JPH0568103B2 - - Google Patents

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JPH0568103B2
JPH0568103B2 JP62269552A JP26955287A JPH0568103B2 JP H0568103 B2 JPH0568103 B2 JP H0568103B2 JP 62269552 A JP62269552 A JP 62269552A JP 26955287 A JP26955287 A JP 26955287A JP H0568103 B2 JPH0568103 B2 JP H0568103B2
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JP
Japan
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input
output
terminal
buffer
test
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JP62269552A
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Japanese (ja)
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Inventor
Fusao Tsubokura
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体集積回路に関し、特に、直流特
性チエツクに要する時間を短縮可能の半導体集積
回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and particularly to a semiconductor integrated circuit that can shorten the time required for checking DC characteristics.

[従来の技術] 半導体集積回路の直流特性のチエツクは入出力
端子の電圧及びそれを通過する電流を直流的に測
定して行う。従来の半導体集積回路についてその
直流特性をチエツクする場合には、フアンクシヨ
ンチエツク用のテストパターンを使用して所定の
入出力端子の電圧又は電流を測定する。例えば、
入力電圧マージンをチエツクする場合、入力端子
にフアンクシヨンチエツク用のテストパターンを
入力する。この場合に、テストパターンの入力電
圧として通常の動作時に入力する電圧(例えば、
ローレベルが0V、ハイレベルが5V)に対し、雑
音が混入した場合を考慮した電圧(例えば、ロー
レベルが2V、ハイレベルが3V)を印加する。入
力端子に直接関係している素子は、このような電
圧が印加された場合にも正常に動作することが保
証されるべきであり、従つて、入力端子にこの電
圧を印加した場合に出力端子から所定の出力が得
られるか否かにより、この素子の入力電圧マージ
ンの良否をチエツクする。
[Prior Art] The direct current characteristics of a semiconductor integrated circuit are checked by directly measuring the voltages at input/output terminals and the currents passing through them. When checking the direct current characteristics of a conventional semiconductor integrated circuit, a test pattern for function check is used to measure the voltage or current at a predetermined input/output terminal. for example,
When checking the input voltage margin, input a test pattern for function check to the input terminal. In this case, the voltage input during normal operation as the input voltage of the test pattern (for example,
Apply a voltage (for example, 2V for low level and 3V for high level) that takes into consideration the case where noise is mixed in (low level is 0V, high level is 5V). Elements that are directly related to the input terminal should be guaranteed to operate correctly when such a voltage is applied, and therefore, when this voltage is applied to the input terminal, the output terminal The quality of the input voltage margin of this element is checked based on whether a predetermined output is obtained from the element.

出力電流特性をチエツクする場合には、入力端
子にテストパターンを印加して測定しようとする
端子がテストパターンに基き所定のレベルとなつ
たときに、その端子の出力電流を測定する。
When checking the output current characteristics, a test pattern is applied to the input terminal, and when the terminal to be measured reaches a predetermined level based on the test pattern, the output current of that terminal is measured.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、従来の半導体集積回路において
は、直流特性のチエツクの場合に入力端子から入
力されたテストパターンは内部回路を経由して出
力端子から出力される。ところが、このような直
流特性のチエツクにより内部回路の異常を推定す
るということはできず、直流特性によつて判断す
ることができるのは入出力端子に直接関係する素
子の良否のみである。このように、内部回路の異
常を検出することができないにも拘らず、内部回
路があるために、直流特性をチエツクする際に、
所定の出力を得るための入力条件の設定が複雑に
なる。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in conventional semiconductor integrated circuits, when checking DC characteristics, a test pattern input from an input terminal is output from an output terminal via an internal circuit. However, it is not possible to estimate an abnormality in the internal circuit by checking such DC characteristics, and only the quality of elements directly related to the input/output terminals can be determined based on the DC characteristics. Although it is not possible to detect abnormalities in the internal circuit, due to the presence of the internal circuit, when checking the DC characteristics,
Setting input conditions to obtain a predetermined output becomes complicated.

例えば、入力電圧マージンをチエツクする場合
には、入力端子にテストパターンを印加して出力
端子から所定の出力がなされた場合の入力電圧を
測定するが、入力信号を変化させても内部回路の
論理によつては出力が変化しない場合がある。従
つて、所定の出力を得るためには、相当数のテス
トパターンを使用する必要がある。
For example, when checking the input voltage margin, a test pattern is applied to the input terminal and the input voltage is measured when a specified output is made from the output terminal, but even if the input signal changes, the internal circuit logic In some cases, the output may not change. Therefore, in order to obtain a predetermined output, it is necessary to use a considerable number of test patterns.

