JPH0567660A - シリコンウエ−ハの厚み選別装置 - Google Patents
シリコンウエ−ハの厚み選別装置Info
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- JPH0567660A JPH0567660A JP22923691A JP22923691A JPH0567660A JP H0567660 A JPH0567660 A JP H0567660A JP 22923691 A JP22923691 A JP 22923691A JP 22923691 A JP22923691 A JP 22923691A JP H0567660 A JPH0567660 A JP H0567660A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】恒温槽や恒温室を必要とせず、雰囲気温度の影
響を排除してシリコンウェ−ハの厚みを精度よく測定で
きる、厚み選別装置を得る。 【構成】静電容量式非接触厚み計の一対のプロ−ブ間に
非接触で挿入されたシリコンウェ−ハの近傍に配された
温度センサと、この温度センサの検出温度と基準温度と
の温度の差を検出する温度差検出部と、この温度差検出
部の検出温度差に対応して決まる補正係数に基づき静電
容量式非接触厚み計の測定値を補正する演算部とからな
る温度補正装置を、シリコンウェ−ハを許容厚みにより
選別する選別器の前段に設けるものとする。また、補正
係数があらかじめ定まる定数であるものとする。さら
に、基準温度が既知の厚みのシリコンウェ−ハを用いて
厚み測定器を校正した時の雰囲気温度であるものとす
る。
響を排除してシリコンウェ−ハの厚みを精度よく測定で
きる、厚み選別装置を得る。 【構成】静電容量式非接触厚み計の一対のプロ−ブ間に
非接触で挿入されたシリコンウェ−ハの近傍に配された
温度センサと、この温度センサの検出温度と基準温度と
の温度の差を検出する温度差検出部と、この温度差検出
部の検出温度差に対応して決まる補正係数に基づき静電
容量式非接触厚み計の測定値を補正する演算部とからな
る温度補正装置を、シリコンウェ−ハを許容厚みにより
選別する選別器の前段に設けるものとする。また、補正
係数があらかじめ定まる定数であるものとする。さら
に、基準温度が既知の厚みのシリコンウェ−ハを用いて
厚み測定器を校正した時の雰囲気温度であるものとす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、通常±２０μｍ以下
の寸法精度を要求されるシリコンウェ−ハの厚みの自動
選別を、静電容量式非接触厚み計を用いて行う厚み選別
装置、ことに、雰囲気温度の変化によって生ずる静電容
量式非接触厚み計の測定誤差を補正する機能を有するシ
リコンウェ−ハの厚み選別装置に関する。
の寸法精度を要求されるシリコンウェ−ハの厚みの自動
選別を、静電容量式非接触厚み計を用いて行う厚み選別
装置、ことに、雰囲気温度の変化によって生ずる静電容
量式非接触厚み計の測定誤差を補正する機能を有するシ
リコンウェ−ハの厚み選別装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】モノリシックＩＣなどの基板材料として
使用されるシリコンウェ−ハは周知のように、単結晶シ
リコンのインゴットをダイヤモンドカッタで厚み数１０
０μｍの円板状にスライスし、その表面を研磨材により
研磨して加工歪みのある表層部分を取り除き、さらにそ
の表面を鏡面仕上げすることにより、極めて平坦な円板
状に形成される。また、その厚みの許容誤差は通常±２
０μｍ以下に管理することが求められるので、静電容量
式非接触厚み計を用いた厚み選別装置により許容誤差以
下の寸法精度を有するシリコンウェ−ハが選別され、モ
ノリシックＩＣなどの基板材料として使用される。
使用されるシリコンウェ−ハは周知のように、単結晶シ
リコンのインゴットをダイヤモンドカッタで厚み数１０
０μｍの円板状にスライスし、その表面を研磨材により
研磨して加工歪みのある表層部分を取り除き、さらにそ
の表面を鏡面仕上げすることにより、極めて平坦な円板
状に形成される。また、その厚みの許容誤差は通常±２
０μｍ以下に管理することが求められるので、静電容量
式非接触厚み計を用いた厚み選別装置により許容誤差以
