JPH0575356A - 電力増幅回路 - Google Patents
電力増幅回路Info
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- JPH0575356A JPH0575356A JP23173191A JP23173191A JPH0575356A JP H0575356 A JPH0575356 A JP H0575356A JP 23173191 A JP23173191 A JP 23173191A JP 23173191 A JP23173191 A JP 23173191A JP H0575356 A JPH0575356 A JP H0575356A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電力増幅用トランジスタの数を増やすことな
く、その電力増幅用トランジスタの飽和出力を可変させ
る。 【構成】電力増幅用のトランジスタ１は、複数の小セル
から構成されている。第１のバイアス回路は、複数の小
セルのうち、所定の小セルにバイアスを印加することが
できる。第２のバイアス回路は、前記所定の小セル以外
のセルにバイアスを印加することができる。また、前記
所定の小セル以外のセルおよび前記第２のバイアス回路
の間にＭＯＳＦＥＴ１２が接続されている。これによ
り、ＭＯＳＦＥＴ１２のオンまたはオフを制御し、電力
増幅用のトランジスタ１の飽和出力を可変させることが
できる。
く、その電力増幅用トランジスタの飽和出力を可変させ
る。 【構成】電力増幅用のトランジスタ１は、複数の小セル
から構成されている。第１のバイアス回路は、複数の小
セルのうち、所定の小セルにバイアスを印加することが
できる。第２のバイアス回路は、前記所定の小セル以外
のセルにバイアスを印加することができる。また、前記
所定の小セル以外のセルおよび前記第２のバイアス回路
の間にＭＯＳＦＥＴ１２が接続されている。これによ
り、ＭＯＳＦＥＴ１２のオンまたはオフを制御し、電力
増幅用のトランジスタ１の飽和出力を可変させることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に電子回路の給電に
使用される高周波電力増幅回路の改良に関する。
使用される高周波電力増幅回路の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、デジタル送信方式には、Ａ級また
はＡＢ級増幅が用いられている。これは、デジタル送信
において変調歪みを極力減らすためである。本方式で
は、増幅器の飽和出力は、送信機本体の飽和出力の２倍
程度にすることが要求されている。これは、増幅器の出
力に直線性を有する領域において増幅を行うためであ
る。
はＡＢ級増幅が用いられている。これは、デジタル送信
において変調歪みを極力減らすためである。本方式で
は、増幅器の飽和出力は、送信機本体の飽和出力の２倍
程度にすることが要求されている。これは、増幅器の出
力に直線性を有する領域において増幅を行うためであ
る。
【０００３】一方、アナログ送信方式には、Ｃ級増幅が
用いられている。本方式では、増幅器の飽和出力は、送
信機本体の飽和出力と同等またはやや大きい程度がよ
い。これは、増幅器の出力に直線性は特に必要がないか
らである。以上のように、一般的には、送信方式に応じ
て、飽和出力が異なる増幅器を使用している。
用いられている。本方式では、増幅器の飽和出力は、送
信機本体の飽和出力と同等またはやや大きい程度がよ
い。これは、増幅器の出力に直線性は特に必要がないか
らである。以上のように、一般的には、送信方式に応じ
て、飽和出力が異なる増幅器を使用している。
【０００４】ところで、ＦＭ変調方式によるアナログ通
信を主とした自動車電話などの移動通信も転換期を迎え
ようとしている。すなわち、加入者の増加や無線の機密
保持などを目的として、デジタル通信化が主流となりつ
つある。
信を主とした自動車電話などの移動通信も転換期を迎え
ようとしている。すなわち、加入者の増加や無線の機密
保持などを目的として、デジタル通信化が主流となりつ
つある。
【０００５】ここに、上記二つの送信方式は、当該転換
期に混在して用いられる可能性があり、どちらにも対応
できる電力増幅器の要求は強いものとなっている。例え
ば、米国での現行のアナログ自動車電話方式では、出力
段電力増幅器（ＰｏｗｅｒＡｍｐ．モジュール、以下Ｐ
Ａモジュールという。）の出力としては、６Ｗが要求さ
れている。これに対し、デジタル自動車電話方式では、
アナログ出力と同等の６Ｗを得るために、最低１２Ｗ前
後の飽和出力を持つリニアアンプが必要である。なぜな
ら、デジタル変調の場合、前述のごとく、直線性の良い
増幅が求められ、ＰＡモジュールの出力が飽和する前に
