JP3135956B2 - ソリッドコンタクトとこれを用いた電位差センサ装置およびセンサ装置による方法 - Google Patents

ソリッドコンタクトとこれを用いた電位差センサ装置およびセンサ装置による方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はセンサ装置に関し、さら
に詳しくは、内部参照要素、膜およびホーテオホアを含
む電位差センサに関する。前記ホーテオホアは電気化学
剤であり、前記膜および前記内部参照要素を接続し、内
部ソリッドコンタクト(solidcontact)を
形成する。
【0002】
【従来の技術】図2に示す従来のセンサ3は、金属層:
例えばAgなどの導電性材料、金属ハロゲン化物層:例
えばAgCl、水溶性または乾燥内部充てん溶液(通常
分析される陽イオンの塩化物塩を含む、例えばKC
l)、およびイオン選択性膜、を有する。Camma
n,K.Springer−Verlag,の「Wor
king with Ion−Selective E
lectrodes」1979年、を参照のこと。前記
イオン選択性膜はイオノホアを含む。Ammann等の
「Helvetica ACTA」1975年58,1
535〜1548を参照のこと。イオノホアは、選択透
過のイオン選択性化合物である。例えば望まれるイオン
と錯体を形成でき、カウンターイオンを膜の境界層に入
れることなくイオンを抽出できる。前記内部充てん溶液
は、片面に金属ハロゲン化物と膜中にドープされたイオ
ノホアを有する電気化学的に定義された境界面を形成す
る。このようなイオン内部充てん溶液は実際、両境界面
に存在する高交換電流を供給する連絡イオン(comm
unicating ions)の一定活量と、それに
よる金属ハロゲン化物と膜の内表面の両者における一定
で予測可能な電位とを含む。膜の外表面を試験試料で露
出した。この境界面で生じた電位はネルンスト方程式に
より、試験試料イオンの活量に依存し、膜は該イオンに
選択性を有する。
【0003】被覆線電極(Coated Wire E
lectrode:CWE)はAg等の導電性材料の
層、必要に応じてAgClの層、およびイオン選択性膜
を有する。Janata,J.による「Princip
les of Chemical Sensors」1
989年 Pleuum Pressの4章を参照され
たい。ここには従来の電極におけるような一定電圧を維
持するためにAgClと膜を接続する内部充てん溶液が
ない。それゆえ電位は未知の境界面電荷交換剤あるい
は、制御できない活量の位置により決定される。CWE
の電位測定はドリフト(drift)傾向があり、反応
時間が遅く、膜と電気化学的内部参照要素との境界面が
定められていないので、オフセット電位は再現性がな
い。さらに、境界面における水溶性塩のどの瞬間の量も
電位においてドリフトを生じさせる水位の上昇(wat
er uptake)を生じさせる。
【0004】イオン選択性センサを微小なプレーナー
(planar)配置に設置すると、貯蔵状態と測定状
態における差異のために問題が生じる。いかなる時も水
が膜に浸透し、浸透バランスを維持する。水が試料から
内部電解質溶液に浸透した場合には、膜はふくらむか、
あるいは破裂する。水がセンサからなくなった場合(例
えば蒸発)、膜は円きょ歯状となる。このことにより、
内部電解質溶液の活量が変化し、電位にドリフトが生じ
る。この関係は大きな従来の電極において、その内部充
てん溶液は容積が大きいので考慮されないが、プレーナ
ー工程技術により作られたような小さなセンサにおいて
は、重大な要因となる。
【0005】Shono等の米国特許第4,554,3
62号および第4,523,994号はイオン選択性電
極のイオン選択性膜において、中性キャリアーとしての
ビス−クラウン−エーテル誘導体の使用を記載してい
る。
【0006】Delton等の米国特許第4,504,
368号はイオン選択性の組成物と電極において、イオ
ノホアとしてのクラウンエーテル組成物の使用を記載し
ている。クラウンエーテルを溶解し、膜中にてイオン移
動度を供する多種多様の溶媒が開示されている。