また、当然のことながら、テスト開始後の早い
時期に全入力端子において信号レベルが変化する
ようにテストパターンが設定されているわけでは
ない。従つて、入力電圧マージンチエツクにおい
ては、全てのテストパターンを使用する必要があ
る。このテストパターンとしては通常、数万パタ
ーンのものが使用されるので、テストには長時間
が消費される。
Further, as a matter of course, the test pattern is not set so that the signal level changes at all input terminals at an early stage after the start of the test. Therefore, it is necessary to use all test patterns in the input voltage margin check. Since tens of thousands of test patterns are normally used, the test takes a long time.

また、出力電流特性のチエツクにおいても、測
定する出力端子が所定の出力レベルとなるまでテ
ストパターンを走らせる。このため、半導体集積
回路の機能にもよるが、論理深度が深い場合に
は、各出力端子毎に相当数のパターンを使用する
必要がある。しかも、出力のパターンが変化した
瞬間には、半導体集積回路の出力電圧が安定して
いないので、変化の直後の電流値によつて出力電
流特性をチエツクすることはできない。このた
め、状態が安定するまでの数十ミリ秒の待ち時間
の後に電流を測定する。同一のテストパターンに
より複数個の出力端子を測定することができない
場合のテスト時間は、出力端子毎に必要なテスト
パターン走行時間及び測定待ち時間(数十ミリ
秒)に出力端子数を乗じたものとなる。半導体集
積回路は通常出力端子としては数百の端子を有す
るので、そのテスト時間は長大なものとなる。
Also, in checking the output current characteristics, a test pattern is run until the output terminal to be measured reaches a predetermined output level. Therefore, depending on the function of the semiconductor integrated circuit, if the logic depth is deep, it is necessary to use a considerable number of patterns for each output terminal. Furthermore, the output voltage of the semiconductor integrated circuit is not stable at the moment the output pattern changes, so it is not possible to check the output current characteristics based on the current value immediately after the change. Therefore, the current is measured after waiting for several tens of milliseconds until the state stabilizes. If multiple output terminals cannot be measured using the same test pattern, the test time is the test pattern running time and measurement waiting time (several tens of milliseconds) required for each output terminal multiplied by the number of output terminals. becomes. Since a semiconductor integrated circuit normally has several hundred output terminals, the test time thereof is long.

このように、従来の半導体集積回路において
は、その直流特性のチエツクには長時間を必要と
するという問題点がある。
As described above, conventional semiconductor integrated circuits have the problem that checking their DC characteristics requires a long time.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので
あつて、その直流特性を短時間に測定可能の半導
体集積回路を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit whose DC characteristics can be measured in a short time.

[問題点を解決するための手段] 本発明に係る半導体集積回路は、複数の入力端
子及び出力端子と、論理回路により構成される内
部回路と、前記複数の入力端子と内部回路との間
に夫々直列に接続される複数の入力バツフアと、
前記複数の出力端子と内部回路との間に夫々直列
に接続される複数の出力バツフアと、を有する半
導体集積回路において、テスト端子と、このテス
ト端子にテスト信号が入力された場合に前記入力
バツフアの出力端と前記出力バツフアの入力端と
を電気的に接続する第1の切替手段と、前記テス
ト端子にテスト信号が入力された場合に前記入力
バツフアの出力端と前記内部回路との間及び前記
内部回路と前記出力バツフアの入力端との間を電
気的に遮断する第2の切替手段とを有することを
特徴とする。
[Means for Solving the Problems] A semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a plurality of input terminals, an output terminal, an internal circuit constituted by a logic circuit, and a circuit between the plurality of input terminals and the internal circuit. a plurality of input buffers each connected in series;
A semiconductor integrated circuit having a plurality of output buffers connected in series between the plurality of output terminals and an internal circuit, respectively, a test terminal, and when a test signal is input to the test terminal, the input buffer a first switching means for electrically connecting the output end of the output buffer and the input end of the output buffer; and a switch between the output end of the input buffer and the internal circuit when a test signal is input to the test terminal; The apparatus is characterized by comprising a second switching means for electrically disconnecting between the internal circuit and the input end of the output buffer.

