JPH0566374A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0566374A JPH0566374A JP22731591A JP22731591A JPH0566374A JP H0566374 A JPH0566374 A JP H0566374A JP 22731591 A JP22731591 A JP 22731591A JP 22731591 A JP22731591 A JP 22731591A JP H0566374 A JPH0566374 A JP H0566374A
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- laser
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示装置の液晶セルに熱書込み光を照射
して、描画を行なう際に、線幅一定な描画しようとする
寸法通りの線分を得る様にする。 【構成】 レーザダイオード３０からのレーザ光を液晶
セル７に照射し、液晶セル７上に描画する際に、書き始
めデータ及び途中データをＲＯＭ４９中に格納し、描画
の書き始めには書き始めデータを出力してレーザダイオ
ード３０のパワー密度の出力を上昇させる。
して、描画を行なう際に、線幅一定な描画しようとする
寸法通りの線分を得る様にする。 【構成】 レーザダイオード３０からのレーザ光を液晶
セル７に照射し、液晶セル７上に描画する際に、書き始
めデータ及び途中データをＲＯＭ４９中に格納し、描画
の書き始めには書き始めデータを出力してレーザダイオ
ード３０のパワー密度の出力を上昇させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱書込み液晶素子にレー
ザ光の熱で書込まれた図形等をスクリーン上に投影する
に適した液晶表示装置に関する。
ザ光の熱で書込まれた図形等をスクリーン上に投影する
に適した液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からレーザ熱書込み液晶素子を用い
た液晶表示装置は例えば、スメクチック液晶を用いて液
晶セルにレーザ光を照射し、熱電気光学効果を利用して
熱書込みした画像をスクリーン上に投射表示する投射型
ディスプレイ等が知られている。
た液晶表示装置は例えば、スメクチック液晶を用いて液
晶セルにレーザ光を照射し、熱電気光学効果を利用して
熱書込みした画像をスクリーン上に投射表示する投射型
ディスプレイ等が知られている。
【０００３】図６は上述したレーザ熱書込み液晶セルを
用いた投射型液晶表示装置の光学システムの概要を示す
ものである。図６でレーザブロック１内のレーザダイオ
ード３０から出射したレーザ光は後述する液晶セル７の
Ｙ軸並にＸ軸方向に走査されるガルバノスキャナーミラ
３ａ及び３ｂ並にリレーレンズ２を介し、第１の集光レ
ンズ４を透過し、二色性ミラ５で反射された書込みレー
ザ光６は液晶セル７の液晶面にフォーカスする様に照射
される。そしてこの液晶セル７へ書込みレーザ光６が照
射された点は、そのまま保持される。
用いた投射型液晶表示装置の光学システムの概要を示す
ものである。図６でレーザブロック１内のレーザダイオ
ード３０から出射したレーザ光は後述する液晶セル７の
Ｙ軸並にＸ軸方向に走査されるガルバノスキャナーミラ
３ａ及び３ｂ並にリレーレンズ２を介し、第１の集光レ
ンズ４を透過し、二色性ミラ５で反射された書込みレー
ザ光６は液晶セル７の液晶面にフォーカスする様に照射
される。そしてこの液晶セル７へ書込みレーザ光６が照
射された点は、そのまま保持される。
【０００４】この液晶セル７面上に投射された書込みレ
ーザ光６はＹ軸及びＸ軸用の二つのガルバノスキャナー
ミラ３ａ及び３ｂで走査れさ、液晶面上の任意の位置に
図形等を描画することが出来る。液晶セル７の液晶面上
に描画された図形等は投射ランプ８からの投射光１０に
よってスクリーン９上に投影される。即ち、投射ランプ
８の投射光１０はコンデンサレンズ１１に集められて二
色性ミラ５を介し液晶セル７にバックから当てられ、液
晶面上の図形等は投影レンズ１２を介しスクリーン９上
に投影される。
ーザ光６はＹ軸及びＸ軸用の二つのガルバノスキャナー
ミラ３ａ及び３ｂで走査れさ、液晶面上の任意の位置に