【0007】Battaglia等の米国特許第4,2
14,968号はイオノホアの使用を取り入れた乾燥操
作イオン選択性電極を記載している。
【0008】Freiser等の米国特許第4,11
5,209号はマトリックス中にイオン交換材料で導電
性基質を被覆することにより形成された電極を記載して
いる。電位差測定可能なイオンあるいはイオン群のリス
トが供されている。
【0009】Baginski等のEP0 267 7
24は基質に電気化学的に活性な材料をプリントする方
法を記載し、微量化学試験を行なう試験方法を供してい
る。Oue等の「Chem,Ltr.」1988年40
9〜410はAg選択性電極に中性キャリアーとしてモ
ノチアクラウンエーテル(MTCE)の使用を開示して
いる。1988年6月9日付の手紙にてOueは、化合
物が中性銀イオンキャリアーとして使用される場合に
は、コンディショニング時間を減じるために、該化合物
を最初にAgNOと錯体化することをすすめてい
る。
【0010】Dannert等の「Anal,Che
m」1990年62,1428〜1431は重合マトリ
ックスに共有配置されたイオノホアを含むイオン選択性
電極を記載している。
【0011】Oue,M.等の「J.Chem.So
c.−Perkin Trans.」1989年167
5−1678は重合膜Ag+ 選択性電極の中性キャリア
として親油性モノ−チアクラウンエーテルおよび親油性
ジ−チアクラウンエーテルの使用を開示している。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】概して、本発明は導電
性基質を有する内部参照要素、膜およびホーテオホア
(fortiophore)から形成されたセンサ装置
に関するものである。前記膜と前記内部参照要素間の制
御された電気化学的ソリッドコンタクトは前記ホーテオ
ホアにより維持される。ホーテオホアは、導電性基質の
導電性イオン(例えば金属)と錯体を形成し、膜と導電
性基質間に実際の再現性のある電気的内部ソリッドコン
タクトを提供する。膜は、試験試料中のイオンと錯体を
形成し試験試料と膜の電気化学的境界面を形成するイオ
ノホア、を含む。センサ装置はさまざまな形態より構成
される。例えば、プレーナー、被覆線、ISFETな
ど。これらは選択された形態により、基礎要素を必要と
する。1実施例において、プレーナーセンサは、内部参
照要素を覆う膜を有する適した非導電性の基礎材料にプ
リントされた内部参照要素とホーテオホアから形成され
る。
【0013】中性イオノホアとは対照的に、ホーテオホ
アはイオン選択性であってもなくてもよい中性錯化剤で
ある。ホーテオホアの唯一の目的は内部参照要素と可逆
的な電気化学的連通を提供することである。ホーテオホ
アは試料と膜の境界面においてイオノホアの電気化学的
作用には連動しない。
【0014】ホーテオホアを使用すれば従来のセンサ配
置(図2)から2つの層、すなわち金属ハロゲン化物お
よび液体あるいは乾燥内部充てん材、を除去できる。本
発明によるセンサ(図1)は2層システムからなり、製
造もより容易である。もう1つの特徴は、このセンサに
は内部電解質充てん材がないので、水の影響を受けにく
いことである。
【0015】明細書と請求項におけるセンサとチップと
いう用語は、おたがいに交換可能な意味で使われてい
る。
【0016】図1から図5に示す表示は、あくまで図表
であり、実際の規模あるいは割合を示してはいない。
【0017】それゆえ、本発明の主な目的は内部参照要
素および膜を有し、これらが電気化学的にホーテオホア
により接続されている2層センサ装置を提供することで
ある。
【0018】本発明のもう1つの目的は、内部参照要
素、イオン選択性膜、およびホーテオホアを含み、該膜
がイオノホアを含むイオン選択性センサを提供すること
である。前記ホーテオホアは前記内部参照要素の金属イ
オンと錯体を形成し、それゆえ該内部参照要素と前記膜
間の内部ソリッドコンタクトを供し、該膜と該内部参照
要素とを接続する。前記イオノホアは試験試料中のイオ
ンと錯体を形成し、該試験試料と前記膜を接続する。