[作用] 本発明においては、テスト端子に、例えば、ハ
イレベルの信号を入力すると、第1の切替手段に
より入力バツフアの出力端と出力バツフアの出力
端とが電気的に接続されると共に、第2の切替手
段により前記入力バツフアの出力端と内部回路と
の間及び前記内部回路と前記出力バツフアの入力
端との間が電気的に遮断される。これにより、入
力信号の変化は、内部回路に影響されず、入力バ
ツフア及び出力バツフアを介して出力端子に出力
されるので半導体集積回路の直流特性のチエツク
において、出力端子が所定の出力を得るために
は、入力端子に印加する入力パターンを数パター
ン変化させればよい。
[Function] In the present invention, when a high-level signal is input to the test terminal, for example, the first switching means electrically connects the output end of the input buffer and the output end of the output buffer. The second switching means electrically disconnects between the output end of the input buffer and the internal circuit, and between the internal circuit and the input end of the output buffer. As a result, changes in the input signal are not affected by the internal circuit and are output to the output terminal via the input buffer and output buffer, so that when checking the DC characteristics of a semiconductor integrated circuit, the output terminal can obtain a predetermined output. This can be done by changing the input pattern applied to the input terminal several times.

[実施例] 以下、添付の図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。第1図は本発明の第1の実施例
に係る半導体集積回路を示す回路図である。入力
端子1と内部回路25との間には入力バツフア1
び77トランスミツシヨンゲート(以下、TGと
いう)7が直列接続されている。内部回路25と
出力端子3との間にはTG12及び出力バツフア
19が直列に接続されている。入力バツフア17
とTG7との接続点と、TG12と出力バツフア
19との接続点との間にTG8,11が直列接続
されている。
[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention. An input buffer 1 is provided between the input terminal 1 and the internal circuit 25.
and 77 transmission gates (hereinafter referred to as TG) 7 are connected in series. A TG 12 and an output buffer 19 are connected in series between the internal circuit 25 and the output terminal 3. Input buffer 17
TG8 and TG11 are connected in series between the connection point between TG12 and TG7 and the connection point between TG12 and output buffer 19.

TG7,8,11,12はいずれもPMOSトラ
ンジスタ及びNMOSトランジスタの並列接続体
により構成されており、TG7,12のPMOSト
ランジスタのゲート及びTG8,11のNMOSト
ランジスタのゲートには、テスト端子5から入力
され、入力バツフア21,22を介して出力され
る信号Tが入力される。一方、TG7,12の
NMOSトランジスタ及びTG8,12のPMOSト
ランジスタのゲートには、テスト端子5から入力
され、入力バツフア21により反転される信号
が入力される。TG7,12は信号Tがローレベ
ル(以下、“L”という)の場合に導通し、ハイ
レベル(以下、“H”という)の場合には導通を
遮断する。逆に、TG8,11は信号Tが“H”
の場合に導通し、“L”の場合には導通を遮断す
る。このTG7,8によりセレクタ回路26が構
成され、TG11,12によりセレクタ回路28
が構成される。
TG7, 8, 11, and 12 are all composed of parallel connections of PMOS transistors and NMOS transistors, and the gates of the PMOS transistors of TG7 and 12 and the gates of the NMOS transistors of TG8 and 11 are connected to the input from the test terminal 5. The signal T output via the input buffers 21 and 22 is input. On the other hand, TG7 and 12
A signal inputted from the test terminal 5 and inverted by the input buffer 21 is inputted to the gates of the NMOS transistor and the PMOS transistors of TG8 and TG12. The TGs 7 and 12 are conductive when the signal T is at a low level (hereinafter referred to as "L"), and cut off when the signal T is at a high level (hereinafter referred to as "H"). Conversely, for TG8 and 11, the signal T is “H”
It is conductive when it is "L", and it is cut off when it is "L". These TG7 and 8 constitute a selector circuit 26, and TG11 and 12 constitute a selector circuit 28.
is configured.