下の寸法精度を有するシリコンウェ−ハが選別され、モ
ノリシックＩＣなどの基板材料として使用される。
【０００３】図３は従来のシリコンウェ−ハの厚み選別
装置を示す構成図であり、静電容量式非接触厚み計２は
所定の空隙長Ｇを保持して互いに対向した一対のプロ−
ブ３および４を備え、プロ−ブに対して非接触で空隙長
Ｇ内に挿入された供試シリコンウェ−ハ１の静電容量を
測定し、その測定値をシリコンウェ−ハの厚みｄ（また
はシリコンウェ−ハの厚みにより変化する一方の空隙長
ｇ）に換算し、その測定値２ｄを選別器５に向けて出力
する。選別器５は測定値２ｄがあらかじめ定まるシリコ
ンウェ−ハの許容厚み範囲に入るか否かを判定し、その
判定信号５ｄを図示しないシリコンウェ−ハのハンドリ
ング機構部に向けて出力することにより、供試シリコン
ウェ−ハの選別が行われる。
装置を示す構成図であり、静電容量式非接触厚み計２は
所定の空隙長Ｇを保持して互いに対向した一対のプロ−
ブ３および４を備え、プロ−ブに対して非接触で空隙長
Ｇ内に挿入された供試シリコンウェ−ハ１の静電容量を
測定し、その測定値をシリコンウェ−ハの厚みｄ（また
はシリコンウェ−ハの厚みにより変化する一方の空隙長
ｇ）に換算し、その測定値２ｄを選別器５に向けて出力
する。選別器５は測定値２ｄがあらかじめ定まるシリコ
ンウェ−ハの許容厚み範囲に入るか否かを判定し、その
判定信号５ｄを図示しないシリコンウェ−ハのハンドリ
ング機構部に向けて出力することにより、供試シリコン
ウェ−ハの選別が行われる。
【０００４】上述のように構成されたシリコンウェ−ハ
の厚み選別装置において、市販の静電容量式非接触厚み
計（例えば岩通リサ−チ社製，型式ＳＴ３５２５）で
は、厚み測定値が測定部の雰囲気温度の影響を受けて変
化することが知られており、これを回避するために、プ
ロ−ブおよび供試シリコンウェ−ハを恒温槽８に収納
し、その雰囲気温度の変化を±１°C 以下に保つか、あ
るいは厚み選別装置全体を恒温室９に収納し、雰囲気温
度の変化が±１°C 以下に管理された恒温室内で選別作
業を行うよう推奨されている。また、選別作業を開始す
るに先立ち、既知の厚みのシリコンウェ−ハを用い、静
電容量式非接触厚み計の測定値が既知の寸法を正しく指
示するよう校正を行い、その時の雰囲気温度を保持して
選別作業を行うことにより、測定誤差を低減する対策が
とられている。
の厚み選別装置において、市販の静電容量式非接触厚み
計（例えば岩通リサ−チ社製，型式ＳＴ３５２５）で
は、厚み測定値が測定部の雰囲気温度の影響を受けて変
化することが知られており、これを回避するために、プ
ロ−ブおよび供試シリコンウェ−ハを恒温槽８に収納
し、その雰囲気温度の変化を±１°C 以下に保つか、あ
るいは厚み選別装置全体を恒温室９に収納し、雰囲気温
度の変化が±１°C 以下に管理された恒温室内で選別作
業を行うよう推奨されている。また、選別作業を開始す
るに先立ち、既知の厚みのシリコンウェ−ハを用い、静
電容量式非接触厚み計の測定値が既知の寸法を正しく指
示するよう校正を行い、その時の雰囲気温度を保持して
選別作業を行うことにより、測定誤差を低減する対策が
とられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の厚み選別装置に
おいて、恒温槽８を用いた場合、雰囲気温度を変えずに
シリコンウェ−ハのハンドリングを行うための装置が複
雑化し、設備費の高騰を招くばかりか、選別作業の制約
により高い作業効率を得難いという問題が発生する。ま
た、恒温室９を設けて上記問題点を回避しようとした場
合には、装置や人体からの発熱により±１°C 以下に雰
囲気温度の変化を抑制する温度管理および空気調節装置
の高度化が必要になり、設備費の高騰や作業効率の低下
を招くと言う問題が発生する。
おいて、恒温槽８を用いた場合、雰囲気温度を変えずに
シリコンウェ−ハのハンドリングを行うための装置が複
雑化し、設備費の高騰を招くばかりか、選別作業の制約
により高い作業効率を得難いという問題が発生する。ま
た、恒温室９を設けて上記問題点を回避しようとした場
合には、装置や人体からの発熱により±１°C 以下に雰
囲気温度の変化を抑制する温度管理および空気調節装置
の高度化が必要になり、設備費の高騰や作業効率の低下
を招くと言う問題が発生する。
【０００６】この発明の目的は、恒温槽や恒温室を必要