【0019】本発明のさらなる目的は、より再現性のあ
る基準電位、よりよい正確さおよびより速い立ち上がり
応答時間(wet up)を有するイオン選択性センサ
を提供することである。
【0020】本発明のもう1つの目的は、被覆線センサ
を提供することである。
【0021】本発明のもう1つの目的は、ISFETセ
ンサのための再現性のあるソリッドステイトコンタクト
を提供することである。
【0022】本発明のさらなるもう1つの目的は、セン
サ間の再現性と長い貯蔵寿命を示すセンサの大量生産を
容易にするセンサ設計を提供することである。
【0023】本発明のもう1つの目的は、ホーテオホア
と少なくとも1つのイオノホアを含むセンサ装置を提供
することである。
【0024】これらおよびその他の目的に鑑みて、当業
者にとって明白なことであるが、本発明は明細書中の先
に載り、ここに添えられた請求項にわたる材料の組み合
わせに帰属する。
【0025】省略形 後述省略形は明細書とそれに伴なう表および請求項に用
いられたものである。 THF テトラヒドロフラン VAL バリノマイシン PVC ポリビニルクロライド KTPB カリウムテトラフェニルホウ酸塩 TOTM トリオクチルトリメリテート(Tr
ioctyl trimellitate) UDCN ウンデシルシアン化物 DTCE 1,10−ジチア−18−クラウン
−6−エーテル MTCE ドデシル−16−クラウン−5−エ
ーテル AgTpClPB 銀 テトラキス(パラ−クロロフェ
ニル)ホウ酸塩 BHTCH テトラ−直鎖ヘキシル−3,3′,
4,4′−ベンジドロテトラカルボキシレート ONPOE オルト−ニトロフェノールオクチル
エーテル SHONO ビス(12−クラウン−4)メチル
ドデシルマロン酸塩 TDDA トリドデシルアミン ETH1001 (−)−(R,R)−N,N′−
〔ビス(11−エトキシカーボニル)ウンデシル〕−
N,N′−4,5−テトラメチル−3,6−ジオクサオ
クタンジアミド KTpClPB カリウムテトラキス(パラ−クロロ
フェニル)ホウ酸塩 AgBENZ 銀安息香酸塩 DUP ジウンデシルフタル酸塩 ETH2120 N,N,N′,N′−テトラシクロ
ヘキシル−1,2−フェニレンジオチシジアセトアミド ISFET イオン選択性フィールドイフェクト
トランジスタ
【0026】
【実施例】本発明を以下の実施例に基づいてさらに詳細
に説明する。
【0027】図1において本発明のセンサ装置4は、不
活性基質、内部参照要素12、および膜20より成る基
礎要素を含む。不活性基質を選択するにあたって、「H
and book of Thick Film Hy
brid Microelectronics」C.
A.Harper,McGraw−HillBookC
ompany,1982年再版の4章に記載されている
ように、考慮すべき多くの要因がある。
【0028】基質10をセンサ装置に配置する1つとし
て平面がある。図4のプレーナーセンサ装置における基
質の好ましい組成物はアルミナである。平面の大きさ
は、基質上に置かれる内部参照要素の数と、チップの多
種多様な応用に付随する設計の要求と、およびチップを
生産する製造概念により変わる。好ましい実施例におけ
る内部参照要素12は導電性基質である。例えば、金
属、合金、あるいは非金属と金属の、または非金属と合
金の混合物など。
【0029】選択的に、1実施例として露出チップ13
を有するワイヤー12を含むセンサ装置のCWE型6を
図3に示す。ここで、膜20をワイヤーの露出チップ上
に配置する。
【0030】例えばISFET7のような超小型電子素
子を統合したセンサ装置を図5に示す。基礎要素11上
に配置されたISFETはシリコン基質24、導電性材
料ゲート26、みぞ28、ソース(source)3
0、絶縁体22、カプセル封じゾーン23、および膜2
0を含む。Freiser,H.による「Ion Se
lective Electrodes in Ana
lytical Chemistry」1979年2
巻,Plenum Press,NewYork.を参
照とする。
【0031】図4において、1つ以上の導電性鉛板14
