JPH0570951A - 連続スパツタ装置 - Google Patents
連続スパツタ装置Info
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- JPH0570951A JPH0570951A JP25863091A JP25863091A JPH0570951A JP H0570951 A JPH0570951 A JP H0570951A JP 25863091 A JP25863091 A JP 25863091A JP 25863091 A JP25863091 A JP 25863091A JP H0570951 A JPH0570951 A JP H0570951A
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- magnetic field
- film forming
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 荷電粒子が成膜中の基板の成膜面に進入する
のを抑制して大面積で高品質の薄膜を高速に形成するこ
とができる連続スパッタ装置を提供すること。 【構成】 基板ホルダ８を成膜室１内で移動させながら
基板７の表面に成膜する連続スパッタ装置において、基
板移動方向と交叉し、基板７の成膜面と略平行な方向の
偏向磁界を該成膜面の近傍に発生する偏向磁界発生手段
２０を設け、基板方向に飛行する荷電粒子の飛行方向を
偏向して成膜面に進入するのを抑制する。
のを抑制して大面積で高品質の薄膜を高速に形成するこ
とができる連続スパッタ装置を提供すること。 【構成】 基板ホルダ８を成膜室１内で移動させながら
基板７の表面に成膜する連続スパッタ装置において、基
板移動方向と交叉し、基板７の成膜面と略平行な方向の
偏向磁界を該成膜面の近傍に発生する偏向磁界発生手段
２０を設け、基板方向に飛行する荷電粒子の飛行方向を
偏向して成膜面に進入するのを抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は連続スパッタ装置に係
り、特に成膜中に成膜面に進入する荷電粒子に起因する
膜質低下の防止に関する。
り、特に成膜中に成膜面に進入する荷電粒子に起因する
膜質低下の防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】平面ディスプレイとして好適な液晶ディ
スプレイに使用される薄膜トランジスタは、大面積で高
品質の透明導電膜が必要である。透過率等の光学的特性
や抵抗率等の電気的特性が良好で均質な大面積の高品質
薄膜を得るために、マグネトロンスパッタ法によるスパ
ッタ装置が使用されている。
スプレイに使用される薄膜トランジスタは、大面積で高
品質の透明導電膜が必要である。透過率等の光学的特性
や抵抗率等の電気的特性が良好で均質な大面積の高品質
薄膜を得るために、マグネトロンスパッタ法によるスパ
ッタ装置が使用されている。
【０００３】また、高スループットで大面積の基板に薄
膜を形成する連続スパッタ装置は、基板を連続的に又は
間歇的に移動させながら成膜する構成であり、基板冷却
手段を備えていない。そして、成膜中に基板の温度が上
昇すると、透明導電膜の膜質が低下する問題がある。基
板の温度上昇の原因は、プラズマからの輻射熱，スパッ
タ粒子，電子等の荷電粒子の進入等が考えられる。
膜を形成する連続スパッタ装置は、基板を連続的に又は
間歇的に移動させながら成膜する構成であり、基板冷却
手段を備えていない。そして、成膜中に基板の温度が上
昇すると、透明導電膜の膜質が低下する問題がある。基
板の温度上昇の原因は、プラズマからの輻射熱，スパッ
タ粒子，電子等の荷電粒子の進入等が考えられる。
【０００４】成膜中に基板の成膜面へ電子が進入しない
ようにするために、特開平２−３４７７９号公報に開示
されたスパッタ装置は、基板の前方に成膜面と平行方向
の偏向磁界を与えるようにしている。また、特開昭５８
−１４１３８号公報に開示されたスパッタ装置は、偏向
磁界と捕集電極によって電子の進入を抑制する構成であ
る。
ようにするために、特開平２−３４７７９号公報に開示
されたスパッタ装置は、基板の前方に成膜面と平行方向
の偏向磁界を与えるようにしている。また、特開昭５８
−１４１３８号公報に開示されたスパッタ装置は、偏向
磁界と捕集電極によって電子の進入を抑制する構成であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれらの
スパッタ装置は、成膜中には基板を静止状態に保持する
