線露光装置を示す。つ
まり、同図中１は上記シンクロトロン放射光Ｌ（以下Ｘ
線Ｌという）を放射するシンクロトロン放射光源２が設
けられた超高真空の蓄積リングである。この放射光源２
から放射されたＸ線ＬはＸ線吸収材によりマスクパタ−
ンが描かれたＸ線マスク３を通して被加工物４を照射
し、上記Ｘ線マスク３のパタ−ンを上記被加工物４に塗
布されたレジスト膜５に転写するようになっている。
まり、同図中１は上記シンクロトロン放射光Ｌ（以下Ｘ
線Ｌという）を放射するシンクロトロン放射光源２が設
けられた超高真空の蓄積リングである。この放射光源２
から放射されたＸ線ＬはＸ線吸収材によりマスクパタ−
ンが描かれたＸ線マスク３を通して被加工物４を照射
し、上記Ｘ線マスク３のパタ−ンを上記被加工物４に塗
布されたレジスト膜５に転写するようになっている。
【０００４】上記Ｘ線Ｌは電子軌道面に対して平行な方
向には均一であるが、垂直方向には鋭い角度分布をもつ
ため、放射光源２から約１０ｍ離れた位置でも、均一な
露光領域は幅数mm程度しか得られない。
向には均一であるが、垂直方向には鋭い角度分布をもつ
ため、放射光源２から約１０ｍ離れた位置でも、均一な
露光領域は幅数mm程度しか得られない。
【０００５】そこで、均一露光領域を拡大するために、
上記Ｘ線Ｌの光路に斜入射型のＸ線ミラ−６を設け、こ
のＸ線ミラ−６を矢印で示すように振動させることが行
われている。
上記Ｘ線Ｌの光路に斜入射型のＸ線ミラ−６を設け、こ
のＸ線ミラ−６を矢印で示すように振動させることが行
われている。
【０００６】Ｘ線ミラ−６を図５に矢印で示す方向に振
動させれば、Ｘ線Ｌは上下方向に拡大されてＸ線マスク
３を通り、被加工物４に塗布されたレジスト膜５を照射
するから、露光領域を拡大することができる。
動させれば、Ｘ線Ｌは上下方向に拡大されてＸ線マスク
３を通り、被加工物４に塗布されたレジスト膜５を照射
するから、露光領域を拡大することができる。
【０００７】上記Ｘ線ミラ−６は、露光領域の拡大と均
一性とを考慮して振動を与えるばかりでなく、ミラ−形
状をトロイダルやシリンドリカルにするなどの工夫もな
されている。また、Ｘ線ミラ−６に耐熱性を持たせるた
めに材質をＳｉＣにしたり、Ｘ線、真空紫外線と称され
る光に対して屈折係数と吸収係数の小さいＰｔなどの物
質を上記Ｘ線ミラ−６の反射面にコ−テイングし、Ｘ線
Ｌの反射強度低下を小さくしている。
一性とを考慮して振動を与えるばかりでなく、ミラ−形
状をトロイダルやシリンドリカルにするなどの工夫もな
されている。また、Ｘ線ミラ−６に耐熱性を持たせるた
めに材質をＳｉＣにしたり、Ｘ線、真空紫外線と称され
る光に対して屈折係数と吸収係数の小さいＰｔなどの物
質を上記Ｘ線ミラ−６の反射面にコ−テイングし、Ｘ線
Ｌの反射強度低下を小さくしている。
【０００８】また、上記Ｘ線ミラ−６における反射率
は、斜入射角度を小さくすればする程、高くなる。その
ため、上記Ｘ線ミラ−６に対するＸ線Ｌの斜入射角度を
小さくするということが行われている。しかしながら、
Ｘ線ミラ−６への斜入射角度を小さくすると、出射角度
も小さくなるから、Ｘ線を所望する方向へ効率よく曲げ
ることが難しくなるということがある。
は、斜入射角度を小さくすればする程、高くなる。その
ため、上記Ｘ線ミラ−６に対するＸ線Ｌの斜入射角度を
小さくするということが行われている。しかしながら、
Ｘ線ミラ−６への斜入射角度を小さくすると、出射角度
も小さくなるから、Ｘ線を所望する方向へ効率よく曲げ
ることが難しくなるということがある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来はＸ
線ミラ−での反射率を高めるためには、このＸ線ミラ−
への斜入射角度を小さくしなければならなかったので、
Ｘ線を所望する方向へ効率よく曲げることができないと
いうことがあった。
線ミラ−での反射率を高めるためには、このＸ線ミラ−