図形等を描画することが出来る。液晶セル７の液晶面上
に描画された図形等は投射ランプ８からの投射光１０に
よってスクリーン９上に投影される。即ち、投射ランプ
８の投射光１０はコンデンサレンズ１１に集められて二
色性ミラ５を介し液晶セル７にバックから当てられ、液
晶面上の図形等は投影レンズ１２を介しスクリーン９上
に投影される。
【０００５】上記した液晶セル７の熱書込みの原理を図
７Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄによって説明する。図で液晶セル７は
二枚のガラス基板１４及び１５から成る、これらガラス
基板１４及び１５にはＩＴＯ（酸化インジウム）等の透
明電極膜１６，１７並にＳｉＯ2 （二酸化シリコン）等
の絶縁膜１８，１９がコーティングされ、更に、書込み
レーザ光６が入射される反対側のガラス基板１４にはレ
ーザミラ２０が形成されている。このレーザミラ２０は
誘電体の光学多層膜で構成される。
７Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄによって説明する。図で液晶セル７は
二枚のガラス基板１４及び１５から成る、これらガラス
基板１４及び１５にはＩＴＯ（酸化インジウム）等の透
明電極膜１６，１７並にＳｉＯ2 （二酸化シリコン）等
の絶縁膜１８，１９がコーティングされ、更に、書込み
レーザ光６が入射される反対側のガラス基板１４にはレ
ーザミラ２０が形成されている。このレーザミラ２０は
誘電体の光学多層膜で構成される。
【０００６】二つのガラス基板１４及び１５間は例えば
熱硬化性樹脂等のシール材２１でシールされる。
熱硬化性樹脂等のシール材２１でシールされる。
【０００７】シール材２１でシールされた空セル容器内
にはスメクチック液晶２４等が充填される。この液晶２
４はレーザ等の熱書込みによってＳｍＡ（スメクチック
Ａ）液晶相⇔Ｎ液晶相⇔等方性液晶相（Ｉｓｏ相）に相
変化するものが用いられる。
にはスメクチック液晶２４等が充填される。この液晶２
４はレーザ等の熱書込みによってＳｍＡ（スメクチック
Ａ）液晶相⇔Ｎ液晶相⇔等方性液晶相（Ｉｓｏ相）に相
変化するものが用いられる。
【０００８】この様な液晶２４にレーザ光等の熱を加え
ＳｍＡ相からＩｓｏ相へ一度相転移させた後に元のＳｍ
Ａ相に戻すとＩｓｏ相でのランダムな配向がＳｍＡ相で
保持され、光散乱状態が形成されて、メモリ状態を保持
する。この状態を消去するには電圧を印加して一様配向
しているＳｍＡ相に戻す様にしてやればよい。
ＳｍＡ相からＩｓｏ相へ一度相転移させた後に元のＳｍ
Ａ相に戻すとＩｓｏ相でのランダムな配向がＳｍＡ相で
保持され、光散乱状態が形成されて、メモリ状態を保持
する。この状態を消去するには電圧を印加して一様配向
しているＳｍＡ相に戻す様にしてやればよい。
【０００９】即ち、透明電極膜１６，１７は画面を消去
するときに電圧を印加するために形成され、絶縁膜１
８，１９は液晶中の不純物によって透明電極１６，１７
間がショートされるのを防止するために形成される。更
にレーザミラ２０はレーザダイオード３０から入射され
て来る書込みレーザ光を反射し、レーザビームのエネル
ギーを有効利用するためにコーティングされている。
するときに電圧を印加するために形成され、絶縁膜１
８，１９は液晶中の不純物によって透明電極１６，１７
間がショートされるのを防止するために形成される。更
にレーザミラ２０はレーザダイオード３０から入射され
て来る書込みレーザ光を反射し、レーザビームのエネル
ギーを有効利用するためにコーティングされている。
【００１０】上述の如き液晶セル７の透明電極膜１６，
１７間にはスイッチ２２及び交流の電源２３が直列接続
されている。
１７間にはスイッチ２２及び交流の電源２３が直列接続
されている。
【００１１】図７Ａに示す状態ではスイッチ２２はオフ
状態で液晶２４は一様に配列されたＳｍＡ相である。
状態で液晶２４は一様に配列されたＳｍＡ相である。
【００１２】次に図７Ｂに示す様に、書込みレーザ光６
をガラス基板１５側から入射させると書込みレーザ光６
の当たった部分の液晶２４ａだけ光散乱状態のＩｓｏ相
となり図７Ｃに示す様に画素２５となり、所定の画像が
描画可能となる。
をガラス基板１５側から入射させると書込みレーザ光６
の当たった部分の液晶２４ａだけ光散乱状態のＩｓｏ相
となり図７Ｃに示す様に画素２５となり、所定の画像が
