JPH0563960B2 - - Google Patents
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- JPH0563960B2 JPH0563960B2 JP58075919A JP7591983A JPH0563960B2 JP H0563960 B2 JPH0563960 B2 JP H0563960B2 JP 58075919 A JP58075919 A JP 58075919A JP 7591983 A JP7591983 A JP 7591983A JP H0563960 B2 JPH0563960 B2 JP H0563960B2
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- shielding member
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電磁波を遮蔽し、電波障害を防止する
透明部材に関する。
透明部材に関する。
本発明の透明電磁遮蔽部材は、窓ガラス、ある
いは雑音電波を発する電子機器のケース等に用い
ることができる。例えば、自動車用窓ガラスに本
発明に透明電磁遮蔽部材を用いると、自動車に搭
載されている各種電子機器から発する雑音電波を
効率よく遮蔽することができ、電波障害の防止に
有用である。
いは雑音電波を発する電子機器のケース等に用い
ることができる。例えば、自動車用窓ガラスに本
発明に透明電磁遮蔽部材を用いると、自動車に搭
載されている各種電子機器から発する雑音電波を
効率よく遮蔽することができ、電波障害の防止に
有用である。
従来、透明な電磁遮蔽部材としては、ガラス、
プラスチツク等の透明な透光体表面にITO（イン
ジウムオキサイド（In2O3）と二酸化錫（SnO2）
との固溶体）等の透明導電性薄膜を形成したもの
が用いられていた。しかし、従来用いられていた
上記透明な電磁遮蔽部材においては電磁遮蔽の効
果をあげるためには、ガラス等の表面に形成する
透明導電性薄膜の膜厚を厚くしなければならなか
つた。しかし、膜厚を厚くすると可視光線透過率
が低下したり、機械的化学的耐久性が低下した
り、あるいは又、生産性が低下する等の欠点があ
つた。
プラスチツク等の透明な透光体表面にITO（イン
ジウムオキサイド（In2O3）と二酸化錫（SnO2）
との固溶体）等の透明導電性薄膜を形成したもの
が用いられていた。しかし、従来用いられていた
上記透明な電磁遮蔽部材においては電磁遮蔽の効
果をあげるためには、ガラス等の表面に形成する
透明導電性薄膜の膜厚を厚くしなければならなか
つた。しかし、膜厚を厚くすると可視光線透過率
が低下したり、機械的化学的耐久性が低下した
り、あるいは又、生産性が低下する等の欠点があ
つた。
本発明は以上のような欠点に鑑み案出されたも
のであり、可視光透過率を低下させることなく可
視光よりも長波長の電磁波を効率良く遮断するこ
とのできる透明電磁遮蔽部材を提供することを目
的とする。
のであり、可視光透過率を低下させることなく可
視光よりも長波長の電磁波を効率良く遮断するこ
とのできる透明電磁遮蔽部材を提供することを目
的とする。
本発明の透明電磁遮蔽部材は、透明基板と、該
透明基板上に形成された電磁遮蔽薄膜とから成
り、該電磁遮蔽薄膜は、光透過率の高い透明導電
性薄膜と、該透明導電性薄膜とは異なる電磁気的
特性を有し光透過率の高い透明薄膜とが交互に積
層されて成り、少なくとも二層の該透明導電性薄
膜を含む三層以上から構成され合計膜厚が1000Å
〜数μmであることを特徴とするものである。
透明基板上に形成された電磁遮蔽薄膜とから成
り、該電磁遮蔽薄膜は、光透過率の高い透明導電
性薄膜と、該透明導電性薄膜とは異なる電磁気的
特性を有し光透過率の高い透明薄膜とが交互に積
層されて成り、少なくとも二層の該透明導電性薄
膜を含む三層以上から構成され合計膜厚が1000Å
〜数μmであることを特徴とするものである。
電磁波を或る部材によつて遮蔽するためには、
電磁波を該或る部材によつて反射もしくは吸収す
れば良い。即ち、該或る部材による電磁波の損失
Ｓは、Ｓ＝Ｒ＋Ａとして表わされる。ここに、Ｒ
は反射による損失、Ａは吸収による損失である。
電磁波を該或る部材によつて反射もしくは吸収す
れば良い。即ち、該或る部材による電磁波の損失