構成であり、従って、これらの電子進入抑制手段は成膜
中に基板を移動させる連続スパッタ装置に適用すること
ができない。すなわち、成膜中に基板を移動させようと
すると、移動中に該基板の成膜面に電子が侵入し、或い
は捕集電極等が成膜されてしまう等の問題が発生する。
スパッタ装置は、成膜中には基板を静止状態に保持する
構成であり、従って、これらの電子進入抑制手段は成膜
中に基板を移動させる連続スパッタ装置に適用すること
ができない。すなわち、成膜中に基板を移動させようと
すると、移動中に該基板の成膜面に電子が侵入し、或い
は捕集電極等が成膜されてしまう等の問題が発生する。
【０００６】従って本発明の目的は、基板を移動させな
がら該基板の表面に成膜する連続スパッタ装置におい
て、電子等の荷電粒子が成膜中の基板の成膜面に進入す
るのを抑制して高品質の薄膜を高速に形成することがで
きるようにすることにある。
がら該基板の表面に成膜する連続スパッタ装置におい
て、電子等の荷電粒子が成膜中の基板の成膜面に進入す
るのを抑制して高品質の薄膜を高速に形成することがで
きるようにすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、ターゲットホルダと基板ホルダとを成膜
室内に対向して配置し、基板ホルダを成膜室内で移動し
ながら該基板ホルダに保持した基板の表面に放電を利用
して成膜する連続スパッタ装置において、前記基板移動
方向と交叉し、該基板の成膜面と略平行な方向の偏向磁
界を該成膜面の近傍に発生する偏向磁界発生手段を設け
たことを特徴とする。
に、本発明は、ターゲットホルダと基板ホルダとを成膜
室内に対向して配置し、基板ホルダを成膜室内で移動し
ながら該基板ホルダに保持した基板の表面に放電を利用
して成膜する連続スパッタ装置において、前記基板移動
方向と交叉し、該基板の成膜面と略平行な方向の偏向磁
界を該成膜面の近傍に発生する偏向磁界発生手段を設け
たことを特徴とする。
【０００８】
【作用】成膜中の基板方向に飛行する荷電粒子は、偏向
磁界によって該基板移動方向に対して交叉し、該基板面
と平行な方向にその飛行方向が偏向されるので、成膜面
に対する荷電粒子の進入が抑制される。
磁界によって該基板移動方向に対して交叉し、該基板面
と平行な方向にその飛行方向が偏向されるので、成膜面
に対する荷電粒子の進入が抑制される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明になる連続スパッタ装置の縦断側面
図、図２はその要部斜視図である。該連続スパッタ装置
は、ロードロック（仕込み）室，前処理室，成膜室及び
アンロード（取出し）室を備えているが、図１は成膜室
の一部を示している。
する。図１は本発明になる連続スパッタ装置の縦断側面
図、図２はその要部斜視図である。該連続スパッタ装置
は、ロードロック（仕込み）室，前処理室，成膜室及び
アンロード（取出し）室を備えているが、図１は成膜室
の一部を示している。
【００１０】該成膜室１内には、ターゲット２を保持す
る複数のターゲットホルダ３が並べて設置され、各ター
ゲットホルダ３の背後には、マグネトロン磁界を発生す
るための永久磁石４がケース５に納められて水冷するよ
うに配置される。成膜すべき基板７を前記各ターゲット
ホルダ３に対向させて保持する複数の基板ホルダ８は、
基板ホルダ移動機構９によって前記各ターゲットホルダ
３と順次対向するように連続的に移動される。前記各基
板ホルダ８に保持した各基板７の成膜面の近傍に基板移
動方向と交叉し、該基板面と略平行な方向となるような
偏向磁界を発生させる複数の偏向磁界発生手段２０はそ
れれぞれ永久磁石２１によって構成し、各基板ホルダ８
の移動方向の両側に位置するように荷電粒子捕集電極３
１が設けられる。また、各ターゲットホルダ３にはそれ
ぞれ１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電
源１１を整合回路１２を介して接続し、各荷電粒子捕集
電極３１にはそれぞれ直流電源３２を接続する。そして
該成膜室１内は、図示せざる排気装置により排気管１ａ
から排気し、ガス供給管１ｂから放電用ガスを供給す
る。
る複数のターゲットホルダ３が並べて設置され、各ター
ゲットホルダ３の背後には、マグネトロン磁界を発生す
るための永久磁石４がケース５に納められて水冷するよ
うに配置される。成膜すべき基板７を前記各ターゲット
ホルダ３に対向させて保持する複数の基板ホルダ８は、
基板ホルダ移動機構９によって前記各ターゲットホルダ
３と順次対向するように連続的に移動される。前記各基
板ホルダ８に保持した各基板７の成膜面の近傍に基板移
