JPH0579946U - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本考案は、小型のＩＣパッケージを製作する場
合であっても、アイランドが不安定になることなく、該
アイランド上に載置されたＩＣチップのワイヤボンディ
ングが確実に行なわれ得るようにした、半導体装置を提
供することを目的とする。
【構成】アイランド２を支持する吊りリードと、該吊り
リードに隣接して配設され且つ互いにタイバー部５によ
り連結されたインナーリード４とを含む、リードフレー
ム１に関して、該リードフレームをボンディングテーブ
ル１１上に載置し、上方から固定部材８によりインナー
リードの根元部分を押さえた状態にて、該アイランド上
に載置されたＩＣチップ１２等とインナーリードとの間
に、所定のワイヤボンディングを行なう半導体装置にお
いて、該ボンディングテーブルの上面が、上記インナー
リード及びタイバー部を除いた部分に対応する領域に
て、所定深さの凹陥部１１ａを備えているように、半導
体装置構成する。
(57) [Summary] [Object] The present invention ensures reliable wire bonding of an IC chip mounted on an island without instability of the island even when manufacturing a small IC package. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device adapted to be carried out. A lead frame 1 including a suspension lead supporting an island 2 and an inner lead 4 disposed adjacent to the suspension lead and connected to each other by a tie bar portion 5 is provided with a bonding table 11 for the lead frame. Predetermined wire bonding is performed between the IC chip 12 and the like placed on the island and the inner lead, with the inner lead being held by the fixing member 8 from above. In the semiconductor device, the semiconductor device is configured such that the upper surface of the bonding table is provided with a recessed portion 11a having a predetermined depth in a region corresponding to a portion excluding the inner lead and the tie bar portion.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、アイランドを支持する吊りリードと、該吊りリードに隣接して配設 されたインナーリードとを含む、リードフレームに対して、ワイヤボンディング を行なう半導体装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device for wire-bonding a lead frame including a suspension lead supporting an island and an inner lead disposed adjacent to the suspension lead.
【０００２】[0002]
従来、リードフレームに対してワイヤボンディングを行なう場合、例えば図３ に示すようにしている。即ち、図３において、リードフレーム１は、アイランド ２を支持する吊りリード３と、該吊りリード３に隣接して配設された複数個、図 示の場合８個のインナーリード４と、各インナーリード４を外側の端部付近で互 いに連結するタイバー部５とから構成されており、さらに上記吊りリード３とタ イバー部５とは、外側の支持フレーム６により連結されている。 Conventionally, when wire bonding is performed on a lead frame, for example, it is done as shown in FIG. That is, in FIG. 3, the lead frame 1 includes a suspension lead 3 that supports the island 2, a plurality of inner leads 4 arranged adjacent to the suspension lead 3, and eight inner leads 4 in the illustrated case, and each inner lead. The lead 4 is composed of a tie bar portion 5 which connects the leads 4 to each other in the vicinity of the outer end thereof, and the suspension lead 3 and the tire portion 5 are connected by an outer support frame 6.
【０００３】 このようなリードフレーム１に対してワイヤボンディングを行なう場合、先づ アイランド２上にＩＣチップ９等を載置した後、該リードフレーム１を、加熱さ れたボンディングテーブル７上に載置して、各インナーリード４の根元部分と、 吊りリード３の中間部分を、固定部材８により上方から押さえることにより、該 アイランド２及び各インナーリード４をそれぞれ固定保持する。When wire bonding is performed on such a lead frame 1, the IC chip 9 or the like is first placed on the island 2 and then the lead frame 1 is placed on the heated bonding table 7. Then, the roots of the inner leads 4 and the intermediate portions of the suspension leads 3 are pressed from above by the fixing member 8, whereby the island 2 and the inner leads 4 are fixed and held, respectively.