描画可能となる。
【００１３】次に図７Ｄに示す様にスイッチ２２をオン
して交流の電源２３から透明電極１６，１７に電圧を印
加すれば液晶２４のＩｓｏ相は元のＳｍＡ相の一様な配
列に戻される。
して交流の電源２３から透明電極１６，１７に電圧を印
加すれば液晶２４のＩｓｏ相は元のＳｍＡ相の一様な配
列に戻される。
【００１４】上述のレーザブロック１内の光学系は従来
構成では図８に示す様に構成されていた。
構成では図８に示す様に構成されていた。
【００１５】図８で３０はレーザダイオードであり、こ
のレーザダイオード３０から出射したレーザビームはコ
リメートレンズ３１並にアナモルフィックプリズム３２
を介してλ／２板３３に入射する。レーザダイオード３
０から出射した、例えば、直線偏光のＰ成分のレーザビ
ームはコリメータレンズ３１で平行ビームと成され、ア
ナモルフィックプリズム３２でビーム光は楕円形状が円
形状に整形され、λ／２板３３で一部（数％以下）は振
動方向が９０度回転した直線偏光のＳ成分とされる。
のレーザダイオード３０から出射したレーザビームはコ
リメートレンズ３１並にアナモルフィックプリズム３２
を介してλ／２板３３に入射する。レーザダイオード３
０から出射した、例えば、直線偏光のＰ成分のレーザビ
ームはコリメータレンズ３１で平行ビームと成され、ア
ナモルフィックプリズム３２でビーム光は楕円形状が円
形状に整形され、λ／２板３３で一部（数％以下）は振
動方向が９０度回転した直線偏光のＳ成分とされる。
【００１６】λ／２板３３を透過した直線偏光のＰ成分
及びＳ成分は偏光ビームスプリッタ（以下ＰＢＳと記
す）３４に入射し、透過光と反射光に分離される。この
ＰＢＳで１〜２％程度の光量のＳ成分は反射され、他の
Ｐ成分はＰＢＳ３４を通過する。
及びＳ成分は偏光ビームスプリッタ（以下ＰＢＳと記
す）３４に入射し、透過光と反射光に分離される。この
ＰＢＳで１〜２％程度の光量のＳ成分は反射され、他の
Ｐ成分はＰＢＳ３４を通過する。
【００１７】ＰＢＳ３４で反射されたＳ成分はモニタ用
のコリメートレンズ３５で平行光とされてレーザダイオ
ード３０からの光モニタ用のフォトダイオード３６に入
射する。
のコリメートレンズ３５で平行光とされてレーザダイオ
ード３０からの光モニタ用のフォトダイオード３６に入
射する。
【００１８】ＰＢＳ３４を透過した透過光はλ／４板３
７に入射し、このλ／４板３７で直線偏光のＰ成分は円
偏光とされて、図６で示したガルバノスキャナーミラ３
ａ，３ｂを介して書込みレーザ光６として液晶セル７の
液晶２４に焦点が合わされて、所定図形の書込みが成さ
れる。
７に入射し、このλ／４板３７で直線偏光のＰ成分は円
偏光とされて、図６で示したガルバノスキャナーミラ３
ａ，３ｂを介して書込みレーザ光６として液晶セル７の
液晶２４に焦点が合わされて、所定図形の書込みが成さ
れる。
【００１９】この液晶セル７にはパネル面の所定位置
（例えはＸ軸及びＹ軸方向の始端及び終端位置）に置か
れた反射膜（例えばアルミニウム膜）４０等からの位置
検出用戻り光を再びガルバノスキャナーミラ３ａ，３ｂ
でレーザブロック１内に戻す様に成される。勿論、書込
みレーザ光６は液晶セル７の液晶２４に当ってＳｍＡ相
をＩｓｏ相に変えるエネルギーとして描画するが、余分
のエネルギーは戻り光３９としてレーザブロック１内に
戻される。
（例えはＸ軸及びＹ軸方向の始端及び終端位置）に置か
れた反射膜（例えばアルミニウム膜）４０等からの位置
検出用戻り光を再びガルバノスキャナーミラ３ａ，３ｂ
でレーザブロック１内に戻す様に成される。勿論、書込
みレーザ光６は液晶セル７の液晶２４に当ってＳｍＡ相
をＩｓｏ相に変えるエネルギーとして描画するが、余分
のエネルギーは戻り光３９としてレーザブロック１内に
戻される。
【００２０】レーザブロック１内に戻された戻り光３９
は再びλ／４板３７を通るために円偏光は直線偏光のＳ
成分となされ、ＰＢＳ３７でこのＳ成分は反射され描画
の位置検出用のコリメートレンズ４１並にフォトダイオ
ード４２に入射する様に成されている。
は再びλ／４板３７を通るために円偏光は直線偏光のＳ
成分となされ、ＰＢＳ３７でこのＳ成分は反射され描画
の位置検出用のコリメートレンズ４１並にフォトダイオ
ード４２に入射する様に成されている。
【００２１】更に、レーザ光による熱書込みで液晶セル