動方向と交叉し、該基板面と略平行な方向となるような
偏向磁界を発生させる複数の偏向磁界発生手段２０はそ
れれぞれ永久磁石２１によって構成し、各基板ホルダ８
の移動方向の両側に位置するように荷電粒子捕集電極３
１が設けられる。また、各ターゲットホルダ３にはそれ
ぞれ１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電
源１１を整合回路１２を介して接続し、各荷電粒子捕集
電極３１にはそれぞれ直流電源３２を接続する。そして
該成膜室１内は、図示せざる排気装置により排気管１ａ
から排気し、ガス供給管１ｂから放電用ガスを供給す
る。
【００１１】以上のように構成された連続スパッタ装置
における成膜中の基板７の成膜面への荷電粒子進入抑制
作用を図３を参照して説明する。成膜時には、成膜室１
内を排気装置により１／１０6Torr 程度に排気し、アル
ゴンガスを４×１／１０3Torr 程度のガス圧となるよう
に供給し、ターゲットホルダ３に２００〜３００Ｗの高
周波電力を印加してターゲット２の前方にグロー放電に
よりトンネル状の高密度のプラズマを発生する。プラズ
マとターゲット２の間にはシースと呼ばれる電位差が発
生し、この電位差により加速されたイオンがターゲット
２に衝突してスパッタ粒子を放出させる。液晶ディスプ
レイの薄膜トランジスタ用の導電性の透明な薄膜を形成
するためには、ターゲット２としてはＩＴＯ(Indium Ti
n Oxide)を使用し、基板７としては厚さ１ｍｍのガラス
板を使用する。
における成膜中の基板７の成膜面への荷電粒子進入抑制
作用を図３を参照して説明する。成膜時には、成膜室１
内を排気装置により１／１０6Torr 程度に排気し、アル
ゴンガスを４×１／１０3Torr 程度のガス圧となるよう
に供給し、ターゲットホルダ３に２００〜３００Ｗの高
周波電力を印加してターゲット２の前方にグロー放電に
よりトンネル状の高密度のプラズマを発生する。プラズ
マとターゲット２の間にはシースと呼ばれる電位差が発
生し、この電位差により加速されたイオンがターゲット
２に衝突してスパッタ粒子を放出させる。液晶ディスプ
レイの薄膜トランジスタ用の導電性の透明な薄膜を形成
するためには、ターゲット２としてはＩＴＯ(Indium Ti
n Oxide)を使用し、基板７としては厚さ１ｍｍのガラス
板を使用する。
【００１２】放電によるプラズマ発生が安定した後に、
成膜すべき基板７を保持した基板ホルダ８を基板ホルダ
移動機構９により各ターゲット２に順次対向するように
連続的に移動させながら、スパッタ粒子を該基板７の成
膜面に付着させることにより該成膜面にＩＴＯの薄膜を
形成する。因みに、成膜速度は、３００Å／分程度であ
る。
成膜すべき基板７を保持した基板ホルダ８を基板ホルダ
移動機構９により各ターゲット２に順次対向するように
連続的に移動させながら、スパッタ粒子を該基板７の成
膜面に付着させることにより該成膜面にＩＴＯの薄膜を
形成する。因みに、成膜速度は、３００Å／分程度であ
る。
【００１３】ここで、偏向磁界発生用の永久磁石２１及
び荷電粒子捕集電極３１がないときの成膜作用を考える
と、基板７の成膜面への電子の進入及びプラズマの拡散
により該基板７の成膜面の温度が上昇する。図４はこの
ような該成膜面の温度分布を示しており、部分的な温度
上昇が見られる。例えば、領域Ａ，Ｃの温度上昇はプラ
ズマ拡散によるものであり、領域Ｂの温度上昇は電子の
進入によるものと推定される。このような状態でＩＴＯ
成膜を継続すると、形成された薄膜の大部分は所望の非
結晶性の薄膜であるが、部分的に微細な結晶領域が発生
する。このように部分的に結晶領域が存在する不均質な
薄膜を、薄膜トランジスタ形成のためにエッチングする
と、エッチング速度に不均一性を生ずる不具合がある。
微細結晶発生の原因が、局部的な温度上昇にあるか進入
電子による結晶化促進にあるかは定かではないが、実験
的には基板７の温度上昇を抑えれば該微細結晶が発生し
にくいことが確かめられている。
び荷電粒子捕集電極３１がないときの成膜作用を考える
と、基板７の成膜面への電子の進入及びプラズマの拡散
により該基板７の成膜面の温度が上昇する。図４はこの
ような該成膜面の温度分布を示しており、部分的な温度
上昇が見られる。例えば、領域Ａ，Ｃの温度上昇はプラ
ズマ拡散によるものであり、領域Ｂの温度上昇は電子の
進入によるものと推定される。このような状態でＩＴＯ
成膜を継続すると、形成された薄膜の大部分は所望の非
結晶性の薄膜であるが、部分的に微細な結晶領域が発生
する。このように部分的に結晶領域が存在する不均質な
薄膜を、薄膜トランジスタ形成のためにエッチングする