【０００４】 そして、該ボンディングテーブル７からの熱を該リードフレーム１を介して、 ＩＣチップ９のアルミニウム等から成る電極に伝導させ、この状態にて、該アイ ランド２上に載置されたＩＣチップ９と各インナーリード４の間にて、金線等の ボンディングワイヤの先端に対して、ボンディングツールによる圧着荷重及び超 音波振動を印加することによって、必要なワイヤボンディングが行なわれ得るよ うになっている。Then, the heat from the bonding table 7 is conducted to the electrode made of aluminum or the like of the IC chip 9 via the lead frame 1, and in this state, the IC mounted on the land 2 is transferred. Necessary wire bonding can be performed by applying a crimping load by a bonding tool and ultrasonic vibration to the tip of a bonding wire such as a gold wire between the chip 9 and each inner lead 4. ing.
【０００５】 ここで、上記ボンディングテーブル７は、図４に示すように、リードフレーム １のアイランド２に対応する領域のみが、僅かな深さの凹陥部７ａを備えている 。これにより、ワイヤボンディング時のアイランド２のディプレスが、吸収され 得るようになっている。Here, in the bonding table 7, as shown in FIG. 4, only a region corresponding to the island 2 of the lead frame 1 is provided with a recessed portion 7a having a slight depth. As a result, the depression of the island 2 during wire bonding can be absorbed.
【０００６】[0006]
しかしながら、このような構成の半導体装置のワイヤボンディングによれば、 近年のＩＣパッケージの小型化に伴って、インナーリード４も小さくなってきて おり、従って固定部材８によりインナーリード４を固定しようとしたとき、図５ に示すように、固定部材８がタイバー部５も押さえてしまうことがある。 However, according to the wire bonding of the semiconductor device having such a configuration, the inner lead 4 is becoming smaller along with the downsizing of the IC package in recent years. Therefore, the fixing member 8 is used to fix the inner lead 4. At this time, as shown in FIG. 5, the fixing member 8 may also press the tie bar portion 5.
【０００７】 これは、固定部材８の加工精度を向上させることができないことと、ワイヤボ ンディング工程を確実に行なうために十分な固定を実現するためには、インナー リード４に対する接触面積を小さくすることができないことによるものである。This is because it is impossible to improve the processing accuracy of the fixing member 8 and to reduce the contact area with the inner lead 4 in order to achieve sufficient fixing for surely performing the wire bonding process. This is due to the inability to do so.
【０００８】 このようにして、タイバー部５が固定部材８により押さえられると、該固定部 材８からタイバー部５に加えられる力及びこの力に対するボンディングテーブル ７の表面からの反発力が、該タイバー部５から支持フレーム６を介して、図５（ Ａ）にて、矢印で示すように、吊りリード３に伝達されることになる。When the tie bar portion 5 is pressed by the fixing member 8 in this way, the force applied from the fixing member 8 to the tie bar portion 5 and the repulsive force from the surface of the bonding table 7 against this force are applied to the tie bar portion 5. It is transmitted from the portion 5 to the suspension lead 3 through the support frame 6 as shown by an arrow in FIG.
【０００９】 このとき、該支持フレーム６及び吊りリード３は、ボンディングテーブル７の 表面に当接していることから、この力によって変形せしめられて、該表面から浮 き上がってしまうことになる。At this time, since the support frame 6 and the suspension leads 3 are in contact with the surface of the bonding table 7, they are deformed by this force and float from the surface.
【００１０】 従って、アイランド２は、図３に示すように、該吊りリード３による支持が不 安定となり、ワイヤボンディングの際に必要なボンディングテーブル７からの熱 伝導や、ボンディングツールによる圧着荷重や超音波振動の印加が十分に行なわ れなくなり、金線等のボンディングワイヤとＩＣチップ９のアルミニウム電極と の接合が確実に行なわれ得ないという問題があった。Therefore, as shown in FIG. 3, the island 2 is not supported stably by the suspension leads 3, and the heat conduction from the bonding table 7 necessary for wire bonding, the pressure applied by the bonding tool, and the excessive load. There is a problem that the application of sound wave vibration is not sufficiently performed, and the bonding wire such as a gold wire and the aluminum electrode of the IC chip 9 cannot be reliably bonded.
【００１１】 本考案は、以上の点に鑑み、小型のＩＣパッケージを製作する場合であっても 、アイランドが不安定になることなく、該アイランド上に載置されたＩＣチップ のワイヤボンディングが確実に行なわれ得るようにした、半導体装置のワイヤボ ンディングを提供することを目的としている。In view of the above points, the present invention ensures reliable wire bonding of an IC chip mounted on an island without making the island unstable even when manufacturing a small IC package. It is an object of the present invention to provide a wire bonding of a semiconductor device, which can be carried out.