を基質上に配置する。各導電性鉛板はセンサ位置16と
接触区域18を含む。接触区域は測定装置と接続する方
法を提供する。導電性鉛は通常金属と必要に応じてバイ
ンダーより成る。前記金属は銀、白金、金、パラジウ
ム、イソジウムあるいはそれらの合金、のような貴金属
から成り、その選択は、センサの特定の用途に求められ
る性能特性による。選択的に、導電性基質は非金属物質
と金属とのあるいは合金との混合物を含む。後述のチッ
プにおいて、別の言い方をすると、銀は導電性鉛の好ま
しいものである。絶縁体22を、図3から図5に示すよ
うに、導電性鉛の一部を覆うように取り付ける。
【0032】センサ位置を接触区域から離すために導電
性鉛の一部が優先的に覆われるように前記絶縁体を取り
付ける。
【0033】プレーナーセンサにおける絶縁材料は誘電
体材料である。絶縁体材料の他の型は従来の技術にて知
られており、該絶縁体材料の使用はその型とセンサ装置
の製造要求による。
【0034】本発明のプレーナーセンサの実施例におい
て、接触区域とセンサ位置との間の絶縁体層と同様選択
された導電性鉛を、従来のスクリーニング技術と焼成技
術により、チップ上にプリントする。前記センサ装置が
イオン選択性センサとする場合、センサ位置に取り付け
る膜はイオン選択性膜とする。イオノホアはセンサ装置
の膜の要素である。イオノホアの選択は一部、センサ装
置により分析される望まれたイオンによる。
【0035】プリントされたチップを必要に応じて膜を
設置する前に洗浄する。洗浄方法の1つを次にあげる。
チップを2−プロパノールを含むビーカーに置く。次に
ビーカーを、加熱され水の満たされた超音波洗浄器に入
れ、15分ほど音波をかける。チップをビーカーから取
り出し、蒸留水ですすぐ。チップの導電性基質を1モル
濃度のHNO3 溶液で30秒間洗浄し、蒸留水ですすい
だ後に100℃に設定されたオーブンで1.5時間乾燥
させる。その他のチップの洗浄方法は、当業者にて知ら
れ、行なわれている。
【0036】後述のいくつかのセンサにおいて、導電性
基質をイオン選択性膜の取り付けの前に塩素化した(図
2のAg/AgClに取り付けた膜参照)。チップを2
分以内で0.08%のFeCl3 溶液に浸し、蒸留水で
すすぎ、吸引乾燥させた。
【0037】本発明の1つのセンサ装置、プレーナーカ
リウムセンサ2−39−10、においてイオン選択性膜
(図2参照)をチップのブランク銀電極に取り付けた。
前記膜材料を最初に計量し、ガラス薬ビンに入れ、そし
てTHF4.0mlを加えた。生じたスラリーを全てのP
VCが溶解するまでかくはんした。次に銀塩0.01g
を加え、溶液をさらに1.5時間かくはんした。溶液を
2ミクロンフィルター(Millipore)を用いて
ろ過した。次に、生じた膜溶液を18滴、チップ上に点
着し、THFを制御した条件下で蒸発させ、約50ミク
ロンの厚さの膜をつくった。
【0038】選択的にAgNO3 (適当な金属塩として
の)を加えるかわりに、チップを100ミリモル濃度の
硝酸銀溶液中に12時間浸す。
【0039】ホーテオホアにより電極は、1つのチップ
にてsd=1.72mVと良好な再現性を有する。2つの
チップの平均値は1.96mVであり、標準偏差は2.1
0mVである。ナトリウム、カルシウムおよびpHに渡る
選択性を容認される限度内で示す(表3参照)。立ち上
がり応答時間(wetup)は速く(図6参照)、計算
された示差測定を用いると(チップ上の4つの電極の平
均と各個別の電極の差を測定する)、立ち上がり応答時
間はとても速い(図7参照)。
【0040】イオン選択性膜を有する本発明の2層セン
サにおいて、ホーテオホアを含む膜と、含まない膜によ
るセンサを比較するために、ホーテオホアを有するチッ
プと有さないチップとの8つのチップの立ち上がり応答
時間(1チップにつき4電極)およびKTPBを有する
膜と有さない膜の立ち上がり応答時間の試験を行なった
(表1の膜、図6,図8から図10)。表2は8つの異
なる条件のために60秒あらかじめ浸した時の、チップ
上の4つの電極の標準偏差を示す(ホーテオホアを有さ
ないチップのデータは1つであるが、ホーテオホアを有
