JPH0563647A - 光送信装置 - Google Patents
光送信装置Info
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- JPH0563647A JPH0563647A JP3220103A JP22010391A JPH0563647A JP H0563647 A JPH0563647 A JP H0563647A JP 3220103 A JP3220103 A JP 3220103A JP 22010391 A JP22010391 A JP 22010391A JP H0563647 A JPH0563647 A JP H0563647A
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- optical
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置の使用環境が変動しても、バイアス光パ
ワーを一定に保つと共に、ＯＭＤを最適値に調整するこ
とができる。 【構成】 外部から入力する変調信号に対応した光信号
を送信するレーザダイオード２２と、送信される光信号
の光出力を検出し、当該光出力に応じてレーザダイオー
ド２２に供給するバイアス電流を制御してバイアス光パ
ワーを変化させるフォトダイオード２３及びＡＰＣ回路
２５とを有し、光信号を送信する光送信装置において、
バイアス光パワーを変化させる際に、バンドパスフィル
タ２９、検波回路３０、ローパスフィルタ３１及びアン
プ３２からなる信号検出回路で変調信号のピーク電圧値
を検出し、検出されたピーク電圧値と光信号の光出力レ
ベルとを割算回路で割算し、その比率を算出し、比較器
３４、ＡＧＣ回路３５が上記比率に応じて入力する変調
信号の信号電流を制御する。
ワーを一定に保つと共に、ＯＭＤを最適値に調整するこ
とができる。 【構成】 外部から入力する変調信号に対応した光信号
を送信するレーザダイオード２２と、送信される光信号
の光出力を検出し、当該光出力に応じてレーザダイオー
ド２２に供給するバイアス電流を制御してバイアス光パ
ワーを変化させるフォトダイオード２３及びＡＰＣ回路
２５とを有し、光信号を送信する光送信装置において、
バイアス光パワーを変化させる際に、バンドパスフィル
タ２９、検波回路３０、ローパスフィルタ３１及びアン
プ３２からなる信号検出回路で変調信号のピーク電圧値
を検出し、検出されたピーク電圧値と光信号の光出力レ
ベルとを割算回路で割算し、その比率を算出し、比較器
３４、ＡＧＣ回路３５が上記比率に応じて入力する変調
信号の信号電流を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光変調度を一定に調整
する半導体レーザ駆動回路を有する光送信装置に関す
る。
する半導体レーザ駆動回路を有する光送信装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光送信装置には、直線性
に優れた歪みの少ない半導体レーザダイオードを周波数
分割多重されたＴＶ信号（４０ch）で直接輝度変調し、
光信号に変換して１芯の光ファイバケーブルを介して上
記光信号を高品質長距離伝送する光ＡＭ−ＦＤＭ送信装
置があった。上記光送信装置では、光変調を行う際、図
２に示すように、自動電力制御（以下、「ＡＰＣ」とい
う。）回路を付加し、バイアス電流Ｉｏにアンプ１１で
増幅された変調信号の信号電流Ｉｐを重畳させてレーザ
ダイオード１２を駆動させている。そして、上記レーザ
ダイオード１２の光出力の一部を取り出すフォトダイオ
ード１３に、自動電力制御（以下、「ＡＰＣ」とい
う。）回路１４を接続し、光出力の変動に応じてトラン
ジスタ１５にベース電圧を印加してバイアス電流を制御
していた。これにより、バイアス光パワーＰｏは、一定
値になり、重畳される変調信号により、光変調信号のピ
ークパワー値Ｐｐが決定され、上記ＰｏとＰｐによって
光変調度ＯＭＤが、下記のごとく決定されていた。
に優れた歪みの少ない半導体レーザダイオードを周波数
分割多重されたＴＶ信号（４０ch）で直接輝度変調し、
光信号に変換して１芯の光ファイバケーブルを介して上
記光信号を高品質長距離伝送する光ＡＭ−ＦＤＭ送信装
置があった。上記光送信装置では、光変調を行う際、図
２に示すように、自動電力制御（以下、「ＡＰＣ」とい