と、エッチング速度に不均一性を生ずる不具合がある。
微細結晶発生の原因が、局部的な温度上昇にあるか進入
電子による結晶化促進にあるかは定かではないが、実験
的には基板７の温度上昇を抑えれば該微細結晶が発生し
にくいことが確かめられている。
【００１４】本発明になる前記連続エッチング装置によ
れば、永久磁石２１が各基板７の成膜面の近傍に偏向磁
界（磁力線）２２を形成しているので、ターゲット２の
前面のイオンシースで基板７方向に加速されて飛行する
高速電子は該磁力線２２に巻き付くように飛行方向を偏
向し、基板移動通路の外側方向に飛行するような飛行軌
道２３を飛行する。そしてこの高速電子は、放電に影響
を与えない程度の正の電位を与えた荷電粒子捕集電極３
１で捕集するので、成膜面に進入する高速電子が減少す
る。これにより、各基板７の成膜面の局部的な温度上昇
が防止される。
れば、永久磁石２１が各基板７の成膜面の近傍に偏向磁
界（磁力線）２２を形成しているので、ターゲット２の
前面のイオンシースで基板７方向に加速されて飛行する
高速電子は該磁力線２２に巻き付くように飛行方向を偏
向し、基板移動通路の外側方向に飛行するような飛行軌
道２３を飛行する。そしてこの高速電子は、放電に影響
を与えない程度の正の電位を与えた荷電粒子捕集電極３
１で捕集するので、成膜面に進入する高速電子が減少す
る。これにより、各基板７の成膜面の局部的な温度上昇
が防止される。
【００１５】図５は、このような連続スパッタ装置にお
ける基板７の成膜面の近傍に形成される偏向磁界の強さ
（磁束密度）と成膜面の温度の最大値の関係を示してい
る。一点鎖線で示したレベルは、薄膜に微細結晶が発生
しやすくなると推定される温度に相当する。偏向磁界の
磁束密度を増加させていくと、基板７の成膜面の最大温
度はしばらくの間は略一定であるが、或る強さに達する
と減少し、その後は飽和して一定になる特性である。最
大温度が減少を示す磁束密度は、８０〜１００ガウスで
ある。各基板７の成膜面の近傍に１００ガウスの偏向磁
界を印加しながら成膜したＩＴＯ薄膜は、微細結晶が見
られず、均質なエッチング特性が得られた。
ける基板７の成膜面の近傍に形成される偏向磁界の強さ
（磁束密度）と成膜面の温度の最大値の関係を示してい
る。一点鎖線で示したレベルは、薄膜に微細結晶が発生
しやすくなると推定される温度に相当する。偏向磁界の
磁束密度を増加させていくと、基板７の成膜面の最大温
度はしばらくの間は略一定であるが、或る強さに達する
と減少し、その後は飽和して一定になる特性である。最
大温度が減少を示す磁束密度は、８０〜１００ガウスで
ある。各基板７の成膜面の近傍に１００ガウスの偏向磁
界を印加しながら成膜したＩＴＯ薄膜は、微細結晶が見
られず、均質なエッチング特性が得られた。
【００１６】このようにイオンシースで加速された高速
電子を基板通路の両側に導いて捕集する連続スパッタ装
置は、所定の間隔で並べた複数の基板７を基板移動通路
に沿って連続的に移動さながら成膜しても、何れの基板
７の成膜面にも高速電子の進入が抑制され、形成された
薄膜に微細結晶が含まれるようなことがなかった。ま
た、基板７以外の部材も加熱されるようなことがなく、
異物の発生を抑えることができた。
電子を基板通路の両側に導いて捕集する連続スパッタ装
置は、所定の間隔で並べた複数の基板７を基板移動通路
に沿って連続的に移動さながら成膜しても、何れの基板
７の成膜面にも高速電子の進入が抑制され、形成された
薄膜に微細結晶が含まれるようなことがなかった。ま
た、基板７以外の部材も加熱されるようなことがなく、
異物の発生を抑えることができた。
【００１７】図６は他の実施例を示すもので、偏向磁界
発生手段２０の変形例である。該実施例の各偏向磁界発
生手段２０は、永久磁石２４の両端に軟鉄製のヨーク２
５を配置した構成である。該ヨーク２５は、偏向磁界発
生範囲と該偏向磁界の強度を調整するために使用され
る。
発生手段２０の変形例である。該実施例の各偏向磁界発
生手段２０は、永久磁石２４の両端に軟鉄製のヨーク２
５を配置した構成である。該ヨーク２５は、偏向磁界発
生範囲と該偏向磁界の強度を調整するために使用され
る。
【００１８】図７は更に他の実施例を示すもので、偏向
磁界発生手段２０の変形例である。該実施例の各偏向磁
界発生手段２０は、永久磁石２４の両端に配置した軟鉄
製ヨーク２６を段付き形状にして、基板７の側方をを包
むようにしたものである。このようなヨーク形状にすれ
ば、磁力線２２を基板７の成膜面の近くに集中させて効
率良く高速電子の進入を抑制することができるので、マ
グネトロン磁界への影響を小さくすることができると共