とせず、雰囲気温度の影響を排除してシリコンウェ−ハ
の厚みを精度よく測定できる、シリコンウェ−ハの厚み
選別装置を得ることにある。
とせず、雰囲気温度の影響を排除してシリコンウェ−ハ
の厚みを精度よく測定できる、シリコンウェ−ハの厚み
選別装置を得ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明によれば、シリコンウェ−ハの両面との間
に空隙を保持するよう所定の間隔を置いて対向した一対
のプロ−ブを有し、このプロ−ブ間の静電容量を測定し
その測定値を前記シリコンウェ−ハの厚みに換算して出
力する静電容量式非接触厚み計と、この静電容量式非接
触厚み計の測定値をあらかじめ定まる前記シリコンウェ
−ハの許容厚み値と比較して選別する選別器とを有する
ものにおいて、前記シリコンウェ−ハ近傍に配された温
度センサと、この温度センサの検出温度と基準温度との
温度の差を検出する温度差検出部と、この温度差検出部
の検出温度差に対応して決まる補正係数に基づき前記静
電容量式非接触厚み計の測定値を補正する演算部とから
なる温度補正装置を、前記選別器の前段に備えてなるも
のとする。
に、この発明によれば、シリコンウェ−ハの両面との間
に空隙を保持するよう所定の間隔を置いて対向した一対
のプロ−ブを有し、このプロ−ブ間の静電容量を測定し
その測定値を前記シリコンウェ−ハの厚みに換算して出
力する静電容量式非接触厚み計と、この静電容量式非接
触厚み計の測定値をあらかじめ定まる前記シリコンウェ
−ハの許容厚み値と比較して選別する選別器とを有する
ものにおいて、前記シリコンウェ−ハ近傍に配された温
度センサと、この温度センサの検出温度と基準温度との
温度の差を検出する温度差検出部と、この温度差検出部
の検出温度差に対応して決まる補正係数に基づき前記静
電容量式非接触厚み計の測定値を補正する演算部とから
なる温度補正装置を、前記選別器の前段に備えてなるも
のとする。
【０００８】また、上記厚み選別装置において、補正係
数があらかじめ定まる定数であるものとする。
数があらかじめ定まる定数であるものとする。
【０００９】さらに、上記厚み選別装置において、基準
温度が既知の厚みのシリコンウェ−ハを用いて厚み測定
器を校正した時の雰囲気温度であるものとする。
温度が既知の厚みのシリコンウェ−ハを用いて厚み測定
器を校正した時の雰囲気温度であるものとする。
【００１０】
【作用】この発明の構成において、シリコンウェ−ハ近
傍に配された温度センサと、この温度センサの検出温度
と基準温度との温度の差を検出する温度差検出部と、こ
の温度差検出部の検出温度差に対応して決まる補正係数
に基づき静電容量式非接触厚み計の測定値を補正する演
算部とからなる温度補正装置を、選別器の前段に設ける
よう構成したことにより、雰囲気温度の変化に伴う静電
容量式非接触厚み計の測定誤差は温度補正装置によって
補正されることになり、雰囲気温度の変化の影響を回避
するために従来必要とした恒温槽または恒温室を排除す
る機能が得られる。
傍に配された温度センサと、この温度センサの検出温度
と基準温度との温度の差を検出する温度差検出部と、こ
の温度差検出部の検出温度差に対応して決まる補正係数
に基づき静電容量式非接触厚み計の測定値を補正する演
算部とからなる温度補正装置を、選別器の前段に設ける
よう構成したことにより、雰囲気温度の変化に伴う静電
容量式非接触厚み計の測定誤差は温度補正装置によって
補正されることになり、雰囲気温度の変化の影響を回避
するために従来必要とした恒温槽または恒温室を排除す
る機能が得られる。
【００１１】また、この発明の厚み選別装置において、
補正係数をあらかじめ定まる定数としたことにより、デ
ィジタル化された簡単な演算部により静電容量式非接触
厚み計の測定誤差を補正する機能が得られる。
補正係数をあらかじめ定まる定数としたことにより、デ
ィジタル化された簡単な演算部により静電容量式非接触
厚み計の測定誤差を補正する機能が得られる。
【００１２】さらに、この発明の厚み選別装置におい
て、基準温度を既知の厚みのシリコンウェ−ハを用いて
厚み測定器を校正した時の雰囲気温度とすれば、基準温
度における静電容量式非接触厚み計の測定誤差が零であ
ることを確認した状態で測定誤差の補正を行えるので、
シリコンウェ−ハの厚みの測定精度および選別精度を向