への斜入射角度を小さくしなければならなかったので、
Ｘ線を所望する方向へ効率よく曲げることができないと
いうことがあった。
【００１０】この発明は上記事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、Ｘ線の斜入射角度を小
さくせずに、反射率を高くできるようにしたＸ線ミラ−
を提供することにある。
ので、その目的とするところは、Ｘ線の斜入射角度を小
さくせずに、反射率を高くできるようにしたＸ線ミラ−
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、Ｘ線を反射させるための反射面を有する
斜入射型のＸ線ミラ−において、複数の反射面を有し、
これら反射面は順次隣り合うとともに、それぞれ所定の
角度で傾斜して設けられていることを特徴とする。
にこの発明は、Ｘ線を反射させるための反射面を有する
斜入射型のＸ線ミラ−において、複数の反射面を有し、
これら反射面は順次隣り合うとともに、それぞれ所定の
角度で傾斜して設けられていることを特徴とする。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、Ｘ線ミラ−へのＸ線ミラ−
底部からの入射角度を大きくしても、Ｘ線が複数の反射
面で反射することで、高い反射率を得ることができる。
底部からの入射角度を大きくしても、Ｘ線が複数の反射
面で反射することで、高い反射率を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１４】図１はこの発明の第１の実施例を示すＸ線
ミラ−１１で、このＸ線ミラ−１１はＳｉＣによって形
成された本体１２を備えている。この本体１２の上面に
は、Ｐｔをコ−テイングして第１の反射面１３ａと第２
の反射面１３ｂとが水平な基準線Ｈに直交する垂線Ｖを
中心にして対称に形成されている。上記第１の反射面１
３ａの上記基準線Ｈに対する傾斜角度はθに設定されて
おり、上記第２の反射面１３ｂの上記基準線Ｈに対する
角度もθに設定されている。
ミラ−１１で、このＸ線ミラ−１１はＳｉＣによって形
成された本体１２を備えている。この本体１２の上面に
は、Ｐｔをコ−テイングして第１の反射面１３ａと第２
の反射面１３ｂとが水平な基準線Ｈに直交する垂線Ｖを
中心にして対称に形成されている。上記第１の反射面１
３ａの上記基準線Ｈに対する傾斜角度はθに設定されて
おり、上記第２の反射面１３ｂの上記基準線Ｈに対する
角度もθに設定されている。
【００１５】上記第１の反射面１３ａに入射したＸ線Ｌ
は第２の反射面１３ｂで反射して出射するようになって
いる。上記第１の反射面１３ａと第２の反射面１３ｂと
がそれぞれ基準線Ｈに対して角度θで傾斜していること
により、上記第１の反射面１３ａへＸ線Ｌがこの反射面
１３ａに対して角度θ、つまり基準線Ｈに対して角度２
θで入射したとすると、出射角度は第１の反射面１３ａ
に対してθとなり、また第２の反射面１３ｂに対する入
射角度と出射角度もその反射面１３ｂに対してθとな
る。つまり、Ｘ線Ｌは各反射面１３ａ、１３ｂに対して
角度θで入出射するが、Ｘ線ミラ−１１の本体１２を基
準にした場合、基準線Ｈに対しては２θで入出射するこ
とになる。
は第２の反射面１３ｂで反射して出射するようになって
いる。上記第１の反射面１３ａと第２の反射面１３ｂと
がそれぞれ基準線Ｈに対して角度θで傾斜していること
により、上記第１の反射面１３ａへＸ線Ｌがこの反射面
１３ａに対して角度θ、つまり基準線Ｈに対して角度２
θで入射したとすると、出射角度は第１の反射面１３ａ
に対してθとなり、また第２の反射面１３ｂに対する入
射角度と出射角度もその反射面１３ｂに対してθとな
る。つまり、Ｘ線Ｌは各反射面１３ａ、１３ｂに対して
角度θで入出射するが、Ｘ線ミラ−１１の本体１２を基
準にした場合、基準線Ｈに対しては２θで入出射するこ
とになる。
【００１６】図２はＳｉＣ−ＰｔＸ線ミラ−に波長が9.