Ｓは、Ｓ＝Ｒ＋Ａとして表わされる。ここに、Ｒ
は反射による損失、Ａは吸収による損失である。
透明導電性薄膜をガラス等の透光体の表面上に
形成していた従来の電磁遮蔽部材では、上記Ａを
増大させようとすると可視光透過率の低下、生産
性低下、耐久性の低下等のような欠点が現われ、
又、上記Ｒは透明導電性薄膜が単層として形成さ
れているために、該薄膜の形成材料によつて定ま
る或る値以上とすることはできなかつた。
形成していた従来の電磁遮蔽部材では、上記Ａを
増大させようとすると可視光透過率の低下、生産
性低下、耐久性の低下等のような欠点が現われ、
又、上記Ｒは透明導電性薄膜が単層として形成さ
れているために、該薄膜の形成材料によつて定ま
る或る値以上とすることはできなかつた。
これに対し、本発明は電磁遮蔽薄膜を多層構造
とすることによつて電磁波の多重反射を生ぜし
め、上記Ｒの値を増大させるとともに該多層構造
により上記Ａをも増大させたものである。
とすることによつて電磁波の多重反射を生ぜし
め、上記Ｒの値を増大させるとともに該多層構造
により上記Ａをも増大させたものである。
上記したように本発明の透明電磁遮蔽部材は透
明基板と、電磁遮蔽薄膜とから成る。
明基板と、電磁遮蔽薄膜とから成る。
透明基板としては通常用いられている透明な材
料、例えばガラス、プラスチツク等を用いること
ができる。
料、例えばガラス、プラスチツク等を用いること
ができる。
電磁遮蔽薄膜は電磁波を反射（多重反射を含
む）、あるいは吸収することによつて電磁波の遮
断効果をあげる機能を有する。電磁遮蔽薄膜は、
透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜とは電磁気
的特性が異なる材料からなる透明薄膜とによる多
層構造として形成される。透明導電性薄膜として
は、ITO（インジウムオキサイド（In2O3）と二酸
化錫（SnO2）との固溶体）等を用いることがで
きる。透明導電性薄膜と異なる電磁気的特性を有
する材料としては、例えば電気抵抗率が異なる材
料、誘電率もしくは誘電損失の異なる材料、透磁
率もしくは磁気損失の異なる材料等を用いること
ができる。
む）、あるいは吸収することによつて電磁波の遮
断効果をあげる機能を有する。電磁遮蔽薄膜は、
透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜とは電磁気
的特性が異なる材料からなる透明薄膜とによる多
層構造として形成される。透明導電性薄膜として
は、ITO（インジウムオキサイド（In2O3）と二酸
化錫（SnO2）との固溶体）等を用いることがで
きる。透明導電性薄膜と異なる電磁気的特性を有
する材料としては、例えば電気抵抗率が異なる材
料、誘電率もしくは誘電損失の異なる材料、透磁
率もしくは磁気損失の異なる材料等を用いること
ができる。
電磁波が１の媒質から他の媒質に入射する場
合、境界面において一般に反射及び透過が生じ
る。反射は上記１の媒質と上記他の媒質中におけ
る電磁波の波動インピーダンスが異なる場合に生
ずる。従つて、境界面において電磁波の反射を生
ぜしめたい場合には、境界面の前後における電磁
波の波動インピーダンスを異ならせれば良い。電
磁波の波動インピーダンスは誘電率ε、透磁率
μ、及び導電率ｋの関数として与えられる。従つ
て、上記１の媒質と、上記他の媒質との境界面に
おける電磁波の反射を生ぜしめたい場合には両媒
質中における誘電率ε、あるいは透磁率μ、ある
いは導電率ｋを異なるようにすれば良い。
合、境界面において一般に反射及び透過が生じ
る。反射は上記１の媒質と上記他の媒質中におけ
る電磁波の波動インピーダンスが異なる場合に生
ずる。従つて、境界面において電磁波の反射を生
ぜしめたい場合には、境界面の前後における電磁
波の波動インピーダンスを異ならせれば良い。電
磁波の波動インピーダンスは誘電率ε、透磁率
μ、及び導電率ｋの関数として与えられる。従つ
て、上記１の媒質と、上記他の媒質との境界面に
おける電磁波の反射を生ぜしめたい場合には両媒
質中における誘電率ε、あるいは透磁率μ、ある
いは導電率ｋを異なるようにすれば良い。
本発明はかかる原理に基づくものである。又、
本発明において電磁波の遮蔽効果を一層あげるた
めには電磁遮蔽薄膜中における電磁波の吸収損失
を大きくすればよい。このためには、例えば誘電
損失、磁気損失等を大きくすれば良い。