７の面上をガルバノスキャナーミラ３ａ及び３ｂで走査
する場合に描画速度に応じてレーザダイオード３０の出
力パワー密度を一定にする様なＡＰＣ制御が行なわれ
る。
７の面上をガルバノスキャナーミラ３ａ及び３ｂで走査
する場合に描画速度に応じてレーザダイオード３０の出
力パワー密度を一定にする様なＡＰＣ制御が行なわれ
る。
【００２２】この様な従来のパワー密度の制御回路を図
９に示す。同図で図６及び図８との同一部分には同一符
号を付して重複説明を省略するも、図８で説明しレーザ
ブロック１内にはレーザ源のレーザダイオード３０並に
レーザダイオード３０の出力をモニタするフォトダイオ
ード３６を有し、このフォトダイオード３６で検出した
レーザダイオード３０の出力は電流−電圧変換回路４４
を介してパワーコントロール回路４５にフィードバック
され、更に電圧−電流変換回路４６で電流に変換されて
ＰＷＭ（パルス幅変調）制御回路４７からのＰＷＭ波に
よってレーザダイオード３６の出力が一定になる様に制
御されている。
９に示す。同図で図６及び図８との同一部分には同一符
号を付して重複説明を省略するも、図８で説明しレーザ
ブロック１内にはレーザ源のレーザダイオード３０並に
レーザダイオード３０の出力をモニタするフォトダイオ
ード３６を有し、このフォトダイオード３６で検出した
レーザダイオード３０の出力は電流−電圧変換回路４４
を介してパワーコントロール回路４５にフィードバック
され、更に電圧−電流変換回路４６で電流に変換されて
ＰＷＭ（パルス幅変調）制御回路４７からのＰＷＭ波に
よってレーザダイオード３６の出力が一定になる様に制
御されている。
【００２３】上述のＰＷＭ制御回路４７とパワーコント
ロール回路４５とはシステムコントローラの例えばコン
ピュータ（以下ＣＰＵと記す）でコントロールされてい
る。
ロール回路４５とはシステムコントローラの例えばコン
ピュータ（以下ＣＰＵと記す）でコントロールされてい
る。
【００２４】ＣＰＵ４８からはＲＯＭ（リード・オンリ
・メモリ）の上位アドレスＡ15，Ａ 14にレーザダイオー
ド駆動データＬＤ1 ，ＬＤ0 を供給すると共にパワーコ
ントロール回路４５にも供給する。ＲＯＭ４９からはレ
ーザオフデータ、細線描画データ、中線描画データ、太
線描画データを出力する。このＲＯＭ４９のレーザダイ
オード駆動データのマップは例えば太線のアドレスがＦ
ＦH 、中線がＢＦH 、細線が７ＦH 等と定められて、こ
れら描画線種に応じてレーザダイオードの最高出力パワ
ーを夫々一定の値となる様に制御している。
・メモリ）の上位アドレスＡ15，Ａ 14にレーザダイオー
ド駆動データＬＤ1 ，ＬＤ0 を供給すると共にパワーコ
ントロール回路４５にも供給する。ＲＯＭ４９からはレ
ーザオフデータ、細線描画データ、中線描画データ、太
線描画データを出力する。このＲＯＭ４９のレーザダイ
オード駆動データのマップは例えば太線のアドレスがＦ
ＦH 、中線がＢＦH 、細線が７ＦH 等と定められて、こ
れら描画線種に応じてレーザダイオードの最高出力パワ
ーを夫々一定の値となる様に制御している。
【００２５】更に、ガルバノスキャナーミラを走査する
ためのＸ軸走査駆動回路５０及びＹ軸走査駆動回路５１
のポテンショメータ等を可変させることでＸ及びＹ軸描
画速度電圧ＶX ，ＶY を出力し、これら電圧ＶX ，ＶY
をアナログ−デジタル変換回路５２及び５３に供給する
ことでデジタルデータに変換し、これらデジタルデータ
をＲＯＭ４９の下位ビットアドレスＡ0 〜Ａ6 並にＡ7
〜Ａ13に供給し、ＲＯＭ４９に格納した描画速度に対応
した出力データＸ，Ｙをガルバノスキャナーミラ３ａ，
３ｂのガルバノ用モータ等に供給することでレーザ駆動
部６０が構成される様になされている。
ためのＸ軸走査駆動回路５０及びＹ軸走査駆動回路５１
のポテンショメータ等を可変させることでＸ及びＹ軸描
画速度電圧ＶX ，ＶY を出力し、これら電圧ＶX ，ＶY
をアナログ−デジタル変換回路５２及び５３に供給する
ことでデジタルデータに変換し、これらデジタルデータ
をＲＯＭ４９の下位ビットアドレスＡ0 〜Ａ6 並にＡ7
〜Ａ13に供給し、ＲＯＭ４９に格納した描画速度に対応
した出力データＸ，Ｙをガルバノスキャナーミラ３ａ，
３ｂのガルバノ用モータ等に供給することでレーザ駆動
部６０が構成される様になされている。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】上述のレーザ熱書込み
