JPH0569464B2 - - Google Patents

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JPH0569464B2
JPH0569464B2 JP62183664A JP18366487A JPH0569464B2 JP H0569464 B2 JPH0569464 B2 JP H0569464B2 JP 62183664 A JP62183664 A JP 62183664A JP 18366487 A JP18366487 A JP 18366487A JP H0569464 B2 JPH0569464 B2 JP H0569464B2
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JP
Japan
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ion
ion sensor
sensor according
adhesive
manufacturing
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Hideichiro Yamaguchi
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Terumo Corp
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  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野] 本発明は、被測定溶液のイオン濃度を測定する
イオンセンサ及びその製造方法に関する。 [従来の技術] 従来、イオンセンサとしては、ガラス電極や液
膜型電極が知られている。しかし、いずれも内部
溶液及び内部液室を持つ電極であるため、小型化
が困難であり、安全性の面で問題があつた。 本発明者等は、先に内部液室を持たない新規の
固体型イオンセンサについて報告したが、電極の
表面にデイツピング法あるいはペーストレジン法
を用いてイオンキヤリア膜を形成していたため、
一連の製造プロセスに長時間を要していた。ま
た、一定の規格化した膜厚に形成することが困難
であつた。 [発明が解決しようとする課題] 本発明の目的は、高性能を維持した小型で再現
性の良い固体型イオンセンサを提供することにあ
る。また、そのイオンセンサの製造方法を提供す
ることにある。 [課題を解決するための手段] この課題を解決するために、本発明のイオンセ
ンサは、電極基体と、該電極基体の表面を被覆す
るイオンキヤリア物質を含有してなるイオンキヤ
リア膜とを有するイオンセンサであつて、前記電
極基体とイオンキヤリア膜との間に、前記イオン
キヤリア膜組成物の溶液を含む接着剤で形成され
た接着層を備えることを特徴とする。 また、本発明のイオンセンサの製造方法は、電
極基体を作成する基体作成工程と、イオンキヤリ
ア物質を含有するイオンキヤリア膜を作成する膜
作成工程と、前記イオンキヤリア膜組成物の溶液
を含む接着剤で、前記イオンキヤリア膜を前記電
極基体の表面に接着する接着工程とを備えること
を特徴とする。 [実施例] 本実施例のイオンセンサの構造を第1図に示
す。又、第2図a,bには、本実施例のイオンセ
ンサを構成する電極基体とイオンキヤリア膜とを
示す。 本実施例では、導電性基体の表面に酸化還元機
能層を電解酸化重合法を用いて形成したのち、予
めキヤステイング法、射出成形法、ペーストレジ
ン法等により一定形状に形成したイオンキヤリア
膜を接着剤を用いて接着固定してイオンセンサを
形成する。 接着剤にはイオンキヤリア膜組成物の溶解溶
液、イオン透過性のある接着剤、例えばPVA系
接着剤、及び電解質塩を含有する接着剤、更に
は、イオン導電性のあるポリマーをベースとする
接着剤等が好ましい。 以下実施例に従つて、更に詳細にイオンセンサ
の構造を説明する。 <実施例 1〜16> (1) 電極基体10の作成 まず、第2図aに示すような電極基体10を作
成した。 直径1mm、長さ3mmのBPG1(ベーサルブレー
ン・ピロリテイツク・グラフアイト)を導電性基
体として端部を研磨し、一端にリード線3(直径
0.1mmのウレメツト線)を導電性接着剤2(アミ
コン社製:C850−6)を用いて接着したのち、