に永久磁石２４を小型化できる。
磁界発生手段２０の変形例である。該実施例の各偏向磁
界発生手段２０は、永久磁石２４の両端に配置した軟鉄
製ヨーク２６を段付き形状にして、基板７の側方をを包
むようにしたものである。このようなヨーク形状にすれ
ば、磁力線２２を基板７の成膜面の近くに集中させて効
率良く高速電子の進入を抑制することができるので、マ
グネトロン磁界への影響を小さくすることができると共
に永久磁石２４を小型化できる。
【００１９】図８は更に他の実施例を示すもので、偏向
磁界発生手段２０の変形例である。該実施例の各偏向磁
界発生手段２０は、基板移動通路の両側に配置した１対
の電磁コイル２７ａ，２７ｂによって基板７の成膜面の
近傍に偏向磁界を発生する構成である。該電磁コイル２
７ａ，２７ｂは成膜室１の外側（大気中）に設置して水
冷できる構成とする。しかしながら該電磁コイル２７
ａ，２７ｂを用いて発生する偏向磁界は、ターゲット２
付近への影響が大きくなり、プラズマに片寄りが生じ易
くなる。このプラズマの片寄りによる成膜作用の片寄り
で膜厚が不均一になるのを防止するには、該電磁コイル
２７ａ，２７ｂを付勢する電流の方向を定期的に反転
し、この片寄りを補正するようにすると良い。
磁界発生手段２０の変形例である。該実施例の各偏向磁
界発生手段２０は、基板移動通路の両側に配置した１対
の電磁コイル２７ａ，２７ｂによって基板７の成膜面の
近傍に偏向磁界を発生する構成である。該電磁コイル２
７ａ，２７ｂは成膜室１の外側（大気中）に設置して水
冷できる構成とする。しかしながら該電磁コイル２７
ａ，２７ｂを用いて発生する偏向磁界は、ターゲット２
付近への影響が大きくなり、プラズマに片寄りが生じ易
くなる。このプラズマの片寄りによる成膜作用の片寄り
で膜厚が不均一になるのを防止するには、該電磁コイル
２７ａ，２７ｂを付勢する電流の方向を定期的に反転
し、この片寄りを補正するようにすると良い。
【００２０】また、小さいマグネトロン磁界でプラズマ
を生成する連続スパッタ装置では、永久磁石を使用した
偏向磁界発生手段２０による偏向磁界でもプラズマに片
寄りを生ずることがある。このような連続スパッタ装置
では、永久磁石の磁極の極性が反転するように該永久磁
石を定期的に１８０度回動させる構成にすると良い。
を生成する連続スパッタ装置では、永久磁石を使用した
偏向磁界発生手段２０による偏向磁界でもプラズマに片
寄りを生ずることがある。このような連続スパッタ装置
では、永久磁石の磁極の極性が反転するように該永久磁
石を定期的に１８０度回動させる構成にすると良い。
【００２１】このような連続スパッタ装置における偏向
磁界発生手段２０と荷電粒子捕集電極３１を基板ホルダ
移動機構９による基板ホルダ８の移動と一緒に移動する
構成とすれば、基板ホルダ８の移動中にも基板７の成膜
面の近傍に安定な偏向磁界を形成し、荷電粒子の進入を
確実に抑制することができ、一層均質な成膜が可能とな
る。このように偏向磁界発生手段２０と荷電粒子捕集電
極３１を基板ホルダ８と一緒に移動させる構成では、偏
向磁界の方向を基板ホルダ８の移動方向と平行な方向と
し、荷電粒子捕集電極３１を移動方向の前後位置に配置
するようにしても荷電粒子の進入を抑制することができ
るが、このようにすると移動中に偏向磁界発生手段２０
や荷電粒子捕集電極３１の一部が成膜されたり、荷電捕
集電極３１が放電領域を横切るために該放電を不安定に
する問題が発生する。
磁界発生手段２０と荷電粒子捕集電極３１を基板ホルダ
移動機構９による基板ホルダ８の移動と一緒に移動する
構成とすれば、基板ホルダ８の移動中にも基板７の成膜
面の近傍に安定な偏向磁界を形成し、荷電粒子の進入を
確実に抑制することができ、一層均質な成膜が可能とな
る。このように偏向磁界発生手段２０と荷電粒子捕集電
極３１を基板ホルダ８と一緒に移動させる構成では、偏
向磁界の方向を基板ホルダ８の移動方向と平行な方向と
し、荷電粒子捕集電極３１を移動方向の前後位置に配置
するようにしても荷電粒子の進入を抑制することができ
るが、このようにすると移動中に偏向磁界発生手段２０
や荷電粒子捕集電極３１の一部が成膜されたり、荷電捕
集電極３１が放電領域を横切るために該放電を不安定に
する問題が発生する。
【００２２】また、基板ホルダ８を一定の速度で連続的
に移動させる構成にする場合には、偏向磁界発生手段２
０と荷電粒子捕集電極３１を該基板ホルダ８の移動方向
に連続した定置形に構成すると良い。
に移動させる構成にする場合には、偏向磁界発生手段２
０と荷電粒子捕集電極３１を該基板ホルダ８の移動方向
に連続した定置形に構成すると良い。