増幅が行われるからである。このため、両方式を同一の
ＰＡモジュールで増幅する場合、デジタル送信方式の飽
和出力まで得られるものが必要となる。
期に混在して用いられる可能性があり、どちらにも対応
できる電力増幅器の要求は強いものとなっている。例え
ば、米国での現行のアナログ自動車電話方式では、出力
段電力増幅器（ＰｏｗｅｒＡｍｐ．モジュール、以下Ｐ
Ａモジュールという。）の出力としては、６Ｗが要求さ
れている。これに対し、デジタル自動車電話方式では、
アナログ出力と同等の６Ｗを得るために、最低１２Ｗ前
後の飽和出力を持つリニアアンプが必要である。なぜな
ら、デジタル変調の場合、前述のごとく、直線性の良い
増幅が求められ、ＰＡモジュールの出力が飽和する前に
増幅が行われるからである。このため、両方式を同一の
ＰＡモジュールで増幅する場合、デジタル送信方式の飽
和出力まで得られるものが必要となる。
【０００６】図３は、従来のＰＡモジュールの平面パタ
ーン図を示している。また、図４は、図３のＰＡモジュ
ールの等価回路図を示している。３１は、電力増幅用ト
ランジスタであり、複数の小セルから構成されている。
電力増幅用トランジスタ３１のベースボンディングパタ
ーン３２は、ベース給電用パターン３３に接続されてい
る。また、温度補償用のダイオード３４のアノードは、
ベース給電用パターン３３に接続され、カソードは、接
地点ＧＮＤに接続されている。さらに、ダイオード３４
のアノードは、バイアス用の抵抗３５を介して電源端子
３６に接続されている。
ーン図を示している。また、図４は、図３のＰＡモジュ
ールの等価回路図を示している。３１は、電力増幅用ト
ランジスタであり、複数の小セルから構成されている。
電力増幅用トランジスタ３１のベースボンディングパタ
ーン３２は、ベース給電用パターン３３に接続されてい
る。また、温度補償用のダイオード３４のアノードは、
ベース給電用パターン３３に接続され、カソードは、接
地点ＧＮＤに接続されている。さらに、ダイオード３４
のアノードは、バイアス用の抵抗３５を介して電源端子
３６に接続されている。
【０００７】しかしながら、このようなＰＡモジュール
によりアナログ送信を行うと、出力が飽和出力の半分程
度に抑えられるめ、電力効率が悪い。また、アナログ送
信時の電力効率を良好にするような設計をしても、電力
効率と増幅器の直線性は、互いに相反する特性を持つの
が一般的であるから、変調歪みの増加は、免れないとい
う欠点がある。
によりアナログ送信を行うと、出力が飽和出力の半分程
度に抑えられるめ、電力効率が悪い。また、アナログ送
信時の電力効率を良好にするような設計をしても、電力
効率と増幅器の直線性は、互いに相反する特性を持つの
が一般的であるから、変調歪みの増加は、免れないとい
う欠点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、自動車電
話などの移動通信の方式が、アナログ通信方式からデジ
タル通信方式へ転換される時期には、両方式が混在して
使用される。このため、かかる時期においては、電力増
幅器には、これら二つの方式に対応できるような機能が
要求される。しかし、従来では、上記二つの方式に対応
できるような電力増幅器が存在しない。
話などの移動通信の方式が、アナログ通信方式からデジ
タル通信方式へ転換される時期には、両方式が混在して
使用される。このため、かかる時期においては、電力増
幅器には、これら二つの方式に対応できるような機能が
要求される。しかし、従来では、上記二つの方式に対応
できるような電力増幅器が存在しない。
【０００９】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、電力増幅回路のバイアス供給を切
り替えることにより、１つの電力増幅用トランジスタの
飽和出力を可変できるようにすることである。
もので、その目的は、電力増幅回路のバイアス供給を切
り替えることにより、１つの電力増幅用トランジスタの
飽和出力を可変できるようにすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電力増幅回路は、複数の小セルから構成さ
れる電力増幅用のトランジスタと、前記電力増幅用のト
ランジスタの所定の小セルにバイアスを印加するための
第１のバイアス回路と、前記所定の小セル以外のセルに
バイアスを印加するための第２のバイアス回路と、前記
所定の小セル以外のセルおよび前記第２のバイアス回路
の間に接続されるスイッチング素子とを備えている。ま
た、前記スイッチング素子のオンまたはオフを制御する
ことにより、前記電力増幅用のトランジスタの飽和出力
を可変させている。また、前記スイッチング素子は、前
記電力増幅用のトランジスタのベース端子、エミッタ端