上する機能が得られる。
て、基準温度を既知の厚みのシリコンウェ−ハを用いて
厚み測定器を校正した時の雰囲気温度とすれば、基準温
度における静電容量式非接触厚み計の測定誤差が零であ
ることを確認した状態で測定誤差の補正を行えるので、
シリコンウェ−ハの厚みの測定精度および選別精度を向
上する機能が得られる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて説明す
る。図１はこの発明の実施例になるシリコンウェ−ハの
厚み選別装置を示す構成図であり、従来技術と同じ構成
部分には同一参照符号を付すことにより、重複した説明
を省略する。図において、温度補正装置１１は温度セン
サ１２，温度差検出部１３，および温度補正の演算部１
４とで構成される。すなわち、一対のプロ−ブ３，４間
に非接触で挿入された供試シリコンウェ−ハ１の近傍に
は、雰囲気温度を検出する温度センサ１２が配され、そ
の検出温度ＴI は温度差検出部１３で基準温度ＴO と比
較され、基準温度との温度差Ｔ0 −ＴI が求められ、温
度補正の演算部１４に入力される。演算部１４には静電
容量式非接触厚み計２で求めたシリコンウェ−ハ１の厚
み測定値２ｄが入力されており、温度差Ｔ0 −ＴI に対
応して決まる補正値が基準温度Ｔ 0 に対して温度差が正
の場合は厚み測定値２ｄから減算され，負の場合は加算
されることにより、補正された厚み測定値１４ｄが選別
器５に向けて出力される。選別器５では補正された厚み
測定値１２ｄがあらかじめ定まるシリコンウェ−ハの許
容厚み範囲例えば標準厚みｄ±２０μｍに入るか否かを
判定し、その判定信号を図示しないシリコンウェ−ハの
ハンドリング機構部に向けて出力することにより、供試
シリコンウェ−ハの選別が行われる。
る。図１はこの発明の実施例になるシリコンウェ−ハの
厚み選別装置を示す構成図であり、従来技術と同じ構成
部分には同一参照符号を付すことにより、重複した説明
を省略する。図において、温度補正装置１１は温度セン
サ１２，温度差検出部１３，および温度補正の演算部１
４とで構成される。すなわち、一対のプロ−ブ３，４間
に非接触で挿入された供試シリコンウェ−ハ１の近傍に
は、雰囲気温度を検出する温度センサ１２が配され、そ
の検出温度ＴI は温度差検出部１３で基準温度ＴO と比
較され、基準温度との温度差Ｔ0 −ＴI が求められ、温
度補正の演算部１４に入力される。演算部１４には静電
容量式非接触厚み計２で求めたシリコンウェ−ハ１の厚
み測定値２ｄが入力されており、温度差Ｔ0 −ＴI に対
応して決まる補正値が基準温度Ｔ 0 に対して温度差が正
の場合は厚み測定値２ｄから減算され，負の場合は加算
されることにより、補正された厚み測定値１４ｄが選別
器５に向けて出力される。選別器５では補正された厚み
測定値１２ｄがあらかじめ定まるシリコンウェ−ハの許
容厚み範囲例えば標準厚みｄ±２０μｍに入るか否かを
判定し、その判定信号を図示しないシリコンウェ−ハの
ハンドリング機構部に向けて出力することにより、供試
シリコンウェ−ハの選別が行われる。
【００１４】このように、実施例になるシリコンウェ−
ハの厚み選別装置においては、雰囲気温度の変化に伴う
静電容量式非接触厚み計の測定誤差は温度補正装置によ
って補正されることになり、雰囲気温度の変化の影響を
回避するために従来必要とした恒温槽または恒温室を排
除できるので、設備費の高騰を回避できるとともに、恒
温槽または恒温室が選別作業に及ぼす制約を排除して選
別作業効率を向上することができ、大きな経済効果が得
られる。
ハの厚み選別装置においては、雰囲気温度の変化に伴う
静電容量式非接触厚み計の測定誤差は温度補正装置によ
って補正されることになり、雰囲気温度の変化の影響を
回避するために従来必要とした恒温槽または恒温室を排
除できるので、設備費の高騰を回避できるとともに、恒
温槽または恒温室が選別作業に及ぼす制約を排除して選
別作業効率を向上することができ、大きな経済効果が得
られる。
【００１５】図２は、実施例装置によって得られた雰囲
気温度対静電容量式非接触厚み計の測定誤差特性線図で
あり、図の横軸には基準温度に対する温度差（°C ）
が、縦軸には静電容量式非接触厚み計の測定誤差（μ
ｍ）が基準温度における測定誤差を零として採ってあ
る。図において、静電容量式非接触厚み計の雰囲気温度