【００１２】[0012]
上記目的は、アイランドを支持する吊りリードと、該吊りリードに隣接して配 設され且つ互いにタイバー部により連結されたインナーリードとを含む、リード フレームに関して、該リードフレームをボンディングテーブル上に載置し、上方 から固定部材によりインナーリードの根元部分を押さえた状態にて、該アイラン ド上に載置されたＩＣチップ等とインナーリードとの間に、所定のワイヤボンデ ィングを行なうようにした、半導体装置において、該ボンディングテーブルの上 面が、上記インナーリード及びタイバー部を除いた部分に対応する領域にて、所 定深さの凹陥部を備えていることを特徴とする、半導体装置により、達成される 。 With respect to the lead frame, the above-mentioned object includes a suspension lead supporting an island and an inner lead arranged adjacent to the suspension lead and connected to each other by a tie bar portion. Then, a predetermined wire bonding is performed between the inner lead and the IC chip or the like placed on the island, with the base portion of the inner lead being pressed from above by the fixing member. In a semiconductor device, an upper surface of the bonding table is provided with a recessed portion having a predetermined depth in a region corresponding to a portion excluding the inner lead and the tie bar portion. Be done.
【００１３】[0013]
上記構成によれば、ボンディングテーブルの上面が、その上に載置されるリー ドフレームのインナーリード及びタイバー部を除いた部分に対応する領域に、凹 陥部を備えているので、小型のＩＣパッケージを製作する場合に、リードフレー ムが小さく形成されていて、固定部材の先端が、該リードフレームのインナーリ ードの根元部分と共に、該インナーリードを互いに連結するタイバー部を押さえ るようになったとしても、固定部材の先端から該タイバー部に加えられる力及び この力に対するボンディングテーブル７の表面からの反発力が、該タイバー部か ら支持フレームを介して吊りリードに伝達されるとき、支持フレーム及び吊りリ ードは、該ボンディングテーブル表面に設けられた凹陥部の上に位置しているこ とから、該表面には接触していないので、該力によって変形するようなことがな い。 According to the above structure, the upper surface of the bonding table is provided with the recessed portion in the region corresponding to the portion of the lead frame mounted thereon, excluding the inner leads and the tie bar portion, so that a small IC is provided. When manufacturing a package, the lead frame is formed small, and the tip of the fixing member presses the tie bar portion connecting the inner leads together with the root portion of the inner lead of the lead frame. Even if the force applied from the tip of the fixing member to the tie bar portion and the repulsive force from the surface of the bonding table 7 against this force are transmitted from the tie bar portion to the suspension lead through the support frame, the support is provided. Since the frame and the suspension lead are located on the concave portion provided on the surface of the bonding table, Since not in contact, not name it as deformed by the force.
【００１４】 従って該ボンディングテーブルの表面位置から浮き上がるようなことがないの で、アイランドが安定的に保持されており、かくしてワイヤボンディングが確実 に行なわれ得ることになる。Therefore, the island does not float up from the surface position of the bonding table, the island is stably held, and thus the wire bonding can be reliably performed.
【００１５】[0015]
以下、図面に示した実施例に基づいて、本考案を詳細に説明する。 図１は、本考案を実施するためのワイヤボンディング装置の一実施例を示して おり、ワイヤボンディング装置１０は、ボンディングテーブル１１上に、図３に 示したと同様のリードフレーム１が載置されている。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of a wire bonding apparatus for carrying out the present invention. In the wire bonding apparatus 10, a lead frame 1 similar to that shown in FIG. 3 is placed on a bonding table 11. There is.
【００１６】 上記ボンディングテーブル１１は、図２に示すように、リードフレーム１のイ ンナーリード４及びタイバー部５を除いた部分に対応する領域、即ちアイランド ２，吊りリード３及び支持フレーム６に対応する領域が、僅かな深さの凹陥部１ １ａを備えるように形成されている。As shown in FIG. 2, the bonding table 11 corresponds to a region corresponding to a portion of the lead frame 1 excluding the inner leads 4 and the tie bar portions 5, that is, the island 2, the suspension leads 3 and the support frame 6. The region is formed with a slight depth of recess 11a.