う。）回路を付加し、バイアス電流Ｉｏにアンプ１１で
増幅された変調信号の信号電流Ｉｐを重畳させてレーザ
ダイオード１２を駆動させている。そして、上記レーザ
ダイオード１２の光出力の一部を取り出すフォトダイオ
ード１３に、自動電力制御（以下、「ＡＰＣ」とい
う。）回路１４を接続し、光出力の変動に応じてトラン
ジスタ１５にベース電圧を印加してバイアス電流を制御
していた。これにより、バイアス光パワーＰｏは、一定
値になり、重畳される変調信号により、光変調信号のピ
ークパワー値Ｐｐが決定され、上記ＰｏとＰｐによって
光変調度ＯＭＤが、下記のごとく決定されていた。
【０００３】 ＯＭＤ＝｛（Ｐｐ−Ｐｏ）／Ｐｏ｝×１００ （％）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記光送信
装置には、ＯＭＤの最適値があり、バイアス光パワーＰ
ｏだけを変化させて光出力レベルを変化させると、ＯＭ
Ｄの値が変化し、これによって信号対雑音比、歪み特性
の悪化という現象を招き、装置の送信性能が悪化すると
いう問題点があった。このため、ユーザの使用環境に合
わせてバイアス光パワーＰｏを変化させる場合には、装
置の設置段階で、変調信号レベルも変化させて、上記Ｏ
ＭＤを最適値に調整する必要がある。しかし、設置場所
に測定器を持ち込み測定を行うことは、測定器の大きさ
等によって実現が難しく、また外部から供給される変調
信号レベルは、一定ではなく、装置の使用環境によって
変動するという問題点があった。
装置には、ＯＭＤの最適値があり、バイアス光パワーＰ
ｏだけを変化させて光出力レベルを変化させると、ＯＭ
Ｄの値が変化し、これによって信号対雑音比、歪み特性
の悪化という現象を招き、装置の送信性能が悪化すると
いう問題点があった。このため、ユーザの使用環境に合
わせてバイアス光パワーＰｏを変化させる場合には、装
置の設置段階で、変調信号レベルも変化させて、上記Ｏ
ＭＤを最適値に調整する必要がある。しかし、設置場所
に測定器を持ち込み測定を行うことは、測定器の大きさ
等によって実現が難しく、また外部から供給される変調
信号レベルは、一定ではなく、装置の使用環境によって
変動するという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、装置の使用環境が変動しても、バイアス光パワーを
一定に保つと共に、ＯＭＤを最適値に調整することがで
きる光送信装置を提供することを目的とする。
で、装置の使用環境が変動しても、バイアス光パワーを
一定に保つと共に、ＯＭＤを最適値に調整することがで
きる光送信装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、入力する変調信号に対応した光信号を
送信する送信手段と、前記送信される光信号の光出力を
検出し、当該光出力に応じて前記送信手段に供給するバ
イアス電流を制御するバイアス電流制御手段とを有し、
前記光信号を送信する光送信装置において、前記変調信
号の信号レベルを検出する信号検出手段と、当該検出さ
れた変調信号の信号レベルと前記光信号の光出力レベル
との比率を演算する演算回路と、前記演算された比率に
応じて前記入力する変調信号の信号電流を制御する信号
電流制御手段とを具える光送信装置が提供される。
に、本発明では、入力する変調信号に対応した光信号を
送信する送信手段と、前記送信される光信号の光出力を
検出し、当該光出力に応じて前記送信手段に供給するバ
イアス電流を制御するバイアス電流制御手段とを有し、
前記光信号を送信する光送信装置において、前記変調信
号の信号レベルを検出する信号検出手段と、当該検出さ
れた変調信号の信号レベルと前記光信号の光出力レベル
との比率を演算する演算回路と、前記演算された比率に
応じて前記入力する変調信号の信号電流を制御する信号
電流制御手段とを具える光送信装置が提供される。
【０００７】
【作用】バイアス電流を制御してバイアス光パワーを一
定に保つと共に、当該バイアス光パワーを変化させた際
に、変調信号の信号電流を制御して変調信号レベルを変
化させてＯＭＤを調整する。従って、装置の使用環境に
応じた光出力パワーの調整が可能になり、これによっ
て、光受信装置の光入力パワーを最適値に調整すること
が可能になる。
定に保つと共に、当該バイアス光パワーを変化させた際
に、変調信号の信号電流を制御して変調信号レベルを変