に起因する厚み測定誤差は、誤差曲線１００に示すよう
に温度差に対してリニヤな直線を示すことが判明した。
従って、温度差補正したシリコンウェ−ハの厚みをｄ 0
（μｍ），静電容量式非接触厚み計による厚み測定値を
ｄI （μｍ），温度補正係数をα（μｍ／°C ）とすれ
ば、ｄ0 ＝ｄI ＋α（Ｔ0 −ＴI）なる簡単な演算を温
度補正装置１１の演算部１４で行うことにより、静電容
量式非接触厚み計２の雰囲気温度差に起因する測定誤差
を容易に補正することができる。ことに、誤差曲線１０
０の温度補正係数αは１．０（μｍ／°C ）を示し、温
度補正が一層容易になる。
気温度対静電容量式非接触厚み計の測定誤差特性線図で
あり、図の横軸には基準温度に対する温度差（°C ）
が、縦軸には静電容量式非接触厚み計の測定誤差（μ
ｍ）が基準温度における測定誤差を零として採ってあ
る。図において、静電容量式非接触厚み計の雰囲気温度
に起因する厚み測定誤差は、誤差曲線１００に示すよう
に温度差に対してリニヤな直線を示すことが判明した。
従って、温度差補正したシリコンウェ−ハの厚みをｄ 0
（μｍ），静電容量式非接触厚み計による厚み測定値を
ｄI （μｍ），温度補正係数をα（μｍ／°C ）とすれ
ば、ｄ0 ＝ｄI ＋α（Ｔ0 −ＴI）なる簡単な演算を温
度補正装置１１の演算部１４で行うことにより、静電容
量式非接触厚み計２の雰囲気温度差に起因する測定誤差
を容易に補正することができる。ことに、誤差曲線１０
０の温度補正係数αは１．０（μｍ／°C ）を示し、温
度補正が一層容易になる。
【００１６】また、実施例になる厚み選別装置を用いて
シリコンウェ−ハの自動選別を開始するに先立ち、厚み
が既知の標準試料を用いて静電容量式非接触厚み計２の
厚み測定値２ｄが上記既知の厚みを正しく示すよう校正
を行うが、この時の雰囲気温度を基準温度Ｔ0 とし、温
度補正装置１１の温度差検出部１３に設定した後、シリ
コンウェ−ハ１の自動選別作業を開始するよう構成すれ
ば、基準温度Ｔ0 における静電容量式非接触厚み計の測
定誤差が零であることを確認した状態で測定誤差の補正
を行えるので、シリコンウェ−ハの厚みの測定精度およ
び選別精度を向上できる利点が得られる。
シリコンウェ−ハの自動選別を開始するに先立ち、厚み
が既知の標準試料を用いて静電容量式非接触厚み計２の
厚み測定値２ｄが上記既知の厚みを正しく示すよう校正
を行うが、この時の雰囲気温度を基準温度Ｔ0 とし、温
度補正装置１１の温度差検出部１３に設定した後、シリ
コンウェ−ハ１の自動選別作業を開始するよう構成すれ
ば、基準温度Ｔ0 における静電容量式非接触厚み計の測
定誤差が零であることを確認した状態で測定誤差の補正
を行えるので、シリコンウェ−ハの厚みの測定精度およ
び選別精度を向上できる利点が得られる。
【００１７】
【発明の効果】この発明は前述のように、シリコンウェ
−ハ近傍に配された温度センサと、この温度センサの検
出温度と基準温度との温度の差を検出する温度差検出部
と、この温度差検出部の検出温度差に対応して決まる補
正係数に基づき静電容量式非接触厚み計の測定値を補正
する演算部とからなる温度補正装置を、選別器の前段に
設けるよう構成した。その結果、雰囲気温度の変化に伴
う静電容量式非接触厚み計の測定誤差は温度補正装置に
よって補正され、雰囲気温度の変化の影響を回避するた
めに従来必要とした恒温槽または恒温室を排除する機能
が得られるので、恒温槽を用いた従来の装置で問題とな
った、雰囲気温度を変えずにシリコンウェ−ハのハンド
リングを行うための装置の複雑化や設備費の高騰、選別
作業の制約による作業効率の低下。あるいは、恒温室を
設けた従来装置における装置や人体からの発熱により±
１°C 以下に雰囲気温度の変化を抑制する温度管理およ
び空気調節装置の高度化や設備費の高騰、および作業効
率の低下等、数々の問題点が排除され、効率的なシリコ
ンウェ−ハの厚み選別作業を設備費の高騰を伴うことな
く実施できるシリコンウェ−ハの厚み選別装置を提供す
ることができる。ことに、シリコンウェ−ハの表面研磨
加工ラインに厚み選別装置を組み込んで、シリコンウェ
−ハの厚み管理を行うことも可能であり、シリコンウェ
−ハの歩留りの向上に貢献できる利点が得られる。
−ハ近傍に配された温度センサと、この温度センサの検
出温度と基準温度との温度の差を検出する温度差検出部