液晶セル７を用いた投射型の液晶表示装置では例えば、
太線描画データが選択されたときの描画速度（Ｘ軸指示
速度ＶX とＹ軸指示速度ＶY をベクトル合成した速度）
に対するＲＯＭ４９の出力データは図１０示す様に所定
の勾配の直線５４で示す様な値のデータが格納されてい
る。
液晶セル７を用いた投射型の液晶表示装置では例えば、
太線描画データが選択されたときの描画速度（Ｘ軸指示
速度ＶX とＹ軸指示速度ＶY をベクトル合成した速度）
に対するＲＯＭ４９の出力データは図１０示す様に所定
の勾配の直線５４で示す様な値のデータが格納されてい
る。
【００２７】又、レーザダイオード３０のパワーは描画
速度に対応して図１１Ａ，Ｂの様にＰＷＭ波形のパルス
幅τ1 及びτ2 を変えることでパワー制御を行なう様に
なされている。即ち、レーザダイオード３０のパワー制
御は描画線種に応じてピークパワーを設定して固定し、
描画速度に対応してＰＷＭを行なう様になされる。
速度に対応して図１１Ａ，Ｂの様にＰＷＭ波形のパルス
幅τ1 及びτ2 を変えることでパワー制御を行なう様に
なされている。即ち、レーザダイオード３０のパワー制
御は描画線種に応じてピークパワーを設定して固定し、
描画速度に対応してＰＷＭを行なう様になされる。
【００２８】この様に液晶セル７の液晶面上で描画速度
に応じて、レーザダイオード３０のパワー密度を一定に
して、所定の幅の太線、中線、細線を描画しているが、
これら線分を書き始める書き始め時と、描画途中とで同
じレーザパワー密度で描画すると、書き始め時には線分
が細くなってしまう問題があった。
に応じて、レーザダイオード３０のパワー密度を一定に
して、所定の幅の太線、中線、細線を描画しているが、
これら線分を書き始める書き始め時と、描画途中とで同
じレーザパワー密度で描画すると、書き始め時には線分
が細くなってしまう問題があった。
【００２９】この様に書き始めて線分が細くなる原因を
図１２で説明する。図に於いて液晶セル７上に例えば幅
Ｗ長さＬ1 及びＬ2 の太線５９ａ及び５９ｂをレーザ熱
書込みによって描画しようとする場合、レーザダイオー
ド３０からのレーザ光のビーム径５６が破線部分５５で
示した位置に照射された書き始め時は液晶２４が充分に
熱せられないためにＩｓｏ相に変換されない。この状態
でビーム径５６は矢印方向Ａに所定の描画速度で移動す
るため、次の位置に移動したビーム径５６ａが移動する
途中部分５８は余熱されているので描画始めとは熱の上
昇条件が異なって来ている。
図１２で説明する。図に於いて液晶セル７上に例えば幅
Ｗ長さＬ1 及びＬ2 の太線５９ａ及び５９ｂをレーザ熱
書込みによって描画しようとする場合、レーザダイオー
ド３０からのレーザ光のビーム径５６が破線部分５５で
示した位置に照射された書き始め時は液晶２４が充分に
熱せられないためにＩｓｏ相に変換されない。この状態
でビーム径５６は矢印方向Ａに所定の描画速度で移動す
るため、次の位置に移動したビーム径５６ａが移動する
途中部分５８は余熱されているので描画始めとは熱の上
昇条件が異なって来ている。
【００３０】即ち、太線５９ｂで斜線で示した部分５７
だけが書込みが行なわれ、書き始め部分は先細となり、
所定寸法長Ｌ1 及びＬ2 の長さの線分を指定通りに描画
出来ないことになる。
だけが書込みが行なわれ、書き始め部分は先細となり、
所定寸法長Ｌ1 及びＬ2 の長さの線分を指定通りに描画
出来ないことになる。
【００３１】本発明は叙上の如き問題点を解決するため
に成されたもので、その目的とするところは、所定の指
定寸法長の均一な幅の線分を描画可能な熱書込み型の液
晶表示装置を提供する様にしたものである。
に成されたもので、その目的とするところは、所定の指
定寸法長の均一な幅の線分を描画可能な熱書込み型の液
晶表示装置を提供する様にしたものである。
【００３２】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置は
その例が図１に示されている様に、レーザ源３０を駆動
する駆動手段６０と、レーザ源３０からのレーザ光を液
晶面上に２次元的に走査する光学系を含む走査手段３
ａ，３ｂと、レーザ光の熱で液晶の相変化により光学像
が記録される液晶素子７とを具備する液晶表示装置に於