するチップのデータは2つの平均である)。このデータ
により3つの重大な特徴がわかる:オフセット電位の再
現性はホーテオホアを有するものが良い(33.9を除
外した場合)、AgClよりAgに取り付けた膜のほう
が良い、KTPBを有さない膜のほうがやや良い(オフ
セット電位の再現性に関して)。
【0041】チップ2−6−1と2−6−7は良好なオ
フセット電位の再現性(sd=1.72、sd=3.5
7)および良好な立ち上がり応答時間結果(図6,図
9)を示す。図7はセンサを10ミリモル濃度のKCl
溶液に浸した後の最初の3分間のチップ2−6−1の示
差測定結果を示す(4つの電極の平均値から各値を引い
た)。
【0042】表3は選択性と勾配の測定値を示す。両セ
ンサとも生理的背景におけるカリウムの選択性測定への
要求を満たしている。前記勾配を理論的に計算した勾配
と比較した。
【0043】表4は、いくつかの「モック(moc
k)」カル(cals)と、10の「試料」溶液および
もう2つの「モック」カルを測定したことによる正確な
測定値を示す。センサを試料あるいはカルに浸してから
各10,30,44,90秒後に正確な数値を計算し
た。最初の2行の測定値は同じ溶液における10回の測
定の平均標準偏差(チップの4つの電極対コーニングダ
ブルジャンクション参照電極)である。どの測定値も試
料精度のスペックである0.53mV以内に入らなかっ
た。次の2行の測定値は同じ溶液における10回の示差
測定の平均標準偏差(チップの4つの電極)である。こ
の精度は、参照電極に対する測定よりも明らかに良好で
あり、30秒浸漬後はスペックを満たしている。最後の
2行の測定値もまた示差測定であるが、カルと試料に渡
っている。この測定は示差測定であるので、示すオフセ
ット電位は等しく、標準偏差もまた低くあるべきであ
る。ここにおける精度は参照電極に対する測定より良い
が、スペック内におさまっていない。カリウムセンサの
好ましい膜組織において、ホーテオホアとしてMTCE
を、銀塩としてAgBENZを、可塑剤としてDUP
を、保持体としてPVCを、およびイオノホアとしてV
ALを用いている(表9参照)。この膜はMTCEを含
まない膜と比較して、絶対電位の低い標準偏差と、速い
立ち上がり応答時間による低いドリフト(60秒後)を
有する(表1および図17から図20参照)。
【0044】同様な結果がセンサに含まれる膜成分の重
量パーセンテージの変化において観察される。特に金属
塩の量の変化(例えば、膜中の銀塩)に注意が向けられ
る。記載された量は最適であるが、銀塩あるいはMTC
Eを含まない場に比較して、多少少な目あるいは多目の
量(0.5倍から2倍の量)でさらに結果を良くするこ
とは明白である。ホウ酸塩(例えば、銀テトラフェニル
ホウ酸塩、銀テトラキスパラ−クロロフェニルホウ酸
塩、銀サリチル酸塩)、有機カルボキシル酸塩(例え
ば、銀安息香酸塩)、および有機スルホン酸塩のような
違った類の銀塩も試験した。
【0045】フタル酸塩、セバシン酸塩、ETH211
2、およびテトラ−n−ヘキシル−3,3′,4,4′
−ベンズヒドロールテトラカルボキシル酸塩を含む違っ
た可塑剤も試験した。全てが同じような結果を示した
が、親油性のものがより速い反応を示した。可塑剤は重
合体材料とともに用いられ、内部移動度を増大させなが
ら膜をより均性化する。上述以外の可塑剤も同じ目的に
かなう。
【0046】他の適したホーテオホア(例えば、中性錯
化剤)を使用することも同じ目的にかない、本発明によ
りなされることが予期される。UDCNとDTCEは他
のホーテオホアの例であるが、これらは銀イオンの錯化
剤であり、内部参照要素として銀を有する実施例のMT
CEと同じ方法で機能する。表5は多種多様のホーテオ
ホアを有するカリウムセンサの測定値の摘要を示す。全
ての場合で、オフセット電位の標準偏差はホーテオホア
を全く含まない膜に観察された標準偏差より明らかに小
さい。
【0047】PVCは好ましい保持体である。しかしな
がら、フィルムを形成するどのような重合体材料も、あ
るいはフィルム形成材料に重合され得るどのような材料
も、あるいは重合体フィルムに架橋できるどのような材