本発明において電磁波の遮蔽効果を一層あげるた
めには電磁遮蔽薄膜中における電磁波の吸収損失
を大きくすればよい。このためには、例えば誘電
損失、磁気損失等を大きくすれば良い。
本発明の電磁遮蔽部材は透明であることを有す
るため、電磁遮蔽薄膜の膜厚は1000Å〜数μmの
範囲とし可視光の波長域の電磁波は透過するよう
に構成する必要がある。又、本発明の透明電磁遮
蔽部材では電磁遮蔽薄膜を保護するために該電磁
遮蔽薄膜の最表層に二酸化珪素（SiO2）の薄膜
を形成すると良い。この場合、二酸化珪素の薄膜
によつて可視光の反射率を低減するという副次的
効果を期待することもできる。
るため、電磁遮蔽薄膜の膜厚は1000Å〜数μmの
範囲とし可視光の波長域の電磁波は透過するよう
に構成する必要がある。又、本発明の透明電磁遮
蔽部材では電磁遮蔽薄膜を保護するために該電磁
遮蔽薄膜の最表層に二酸化珪素（SiO2）の薄膜
を形成すると良い。この場合、二酸化珪素の薄膜
によつて可視光の反射率を低減するという副次的
効果を期待することもできる。
以上、述べた様に本発明の透明電磁遮蔽部材は
可視光を選択的に透過し、長波長の電磁波を遮断
するハイパスフイルターとして機能するものであ
る。
可視光を選択的に透過し、長波長の電磁波を遮断
するハイパスフイルターとして機能するものであ
る。
本発明の透明電磁遮蔽部材によると、電子機器
等から発する雑音電波を効率良く遮断することが
できる。又電磁遮蔽薄膜を多層構造としているた
めに機械的、化学的耐久性も優れ、又生産性も優
れている。
等から発する雑音電波を効率良く遮断することが
できる。又電磁遮蔽薄膜を多層構造としているた
めに機械的、化学的耐久性も優れ、又生産性も優
れている。
以下、本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明の実施例である電磁遮蔽ガラス
の断面を模式的に示した図であり、第２図及び第
３図は本実施例の電磁遮蔽ガラスによる電磁遮蔽
効果を示すグラフである。第１図に示すように本
実施例の電磁遮蔽ガラスはガラス基板１０上に積
層されたITO膜２０と二酸化珪素膜３０とから成
る。ITO膜２０は三層から成り、それぞれの膜厚
は3000Åである。二酸化珪素膜３０はITO膜２０
に挾まれた位置にあり、その膜厚はそれぞれ1500
Åである。
の断面を模式的に示した図であり、第２図及び第
３図は本実施例の電磁遮蔽ガラスによる電磁遮蔽
効果を示すグラフである。第１図に示すように本
実施例の電磁遮蔽ガラスはガラス基板１０上に積
層されたITO膜２０と二酸化珪素膜３０とから成
る。ITO膜２０は三層から成り、それぞれの膜厚
は3000Åである。二酸化珪素膜３０はITO膜２０
に挾まれた位置にあり、その膜厚はそれぞれ1500
Åである。
本実施例の電磁遮蔽ガラスはガラス基板１０上
にITO膜２０及び二酸化珪素膜３０をそれぞれ
RFマグネトロンパツタリング法によつて成膜さ
せることによつて製造した。成膜後350℃に90分
間保つ熱処理を施した。
にITO膜２０及び二酸化珪素膜３０をそれぞれ
RFマグネトロンパツタリング法によつて成膜さ
せることによつて製造した。成膜後350℃に90分
間保つ熱処理を施した。
本実施例における電磁遮蔽薄膜の抵抗率は1.5
×10-3Ωcm、可視光透過率は最高87％、波長
1500nmにおける透過率は25％であつた。比較の
ために従来の電磁遮蔽部材である透明導電性薄膜
をガラス上に形成した電磁遮蔽部材を製造した。
透明導電性薄膜としてはITOを用い、その膜厚は
9000Åとした。ここに膜厚9000Åは前記実施例の
ITOの総膜厚9000Åと等しくするためのものであ
る。比較試料の抵抗率は1.5×10-3Ωcm、可視光
透過率は最高83％、又波長1500nmにおける透過
率は11％であり、ITO膜自体の特性は基本的に前
記実施例とほぼ等しいものであつた。しかし、電
磁波の遮蔽効果に関しては、第２図及び第３図に
示すように前記実施例の電磁遮蔽ガラスは従来の
電磁遮蔽部材に比較し、非常に優れていた。第２
図、第３図にその結果を示す。なお電磁遮蔽効果
の測定は、シールド箱の中において点火プラグを
放電させ、これを雑音発生源とし、前記シールド
箱に設けた−開口面を電磁遮蔽板で塞ぎ、オープ
ンフイールドにおいて広帯域受信アンテナによつ
て、前記点火プラグより放出された雑音電波の電
界強度を測つたものである。第２図は水平偏波