【００１７】 これにより、ワイヤボンディング時のアイランド２，吊りリード３及び支持フ レーム６のディプレスが、吸収され得るようになっている。As a result, the depression of the island 2, the suspension lead 3 and the support frame 6 during wire bonding can be absorbed.
【００１８】 本考案によるワイヤボンディング装置１０は、以上のように構成されており、 リードフレーム１に対してワイヤボンディングを行なう場合、先づアイランド２ 上にＩＣチップ１２を載置した後、該リードフレーム１を、加熱されたボンディ ングテーブル１１上に載置して、各インナーリード４の根元部分と、吊りリード ３の中間部分を、図３（Ｂ）と同様な固定部材８により上方から押さえることに より、該アイランド２及び各インナーリード４をそれぞれ固定保持する。The wire bonding apparatus 10 according to the present invention is configured as described above, and when wire bonding is performed on the lead frame 1, after the IC chip 12 is first mounted on the island 2, The frame 1 is placed on the heated bonding table 11, and the root portions of the inner leads 4 and the intermediate portions of the suspension leads 3 are pressed from above by a fixing member 8 similar to FIG. 3B. As a result, the island 2 and each inner lead 4 are fixedly held.
【００１９】 この状態にて、該ボンディングテーブル１１からの熱を該リードフレーム１を 介して、ＩＣチップ１２のアルミニウム等から成る電極に伝導させると共に、該 アイランド２上に載置されたＩＣチップ１２と各インナーリード４の間にて、金 線等のボンディングワイヤの先端に対して、ボンディングツールによる圧着荷重 及び超音波振動を印加することによって、必要なワイヤボンディングが行なわれ 得る。In this state, the heat from the bonding table 11 is conducted to the electrodes made of aluminum or the like of the IC chip 12 via the lead frame 1 and the IC chip 12 mounted on the island 2 is also conducted. Between each of the inner leads 4 and each of the inner leads 4, necessary wire bonding can be performed by applying a crimping load by a bonding tool and ultrasonic vibration to the tip of a bonding wire such as a gold wire.
【００２０】 ここで、小型のＩＣパッケージを製作する場合に、固定部材８の先端が、該リ ードフレーム１のインナーリード４の根元部分と共に、該インナーリード４を互 いに連結するタイバー部５を押さえるようになったときには、固定部材８の先端 から該タイバー部５に加えられる力及びこの力に対するボンディングテーブル１ １の表面からの反発力は、該タイバー部５から支持フレーム６を介して吊りリー ド３に伝達される。Here, in the case of manufacturing a small IC package, the tip end of the fixing member 8 together with the root portion of the inner lead 4 of the lead frame 1 forms the tie bar portion 5 that connects the inner leads 4 to each other. When the pressure is applied, the force applied from the tip of the fixing member 8 to the tie bar portion 5 and the repulsive force from the surface of the bonding table 11 against this force are hung from the tie bar portion 5 via the support frame 6. It is transmitted to D3.
【００２１】 しかしながら、このとき、支持フレーム６及び吊りリード３は、該ボンディン グテーブル１１の表面に設けられた凹陥部１１ａの上に位置していることから、 該表面には接触していないので、該力によって変形するようなことがなく、該ボ ンディングテーブルの表面位置から浮き上がるようなことがない。However, at this time, since the support frame 6 and the suspension lead 3 are located on the recessed portion 11a provided on the surface of the bonding table 11, they are not in contact with the surface. Moreover, it is not deformed by the force, and is not lifted from the surface position of the bonding table.
