JPH0574688A - Ｘ線露光方法及びその装置 - Google Patents
Ｘ線露光方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH0574688A JPH0574688A JP3260448A JP26044891A JPH0574688A JP H0574688 A JPH0574688 A JP H0574688A JP 3260448 A JP3260448 A JP 3260448A JP 26044891 A JP26044891 A JP 26044891A JP H0574688 A JPH0574688 A JP H0574688A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- mask
- band
- membrane
- light source
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線マスクにおける熱歪によるパターン位置
ずれを防止して、高い位置精度でのＸ線露光を可能にす
る。 【構成】 Ｘ線光源3とＸ線マスク2の間にバンドカット
フィルタ1を置いてＸ線露光を行なう。このバンドカッ
トフィルタ1としては、その主成分がマスクメンブレン
に使われている主構成元素で且つ質量の大きな元素であ
ることが望ましい。
ずれを防止して、高い位置精度でのＸ線露光を可能にす
る。 【構成】 Ｘ線光源3とＸ線マスク2の間にバンドカット
フィルタ1を置いてＸ線露光を行なう。このバンドカッ
トフィルタ1としては、その主成分がマスクメンブレン
に使われている主構成元素で且つ質量の大きな元素であ
ることが望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線マスクにおける
熱歪によるパターン位置ずれが防止でき、高い位置精度
での露光が可能となるＸ線露光方法及びその装置に関す
る。
熱歪によるパターン位置ずれが防止でき、高い位置精度
での露光が可能となるＸ線露光方法及びその装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＸ線露光技術では、メンブレン上
にＸ線を吸収する所望の形状のアブソーバパターンが形
成されたＸ線マスクを介して、レジストの被着されたウ
ェハ上に、ＳＲ光源等のＸ線光源から発せられたＸ線を
照射し、前記レジスト上に所望のパターンの焼き付けを
行なう。そして焼き付けられたパターンは現像によりレ
ジストパターンとなる。
にＸ線を吸収する所望の形状のアブソーバパターンが形
成されたＸ線マスクを介して、レジストの被着されたウ
ェハ上に、ＳＲ光源等のＸ線光源から発せられたＸ線を
照射し、前記レジスト上に所望のパターンの焼き付けを
行なう。そして焼き付けられたパターンは現像によりレ
ジストパターンとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線メンブレンはＸ線
を全く吸収しないことを理想とするが、実際には構成元
素等の制約により、Ｘ線を吸収する。特にSiN、SiC、Si
CN等Si系材料を主成分に用いたメンブレンでは約６Åの
波長のところに強いＸ線吸収帯があり、短波長側のＸ線
露光々をかなり吸収する。この光吸収によりＸ線を照射
するとメンブレンの温度が１〜５℃程上昇する。現在ス
ループット向上を目的に放射光施設ではビームの高出力
化が進められており、その出力上昇に伴ないメンブレン
温度はますます上昇する傾向にある。
を全く吸収しないことを理想とするが、実際には構成元
素等の制約により、Ｘ線を吸収する。特にSiN、SiC、Si
CN等Si系材料を主成分に用いたメンブレンでは約６Åの
波長のところに強いＸ線吸収帯があり、短波長側のＸ線
露光々をかなり吸収する。この光吸収によりＸ線を照射
するとメンブレンの温度が１〜５℃程上昇する。現在ス
ループット向上を目的に放射光施設ではビームの高出力
化が進められており、その出力上昇に伴ないメンブレン
温度はますます上昇する傾向にある。
【０００４】一方この温度上昇によりメンブレンが伸縮
する等熱歪を生ずるため、該メンブレン上に形成された
アブソーバパターンの位置が移動してパターン位置ずれ
を起こし、パターン配置精度（長寸法精度）が低下する
ことになる。特にＸ線の出力が高いと配置精度の低下が
大きくなり、スループットと精度の両立が困難になる問
題を抱えていた。
する等熱歪を生ずるため、該メンブレン上に形成された
アブソーバパターンの位置が移動してパターン位置ずれ
を起こし、パターン配置精度（長寸法精度）が低下する
ことになる。特にＸ線の出力が高いと配置精度の低下が
大きくなり、スループットと精度の両立が困難になる問
題を抱えていた。
【０００５】本発明は従来技術の以上の様な問題に鑑み
創案されたもので、Ｘ線照射に伴なうＸ線メンブレンの
温度上昇を抑え、配置精度（長寸法精度）の高いＸ線露
光方法及びその装置を提供せんとするものである。
創案されたもので、Ｘ線照射に伴なうＸ線メンブレンの
温度上昇を抑え、配置精度（長寸法精度）の高いＸ線露
光方法及びその装置を提供せんとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そのため本発明の構成
は、Ｘ線マスクを介してウェハに被着したレジストをＸ
線光源から発せられるＸ線により露光し、所望のパター
ンを焼き付けるＸ線露光方法において、上記Ｘ線光源と
Ｘ線マスクの間で、該Ｘ線マスクのメンブレンに強く吸