を、又第３図は垂直偏波の雑音電界強度をそれぞ
れ示す。図において全閉とはシールド箱の前記開
口面を鉄板で覆つた場合、開放とは該開口面を開
いた場合である。又、本実施例とは、本実施例の
電磁遮蔽ガラスを前記開口面に用いた場合であ
り、比較サンプルとは従来の電磁遮蔽部材で前記
開口面を塞いだ場合を示す。第２図および第３図
より本実施例の電磁遮蔽ガラスは従来の電磁遮蔽
部材に比較して電磁遮蔽効果が優れていることが
わかる。又、前記したように可視光透過率も優れ
ている。
×10-3Ωcm、可視光透過率は最高87％、波長
1500nmにおける透過率は25％であつた。比較の
ために従来の電磁遮蔽部材である透明導電性薄膜
をガラス上に形成した電磁遮蔽部材を製造した。
透明導電性薄膜としてはITOを用い、その膜厚は
9000Åとした。ここに膜厚9000Åは前記実施例の
ITOの総膜厚9000Åと等しくするためのものであ
る。比較試料の抵抗率は1.5×10-3Ωcm、可視光
透過率は最高83％、又波長1500nmにおける透過
率は11％であり、ITO膜自体の特性は基本的に前
記実施例とほぼ等しいものであつた。しかし、電
磁波の遮蔽効果に関しては、第２図及び第３図に
示すように前記実施例の電磁遮蔽ガラスは従来の
電磁遮蔽部材に比較し、非常に優れていた。第２
図、第３図にその結果を示す。なお電磁遮蔽効果
の測定は、シールド箱の中において点火プラグを
放電させ、これを雑音発生源とし、前記シールド
箱に設けた−開口面を電磁遮蔽板で塞ぎ、オープ
ンフイールドにおいて広帯域受信アンテナによつ
て、前記点火プラグより放出された雑音電波の電
界強度を測つたものである。第２図は水平偏波
を、又第３図は垂直偏波の雑音電界強度をそれぞ
れ示す。図において全閉とはシールド箱の前記開
口面を鉄板で覆つた場合、開放とは該開口面を開
いた場合である。又、本実施例とは、本実施例の
電磁遮蔽ガラスを前記開口面に用いた場合であ
り、比較サンプルとは従来の電磁遮蔽部材で前記
開口面を塞いだ場合を示す。第２図および第３図
より本実施例の電磁遮蔽ガラスは従来の電磁遮蔽
部材に比較して電磁遮蔽効果が優れていることが
わかる。又、前記したように可視光透過率も優れ
ている。
以上、要するに本発明の透明電磁遮蔽部材は、
透明基板上に電磁遮蔽薄膜を積層するものであ
り、該電磁遮蔽薄膜を透明導電性薄膜と、該透明
導電性薄膜とは電磁気的特性の異なる材料との多
層構造としたことを特徴とするものである。
透明基板上に電磁遮蔽薄膜を積層するものであ
り、該電磁遮蔽薄膜を透明導電性薄膜と、該透明
導電性薄膜とは電磁気的特性の異なる材料との多
層構造としたことを特徴とするものである。
実施例に詳述したように、本発明の透明電磁遮
蔽部材は電磁遮蔽効果が優れ、又多層構造として
いるため機械的化学的耐久性にも優れている。
蔽部材は電磁遮蔽効果が優れ、又多層構造として
いるため機械的化学的耐久性にも優れている。
第１図は本発明の実施例である電磁遮蔽ガラス
の断面模式図である。第２図および第３図は上記
実施例及び従来の電磁遮蔽部材の電磁遮蔽効果を
比較するグラフであり、第２図は水平偏波の電界
強度を表わし、第３図は垂直偏波の電界強度を表
わす。
の断面模式図である。第２図および第３図は上記
実施例及び従来の電磁遮蔽部材の電磁遮蔽効果を
比較するグラフであり、第２図は水平偏波の電界
強度を表わし、第３図は垂直偏波の電界強度を表
わす。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板と、該透明基板上に形成された電磁
遮蔽薄膜とから成り、 該電磁遮蔽薄膜は、光透過率の高い透明導電性
薄膜と、該透明導電性薄膜とは異なる電磁気的特
性を有し光透過率の高い透明薄膜とが交互に積層
されて成り、少なくとも二層の該透明導電性薄膜
を含む三層以上から構成され合計膜厚が1000Å〜
数μmであることを特徴とする透明電磁遮蔽部材。 ２ 前記電磁気的特性は、電気抵抗率である特許
請求の範囲第１項記載の透明電磁遮蔽部材。 ３ 前記電磁気的特性は誘電率もしくは誘電損失
である特許請求の範囲第１項記載の透明電磁遮蔽
部材。 ４ 前記電磁気的特性は透磁率もしくは磁気損失
である特許請求の範囲第１項記載の透明電磁遮蔽
部材。 ５ 前記透明導電性薄膜は、その材料がITO（イ
ンジウムオキサイド（In2O3）と二酸化錫