いて、駆動手段６０を介してレーザ源３０から出射する
レーザパワー密度を液晶素子７の面上に描画する線分の
開始時と描画中とで変化させて、均一な線幅の描画像を
得る様にして成るものである。
その例が図１に示されている様に、レーザ源３０を駆動
する駆動手段６０と、レーザ源３０からのレーザ光を液
晶面上に２次元的に走査する光学系を含む走査手段３
ａ，３ｂと、レーザ光の熱で液晶の相変化により光学像
が記録される液晶素子７とを具備する液晶表示装置に於
いて、駆動手段６０を介してレーザ源３０から出射する
レーザパワー密度を液晶素子７の面上に描画する線分の
開始時と描画中とで変化させて、均一な線幅の描画像を
得る様にして成るものである。
【００３３】
【作用】本発明の熱書込み型の液晶表示装置によれば液
晶セル７の液晶面上にフォーカスされるレーザダイオー
ド３０からのレーザ光のビームが液晶面上に照射された
瞬間だけ線分の書き始めの都度（前の線分が書き終わっ
てレーザ光が断たれて次の線分に移る場合も）レーザダ
イオード３０からの出力を上昇させる様にしたので、所
定寸法長の線幅一定の線分の描画を簡単な構成で行なう
ことが出来る。
晶セル７の液晶面上にフォーカスされるレーザダイオー
ド３０からのレーザ光のビームが液晶面上に照射された
瞬間だけ線分の書き始めの都度（前の線分が書き終わっ
てレーザ光が断たれて次の線分に移る場合も）レーザダ
イオード３０からの出力を上昇させる様にしたので、所
定寸法長の線幅一定の線分の描画を簡単な構成で行なう
ことが出来る。
【００３４】
【実施例】以下本発明の熱書込み型の液晶表示装置を図
１乃至図４によって説明する。尚、図６乃至図１２との
対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
１乃至図４によって説明する。尚、図６乃至図１２との
対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３５】図１によって本発明のレーザ熱書込み型の
液晶表示装置を説明する前に本例のＲＯＭ４９に格納す
るデータについて図２及び図３によって説明する。
液晶表示装置を説明する前に本例のＲＯＭ４９に格納す
るデータについて図２及び図３によって説明する。
【００３６】図２に於いて、ＲＯＭ４９のアドレスマッ
プを太線データ（アドレスＦＦH ）、中線データ（アド
レスＢＦH ）、細線データ（アドレス７ＦH ）の他に描
画始めデータ（アドレス３ＦH ）を分割して格納する様
に成されている。
プを太線データ（アドレスＦＦH ）、中線データ（アド
レスＢＦH ）、細線データ（アドレス７ＦH ）の他に描
画始めデータ（アドレス３ＦH ）を分割して格納する様
に成されている。
【００３７】ＣＰＵ４８からのアドレスＡ0 乃至Ａ15は
入力ドライバ６２からデコーダ６３に供給され、ＲＯＭ
４９中に格納された上述の各データは出力バッファ６４
を介しデータＤ1 〜Ｄ7 としてＰＷＭ制御回路４７のカ
ウンタ等に入力され、ＰＷＭ制御回路４７からはＰＷＭ
波形が出力される。
入力ドライバ６２からデコーダ６３に供給され、ＲＯＭ
４９中に格納された上述の各データは出力バッファ６４
を介しデータＤ1 〜Ｄ7 としてＰＷＭ制御回路４７のカ
ウンタ等に入力され、ＰＷＭ制御回路４７からはＰＷＭ
波形が出力される。
【００３８】上述の描画始めデータ出力と描画速度（Ｖ
X ＋ＶYをベクトル合成した速度）との関係は図３の直
線６５に示す様に、図１０で説明したと同様の直線５４
で示す、線分途中のＲＯＭデータに比べて立ち上がった
勾配となり最高速度以外では出力データが高くなる様に
選ばれる。
X ＋ＶYをベクトル合成した速度）との関係は図３の直
線６５に示す様に、図１０で説明したと同様の直線５４
で示す、線分途中のＲＯＭデータに比べて立ち上がった
勾配となり最高速度以外では出力データが高くなる様に
選ばれる。
【００３９】即ち、描画速度に対応してＰＷＭ波形のパ
ルス幅τ2 は図１１Ｂに示す様に増大する様に成され
る。
ルス幅τ2 は図１１Ｂに示す様に増大する様に成され
る。
【００４０】この様な描画始めのＲＯＭ出力に切換える
ための本発明のレーザ駆動部の系統図を図１で説明す
る。図１で図９との対応部分には同一符号を付してあ
る。本例では図９と異なる構成は、ＣＰＵ４８から出力
されるレーザ駆動信号ＬＤ0 をワンショットマルチバイ