8 オングストロ−ムのＸ線が入射した場合の斜入射角度
と反射率との関係を示し、同図中曲線Ａは反射面の表面
粗さが０、曲線Ｂは２０オングストロ−ムの場合であ
る。
8 オングストロ−ムのＸ線が入射した場合の斜入射角度
と反射率との関係を示し、同図中曲線Ａは反射面の表面
粗さが０、曲線Ｂは２０オングストロ−ムの場合であ
る。
【００１７】この図２を参照して従来のＸ線ミラ−とこ
の発明のＸ線ミラ−１１とを比較すると、従来のＸ線ミ
ラ−において、Ｘ線の斜入射角度が基準線Ｈに対して２
θ（２θ＝２度とする）の場合、反射面の表面粗さが０
の場合の反射率は６０％となり、表面粗さが２０オング
ストロ−ムの場合の反射率は２７％となる。
の発明のＸ線ミラ−１１とを比較すると、従来のＸ線ミ
ラ−において、Ｘ線の斜入射角度が基準線Ｈに対して２
θ（２θ＝２度とする）の場合、反射面の表面粗さが０
の場合の反射率は６０％となり、表面粗さが２０オング
ストロ−ムの場合の反射率は２７％となる。
【００１８】これに対してこの発明は、Ｘ線の斜入射角
度が基準線Ｈに対して２θ（２度）の場合、第１の反射
面１３ａと第２の反射面１３ｂに対する斜入射角度は
θ、つまり１度となるから、表面粗さが０のときの各反
射面１３ａ、１３ｂの反射率はそれぞれ８０％である。
そのため、第１の反射面１３ａに入射して第２の反射面
１３ｂから出射するＸ線Ｌの反射率は（0.8 ×0.8 ＝0.
64）で求められるから、Ｘ線ミラ−１１の全体の反射率
は６４％となる。また、第１の反射面１３ａと第２の反
射面１３ｂとの表面粗さが２０オングストロ−ムの場
合、各反射面での反射率６６％であるから、全体の反射
率は、（0.66×0.66）で求められ、４４％となる。
度が基準線Ｈに対して２θ（２度）の場合、第１の反射
面１３ａと第２の反射面１３ｂに対する斜入射角度は
θ、つまり１度となるから、表面粗さが０のときの各反
射面１３ａ、１３ｂの反射率はそれぞれ８０％である。
そのため、第１の反射面１３ａに入射して第２の反射面
１３ｂから出射するＸ線Ｌの反射率は（0.8 ×0.8 ＝0.
64）で求められるから、Ｘ線ミラ−１１の全体の反射率
は６４％となる。また、第１の反射面１３ａと第２の反
射面１３ｂとの表面粗さが２０オングストロ−ムの場
合、各反射面での反射率６６％であるから、全体の反射
率は、（0.66×0.66）で求められ、４４％となる。
【００１９】したがって、従来に比べＸ線ミラ−１１の
基準線Ｈに対するＸ線Ｌの斜入射角度を２倍にしても、
表面粗さが０の場合には反射率が４％上昇し、２０オン
グストロ−ムの場合には１７％上昇することになる。
基準線Ｈに対するＸ線Ｌの斜入射角度を２倍にしても、
表面粗さが０の場合には反射率が４％上昇し、２０オン
グストロ−ムの場合には１７％上昇することになる。
【００２０】図３はこの発明の第２の実施例を示す。こ
の発明のＸ線ミラ−２０は第１の反射面２１ａが形成さ
れた第１の板状体２１と第２の反射面２２ａが形成され
た第２の板状体２２との一端部に形成された連結部２１
ｂ、２２ｂが連結軸２３によって回動自在かつ角度調節
自在に連結されている。
の発明のＸ線ミラ−２０は第１の反射面２１ａが形成さ
れた第１の板状体２１と第２の反射面２２ａが形成され
た第２の板状体２２との一端部に形成された連結部２１
ｂ、２２ｂが連結軸２３によって回動自在かつ角度調節
自在に連結されている。
【００２１】このような構成のＸ線ミラ−２１によれ
ば、上記第１の実施例と同様、基準線Ｈに対するＸ線Ｌ
の入射角度を大きくしても、高い反射率を得ることがで
きるばかりか、上記基準線Ｈに対する第１の反射面２１
ａと第２の反射面２２ａとの傾斜角度を任意に設定する
ことができる。
ば、上記第１の実施例と同様、基準線Ｈに対するＸ線Ｌ
の入射角度を大きくしても、高い反射率を得ることがで
きるばかりか、上記基準線Ｈに対する第１の反射面２１
ａと第２の反射面２２ａとの傾斜角度を任意に設定する
ことができる。
【００２２】図４はこの発明の第３の実施例を示す。こ
の発明のＸ線ミラ−３１は本体３２を有し、この本体３
２の上面側には、たとえば第１乃至第５の反射面３３
ａ、３３ｂ、…３３ｅが順次所定の角度で傾斜して凹状
に形成されている。
の発明のＸ線ミラ−３１は本体３２を有し、この本体３
２の上面側には、たとえば第１乃至第５の反射面３３
ａ、３３ｂ、…３３ｅが順次所定の角度で傾斜して凹状
に形成されている。
【００２３】このような構成によれば、Ｘ線Ｌが第１の
反射面３３ａに入射する角度をθとし、このＸ線Ｌが第
２乃至第５の反射面３３ｂ〜３３ｅに順次θの角度で入
射するとした場合、第１の反射面３３ａに入射するＸ線
Ｌの基準線Ｈに対する角度は５θにできるばかりか、Ｘ
線ミラ−３１の全体の反射率も反射面の数に応じて向上
させることができる。
反射面３３ａに入射する角度をθとし、このＸ線Ｌが第
２乃至第５の反射面３３ｂ〜３３ｅに順次θの角度で入