（SnO2）との固溶体）である特許請求の範囲第１
項記載の透明電磁遮蔽部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075919A JPS59201494A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 透明電磁遮蔽部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075919A JPS59201494A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 透明電磁遮蔽部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201494A JPS59201494A (ja) | 1984-11-15 |
| JPH0563960B2 true JPH0563960B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=13590201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075919A Granted JPS59201494A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 透明電磁遮蔽部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201494A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59191795U (ja) * | 1983-06-07 | 1984-12-19 | 帝人株式会社 | 透明電磁波シールド板 |
| JPH0789597B2 (ja) * | 1985-12-23 | 1995-09-27 | 東レ株式会社 | 電磁波シ−ルド性を有する光透過板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5215580A (en) * | 1975-07-26 | 1977-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Transparent adherent film |
| JPS57154898A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-24 | Optical Coating Laboratory Inc | Transparent electromagnetic shield and method of producing same |
| JPS5867441A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-22 | 帝人株式会社 | 積層体 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075919A patent/JPS59201494A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5215580A (en) * | 1975-07-26 | 1977-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Transparent adherent film |
| JPS57154898A (en) * | 1981-02-23 | 1982-09-24 | Optical Coating Laboratory Inc | Transparent electromagnetic shield and method of producing same |
| JPS5867441A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-22 | 帝人株式会社 | 積層体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59201494A (ja) | 1984-11-15 |
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