ブレータ６１に供給し、この出力ＬＤ0 ′をＲＯＭ４９
のアドレス端子Ａ14に供給する様に成されている。
ための本発明のレーザ駆動部の系統図を図１で説明す
る。図１で図９との対応部分には同一符号を付してあ
る。本例では図９と異なる構成は、ＣＰＵ４８から出力
されるレーザ駆動信号ＬＤ0 をワンショットマルチバイ
ブレータ６１に供給し、この出力ＬＤ0 ′をＲＯＭ４９
のアドレス端子Ａ14に供給する様に成されている。
【００４１】即ち、本例では描画開始時の微少時間だけ
ＲＯＭデータを描画始めデータに切換えて、レーザダイ
オード３０から出力されるパワーを上昇させる様にして
いる。
ＲＯＭデータを描画始めデータに切換えて、レーザダイ
オード３０から出力されるパワーを上昇させる様にして
いる。
【００４２】図４Ａ，ＢはＣＰＵ４８からのレーザ駆動
信号ＬＤ0 とワンショットマルチバイブレータ６１から
の出力波形を示すもので、図４Ａに示す様にＣＰＵ４８
は描画開始と同時にロー（Ｌ）アクティブで描画終了で
ハイ（Ｈ）となるレーザ駆動信号ＬＤ0 を出力する。こ
の描画開始と同時にワンショットマルチバイブレータ６
１は所定期間（例えば１００ｍｓｅｅ）Ｌとなされ、Ｒ
ＯＭ４９のアドレスが３ＦH に切換り、このアドレスに
格納されたデータが出力バッファ６４から出力されＰＷ
Ｍ波形のパルス幅が例えば図１１のτ1 からτ2 に変わ
って描画始めでは大きなパワーがレーザダイオードから
出力される。
信号ＬＤ0 とワンショットマルチバイブレータ６１から
の出力波形を示すもので、図４Ａに示す様にＣＰＵ４８
は描画開始と同時にロー（Ｌ）アクティブで描画終了で
ハイ（Ｈ）となるレーザ駆動信号ＬＤ0 を出力する。こ
の描画開始と同時にワンショットマルチバイブレータ６
１は所定期間（例えば１００ｍｓｅｅ）Ｌとなされ、Ｒ
ＯＭ４９のアドレスが３ＦH に切換り、このアドレスに
格納されたデータが出力バッファ６４から出力されＰＷ
Ｍ波形のパルス幅が例えば図１１のτ1 からτ2 に変わ
って描画始めでは大きなパワーがレーザダイオードから
出力される。
【００４３】本発明は叙上の様に動作させたので、従来
は図５Ａの様に書込み開始時に未記録部５５が出来、更
に書き始める先端が先細りとなって所定寸法Ｌ1 ｘｗを
画く場合もＬ1 ＞Ｌ3 寸法の線分しか書けなかったが、
本発明によれば図５Ｂに示す様に、書き始め部分の先端
は丸味をおびるがＬ1 ｘｗの寸法の線分を正しく画くこ
との出来る液晶表示装置が得られる。
は図５Ａの様に書込み開始時に未記録部５５が出来、更
に書き始める先端が先細りとなって所定寸法Ｌ1 ｘｗを
画く場合もＬ1 ＞Ｌ3 寸法の線分しか書けなかったが、
本発明によれば図５Ｂに示す様に、書き始め部分の先端
は丸味をおびるがＬ1 ｘｗの寸法の線分を正しく画くこ
との出来る液晶表示装置が得られる。
【００４４】更にＰＷＭの変調度はＲＯＭ４９の出力デ
ータを切換えて得るだけであるから変調度を変えること
は極めて容易であり、均一な線幅の描画が簡単に出来る
ものが得られる。
ータを切換えて得るだけであるから変調度を変えること
は極めて容易であり、均一な線幅の描画が簡単に出来る
ものが得られる。
【００４５】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置によれば、レーザ
光を液晶セルに照射して所定図形を描画する際に、線分
の書き始めのパワー密度を上げるだけで、所定寸法の線
幅一定な線分を描画出来るものが得られる。
光を液晶セルに照射して所定図形を描画する際に、線分
の書き始めのパワー密度を上げるだけで、所定寸法の線
幅一定な線分を描画出来るものが得られる。
【図１】本発明の液晶表示装置のレーザ駆動部の一実施
例を示す系統図。
例を示す系統図。
【図２】本発明の液晶表示装置に用いるＲＯＭマップ図
である。
である。
【図３】本発明の液晶表示装置に用いる速度−ＲＯＭ出
力特性図である。
力特性図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の動作説明用波形図であ
る。
る。
【図５】本発明の液晶表示装置の描画線の説明図であ
る。
る。
【図６】従来の液晶表示装置の光学系構成図である。
【図７】従来の液晶表示装置の動作原理説明図である。
【図８】従来のレーザブロック内の光学系構成図であ
る。
る。
【図９】従来の液晶表示装置のレーザ駆動装置の系統図