次に、このように構成された半導体集積回路の
動作について説明する。いま、テスト端子5に
“L”信号を加えると、TG7及びTG12は導通
状態、TG8及びTG11は非導通状態となる。
従つて、入力端子1に印加される信号は、入力バ
ツフア17及びTG7を介して内部回路25に入
力され、内部回路25の出力はTG12及び出力
バツフア19を介して出力端子3に出力される。
これは、通常の動作と同様であるので、入力端子
1にテストパダーンを入力することにより、フア
ンクシヨンテスト及び直流特性チエツク等が可能
である。
Next, the operation of the semiconductor integrated circuit configured as described above will be explained. Now, when an "L" signal is applied to the test terminal 5, TG7 and TG12 become conductive, and TG8 and TG11 become non-conductive.
Therefore, the signal applied to input terminal 1 is input to internal circuit 25 via input buffer 17 and TG7, and the output of internal circuit 25 is output to output terminal 3 via TG12 and output buffer 19.
Since this is the same as the normal operation, by inputting the test pattern to the input terminal 1, a function test, a DC characteristic check, etc. can be performed.

次に、テスト端子5を“H”にすると、TG
8,11は導通し、TG7,12は導通を遮断す
る。このため、入力端子1に入力される信号は入
力バツフア17、TG8、TG11及び出力バツ
フア19を介して出力端子3に出力される。従つ
て、この場合においても、入力信号は入力バツフ
ア17及び出力バツハア19を通過するので入出
力の状態をチエツクする直流特性のチエツクは可
能である。例えば、入力バツフア17の入力電圧
マージンのチエツクは、入力端子1に雑音の混入
を考慮した電圧(例えば、通常使用時に“L”が
0V、“H”が5Vである場合、例えば、“L”を2V
“H”を3V等の電圧とする)を印加し、出力端子
3から所定の出力電圧が得られるか否かにより判
断すればよい。本実施例においては、入力信号は
内部回路を通過せずに出力端子3に出力されるの
で、入力信号の“L”、“H”が変化すると、これ
に対応して出力信号の“L”、“H”も変化する。
このため、入力端子1に印加する電圧を、例え
ば、2V→3V→2Vのように数パターン変化させ
て、出力端子3がこれに対応して、例えば、0V
→5V→0Vと変化するか否かにより入力電圧マー
ジンをチエツクすればよい。このように、入力電
圧を数パターン変化させれば入力電圧マージンを
チエツクすることができ、テスト時間の大幅な短
縮が可能である。
Next, when test terminal 5 is set to “H”, TG
8 and 11 are conductive, and TG7 and 12 are disconnected. Therefore, the signal input to the input terminal 1 is output to the output terminal 3 via the input buffer 17, TG8, TG11 and the output buffer 19. Therefore, even in this case, since the input signal passes through the input buffer 17 and the output buffer 19, it is possible to check the DC characteristics to check the input/output status. For example, the input voltage margin of the input buffer 17 can be checked by checking the voltage at the input terminal 1 that takes into account noise (for example, when "L" is
If 0V and “H” are 5V, for example, “L” is 2V.
A voltage such as 3 V is applied thereto, and the determination can be made based on whether or not a predetermined output voltage is obtained from the output terminal 3. In this embodiment, the input signal is output to the output terminal 3 without passing through the internal circuit, so when the input signal changes from "L" to "H", the output signal changes from "L" to "L". , "H" also changes.
Therefore, by changing the voltage applied to the input terminal 1 in several patterns, for example from 2V to 3V to 2V, the output terminal 3 will change accordingly, for example from 0V.
Check the input voltage margin depending on whether it changes from →5V →0V. In this way, the input voltage margin can be checked by changing the input voltage in several patterns, making it possible to significantly shorten the test time.

同様にして、出力バツフア19の出力電流特性
及び出力電圧特性のチエツクにおいても、入力信
号の変化に対応して出力信号は変化するので、入
力端子1への信号を数パターン変化させれば、出
力電流特性及び出力電圧特性をチエツクすること
ができる。従つて、短時間に出力電流特性及び出
力電圧特性をチエツクすることができる。
Similarly, when checking the output current characteristics and output voltage characteristics of the output buffer 19, the output signal changes in response to changes in the input signal, so if the signal to the input terminal 1 is changed in several patterns, the output Current characteristics and output voltage characteristics can be checked. Therefore, the output current characteristics and output voltage characteristics can be checked in a short time.