化させてＯＭＤを調整する。従って、装置の使用環境に
応じた光出力パワーの調整が可能になり、これによっ
て、光受信装置の光入力パワーを最適値に調整すること
が可能になる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図１の図面に基づき説明す
る。図１は、ＡＭ−ＦＤＭ方式の本発明に係る光送信装
置の構成を示す構成ブロック図である。上記光送信装置
は、使用上４０波の変調信号が周波数分割多重されてレ
ーザダイオードに供給され、光変調信号として光ファイ
バケーブルに出力されるが、本実施例では、動作原理を
容易に理解できるように、多波数のうちの１波について
の構成を示す。
る。図１は、ＡＭ−ＦＤＭ方式の本発明に係る光送信装
置の構成を示す構成ブロック図である。上記光送信装置
は、使用上４０波の変調信号が周波数分割多重されてレ
ーザダイオードに供給され、光変調信号として光ファイ
バケーブルに出力されるが、本実施例では、動作原理を
容易に理解できるように、多波数のうちの１波について
の構成を示す。
【０００９】図において、レーザダイオード２２は、バ
イアス光パワーＰｏを発光させるためのバイアス電流Ｉ
ｏと、アンプ２１で増幅されて光変調を行うための変調
信号の信号電流Ｉｐが流れることによって、駆動して光
信号を発光させている。フォトダイオード２３は、上記
光信号の一部を取り出して、電流−電圧変換器２４を介
してＡＰＣ回路２５とＰｏレベル検出回路２６とに出力
する。
イアス光パワーＰｏを発光させるためのバイアス電流Ｉ
ｏと、アンプ２１で増幅されて光変調を行うための変調
信号の信号電流Ｉｐが流れることによって、駆動して光
信号を発光させている。フォトダイオード２３は、上記
光信号の一部を取り出して、電流−電圧変換器２４を介
してＡＰＣ回路２５とＰｏレベル検出回路２６とに出力
する。
【００１０】ＡＰＣ回路２５は、ローパスフィルタ２５
ａと比較器２５ｂとから構成され、バイアス光パワーＰ
ｏの変動を検知し、該変動に応じてトランジスタ２７に
ベース電圧を印加してバイアス電流Ｉｏを制御する。こ
れにより、バイアス光パワーＰｏは、一定値になる。Ｐ
ｏレベル検出回路２６は、バッファアンプ２６ａとゼロ
調アンプ２６ｂとアンプ２６ｃとから構成され、バイア
ス光パワーの出力レベルを検出しており、上記検出した
出力レベルを電圧値Ｐｏとして割算回路３３に出力す
る。
ａと比較器２５ｂとから構成され、バイアス光パワーＰ
ｏの変動を検知し、該変動に応じてトランジスタ２７に
ベース電圧を印加してバイアス電流Ｉｏを制御する。こ
れにより、バイアス光パワーＰｏは、一定値になる。Ｐ
ｏレベル検出回路２６は、バッファアンプ２６ａとゼロ
調アンプ２６ｂとアンプ２６ｃとから構成され、バイア
ス光パワーの出力レベルを検出しており、上記検出した
出力レベルを電圧値Ｐｏとして割算回路３３に出力す
る。
【００１１】分岐器２８は、アンプ２１で増幅された変
調信号を、上述したレーザダイオード２２を変調するた
めの第１の信号成分と、変調信号を検出するための第２
の信号成分とに分岐しており、上記第２の信号成分は、
バンドパスフィルタ２９で１周波数の信号成分になり、
検波回路３０で検波され、ローパスフィルタ３１で積分
されて低周波数の信号に変換され、アンプ３２を介して
割算回路３３に入力する。上記アンプ３２から出力され
る信号成分は、変調信号のピーク電圧値Ｖｐと同じ値の
レベルを持っている。
調信号を、上述したレーザダイオード２２を変調するた
めの第１の信号成分と、変調信号を検出するための第２
の信号成分とに分岐しており、上記第２の信号成分は、
バンドパスフィルタ２９で１周波数の信号成分になり、
検波回路３０で検波され、ローパスフィルタ３１で積分
されて低周波数の信号に変換され、アンプ３２を介して
割算回路３３に入力する。上記アンプ３２から出力され
る信号成分は、変調信号のピーク電圧値Ｖｐと同じ値の
レベルを持っている。
【００１２】割算回路３３は、Ｐｏレベル検出回路２６
から出力されるバイアス光パワーの出力レベルと、アン
プ３２から出力される変調信号成分の出力レベルとの比
率を演算し、演算結果である比率を比較器３４に出力す
る。比較器３４は、上記入力する比率と予め設定された
ＯＭＤの基準レベルとを比較し、比較結果を自動利得制
御（以下、「ＡＧＣ」という。）回路３５に出力する。