収される帯域のＸ線を選択的にカットすることを特徴と
している。
は、Ｘ線マスクを介してウェハに被着したレジストをＸ
線光源から発せられるＸ線により露光し、所望のパター
ンを焼き付けるＸ線露光方法において、上記Ｘ線光源と
Ｘ線マスクの間で、該Ｘ線マスクのメンブレンに強く吸
収される帯域のＸ線を選択的にカットすることを特徴と
している。
【０００７】以上の様な所定の帯域のＸ線の選択的なカ
ットの具体的な一手段としては、露光の際Ｘ線光源とＸ
線マスクの間に、マスクメンブレンに強く吸収される帯
域のＸ線をカットするバンドカットフィルタを置いてお
く構成が考えられる。このバンドカットフィルタによ
り、マスクメンブレンに吸収されるＸ線光量は大幅に減
り、メンブレンの温度上昇を抑えることができる様にな
る。この様なバンドカットフィルタの作用からしてその
材質としては、主成分がマスクメンブレンに使われてい
る主構成元素で、且つ質量の大きな元素であることが望
ましい。
ットの具体的な一手段としては、露光の際Ｘ線光源とＸ
線マスクの間に、マスクメンブレンに強く吸収される帯
域のＸ線をカットするバンドカットフィルタを置いてお
く構成が考えられる。このバンドカットフィルタによ
り、マスクメンブレンに吸収されるＸ線光量は大幅に減
り、メンブレンの温度上昇を抑えることができる様にな
る。この様なバンドカットフィルタの作用からしてその
材質としては、主成分がマスクメンブレンに使われてい
る主構成元素で、且つ質量の大きな元素であることが望
ましい。
【０００８】一方本願第２発明は上記発明法の実施装置
の発明に係り、Ｘ線マスクとＸ線光源の間に、このＸ線
マスクのメンブレンに強く吸収される帯域のＸ線を選択
的に吸収する上述のバンドカットフィルタを備えるよう
にするものである。
の発明に係り、Ｘ線マスクとＸ線光源の間に、このＸ線
マスクのメンブレンに強く吸収される帯域のＸ線を選択
的に吸収する上述のバンドカットフィルタを備えるよう
にするものである。
【０００９】
【実施例】本発明による所定帯域のＸ線の選択的カット
の効果を確認するため、本発明者等は次の様な実験を行
なった。
の効果を確認するため、本発明者等は次の様な実験を行
なった。
【００１０】まずＳＲ光源をＸ線光源として、該光源か
らＸ線マスクを介してレジストの被着されたウェハに対
してＸ線露光を行なった。
らＸ線マスクを介してレジストの被着されたウェハに対
してＸ線露光を行なった。
【００１１】上記Ｘ線マスクはSiNのメンブレンとその
上に形成されたAuのアブソーバパターンから構成されて
いる。図１は上記Ｘ線露光の際にこのマスクメンブレン
透過前後のスペクトル分析を行なった時の分析結果を示
している。同図によればマスクメンブレン自身によるバ
ンドカット帯域はメンブレンによる強いＸ線吸収帯と略
一致する。これはSiNによるＸ線の吸収が質量の大きなS
i元素によって略決定されることによるものと推測され
る。
上に形成されたAuのアブソーバパターンから構成されて
いる。図１は上記Ｘ線露光の際にこのマスクメンブレン
透過前後のスペクトル分析を行なった時の分析結果を示
している。同図によればマスクメンブレン自身によるバ
ンドカット帯域はメンブレンによる強いＸ線吸収帯と略
一致する。これはSiNによるＸ線の吸収が質量の大きなS
i元素によって略決定されることによるものと推測され
る。
【００１２】一方、上述したＸ線露光構成のうち、図２
に示される様にＸ線光源3とＸ線マスク2の間にSi薄膜で
構成されたバンドカットフィルタ1を置き、レジスト4a
の被着されたウェハ4に対して露光を行なった。
に示される様にＸ線光源3とＸ線マスク2の間にSi薄膜で
構成されたバンドカットフィルタ1を置き、レジスト4a
の被着されたウェハ4に対して露光を行なった。
【００１３】このSi薄膜は図３に示される様に６Å前後
のＸ線を選択的にカットするバンドカットフィルタ特性
を有している。このため露光時にバンドカットフィルタ
１を透過したＸ線のスペクトルは、図４に示される様に
なり、波長6.5Å以下のＸ線の透過光量は十分少なくな
っている。従ってメンブレンに吸収される光量（図中斜
線で示される光量）も少なくなって発熱量が大幅に抑え
られ、マスク歪も非常に小さくなった。
のＸ線を選択的にカットするバンドカットフィルタ特性
を有している。このため露光時にバンドカットフィルタ
１を透過したＸ線のスペクトルは、図４に示される様に
なり、波長6.5Å以下のＸ線の透過光量は十分少なくな
っている。従ってメンブレンに吸収される光量（図中斜
線で示される光量）も少なくなって発熱量が大幅に抑え
られ、マスク歪も非常に小さくなった。
【００１４】但し、この様にバンドカットフィルタ1で
光量を落とすものの、元々メンブレンに吸収され、レジ
スト露光にほとんど寄与しない帯域のＸ線が選択的に減
衰するだけなので、露光に有効な帯域のＸ線の減衰は少
ない。
光量を落とすものの、元々メンブレンに吸収され、レジ
スト露光にほとんど寄与しない帯域のＸ線が選択的に減
衰するだけなので、露光に有効な帯域のＸ線の減衰は少
ない。
【００１５】尚、本実施例では、マスクメンブレンがSi
Nの場合の例を説明したが、Si、SiC、SiCNの場合でも同
様である。又バンドカットフィルタ1としてSiを用いた
が、これに限られず、SiC、SiN、SiCNを用いることもで
きる。
Nの場合の例を説明したが、Si、SiC、SiCNの場合でも同
様である。又バンドカットフィルタ1としてSiを用いた
が、これに限られず、SiC、SiN、SiCNを用いることもで