【００２２】 従って、アイランド２は、安定的に保持されていることから、ワイヤボンディ ングの際に必要なボンディングテーブル１１からの熱伝導や、ボンディングツー ルによる圧着荷重や超音波振動の印加が十分に行なわれ得るので、金線等のボン ディングワイヤとＩＣチップ１２の電極との接合が確実に行なわれ得ることにな り、かくして、ワイヤボンディングが確実に行なわれ得ることになる。Therefore, since the island 2 is stably held, the heat conduction from the bonding table 11 necessary for wire bonding, the compression load by the bonding tool, and the application of ultrasonic vibration are sufficient. Therefore, the bonding wire such as a gold wire and the electrode of the IC chip 12 can be reliably bonded, and thus the wire bonding can be reliably performed.
【００２３】[0023]
以上述べたように、本考案によれば、小型のＩＣパッケージを製作する場合で あっても、アイランドが不安定になることなく、該アイランド上に載置されたＩ Ｃチップのワイヤボンディングが確実に行なわれ得る、極めて優れた半導体装置 が提供され得ることになる。 As described above, according to the present invention, even when a small IC package is manufactured, the island is not unstable, and the IC chip mounted on the island can be wire-bonded reliably. It is possible to provide an extremely excellent semiconductor device that can be carried out.
【図１】本考案による方法を実施するための装置の一実
施例を示す概略平面図である。1 is a schematic plan view showing one embodiment of an apparatus for carrying out the method according to the present invention.
【図２】図１の装置で使用されるボンディングテーブル
を示し、（Ａ）は平面図、及び（Ｂ）は断面図である。2 shows a bonding table used in the apparatus of FIG. 1, (A) is a plan view, and (B) is a sectional view.
【図３】従来のワイヤボンディング装置の一例を示す
（Ａ）は平面図、及び（Ｂ）は断面図である。FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a sectional view showing an example of a conventional wire bonding apparatus.
【図４】図３の装置で使用されるボンディングテーブル
を示し、（Ａ）は平面図、及び（Ｂ）は断面図である。4A and 4B show a bonding table used in the apparatus of FIG. 3, where FIG. 4A is a plan view and FIG. 4B is a sectional view.
【図５】図３の装置により小型化ＩＣチップにワイヤボ
ンディングを行なう場合を示し、（Ａ）は平面図、及び
（Ｂ）は断面図である。5A and 5B show a case where wire bonding is performed on a miniaturized IC chip by the apparatus of FIG. 3, FIG. 5A being a plan view and FIG. 5B being a sectional view.
１ リードフレーム ２ アイランド ３ 吊りリード ４ インナーリード ５ タイバー部 ６，１１ 支持フレーム ８ 固定部材 １０ ワイヤボンディング装置 １１ ボンディングテーブル １２ ＩＣチップ 1 Lead Frame 2 Island 3 Suspended Lead 4 Inner Lead 5 Tie Bar Part 6, 11 Support Frame 8 Fixing Member 10 Wire Bonding Device 11 Bonding Table 12 IC Chip
Claims (1)
吊りリードに隣接して配設され且つ互いにタイバー部に
より連結されたインナーリードとを含む、リードフレー
ムに関して、該リードフレームをボンディングテーブル
上に載置し、上方から固定部材によりインナーリードの
根元部分を押さえた状態にて、該アイランド上に載置さ
れたＩＣチップ等とインナーリードとの間に、所定のワ
イヤボンディングを行なうようにした、半導体装置にお
いて、 該ボンディングテーブルの上面が、上記インナーリード
及びタイバー部を除いた部分に対応する領域にて、所定
深さの凹陥部を備えていることを特徴とする、半導体装
置。1. A lead frame comprising a suspension lead for supporting an island and an inner lead disposed adjacent to the suspension lead and connected to each other by a tie bar portion, the lead frame being mounted on a bonding table. The semiconductor chip is designed to be wire-bonded between the inner lead and an IC chip or the like mounted on the island, while holding the root of the inner lead from above by a fixing member. In the device, the upper surface of the bonding table is provided with a recessed portion having a predetermined depth in a region corresponding to a portion excluding the inner lead and the tie bar portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP027216U JPH0579946U (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP027216U JPH0579946U (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0579946U true JPH0579946U (en) | 1993-10-29 |
Family
ID=12214910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP027216U Pending JPH0579946U (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0579946U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014007363A (en) * | 2012-06-27 | 2014-01-16 | Renesas Electronics Corp | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP027216U patent/JPH0579946U/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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