絶縁チューブとして内径1.3mmのテフロンチユー
ブ4内に絶縁性接着剤5を用いて絶縁固定した。 このBPG電極を作用電極として、飽和塩化ナ
トリウム飽和カロメル電極(SSCE)を基準電極
とし白金鋼を対電極とする三電極式セルとポテン
シヨスタツトを用いて、 0.5M…… 0.2M……NaClO4 を含むアセトニトリル溶液中で、0Vから1.5V(対
SSCE)、走査速度50V/secの条件で3回電解し
たのち、1.5V(対SSCE)で10分間定電位電解を
行つて、酸化還元機能層としてポリ(2,6−ジ
メチルフエノール)膜6(膜厚30μm)を形成し
た。 (2) イオンキヤリア膜7の作成 次に、第2図bに示すイオンキヤリア膜を作成
した。 TDDA:トリ−n−ドデシルアミン……1% KTpClPB:カリウム・テトラキス(P−クロ
ロフエニル)ボレート……0.6% ジ(2−エチルヘキシル)セバシン酸エステ
ル:DOS……65.6% ポリ塩化ビニル:PVC……32.8% を含む高分子を、 (A) 射出成形法 (B) キヤステイング法 (C) ペースト法 を用いて第2図bに示す形状にイオンキヤリア膜
7を形成した。本例では、水素イオンキヤリア膜
である。 (3) 接着層8による接着 このイオンキヤリア膜7の内面に、表1の接着
剤の欄に示す接着剤を塗布して接着層8を作つた
後、(1)で作成した前記電極基体10を挿入して接
着固定した。さらに、電極基体10とイオンキヤ
リア膜7との接合部をシリコーン系樹脂接着剤で
接着し絶縁性を高めた。 以上のようにして、水素イオンセンサを作成し
た。 <実施例 17> イオンキヤリア膜7を、 バリノマイシン……1% KTpClPB……0.6% DOS……65.6% PVC……32.8% を含む高分子から成形した以外は実施例1と同様
にしてカリウムイオンセンサを作成した。 <実施例 18> イオンキヤリア膜7を、 ビス(12−クラウン−4)……1% KTpClPB……0.6% DOS……65.6% PVC……32.8% から成形した以外は、実施例1と同様にしてナト
リウムイオンセンサを作成した。 <実施例 1〜16> 実施例1〜16で作成した水素イオンセンサを
SSCEと共にリン酸塩緩衝溶液中に浸漬し、37℃
の下でPH4〜9の範囲でPH値を変えて起電力測
定を行つて特性試験を行つた。結果を表1の電極
特性を欄にまとめて示した。
【表】 表1からわるように、起電力の特性は、60.0〜
62.0mV/PHを示し、応答速度は10秒以内であり、
水素イオンセンサとして充分使用できる。又、接
着層としてはイオンキヤリア組成液を用いるのが
最良であるが、PVA系接着層、エポキシ系接着
層、ポリウレタン系接着層も、電解質塩あるいは
イオンキヤリア成分を含有させることによつて特
性が改良されることがわかつた。 <実施例 17,18> 実施例17のカリウムイオンセンサをSSCEと共
に2×10-4MのKCl溶液に浸漬し、1MのKClを
添加してカリウムイオン濃度[K+]を変化させ
て起電力応答を測定した結果、2×10-4M〜5×
10-1Mの範囲で直線性を示し、その傾は37℃の下
で61.5mV/decadeであり、95%応答時間は10秒
以内と速いことが分つた。 実施例18のナトリウムイオンセンサも、NaCl
溶液を使用し上記の様にしてナトリウムイオン濃
度[Na+]を変化させて特性を調べた結果、5×
10-4M〜5×10-1Mの範囲で直線性があり、その
傾きは61.2mV/decadedeを示した。そして、応
答時間は10秒以内であつた。 [他の実施例] 第3図a,bに本発明の他の実施例のイオンセ
ンサの構造を示す。尚第3図aは断面図、第3図
bは正面図である。 絶縁性基板34上に金属あるいは導電性炭素等
で形成された導電性基体31がある。この導電性
基体31の一端に導電性接着剤32でリード線を
接着し、接着部を絶縁性接着剤35で絶縁する。 この電極を作用電極とし、飽和塩化ナトリウム
飽和カロメル電極(SSCE)を基準電極とし白金
鋼を対電極とする三電極式セルとポテンシヨンス
タツトを用いて、実施例1同様に電解重合によ
り、酸化還元機能層36を形成する。 これを実施例1の電極基体と同様に、予め作成
されたイオンキヤリア膜37と接着層38で接着
する。尚、イオンキヤリア膜37や接着層は前述
の実施例と同様の材料が使用される。 このように本実施例によれば、各種イオンセン
サを容易に大量に作成ができる。 尚、他のイオンセンサ、更に他の膜被覆型電極