料も保持体として使用される。
【0048】表6と図15は、ホーテオホア(MTC
E)を有さないカルシウムセンサ、ホーテオホア(MT
CE)を有するカルシウムセンサ、およびホーテオホア
(MTCE)と銀塩を有するカルシウムセンサの測定値
を示す。結果によると、望まれる結果を得るにはMTC
Eと銀塩の両方が必要である。この場合、ホーテオホア
のみを有するセンサの反応が遅かった。60秒後のオフ
セット電位は再現性がないが、10分後にはオフセット
電位は再現性がある(sd=2.1)。ホーテオホアを
有さないセンサとホーテオホアのみを有するセンサの勾
配は、遅い反応性のために低い。膜に銀を加えると、反
応が速くなり、再現性がでてくる。カルシウムセンサに
おいて、これ以外の銀塩もうまく使用されている。
【0049】表7と図16は、ホーテオホア(MTC
E)を有さないpHセンサ、ホーテオホア(MTCE)
を有するpHセンサ、およびホーテオホア(MTCE)
とAgNO3 を有するpHセンサの測定値を示す。結果
により、上述のように望ましい結果を得るにはMTCE
と銀塩の両方が必要であることがわかった。他の銀塩も
このpHセンサにうまく使用されている。
【0050】表8と図17は、ホーテオホア(MTC
E)を有さないナトリウムセンサ、およびホーテオホア
(MTCE)とAgNO3 を有するナトリウムセンサの
測定値を示す。この結果も上述と同様に、望ましい結果
を得るにはMTCEとAgが必要な膜成分であることを
示す。その他のAg塩(AgTpClPB)、可塑剤
(TOTM)、およびイオノホア(ETH2120、お
よびメチルモネンシン)の使用も同様の結果となった。
【0051】表9と図17から図20は立ち上がり応答
時間の研究においてAgBENZの量が変化しているカ
リウムセンサの測定値を示す。
【0052】ここに記載された本発明は、当業者に明白
である試験試料のイオン含有量や他の成分の測定におい
て工業的に使用される。これは生物学的試験試料のイオ
ン活量の測定に特に有用であるが、種々のソースの他の
試験試料の似たような装置の測定においても使用され
る。
【0053】この開示に加えられる種々の変更は、本発
明の視野および本質的な精神から離れることなく当業者
に明白であり、容易に行なわれることが理解されよう。
【0054】
【表1】
【0055】
【表2】
【0056】
【表3】
【0057】
【表4】
【0058】
【表5】
【0059】
【表6】
【0060】
【表7】
【0061】
【表8】
【0062】
【表9】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明により構成された電位差装置の一部概略
【図2】従来の電極装置に一部概略図
【図3】本発明により構成された被覆線型センサの一部
概略図
【図4】本発明により構成されたプレーナー型センサの
一部概略図
【図5】本発明により構成されたISFET型センサの
一部概略図
【図6】チップ2−6−1の応答特性を示すグラフ
【図7】チップ2−6−1の示差測定を示すグラフ
【図8】チップ2−19−1の応答特性を示すグラフ
【図9】チップ2−6−7の応答特性を示すグラフ
【図10】チップ2−19−4の応答特性を示すグラフ
【図11】チップ2−39−10のカリウムに対する応
答特性を示すグラフ
【図12】チップ2−180−3のカリウムに対する応
答特性を示すグラフ
【図13】チップ2−53−10の応答特性を示すグラ
【図14】チップ2−53−9の応答特性を示すグラフ
【図15】チップ3−62−1のカルシウムに対する応
答特性を示すグラフ
【図16】チップ30050−1のpH測定における応
答特性を示すグラフ
【図17】チップ5−15−2のナトリウム測定におけ
る応答特性を示すグラフ
【図18】チップ129−32−1のカリウム測定にお
ける応答特性を示すグラフ
【図19】チップ53−17−1のカリウム測定におけ
る応答特性を示すグラフ
【図20】チップ129−34−6のカリウム測定にお
ける応答特性を示すグラフ
【符号の説明】