から出力されるバイアス光パワーの出力レベルと、アン
プ３２から出力される変調信号成分の出力レベルとの比
率を演算し、演算結果である比率を比較器３４に出力す
る。比較器３４は、上記入力する比率と予め設定された
ＯＭＤの基準レベルとを比較し、比較結果を自動利得制
御（以下、「ＡＧＣ」という。）回路３５に出力する。
【００１３】ＡＧＣ回路３５は、上記比較結果に応じ
て、外部から入力する変調信号の信号電流Ｉｐを制御す
る。すなわち、上記ＡＧＣ回路３５は、バイアス光パワ
ーの出力レベルと変調信号成分の出力レベルとの比率
が、ＯＭＤ基準レベルを決定している電圧値と同じ値に
なるように、変調信号の信号電流Ｉｐを制御して上記変
調信号のレベル変動を吸収する。
て、外部から入力する変調信号の信号電流Ｉｐを制御す
る。すなわち、上記ＡＧＣ回路３５は、バイアス光パワ
ーの出力レベルと変調信号成分の出力レベルとの比率
が、ＯＭＤ基準レベルを決定している電圧値と同じ値に
なるように、変調信号の信号電流Ｉｐを制御して上記変
調信号のレベル変動を吸収する。
【００１４】次に、本実施例の光送信装置の動作につい
て説明する。まず、アンプ２１を介してレーザダイオー
ド２２にバイアス光パワーＰｏ、ピークパワー値Ｐｐの
光信号が入力されると、フォトダイオード２３は、上記
光信号の一部を取り出して、光信号に対応する電流を発
生させ、その電流は、電流−電圧変換器２４でバイアス
光出力Ｖｏ、ピーク電圧値Ｖｐの電圧信号に変換され、
ＡＰＣ回路２５とＰｏレベル検出回路２６とに出力され
る。
て説明する。まず、アンプ２１を介してレーザダイオー
ド２２にバイアス光パワーＰｏ、ピークパワー値Ｐｐの
光信号が入力されると、フォトダイオード２３は、上記
光信号の一部を取り出して、光信号に対応する電流を発
生させ、その電流は、電流−電圧変換器２４でバイアス
光出力Ｖｏ、ピーク電圧値Ｖｐの電圧信号に変換され、
ＡＰＣ回路２５とＰｏレベル検出回路２６とに出力され
る。
【００１５】ＡＰＣ回路２５は、バイアス光パワーＰｏ
が一定値になるような制御を行い、Ｐｏレベル検出回路
２６は、現在レーザダイオード２２がどの程度の光パワ
ーで発光されているか検出し、上記検出したレーザダイ
オード２２の光出力レベルが電圧値に換算されて出力さ
れる。また、アンプ２１で増幅された変調信号は、分岐
器２８で上記第１の信号成分と第２の信号成分とに分岐
され、第２の信号成分は、バンドパスフィルタ２９、検
波回路３０、ローパスフィルタ３１及びアンプ３２から
構成される信号検出回路を通って、電圧レベルＶｐの直
流成分となって割算回路３３に入力する。
が一定値になるような制御を行い、Ｐｏレベル検出回路
２６は、現在レーザダイオード２２がどの程度の光パワ
ーで発光されているか検出し、上記検出したレーザダイ
オード２２の光出力レベルが電圧値に換算されて出力さ
れる。また、アンプ２１で増幅された変調信号は、分岐
器２８で上記第１の信号成分と第２の信号成分とに分岐
され、第２の信号成分は、バンドパスフィルタ２９、検
波回路３０、ローパスフィルタ３１及びアンプ３２から
構成される信号検出回路を通って、電圧レベルＶｐの直
流成分となって割算回路３３に入力する。
【００１６】Ｐｏレベル検出回路２６からの出力レベル
及びアンプ３２からの出力レベルは、割算回路３３に入
力し、比率演算が行われ、その演算結果が比較器３４に
入力し、ここでＯＭＤの基準レベルと比較され、比較結
果がＡＧＣ回路３５に入力する。ＡＧＣ回路３５は、上
記アンプ３２で比較される上記比率がＯＭＤ基準レベル
と同じ値になるように、変調信号の信号電流Ｉｐを制御
して上記変調信号のレベル変動を吸収する。
及びアンプ３２からの出力レベルは、割算回路３３に入
力し、比率演算が行われ、その演算結果が比較器３４に
入力し、ここでＯＭＤの基準レベルと比較され、比較結
果がＡＧＣ回路３５に入力する。ＡＧＣ回路３５は、上
記アンプ３２で比較される上記比率がＯＭＤ基準レベル
と同じ値になるように、変調信号の信号電流Ｉｐを制御
して上記変調信号のレベル変動を吸収する。
【００１７】従って、本実施例では、バイアス電流を制
御してバイアス光パワーを一定に保つと共に、当該バイ
アス光パワーを変化させた際に、変調信号レベルとバイ
アス光パワーレベルを割算し、その結果を一定に保つよ
うに変調信号の信号電流を制御して変調信号レベルを変
化させて、常に安定したＯＭＤを得るので、光送信装置