第2図は本発明の第2の実施例に係る半導体集
積回路を示す回路図である。第2図において第1
図と同一物には同一符号を付して説明を省略す
る。本実施例は入力端子数が出力端子数より多い
場合の例である。入力端子1と内部回路25との
間に入力バツフア17及びTG7が直列に接続さ
れており、また、入力端子2と内部回路25との
間には入力バツフア18及びTG9が直列に接続
されている。更に、内部回路25と出力端子3と
の間にTG12及び出力バツフア19が直列接続
されている。入力バツフア17とTG7との接続
点と、TG12と出力バツフア19との接続点と
の間にはTG8,15,11が直列に接続されて
おり、入力バツフア18とTG9との接続点と、
TG12と出力バツフア19との接続点との間に
はTG10,16,11が直列に接続されてい
る。TG7乃至12及びTG15,16はPMOS
トランジスタ及びNMOSトランジスタの並列接
続体により構成され、TG7,9,12のPMOS
トランジスタのゲートには、テスト端子5に入力
された信号Tが入力バツフア21,22を介して
入力され、TG7,9,12のNMOSトランジス
タのゲートには、テスト端子5に入力された信号
Tが入力バツフア21により反転されて信号と
なつて入力される。また、TG8,10,11の
NMOSトランジスタのゲートには、テスト端子
5に入力された信号Tが入力バツフア21,22
を介して入力され、TG8,10,11のPMOS
トランジスタのゲートには、テスト端子5から入
力され、入力バツフア21により反転された信号
Tが入力される。そして、テスト端子6に入力さ
れた後、入力バツフア23,24を経た信号T1
はTG15のPMOSトランジスタのゲート及び
TG16のNMOSトランジスタのゲートに入力さ
れ、また、テスト端子6に入力された後、入力バ
ツフア23により反転された信号1はTG15の
NMOSトランジスタのゲート及びTG16の
PMOSトランジスタのゲートに入力される。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention. In Figure 2, the first
Components that are the same as those in the drawings are designated by the same reference numerals and descriptions thereof will be omitted. This embodiment is an example in which the number of input terminals is greater than the number of output terminals. Input buffer 17 and TG7 are connected in series between input terminal 1 and internal circuit 25, and input buffer 18 and TG9 are connected in series between input terminal 2 and internal circuit 25. . Further, a TG 12 and an output buffer 19 are connected in series between the internal circuit 25 and the output terminal 3. TG8, 15, and 11 are connected in series between the connection point between input buffer 17 and TG7 and the connection point between TG12 and output buffer 19, and the connection point between input buffer 18 and TG9,
TGs 10, 16, and 11 are connected in series between the connection point between TG 12 and output buffer 19. TG7 to 12 and TG15, 16 are PMOS
Consists of parallel connections of transistors and NMOS transistors, PMOS of TG7, 9, 12
The signal T input to the test terminal 5 is input to the gates of the transistors via input buffers 21 and 22, and the signal T input to the test terminal 5 is input to the gates of the NMOS transistors of TG7, 9, and 12. The signal is inverted by the input buffer 21 and inputted as a signal. Also, TG8, 10, 11
The signal T input to the test terminal 5 is applied to the gate of the NMOS transistor through input buffers 21 and 22.
Input via PMOS of TG8, 10, 11
A signal T input from the test terminal 5 and inverted by the input buffer 21 is input to the gate of the transistor. After being input to the test terminal 6, the signal T 1 is passed through the input buffers 23 and 24.
is the gate of PMOS transistor of TG15 and
Signal 1 is input to the gate of the NMOS transistor of TG16 and is inverted by the input buffer 23 after being input to the test terminal 6.
Gate of NMOS transistor and TG16
Input to the gate of PMOS transistor.

テスト端子5が“L”の場合には、TG7,
9,12は導通し、TG8,10,11は導通を
遮断する。テスト端子5が“H”の場合には、
TG8,10,11は導通し、TG7,9,12
は導通を遮断する。テスト端子6が“L”の場合
には、TG15は導通し、TG16は導通を遮断
する。テスト端子6が“H”の場合には、TG1
6は導通し、TG15は導通を遮断する。TG7,
8、TG9,10,TG11,12及びTG15,
16により夫々セレクタ回路26,27,28,
30が構成される。
When test terminal 5 is “L”, TG7,
9 and 12 are conductive, and TG8, 10, and 11 are disconnected. When test terminal 5 is “H”,
TG8, 10, 11 are conductive, TG7, 9, 12
breaks continuity. When the test terminal 6 is "L", TG15 is conductive and TG16 is disconnected. When test terminal 6 is “H”, TG1
6 is conductive, and TG15 is conductive. TG7,
8, TG9, 10, TG11, 12 and TG15,
16 respectively selector circuits 26, 27, 28,
30 are configured.