と、この温度差検出部の検出温度差に対応して決まる補
正係数に基づき静電容量式非接触厚み計の測定値を補正
する演算部とからなる温度補正装置を、選別器の前段に
設けるよう構成した。その結果、雰囲気温度の変化に伴
う静電容量式非接触厚み計の測定誤差は温度補正装置に
よって補正され、雰囲気温度の変化の影響を回避するた
めに従来必要とした恒温槽または恒温室を排除する機能
が得られるので、恒温槽を用いた従来の装置で問題とな
った、雰囲気温度を変えずにシリコンウェ−ハのハンド
リングを行うための装置の複雑化や設備費の高騰、選別
作業の制約による作業効率の低下。あるいは、恒温室を
設けた従来装置における装置や人体からの発熱により±
１°C 以下に雰囲気温度の変化を抑制する温度管理およ
び空気調節装置の高度化や設備費の高騰、および作業効
率の低下等、数々の問題点が排除され、効率的なシリコ
ンウェ−ハの厚み選別作業を設備費の高騰を伴うことな
く実施できるシリコンウェ−ハの厚み選別装置を提供す
ることができる。ことに、シリコンウェ−ハの表面研磨
加工ラインに厚み選別装置を組み込んで、シリコンウェ
−ハの厚み管理を行うことも可能であり、シリコンウェ
−ハの歩留りの向上に貢献できる利点が得られる。
【００１８】また、この発明の厚み選別装置において、
検出温度差と補正値とがリニアな逆比例関係を有するこ
とが確認されたことにより、補正係数をあらかじめ定ま
る定数とすることが可能であり、ディジタル化された簡
単な演算部を有する温度補正装置により静電容量式非接
触厚み計の測定誤差を補正できる利点が得られる。
検出温度差と補正値とがリニアな逆比例関係を有するこ
とが確認されたことにより、補正係数をあらかじめ定ま
る定数とすることが可能であり、ディジタル化された簡
単な演算部を有する温度補正装置により静電容量式非接
触厚み計の測定誤差を補正できる利点が得られる。
【００１９】さらに、この発明の厚み選別装置におい
て、基準温度を既知の厚みのシリコンウェ−ハを用いて
厚み測定器を校正した時の雰囲気温度とすれば、基準温
度における静電容量式非接触厚み計の測定誤差が零であ
ることを確認した状態で測定誤差の補正を行えるので、
シリコンウェ−ハの厚みの測定精度および選別精度を向
上できる利点が得られる。
て、基準温度を既知の厚みのシリコンウェ−ハを用いて
厚み測定器を校正した時の雰囲気温度とすれば、基準温
度における静電容量式非接触厚み計の測定誤差が零であ
ることを確認した状態で測定誤差の補正を行えるので、
シリコンウェ−ハの厚みの測定精度および選別精度を向
上できる利点が得られる。
【図１】この発明の実施例になるシリコンウェ−ハの厚
み選別装置を示す構成図
み選別装置を示す構成図
【図２】実施例装置によって得られた雰囲気温度対静電
容量式非接触厚み計の測定誤差特性線図
容量式非接触厚み計の測定誤差特性線図
【図３】従来のシリコンウェ−ハの厚み選別装置を示す
構成図
構成図
１ シリコンウェ−ハ ２ 静電容量式非接触厚み計 ３ プー−ブ ４ プロ−ブ ５ 選別器 １１ 温度補正装置 １２ 温度センサ １３ 温度差検出部 １４ 演算部
Claims (3)
- 【請求項１】シリコンウェ−ハの両面との間に空隙を保
持するよう所定の間隔を置いて対向した一対のプロ−ブ
を有し、このプロ−ブ間の静電容量を測定しその測定値
を前記シリコンウェ−ハの厚みに換算して出力する静電
容量式非接触厚み計と、この静電容量式非接触厚み計の
測定値をあらかじめ定まる前記シリコンウェ−ハの許容
厚み値と比較して選別する選別器とを有するものにおい
て、前記シリコンウェ−ハ近傍に配された温度センサ
と、この温度センサの検出温度と基準温度との温度の差
を検出する温度差検出部と、この温度差検出部の検出温
度差に対応して決まる補正係数に基づき前記静電容量式
非接触厚み計の測定値を補正する演算部とからなる温度
補正装置を、前記選別器の前段に備えてなることを特徴
とするシリコンウェ−ハの厚み選別装置。 - 【請求項２】補正係数があらかじめ定まる定数であるこ
とを特徴とする請求項１記載のシリコンウェ−ハの厚み
選別装置。 - 【請求項３】基準温度が既知の厚みのシリコンウェ−ハ
を用いて厚み測定器を校正した時の雰囲気温度であるこ
とを特徴とする請求項１記載のシリコンウェ−ハの厚み