の使用環境に応じた光出力パワーの調整が可能になる。
御してバイアス光パワーを一定に保つと共に、当該バイ
アス光パワーを変化させた際に、変調信号レベルとバイ
アス光パワーレベルを割算し、その結果を一定に保つよ
うに変調信号の信号電流を制御して変調信号レベルを変
化させて、常に安定したＯＭＤを得るので、光送信装置
の使用環境に応じた光出力パワーの調整が可能になる。
【００１８】なお、本実施例では、外部からの変調信号
入力の値が変動しても絶えず一定のＯＭＤを保つように
構成しているが、装置の調整段階において、ＯＭＤの調
整を行う際に、各レーザダイオードに光出力特性の違い
により、全てのレーザダイオードに同じ変調信号を与え
たのでは、ＯＭＤの値が装置によって変化してしまうの
で、これを正確に微調整する必要がある。そこで、本発
明では、比較器３４のＯＭＤ基準レベルを可変に微調整
できる構造にすることも可能で、ＯＭＤをより簡単に調
整することができる。このため、外部からの変調信号入
力値を変化させることなくＯＭＤを自由な値に設定する
ことができる。
入力の値が変動しても絶えず一定のＯＭＤを保つように
構成しているが、装置の調整段階において、ＯＭＤの調
整を行う際に、各レーザダイオードに光出力特性の違い
により、全てのレーザダイオードに同じ変調信号を与え
たのでは、ＯＭＤの値が装置によって変化してしまうの
で、これを正確に微調整する必要がある。そこで、本発
明では、比較器３４のＯＭＤ基準レベルを可変に微調整
できる構造にすることも可能で、ＯＭＤをより簡単に調
整することができる。このため、外部からの変調信号入
力値を変化させることなくＯＭＤを自由な値に設定する
ことができる。
【００１９】また、光信号の伝送において、光ファイバ
ーケーブルの伝送ロスが小さいと、光受信装置に受信さ
れる光レベルは、大きくなり、光受信装置のフォトダイ
オードが飽和してしまい、歪み特性の劣化という現象が
生じる。そこで、本発明では、ＡＰＣ回路２５の比較器
２５ｂのＰｏ基準レベルを可変に調整できる構造にする
ことも可能で、光受信装置のフォトダイオードが飽和し
ない範囲まで、光送信装置のバイアス光パワーを変化さ
せることができる。この場合には、比較器３４のＯＭＤ
基準レベルを固定値にしておけば、絶えず一定のＯＭＤ
が得られ、光ファイバーケーブルの伝送ロスが小さい時
でも簡単に対応することができる。また、バイアス光パ
ワーが装置の使用環境の違いによって変動しても、その
変動をＡＰＣ回路で監視してＯＭＤを一定にするよう
に、変調信号をレーザダイオードに供給することができ
るので、安定したＯＭＤが保たれる。
ーケーブルの伝送ロスが小さいと、光受信装置に受信さ
れる光レベルは、大きくなり、光受信装置のフォトダイ
オードが飽和してしまい、歪み特性の劣化という現象が
生じる。そこで、本発明では、ＡＰＣ回路２５の比較器
２５ｂのＰｏ基準レベルを可変に調整できる構造にする
ことも可能で、光受信装置のフォトダイオードが飽和し
ない範囲まで、光送信装置のバイアス光パワーを変化さ
せることができる。この場合には、比較器３４のＯＭＤ
基準レベルを固定値にしておけば、絶えず一定のＯＭＤ
が得られ、光ファイバーケーブルの伝送ロスが小さい時
でも簡単に対応することができる。また、バイアス光パ
ワーが装置の使用環境の違いによって変動しても、その
変動をＡＰＣ回路で監視してＯＭＤを一定にするよう
に、変調信号をレーザダイオードに供給することができ
るので、安定したＯＭＤが保たれる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、入力
する変調信号に対応した光信号を送信する送信手段と、
前記送信される光信号の光出力を検出し、当該光出力に
応じて前記送信手段に供給するバイアス電流を制御する
バイアス電流制御手段とを有し、前記光信号を送信する
光送信装置において、前記変調信号の信号レベルを検出
する信号検出手段と、当該検出された変調信号の信号レ
ベルと前記光信号の光出力レベルとの比率を演算する演
算回路と、前記演算された比率に応じて前記入力する変
調信号の信号電流を制御する信号電流制御手段とを具え
たので、装置の使用環境が変動しても、バイアス光パワ
ーを一定に保つと共に、ＯＭＤを最適値に調整すること
ができ、装置の信頼性を向上させることができる。
する変調信号に対応した光信号を送信する送信手段と、