いま、テスト端子5が“L”の場合には、TG
7,9,12が導通状態となるので、入力端子1
に入力される入力信号は入力バツフア17及び
TG7を介して、また、入力端子2に入力される
入力信号は入力バツフア18及びTG9を介して
夫々内部回路25に入力される。そして、内部回
路25の出力はTG12及び出力バツフア19を
介して出力端子3に出力される。これは、通常の
動作時と同様の信号の流れである。
Now, if test terminal 5 is “L”, TG
7, 9, and 12 become conductive, so input terminal 1
The input signal input to the input buffer 17 and
The input signal input to input terminal 2 via TG7 is input to internal circuit 25 via input buffer 18 and TG9, respectively. The output of the internal circuit 25 is then output to the output terminal 3 via the TG 12 and the output buffer 19. This is the same signal flow as during normal operation.

次に、テスト端子5を“H”にすると、セレク
タ回路26,27により入力端子1,2の入力信
号は共にセレクタ回路30に入力される。そして
セレクタ回路30の主力はTG11及び出力バツ
フア19を介して出力端子3に出力される。従つ
て、出力端子3には、テスト端子6が“L”の場
合には入力端子1の入力信号が、“H”の場合に
は、入力端子2の入力信号が出力される。
Next, when the test terminal 5 is set to "H", the input signals of the input terminals 1 and 2 are both input to the selector circuit 30 by the selector circuits 26 and 27. The main power of the selector circuit 30 is outputted to the output terminal 3 via the TG 11 and the output buffer 19. Therefore, when the test terminal 6 is "L", the input signal of the input terminal 1 is outputted to the output terminal 3, and when the test terminal 6 is "H", the input signal of the input terminal 2 is outputted.

このように、本実施例においても、テスト端子
5を“H”にすると、入力端子1,2の入力信号
は内部回路を通過することなく、入力バツフア1
7及び18と出力バツフア19とを経るだけで出
力端子3に出力されるので、第1の実施例と同様
に、直流特性は入力端子に入力するパターンを数
パターン変化させることによりチエツクすること
ができ、テスト時間を大幅に短縮することができ
る。
In this way, also in this embodiment, when the test terminal 5 is set to "H", the input signals at the input terminals 1 and 2 are transferred to the input buffer 1 without passing through the internal circuit.
7 and 18 and the output buffer 19, and is output to the output terminal 3. As in the first embodiment, the DC characteristics can be checked by changing several patterns of input to the input terminal. This can significantly reduce testing time.

第3図は本発明の第3の実施例に係る半導体集
積回路を示す回路図である。第3図において第1
図と同一物には同一符号を付して説明を省略す
る。第3図に示す回路は出力端子数が入力端子数
より多い場合の例であり、第1図に示す回路に対
して、出力端子4、出力バツフア20及びTG1
3,14が付加されている。つまり、内部回路2
5と出力端子4との間にTG14及び出力バツフ
ア20が直列接続されており、TG14と出力バ
ツフア20との接続点と、TG8とTG11との
接続点との間にTG13が接続されている。TG
13,14はいずれもPMOSトランジスタ及び
NMOSトランジスタの並列接続体により構成さ
れており、テスト端子5が“L”の場合には、
TG14は導通し、TG13は導通を遮断する。
テスト端子5が“H”の場合には、TG13は導
通し、TG14は導通を遮断する。TG13,1
4によりセレクタ回路29が構成される。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention. In Figure 3, the first
Components that are the same as those in the drawings are designated by the same reference numerals and descriptions thereof will be omitted. The circuit shown in FIG. 3 is an example where the number of output terminals is greater than the number of input terminals, and in contrast to the circuit shown in FIG.
3 and 14 are added. In other words, internal circuit 2
A TG 14 and an output buffer 20 are connected in series between TG 5 and the output terminal 4, and a TG 13 is connected between a connection point between TG 14 and output buffer 20 and a connection point between TG 8 and TG 11. T.G.
13 and 14 are both PMOS transistors and
It is composed of a parallel connection of NMOS transistors, and when the test terminal 5 is "L",
TG14 is conductive and TG13 is conductive.
When the test terminal 5 is "H", TG13 is conductive and TG14 is disconnected. TG13,1
4 constitutes a selector circuit 29.