10 基質 11 基礎要素 12 内部参照要素 13 露出チップ 14 電気的導電性鉛板 16 センサ位置 18 接触区域 20 膜 22 絶縁体 23 カプセル封じゾーン 24 シリコン基質 26 導電性材料ゲート 28 みぞ 30 源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 27/333 G01N 27/414 JICSTファイル(JOIS) WPI(DIALOG)

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部参照要素と、該内部参照要素上に配
    置され、ホーテオホアを含む膜とからなるセンサ装置で
    あって、該ホーテオホアが前記内部参照要素と前記膜間
    に内部ソリッドコンタクトを供することを特徴とするセ
    ンサ装置。
  2. 【請求項2】 前記装置が不活性基質を含み、前記内部
    参照要素が該不活性基質上に配置されることを特徴とす
    る請求項1記載のセンサ装置。
  3. 【請求項3】 前記センサ装置が試験試料中のイオンを
    検知するのに適し、該イオンが陽イオンまたは陰イオン
    であることを特徴とする請求項1記載のセンサ装置。
  4. 【請求項4】 前記内部参照要素が導電性材料を含み、
    該導電性材料が金属、合金、あるいは非金属物質と金属
    または合金との混合物を含むことを特徴とする請求項1
    記載のセンサ装置。
  5. 【請求項5】 前記金属が貴金属であることを特徴とす
    る請求項4記載のセンサ装置。
  6. 【請求項6】 前記貴金属が銀であることを特徴とする
    請求項5記載のセンサ装置。
  7. 【請求項7】 前記膜が疎水性有機重合体と可塑剤を含
    むことを特徴とする請求項1記載のセンサ装置。
  8. 【請求項8】 前記膜が導電性材料の塩を含むことを特
    徴とする請求項1記載のセンサ装置。
  9. 【請求項9】 前記疎水性有機重合体がPVCを含むこ
    とを特徴とする請求項7記載のセンサ装置。
  10. 【請求項10】 前記可塑剤がDOP,TOTM,BH
    TCH,ONPOE,あるいはDUPを含むことを特徴
    とする請求項7記載のセンサ装置。
  11. 【請求項11】 前記ホーテオホアがMTCE,UDC
    N,あるいはDTCEを含むことを特徴とする請求項1
    記載のセンサ装置。
  12. 【請求項12】 前記膜が少なくとも1つのイオノホア
    を含み、該イオノホアがVAL,ETH1001,SH
    ONO,TDDA,あるいはETH2120を含むこと
    を特徴とする請求項1記載のセンサ装置。
  13. 【請求項13】 内部参照要素、ホーテオホア、および
    膜を含むセンサ装置。
  14. 【請求項14】 前記膜が疎水性有機重合体および可塑
    剤を含むことを特徴とする請求項13記載のセンサ装
    置。
  15. 【請求項15】 前記装置が前記導電性材料の塩を含
    み、該塩が前記導電性材料上に配置されることを特徴と
    する請求項13記載のセンサ装置。
  16. 【請求項16】 前記疎水性有機重合体がPVCを含む
    ことを特徴とする請求項14記載のセンサ装置。
  17. 【請求項17】 前記可塑剤がDUP,DOP,TOT
    M,BHTCH,あるいはONPOEを含むことを特徴
    とする請求項14記載のセンサ装置。
  18. 【請求項18】 前記ホーテオホアがMTCE,UDC
    N,あるいはDTCEを含むことを特徴とする請求項1
    3記載のセンサ装置。
  19. 【請求項19】 前記装置がイオノホアを含み、該イオ
    ノホアがVAL,ETH1001,SHONO,TDD
    A,あるいはETH2120を含むことを特徴とする請
    求項13記載のセンサ装置。
  20. 【請求項20】 前記装置がイオノホアを含み、該イオ
    ノホアが前記膜中に分散されることを特徴とする請求項
    13記載のセンサ装置。
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