前記送信される光信号の光出力を検出し、当該光出力に
応じて前記送信手段に供給するバイアス電流を制御する
バイアス電流制御手段とを有し、前記光信号を送信する
光送信装置において、前記変調信号の信号レベルを検出
する信号検出手段と、当該検出された変調信号の信号レ
ベルと前記光信号の光出力レベルとの比率を演算する演
算回路と、前記演算された比率に応じて前記入力する変
調信号の信号電流を制御する信号電流制御手段とを具え
たので、装置の使用環境が変動しても、バイアス光パワ
ーを一定に保つと共に、ＯＭＤを最適値に調整すること
ができ、装置の信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明に係る光送信装置の構成を示す構成ブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】従来の光送信装置の構成を示す構成ブロック図
である。
である。
１１，２１，３２ アンプ １２，２２ レーザダイオード １３，２３ フォトダイオード １４，２５ ＡＰＣ回路 １５，２７ トランジスタ ２６ Ｐｏレベル検出回路 ２８ 分岐器 ２９，３１ フィルタ ３０ 検波回路 ３３ 割算回路 ３４ 比較器 ３５ ＡＧＣ回路
Claims (1)
- 【請求項１】 入力する変調信号に対応した光信号を送
信する送信手段と、前記送信される光信号の光出力を検
出し、当該光出力に応じて前記送信手段に供給するバイ
アス電流を制御するバイアス電流制御手段とを有し、前
記光信号を送信する光送信装置において、前記変調信号
の信号レベルを検出する信号検出手段と、当該検出され
た変調信号の信号レベルと前記光信号の光出力レベルと
の比率を演算する演算回路と、前記演算された比率に応
じて前記入力する変調信号の信号電流を制御する信号電
流制御手段とを具えたことを特徴とする光送信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3220103A JPH0563647A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 光送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3220103A JPH0563647A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 光送信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563647A true JPH0563647A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16745963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3220103A Pending JPH0563647A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 光送信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077213A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nec Corp | 光変調増幅器 |
| US6192060B1 (en) * | 1998-01-19 | 2001-02-20 | Nec Corporation | Optical transmitter |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3220103A patent/JPH0563647A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077213A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nec Corp | 光変調増幅器 |
| US6192060B1 (en) * | 1998-01-19 | 2001-02-20 | Nec Corporation | Optical transmitter |
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