射するとした場合、第１の反射面３３ａに入射するＸ線
Ｌの基準線Ｈに対する角度は５θにできるばかりか、Ｘ
線ミラ−３１の全体の反射率も反射面の数に応じて向上
させることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、Ｘ線を反
射させるための反射面を有する斜入射型のＸ線ミラ−に
おいて、複数の反射面を有し、これら反射面は順次隣り
合うとともに、それぞれ所定の角度で傾斜して設けたこ
とを特徴とする。
射させるための反射面を有する斜入射型のＸ線ミラ−に
おいて、複数の反射面を有し、これら反射面は順次隣り
合うとともに、それぞれ所定の角度で傾斜して設けたこ
とを特徴とする。
【００２５】したがって、Ｘ線を複数の反射面で順次反
射させることで、１つの反射面で反射させる従来に比べ
て高い反射率でＸ線を出射させることができる。つま
り、Ｘ線の反射率を高めるのに、反射面への斜入射角度
を小さくせずに行えるから、Ｘ線を所望する方向へ容易
に曲げることが可能となるなどの利点を有する。
射させることで、１つの反射面で反射させる従来に比べ
て高い反射率でＸ線を出射させることができる。つま
り、Ｘ線の反射率を高めるのに、反射面への斜入射角度
を小さくせずに行えるから、Ｘ線を所望する方向へ容易
に曲げることが可能となるなどの利点を有する。
【図１】この発明の第１の実施例のＸ線ミラ−を示す拡
大断面図。
大断面図。
【図２】同じく斜入射角度と反射率の関係を示す図。
【図３】この発明の第２の実施例を示すＸ線ミラ−の拡
大断面図。
大断面図。
【図４】この発明の第３の実施例を示すＸ線ミラ−の拡
大断面図。
大断面図。
【図５】従来の一般的なＸ線露光装置の概略図。
１１、２１、３１…Ｘ線ミラ−、１２…本体、１３ａ、
２１ａ…第１の反射面、１３ｂ、２２ａ…第２の反射
面、３３ａ〜３３ｅ…第１乃至第５の反射面。
２１ａ…第１の反射面、１３ｂ、２２ａ…第２の反射
面、３３ａ〜３３ｅ…第１乃至第５の反射面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 13/04 Ｕ 9014−2Ｇ // Ｈ０１Ｓ 3/08
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｘ線を反射させるための反射面を有する
斜入射型のＸ線ミラ−において、複数の反射面を有し、
これら反射面は順次隣り合うとともに、それぞれ所定の
角度で傾斜して設けられていることを特徴とするＸ線ミ
ラ−。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243747A JPH0580199A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | Ｘ線ミラ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243747A JPH0580199A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | Ｘ線ミラ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580199A true JPH0580199A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17108386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243747A Pending JPH0580199A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | Ｘ線ミラ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580199A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009545181A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | メディア ラリオ ソシエタ ア レスポンサビリタ リミタータ | 多重反射光学システム及びその製作 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3243747A patent/JPH0580199A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009545181A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | メディア ラリオ ソシエタ ア レスポンサビリタ リミタータ | 多重反射光学システム及びその製作 |
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