子およびコレクタ端子のいずれかに接続されている。ま
た、前記所定の小セルのベース端子と前記所定の小セル
以外のセルのベース端子とは、コンデンサによって互い
に高周波的に接続されている。
に、本発明の電力増幅回路は、複数の小セルから構成さ
れる電力増幅用のトランジスタと、前記電力増幅用のト
ランジスタの所定の小セルにバイアスを印加するための
第１のバイアス回路と、前記所定の小セル以外のセルに
バイアスを印加するための第２のバイアス回路と、前記
所定の小セル以外のセルおよび前記第２のバイアス回路
の間に接続されるスイッチング素子とを備えている。ま
た、前記スイッチング素子のオンまたはオフを制御する
ことにより、前記電力増幅用のトランジスタの飽和出力
を可変させている。また、前記スイッチング素子は、前
記電力増幅用のトランジスタのベース端子、エミッタ端
子およびコレクタ端子のいずれかに接続されている。ま
た、前記所定の小セルのベース端子と前記所定の小セル
以外のセルのベース端子とは、コンデンサによって互い
に高周波的に接続されている。
【００１１】さらに、前記所定の小セルのベース端子
は、第１のベースボンディングパターンに接続され、前
記所定の小セル以外のセルのベース端子は、第２のベー
スボンディングパターンに接続されている。そして、前
記第２のベースボンディングパターンは、前記第１のベ
ースボンディングパターンを中心として左右対称に形成
されている。
は、第１のベースボンディングパターンに接続され、前
記所定の小セル以外のセルのベース端子は、第２のベー
スボンディングパターンに接続されている。そして、前
記第２のベースボンディングパターンは、前記第１のベ
ースボンディングパターンを中心として左右対称に形成
されている。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、電力増幅用トランジスタを
構成する小セルのバイアス源を２つ設け、そのうちの１
つによるバイアスの供給をスイッチング素子によって制
御している。つまり、電力増幅用トランジスタの数は従
来と変わらず１個であるが、動作させる小セルの数を変
えているため、前記電力増幅用のトランジスタの飽和出
力を可変させることができる。また、ベースボンディン
グパターンの配置を左右対称的にすることにより、トラ
ンジスタの均一動作や、熱的または高周波的なバランス
が良くなる。
構成する小セルのバイアス源を２つ設け、そのうちの１
つによるバイアスの供給をスイッチング素子によって制
御している。つまり、電力増幅用トランジスタの数は従
来と変わらず１個であるが、動作させる小セルの数を変
えているため、前記電力増幅用のトランジスタの飽和出
力を可変させることができる。また、ベースボンディン
グパターンの配置を左右対称的にすることにより、トラ
ンジスタの均一動作や、熱的または高周波的なバランス
が良くなる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例に
係わる電力増幅回路の平面パターン図を、図２は、図１
の電力増幅回路の等価回路図をそれぞれ示している。
について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例に
係わる電力増幅回路の平面パターン図を、図２は、図１
の電力増幅回路の等価回路図をそれぞれ示している。
【００１４】１は、電力増幅用トランジスタであり、複
数の小セル（例えば４つ）から構成されている。電力増
幅用トランジスタ１のベースボンディングパターン２，
３は、二つに分割されており、ベースボンディングパタ
ーン２は、例えばチップコンデンサ４，５を介して、ベ
ース給電用パターン６に高周波的に接続されている。ベ
ースボンディングパターン３は、ベース給電用パターン
６に直接接続されている。ベース給電用パターン６は、
温度補償用のダイオード７を介して接地点ＧＮＤに接続
されている。なお、ダイオード７は、アノードがベース
ボンディングパターン３側に、カソードが接地点ＧＮＤ
側にそれぞれ接続されている。また、ダイオード７のア
ノードは、バイアス用の抵抗８を介して電源端子１４に
接続されている。
数の小セル（例えば４つ）から構成されている。電力増
幅用トランジスタ１のベースボンディングパターン２，
３は、二つに分割されており、ベースボンディングパタ
ーン２は、例えばチップコンデンサ４，５を介して、ベ
ース給電用パターン６に高周波的に接続されている。ベ
ースボンディングパターン３は、ベース給電用パターン
６に直接接続されている。ベース給電用パターン６は、
温度補償用のダイオード７を介して接地点ＧＮＤに接続
されている。なお、ダイオード７は、アノードがベース
ボンディングパターン３側に、カソードが接地点ＧＮＤ
側にそれぞれ接続されている。また、ダイオード７のア