選別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229236A JP2979769B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | シリコンウェ−ハの厚み選別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3229236A JP2979769B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | シリコンウェ−ハの厚み選別方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567660A true JPH0567660A (ja) | 1993-03-19 |
| JP2979769B2 JP2979769B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=16888965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3229236A Expired - Fee Related JP2979769B2 (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | シリコンウェ−ハの厚み選別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979769B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808303A (en) * | 1997-01-29 | 1998-09-15 | Art Aerospace Research Technologies Inc. | Infrared screening and inspection system |
| JP2000304504A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Fotonikusu:Kk | 厚みセンサおよび厚み測定装置 |
| JP2006177838A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Fujikura Ltd | 静電容量式近接センサ及びその出力較正方法 |
| CN105806206A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-07-27 | 威海华菱光电股份有限公司 | 厚度检测装置 |
| CN106197248A (zh) * | 2016-07-21 | 2016-12-07 | 威海华菱光电股份有限公司 | 膜厚的检测装置 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP3229236A patent/JP2979769B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808303A (en) * | 1997-01-29 | 1998-09-15 | Art Aerospace Research Technologies Inc. | Infrared screening and inspection system |
| JP2000304504A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Fotonikusu:Kk | 厚みセンサおよび厚み測定装置 |
| JP2006177838A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Fujikura Ltd | 静電容量式近接センサ及びその出力較正方法 |
| CN105806206A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-07-27 | 威海华菱光电股份有限公司 | 厚度检测装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2979769B2 (ja) | 1999-11-15 |
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