きる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述した本発明の構成によれば、Ｘ
線照射に伴なうマスクメンブレンの温度上昇を抑止する
ことができ、配置精度（長寸法精度）を向上せしめるこ
とができる様になる。
線照射に伴なうマスクメンブレンの温度上昇を抑止する
ことができ、配置精度（長寸法精度）を向上せしめるこ
とができる様になる。
【図１】マスクメンブレン透過前後のＸ線のスペクトル
分析結果を示すグラフである。
分析結果を示すグラフである。
【図２】本発明の効果の追試試験の装置構成を示す説明
図である。
図である。
【図３】同試験で用いられたバンドカットフィルタの特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図４】同試験においてバンドカットフィルタによる特
定帯域のＸ線の選択的カットがなされた場合のＸ線スペ
クトル分析結果を示すグラフである。
定帯域のＸ線の選択的カットがなされた場合のＸ線スペ
クトル分析結果を示すグラフである。
1 バンドカットフィルタ 2 Ｘ線マスク 3 Ｘ線光源 4 ウェハ 4a レジスト
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｘ線マスクを介してウェハに被着したレ
ジストをＸ線光源から発せられるＸ線により露光し、所
望のパターンを焼き付けるＸ線露光方法において、上記
Ｘ線光源とＸ線マスクの間で、該Ｘ線マスクのメンブレ
ンに強く吸収される帯域のＸ線を選択的にカットするこ
とを特徴とするＸ線露光方法。 - 【請求項２】 請求項第１項記載のＸ線露光方法におい
て、主成分がマスクメンブレンに使われている主構成元
素で、且つ質量の大きな元素であるバンドカットフィル
タを露光時に前記Ｘ線光源とＸ線マスクの間に置き、該
バンドカットフィルタでマスクメンブレンに強く吸収さ
れる帯域のＸ線を選択的にカットすることを特徴とする
請求項第１項記載のＸ線露光方法。 - 【請求項３】 Ｘ線マスクを介してウェハに被着したレ
ジストをＸ線光源から発せられるＸ線により露光し、所
望のパターンを焼き付けるＸ線露光装置において、該Ｘ
線マスクとＸ線光源の間に、このＸ線マスクのメンブレ
ンに強く吸収される帯域のＸ線を選択的に吸収するバン
ドカットフィルタを備えたことを特徴とするＸ線露光装
置。 - 【請求項４】 請求項第３項記載のＸ線露光装置におい
て、前記バンドカットフィルタの主成分がマスクメンブ
レンに使われている主構成元素で且つ質量の大きな元素
であることを特徴とする請求項第３項記載のＸ線露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3260448A JPH0574688A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Ｘ線露光方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3260448A JPH0574688A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Ｘ線露光方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574688A true JPH0574688A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17348080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3260448A Pending JPH0574688A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Ｘ線露光方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574688A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594939A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | Ｘ線取り出し部材およびｘ線露光装置 |
| US5535250A (en) * | 1994-07-09 | 1996-07-09 | Jenoptik Technologie Gmbh | Device for manipulating a synchrotron beam bundle |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP3260448A patent/JPH0574688A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594939A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nec Corp | Ｘ線取り出し部材およびｘ線露光装置 |
| US5535250A (en) * | 1994-07-09 | 1996-07-09 | Jenoptik Technologie Gmbh | Device for manipulating a synchrotron beam bundle |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000919 |