ノードは、バイアス用の抵抗８を介して電源端子１４に
接続されている。
【００１５】また、ベースボンディングパターン２は、
ベース給電用パターン９に接続されている。ベース給電
用パターン９は、ＭＯＳＦＥＴ１２のソースに接続され
ている。ＭＯＳＦＥＴ１２のドレインは、温度補償用の
ダイオード１０を介して接地点ＧＮＤに接続されてい
る。なお、ダイオード１０は、アノードがＭＯＳＦＥＴ
１２側に、カソードが接地点ＧＮＤ側にそれぞれ接続さ
れている。また、ダイオード１０のアノードは、バイア
ス用の抵抗１１を介して電源端子１４に接続されてい
る。なお、スイッチング用のＭＯＳＦＥＴ１２のゲート
には、ゲート制御用の論理信号端子１３が接続されてい
る。
ベース給電用パターン９に接続されている。ベース給電
用パターン９は、ＭＯＳＦＥＴ１２のソースに接続され
ている。ＭＯＳＦＥＴ１２のドレインは、温度補償用の
ダイオード１０を介して接地点ＧＮＤに接続されてい
る。なお、ダイオード１０は、アノードがＭＯＳＦＥＴ
１２側に、カソードが接地点ＧＮＤ側にそれぞれ接続さ
れている。また、ダイオード１０のアノードは、バイア
ス用の抵抗１１を介して電源端子１４に接続されてい
る。なお、スイッチング用のＭＯＳＦＥＴ１２のゲート
には、ゲート制御用の論理信号端子１３が接続されてい
る。
【００１６】上記回路構成を有する電力増幅回路におい
て、ゲート制御用の論理信号端子１３に正の信号が与え
られた場合を考える。この場合、スイッチング用のＭＯ
ＳＦＥＴ１２はオン状態となるため、ベースボンディン
グパターン２に接続された電力増幅用トランジスタ１の
ベースにバイアスが印加される。なお、ベースボンディ
ングパターン３に接続された電力増幅用トランジスタ１
のベースには、常にバイアスが印加されている。従っ
て、電力増幅用トランジスタ１の全ての小セルが動作す
ることとなる。この時、一つの小セルが約１Ｗの電力を
出力すると仮定すると、この電力増幅回路は、約４Ｗの
電力を出力することとなる。
て、ゲート制御用の論理信号端子１３に正の信号が与え
られた場合を考える。この場合、スイッチング用のＭＯ
ＳＦＥＴ１２はオン状態となるため、ベースボンディン
グパターン２に接続された電力増幅用トランジスタ１の
ベースにバイアスが印加される。なお、ベースボンディ
ングパターン３に接続された電力増幅用トランジスタ１
のベースには、常にバイアスが印加されている。従っ
て、電力増幅用トランジスタ１の全ての小セルが動作す
ることとなる。この時、一つの小セルが約１Ｗの電力を
出力すると仮定すると、この電力増幅回路は、約４Ｗの
電力を出力することとなる。
【００１７】次に、ゲート制御用の論理信号端子１３に
“負”の信号が与えられた場合を考える。この場合、ス
イッチング用のＭＯＳＦＥＴ１２はオフ状態となるた
め、ベースボンディングパターン２に接続された電力増
幅用トランジスタ１のベースにはバイアスが印加されな
い。従って、そのトランジスタは動作することなく、ベ
ースボンディングパターン３に接続された電力増幅用ト
ランジスタ１の小セルのみが動作することとなる。この
時、一つの小セルが約１Ｗの電力を出力すると仮定する
と、この電力増幅回路は、約２Ｗの電力を出力すること
となる。
“負”の信号が与えられた場合を考える。この場合、ス
イッチング用のＭＯＳＦＥＴ１２はオフ状態となるた
め、ベースボンディングパターン２に接続された電力増
幅用トランジスタ１のベースにはバイアスが印加されな
い。従って、そのトランジスタは動作することなく、ベ
ースボンディングパターン３に接続された電力増幅用ト
ランジスタ１の小セルのみが動作することとなる。この
時、一つの小セルが約１Ｗの電力を出力すると仮定する
と、この電力増幅回路は、約２Ｗの電力を出力すること
となる。
【００１８】このように、上記電力増幅回路では、電力
増幅用トランジスタ１のバイアス用ラインを２つに分
け、そのうちの１つをＭＯＳＦＥＴ１２によって切断ま
たは接続している。つまり、電力増幅用トランジスタ１
の数を増やすことなく、動作させる小セルの数を変える
ことにより、出力電力を可変させている。なお、ベース
ボンディングパターン２は、ベースボンディングパター
ン３を中心として左右対称的に配置されている。これに
より、トランジスタの均一動作や、熱的または高周波的
なバランスが良好になる。
増幅用トランジスタ１のバイアス用ラインを２つに分
け、そのうちの１つをＭＯＳＦＥＴ１２によって切断ま
たは接続している。つまり、電力増幅用トランジスタ１
の数を増やすことなく、動作させる小セルの数を変える
ことにより、出力電力を可変させている。なお、ベース
ボンディングパターン２は、ベースボンディングパター
ン３を中心として左右対称的に配置されている。これに
より、トランジスタの均一動作や、熱的または高周波的