本実施例においても、テスト端子5が“L”の
場合は通常動作時と同様の動作となり、テスト端
子5が“H”の場合には、入力信号は内部回路2
5を介すことなく、入力バツフア17、セレクタ
回路26,28及び出力バツフア19を介して、
また、入力バツフア17、セレクタ回路26,2
9及び出力バツフア20を介して夫々出力端子
3,4に出力される。このため、本実施例におい
ても、入力信号を数パターン変化させることによ
りその直流特性をチエツクすることが可能であ
る。
Also in this embodiment, when the test terminal 5 is "L", the operation is the same as in normal operation, and when the test terminal 5 is "H", the input signal is transferred to the internal circuit 2.
5, but through the input buffer 17, selector circuits 26, 28, and output buffer 19,
In addition, input buffer 17, selector circuits 26, 2
9 and output buffer 20 to output terminals 3 and 4, respectively. Therefore, in this embodiment as well, it is possible to check the DC characteristics by changing the input signal in several patterns.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、テスト
端子にテスト信号が入力されると、第1の切替手
段により入力バツフアの出力端と出力バツフアの
入力端とが電気的に接続されると共に、第2の切
替手段により前記入力バツフアの出力端と内部回
路との間及び前記内部回路と前記出力バツフアの
入力端との間が電気的に遮断されるので半導体集
積回路の直流特性を短時間にチエツクすることが
できる。特に、数百ピンのパツケージを有し、数
万パターンのテストパターンを有する半導体集積
回路において、そのテスト時間短縮に大きな効果
を有する。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, when a test signal is input to the test terminal, the output end of the input buffer and the input end of the output buffer are electrically connected by the first switching means. At the same time, the second switching means electrically disconnects between the output end of the input buffer and the internal circuit and between the internal circuit and the input end of the output buffer, so that the direct current of the semiconductor integrated circuit is Characteristics can be checked in a short time. Particularly, this method has a great effect on reducing test time for semiconductor integrated circuits having packages with several hundred pins and tens of thousands of test patterns.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図乃至第3図は本発明の第1乃至第3の実
施例に係る半導体集積回路を示す回路図である。 1,2;入力端子、3,4;出力端子、5,
6;テスト端子、7〜16;トランスミツシヨン
ゲート(TG)、17,18,21〜24;入力
バツフア、19,20;出力バツフア、25;内
部回路、26〜30;セレクタ回路。
1 to 3 are circuit diagrams showing semiconductor integrated circuits according to first to third embodiments of the present invention. 1, 2; input terminal, 3, 4; output terminal, 5,
6; Test terminal, 7-16; Transmission gate (TG), 17, 18, 21-24; Input buffer, 19, 20; Output buffer, 25; Internal circuit, 26-30; Selector circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 複数の入力端子及び出力端子と、論理回路に
より構成される内部回路と、前記複数の入力端子
と内部回路との間に夫々直列に接続される複数の
入力バツフアと、前記複数の出力端子と内部回路
との間に夫々直列に接続される複数の出力バツフ
アと、を有する半導体集積回路において、テスト
端子と、このテスト端子にテスト信号が入力され
た場合に前記入力バツフアの出力端と前記出力バ
ツフアの入力端とを電気的に接続する第1の切替
手段と、前記テスト端子にテスト信号が入力され
た場合に前記入力バツフアの出力端と前記内部回
路との間及び前記内部回路と前記出力バツフアの
入力端との間を電気的に遮断する第2の切替手段
と、 を有することを特徴とする半導体集積回路。
[Scope of Claims] 1. A plurality of input terminals and an output terminal, an internal circuit constituted by a logic circuit, and a plurality of input buffers connected in series between the plurality of input terminals and the internal circuit, respectively; A semiconductor integrated circuit having a plurality of output buffers connected in series between the plurality of output terminals and an internal circuit, respectively, a test terminal, and when a test signal is input to the test terminal, the input buffer a first switching means for electrically connecting the output end of the output buffer and the input end of the output buffer; and a switch between the output end of the input buffer and the internal circuit when a test signal is input to the test terminal; A semiconductor integrated circuit comprising: second switching means for electrically disconnecting between the internal circuit and the input end of the output buffer.
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