である。
である。
【図１０】従来の液晶表示装置に用いる速度−ＲＯＭ出
力特性図である。
力特性図である。
【図１１】従来の液晶表示のＲＯＭ出力−ＰＷＭ波形図
である。
である。
【図１２】従来の液晶表示装置の描画状態説明図であ
る。
る。
１ レーザブロック ７ 液晶パネル ３０ レーザダイオード ４８ ＣＰＵ ４９ ＲＯＭ ６１ ワンショットマルチバイブレータ
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザ源を駆動する駆動手段と、 該レーザ源からのレーザ光を液晶面上に２次元的に走査
する光学系を含む走査手段と、 該レーザ光の熱で液晶の相変化により光学像が記録され
る液晶素子とを具備する液晶表示装置に於いて、 上記駆動手段を介してレーザ源から出射するレーザパワ
ー密度を上記液晶素子面上に描画する線分の開始時と描
画中とで変化させて、均一な線幅の描画像を得る様にし
て成ることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22731591A JPH0566374A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 液晶表示装置 |
| US07/938,610 US5363117A (en) | 1991-09-04 | 1992-09-01 | Laser-addressed liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22731591A JPH0566374A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566374A true JPH0566374A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16858879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22731591A Pending JPH0566374A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-06 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566374A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002244742A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Toto Ltd | 減圧弁 |
| US7513441B2 (en) | 2003-09-26 | 2009-04-07 | Robert Bosch Gmbh | Valve for controlling a connection in a high-pressure fuel injection apparatus for an internal combustion engine |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22731591A patent/JPH0566374A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002244742A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Toto Ltd | 減圧弁 |
| JP4666434B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2011-04-06 | Ｔｏｔｏ株式会社 | 減圧弁 |
| US7513441B2 (en) | 2003-09-26 | 2009-04-07 | Robert Bosch Gmbh | Valve for controlling a connection in a high-pressure fuel injection apparatus for an internal combustion engine |
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