なバランスが良好になる。
【００１９】上述したような、バイアス用ラインの制御
により、動作する小セルの数を変えることは、アナログ
およびデジタルの両通信を行う電力増幅器にとって、大
変に有効である。なぜなら、上記２つの通信方式におい
て、同じ出力値を得ようとすれば、例えばアナログ送信
に６Ｗが必要なとき、デジタル送信には１２Ｗ以上の飽
和出力を得る必要があるからである。これは、デジタル
送信には、増幅器の直線性の良いことが求められるため
で、飽和出力付近での増幅信号の歪みを考慮すると、送
信電力の２倍程度の出力が最低必要である。一方、１つ
のリニアアンプで上述のようなアナログおよびデジタル
の共用アンプを作った場合、１２Ｗ以上の飽和出力を有
する電力増幅トランジスタを用いると、アナログ送信時
には、６Ｗの出力に変換してやればよい。
により、動作する小セルの数を変えることは、アナログ
およびデジタルの両通信を行う電力増幅器にとって、大
変に有効である。なぜなら、上記２つの通信方式におい
て、同じ出力値を得ようとすれば、例えばアナログ送信
に６Ｗが必要なとき、デジタル送信には１２Ｗ以上の飽
和出力を得る必要があるからである。これは、デジタル
送信には、増幅器の直線性の良いことが求められるため
で、飽和出力付近での増幅信号の歪みを考慮すると、送
信電力の２倍程度の出力が最低必要である。一方、１つ
のリニアアンプで上述のようなアナログおよびデジタル
の共用アンプを作った場合、１２Ｗ以上の飽和出力を有
する電力増幅トランジスタを用いると、アナログ送信時
には、６Ｗの出力に変換してやればよい。
【００２０】従来のように、入力電力の制御または供給
電圧の制御により、飽和出力が６Ｗとなるように設定す
ることもできるが、電力増幅用トランジスタには、出力
電力に応じて、最適の接合面積が存在する。つまり、飽
和出力の半分以下しか出力しないものでは、電力効率の
低下は免れない。また、アナログ送信時の効率を重視し
た場合は、デジタル送信時の出力の直線性を損なう可能
性があり、従来技術では、アナログ送信時の効率を犠牲
にせざるを得なかった。本発明では、バイアス用ライン
を複数に分割し、任意のトランジスタのみにバイアスを
与えることで、実質的に接合面積を制御している。つま
り、必要な飽和出力に応じた電力増幅トランジスタを簡
単に得られることが可能となるのである。このため、各
出力での電力効率が向上するという効果がある。
電圧の制御により、飽和出力が６Ｗとなるように設定す
ることもできるが、電力増幅用トランジスタには、出力
電力に応じて、最適の接合面積が存在する。つまり、飽
和出力の半分以下しか出力しないものでは、電力効率の
低下は免れない。また、アナログ送信時の効率を重視し
た場合は、デジタル送信時の出力の直線性を損なう可能
性があり、従来技術では、アナログ送信時の効率を犠牲
にせざるを得なかった。本発明では、バイアス用ライン
を複数に分割し、任意のトランジスタのみにバイアスを
与えることで、実質的に接合面積を制御している。つま
り、必要な飽和出力に応じた電力増幅トランジスタを簡
単に得られることが可能となるのである。このため、各
出力での電力効率が向上するという効果がある。
【００２１】また、上記実施例においては、２つのバイ
アス用ラインのうち、ベース側のバイアス用ラインを制
御している。これは、電流値の少ないベース側を制御す
ることが最も適しているからである。しかし、コレクタ
側またはエミッタ側に同様な回路を組み込んでも、同様
の効果を得られることは言うまでもない。また、ボンデ
ィングパターンを細分化して、飽和出力を数種類得るこ
ともできる。
アス用ラインのうち、ベース側のバイアス用ラインを制
御している。これは、電流値の少ないベース側を制御す
ることが最も適しているからである。しかし、コレクタ
側またはエミッタ側に同様な回路を組み込んでも、同様
の効果を得られることは言うまでもない。また、ボンデ
ィングパターンを細分化して、飽和出力を数種類得るこ
ともできる。
【００２２】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の電力増
幅回路によれば、次のような効果を奏する。
幅回路によれば、次のような効果を奏する。
【００２３】電力増幅用トランジスタのベースにバイア
スを印加するためのバイアス回路を例えば２つに分け、
そのうちの１つをＭＯＳＦＥＴによって制御している。
つまり、電力増幅用トランジスタの任意の小セルにバイ
アスを印加し、動作させることができるため、１つの電
力増幅用トランジスタによって電力増幅回路の飽和出力
を可変できる。
スを印加するためのバイアス回路を例えば２つに分け、
そのうちの１つをＭＯＳＦＥＴによって制御している。
つまり、電力増幅用トランジスタの任意の小セルにバイ