【００２３】以上に述べた実施例では、ターゲットホル
ダ３に高周波電力を印加して高周波放電を生成するよう
に構成したが、直流電圧を印加して直流放電を生成する
ようなスパッタ装置でも同様に実施して同様な効果が得
られる。
ダ３に高周波電力を印加して高周波放電を生成するよう
に構成したが、直流電圧を印加して直流放電を生成する
ようなスパッタ装置でも同様に実施して同様な効果が得
られる。
【００２４】そしてこのような連続スパッタ装置によれ
ば、大面積の基板に良質の非結晶薄膜を形成することが
できるので、大面積のガラス基板にＩＴＯ薄膜を形成す
るために使用すれば、高精細の液晶平面ディスプレイ用
の薄膜トランジスタの形成が可能になる。
ば、大面積の基板に良質の非結晶薄膜を形成することが
できるので、大面積のガラス基板にＩＴＯ薄膜を形成す
るために使用すれば、高精細の液晶平面ディスプレイ用
の薄膜トランジスタの形成が可能になる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明は、ターゲットホル
ダと基板ホルダとを成膜室内に対向して配置し、基板ホ
ルダを成膜室内で移動しながら該基板ホルダに保持した
基板の表面に放電を利用して成膜する連続スパッタ装置
において、前記基板移動方向と交叉し、該基板の成膜面
と略平行な方向の偏向磁界を該成膜面の近傍に発生する
偏向磁界発生手段を設け、成膜中の基板方向に飛行する
荷電粒子を該基板移動方向に対して交叉し、該基板面と
平行な方向にその飛行方向を偏向するようにしたので、
該荷電粒子の成膜面への進入が抑制され、大面積で高品
質の薄膜を高速に形成することができる。
ダと基板ホルダとを成膜室内に対向して配置し、基板ホ
ルダを成膜室内で移動しながら該基板ホルダに保持した
基板の表面に放電を利用して成膜する連続スパッタ装置
において、前記基板移動方向と交叉し、該基板の成膜面
と略平行な方向の偏向磁界を該成膜面の近傍に発生する
偏向磁界発生手段を設け、成膜中の基板方向に飛行する
荷電粒子を該基板移動方向に対して交叉し、該基板面と
平行な方向にその飛行方向を偏向するようにしたので、
該荷電粒子の成膜面への進入が抑制され、大面積で高品
質の薄膜を高速に形成することができる。
【図１】本発明になる連続スパッタ装置の縦断側面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示した連続スパッタ装置の要部斜視図で
ある。
ある。
【図３】成膜中の成膜面への荷電粒子進入抑制作用説明
図である。
図である。
【図４】成膜中の基板の成膜面の温度分布特性図であ
る。
る。
【図５】成膜面の近傍に形成される偏向磁界の強さと成
膜面の温度の最大値の関係を示す特性図である。
膜面の温度の最大値の関係を示す特性図である。
【図６】偏向磁界発生手段の変形例を示す要部斜視図で
ある。
ある。
【図７】偏向磁界発生手段の他の変形例を示す要部斜視
図である。
図である。
【図８】偏向磁界発生手段の更に他の変形例を示す要部
斜視図である。
斜視図である。
１ 成膜室 ２ ターゲット ３ ターゲットホルダ ７ 基板 ８ 基板ホルダ ９ 基板ホルダ移動機構 ２０ 偏向磁界発生手段 ２１ 永久磁石 ２２ 磁力線 ２３ 荷電粒子飛行軌道 ３１ 荷電粒子捕集電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 夏井 健一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 瀬戸山 英嗣 茨城県日立市国分町１丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 亀井 光浩 茨城県日立市国分町１丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 鈴木 哲昭 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内
Claims (7)
- 【請求項１】 ターゲットホルダと基板ホルダとを成膜
室内に対向して配置し、基板ホルダを成膜室内で移動し
ながら該基板ホルダに保持した基板の表面に放電を利用
して成膜する連続スパッタ装置において、 前記基板移動方向と交叉し、該基板の成膜面と略平行な
方向の荷電粒子偏向磁界を該成膜面の近傍に発生する偏
向磁界発生手段を設けたことを特徴とする連続スパッタ
装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記偏向磁界方向は
基板移動方向に対して略直交することを特徴とする連続