等においても本実施例の製造方法が適用できるこ
とは明らかである。 [発明の効果] 本発明により、高性能を維持した小型で再現性
の良い固体型のイオンセンサを提供できる。ま
た、そのイオンセンサの製造方法を提供できる。 本発明のイオンセンサ及びその製造方法は、予
めイオンキヤリア膜を作成しておき、これを電極
基体にイオンキヤリア膜組成物の溶液を含む接着
剤を用いて接着固定して作成するイオンセンサで
あるので、性能を維持したままで大量の作成を短
時間にかつ自動化して行うことができる。 更に、一定の規格化した形状及び特性のセンサ
を作成できるので、再現性の良い製品を提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例のイオンセンサの構造を示す
図、第2図aは本実施例のイオンセンサを構成す
る電極基体を示す図、第2図bは本実施例のイオ
ンセンサを構成するイオンキヤリア膜を示す図、
第3図a,bは他の実施例のイオンセンサの構造
を示す図である。 図中、1……BPG、2……導電性接着剤、3
……リード線、4……テフロンチユーブ、5……
絶縁性接着剤、6……ポリ(2,6−ジメチフエ
ノール)膜、7……イオンキヤリア膜、8……接
着層、31……導電性基体、32……導電性接着
剤、33……リード線、34……絶縁性基板、3
5……絶縁性接着剤、36……酸化還元機能層、
37……イオンキヤリア膜、38……接着層であ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 電極基体と、該電極基体の表面を被覆するイ
    オンキヤリア物質を含有してなるイオンキヤリア
    膜とを有するイオンセンサであつて、 前記電極基体とイオンキヤリア膜との間に、前
    記イオンキヤリア膜組成物の溶液を含む接着剤で
    形成された接着層を備えることを特徴とするイオ
    ンセンサ。 2 前記接着層はイオン透過性を有することを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のイオンセン
    サ。 3 前記接着層は電解質塩を含有することを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載のイオンセン
    サ。 4 前記電極基体は、導電性基体と該導電性基体
    の表面を被覆する酸化還元機能を有する酸化還元
    機能層とを備えることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載のイオンセンサ。 5 前記電極基体は、前記酸化還元機能層の表面
    を被覆する隔壁層を更に備えることを特徴とする
    特許請求の範囲第4項記載のイオンセンサ。 6 電極基体を作成する基体作成工程と、 イオンキヤリア物質を含有するイオンキヤリア
    膜を作成する膜作成工程と、 前記イオンキヤリア膜組成物の溶液を含む接着
    剤で、前記イオンキヤリア膜を前記電極基体の表
    面に接着する接着工程とを備えることを特徴とす
    るイオンセンサの製造方法。 7 前記接着剤がイオン透過性を有することを特
    徴とする特許請求の範囲第6項記載のイオンセン
    サの製造方法。 8 前記接着剤が電解質塩を含有することを特徴
    とする特許請求の範囲第6項記載のイオンセンサ
    の製造方法。 9 前記膜形成工程は、射出成形法、押し出し成
    形法、キヤステイング法、ペーストレジン法から
    選ばれることを特徴とする特許請求の範囲第6項
    記載のイオンセンサの製造方法。 10 前記基体作成工程は、導電性基体の表面を
    酸化還元機能を有する酸化還元機能層で被覆する
    第1の被覆工程を備えることを特徴とする特許請
    求の範囲第6項記載のイオンセンサの製造方法。 11 前記基体作成工程は、前記酸化還元機能層
    の表面を隔壁層で更に被覆する第2の被覆工程を
    更に備えることを特徴とする特許請求の範囲第1
    0項記載のイオンセンサの製造方法。
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Citations (6)

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