アスを印加し、動作させることができるため、１つの電
力増幅用トランジスタによって電力増幅回路の飽和出力
を可変できる。
【図１】本発明の一実施例に係わる電力増幅回路を概略
的に示す平面図。
的に示す平面図。
【図２】図１の電力増幅回路の等価回路図。
【図３】従来の電力増幅回路を概略的に示す平面図。
【図４】図３の電力増幅回路の等価回路図。
１…電力増幅用トランジスタ、 ２，３…ベースボンディングパターン、 ４…チップコンデンサ、 ６…ベース給電用パターン、 ７…ダイオード、 ８…バイアス用の抵抗、 ９…ベース給電用パターン、 １０…温度補償用のダイオード、 １１…バイアス用の抵抗、 １２…ＭＯＳＦＥＴ、 １３…ゲート制御用の論理信号端子、 １４…電源端子。
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の小セルから構成される電力増幅用
のトランジスタと、前記電力増幅用のトランジスタの所
定の小セルにバイアスを印加するための第１のバイアス
回路と、前記所定の小セル以外のセルにバイアスを印加
するための第２のバイアス回路と、前記所定の小セル以
外のセルおよび前記第２のバイアス回路の間に接続され
るスイッチング素子とを具備し、前記スイッチング素子
のオンまたはオフを制御することにより、前記電力増幅
用のトランジスタの飽和出力を可変させることを特徴と
する電力増幅回路。 - 【請求項２】 前記スイッチング素子は、前記電力増幅
用のトランジスタのベース端子、エミッタ端子およびコ
レクタ端子のいずれかに接続されていることを特徴とす
る請求項１記載の電力増幅回路。 - 【請求項３】 前記所定の小セルのベース端子と前記所
定の小セル以外のセルのベース端子とは、コンデンサに
よって互いに高周波的に接続されていることを特徴とす
る請求項１記載の電力増幅回路。 - 【請求項４】 前記所定の小セルのベース端子は、第１
のベースボンディングパターンに接続され、前記所定の
小セル以外のセルのベース端子は、第２のベースボンデ
ィングパターンに接続され、前記第２のベースボンディ
ングパターンは、前記第１のベースボンディングパター
ンを中心として左右対称に形成されていることを特徴と
する請求項１記載の電力増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23173191A JPH0575356A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 電力増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23173191A JPH0575356A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 電力増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575356A true JPH0575356A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16928151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23173191A Pending JPH0575356A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 電力増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575356A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000244264A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅装置 |
| JP2002330030A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波集積回路 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP23173191A patent/JPH0575356A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000244264A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅装置 |
| JP2002330030A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波集積回路 |
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