スパッタ装置。 - 【請求項３】 請求項１において、前記偏向磁界発生装
置は、前記基板ホルダの移動通路の移動方向両側に配置
した磁極を備えたことを特徴とする連続スパッタ装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３の１項において、前記偏向
磁界発生手段は前記基板ホルダと一緒に移動するように
設けたことを特徴とする連続スパッタ装置。 - 【請求項５】 ターゲットホルダと基板ホルダとを成膜
室内に対向して配置し、基板ホルダを成膜室内で移動し
ながら該基板ホルダに保持した基板の表面に放電を利用
して成膜する連続スパッタ装置において、 前記基板移動方向と交叉する方向の偏向磁界を基板成膜
面の近傍に発生する偏向磁界発生手段と、前記偏向磁界
に沿って飛行する荷電粒子を捕集する捕集電極を設けた
ことを特徴とする連続スパッタ装置。 - 【請求項６】 請求項５において、前記捕集電極は前記
基板移動通路の移動方向両側に配置したことを特徴とす
る連続成膜装置。 - 【請求項７】 ターゲットホルダと基板ホルダとを成膜
室内に対向して配置し、基板ホルダを成膜室内で移動し
ながら該基板ホルダに保持した基板の表面に放電を利用
して成膜する連続スパッタ装置において、 プラズマから基板方向に飛来する荷電粒子を基板移動方
向と交叉する方向に飛行方向を偏向する偏向磁界を成膜
面の近傍に発生する偏向磁界発生手段を設けたことを特
徴とする連続スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25863091A JPH0570951A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 連続スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25863091A JPH0570951A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 連続スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570951A true JPH0570951A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=17322946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25863091A Pending JPH0570951A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 連続スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010073669A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置およびそれを用いた基板の製造方法 |
| KR101192782B1 (ko) * | 2005-08-29 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 합금막 형성 장치 및 그를 이용한 합금막 형성방법 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP25863091A patent/JPH0570951A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101192782B1 (ko) * | 2005-08-29 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 합금막 형성 장치 및 그를 이용한 합금막 형성방법 |
| WO2010073669A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置およびそれを用いた基板の製造方法 |
| CN102264942A (zh) * | 2008-12-26 | 2011-11-30 | 佳能安内华股份有限公司 | 成膜装置和使用该成膜装置的基板的制造方法 |
| JP5226809B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-07-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置およびそれを用いた基板の製造方法 |
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