JPH0562820B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0562820B2 JPH0562820B2 JP24943985A JP24943985A JPH0562820B2 JP H0562820 B2 JPH0562820 B2 JP H0562820B2 JP 24943985 A JP24943985 A JP 24943985A JP 24943985 A JP24943985 A JP 24943985A JP H0562820 B2 JPH0562820 B2 JP H0562820B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support plate
- metal
- carbon powder
- powder
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
本発明は、半導体基板と金属支持体との接着
を、その間に金属片をはさみ、それらの周囲に炭
素粉末を充填して加熱し、金属片を融解させるこ
とによる合金法あるいはろう接法によつて行う際
に用いる接着用治具に関する。
を、その間に金属片をはさみ、それらの周囲に炭
素粉末を充填して加熱し、金属片を融解させるこ
とによる合金法あるいはろう接法によつて行う際
に用いる接着用治具に関する。
シリコン基板と、タングステン、モリブデンな
どシリコンに近似した熱膨張係数を有する金属か
らなる支持板との接着を炭素粉末内で行う方法は
公知である。第３図はそのための合金化治具を示
し、容器１の内部に位置決め用炭素リング２を入
れ、その開口部にモリブデン板３を嵌める。モリ
ブデン板３の上に合金化材料のアルミニウム箔４
を介してシリコン基板５を重ねる。これらの上に
炭素粉末６を充填し、炭素粉末６の上に押さえ板
７を置いて加圧することにより支持板３、アルミ
ニウム箔４、シリコン基板５を相互にずれないよ
うに固定する。このように粉末内で接着を行うの
は、接着される部材の周囲に粉末が密着し、融解
したアルミニウムが流出するのを防ぐためであ
る。しかい、リング２の内径と支持板３の外径の
間には公差による隙間が必ず存在し、その間に炭
素粉末が充填されにくく、融解したアルミニウム
がその間隙に流出しやすいので、図示のようにリ
ング２の厚さを支持板３の厚さより薄くし、炭素
粉末６が支持板３の外周部にも接するようにして
いる。このような構成においても、炭素粉末６を
充填後に押さえ板７を介して加圧すると、支持板
３の外径より外側の部分Ａの炭素粉末の充填密度
が内側の部分Ｂのそれより低くなり、アルミニウ
ムの外側への流出を防ぐのに不十分である。さら
に、合金化のための高温への加熱の際に支持板３
が膨張して炭素粉末６を外側に向かつて押し広げ
るが、冷却時に支持板３が収縮する際、炭素粉末
は縦方向に加圧されているだけであるから、支持
板３と炭素粉末６の間に間隙が生じてしまい、ま
だ融解状態にあるアルミニウムがこの間隙に流れ
出し、支持板３とシリコン基板５との全面接着が
できなくなる欠点があつた。
どシリコンに近似した熱膨張係数を有する金属か
らなる支持板との接着を炭素粉末内で行う方法は
公知である。第３図はそのための合金化治具を示
し、容器１の内部に位置決め用炭素リング２を入
れ、その開口部にモリブデン板３を嵌める。モリ
ブデン板３の上に合金化材料のアルミニウム箔４
を介してシリコン基板５を重ねる。これらの上に
炭素粉末６を充填し、炭素粉末６の上に押さえ板
７を置いて加圧することにより支持板３、アルミ
ニウム箔４、シリコン基板５を相互にずれないよ
うに固定する。このように粉末内で接着を行うの
は、接着される部材の周囲に粉末が密着し、融解
したアルミニウムが流出するのを防ぐためであ
る。しかい、リング２の内径と支持板３の外径の
間には公差による隙間が必ず存在し、その間に炭
素粉末が充填されにくく、融解したアルミニウム
がその間隙に流出しやすいので、図示のようにリ
ング２の厚さを支持板３の厚さより薄くし、炭素
粉末６が支持板３の外周部にも接するようにして
いる。このような構成においても、炭素粉末６を
充填後に押さえ板７を介して加圧すると、支持板
３の外径より外側の部分Ａの炭素粉末の充填密度
が内側の部分Ｂのそれより低くなり、アルミニウ
ムの外側への流出を防ぐのに不十分である。さら
に、合金化のための高温への加熱の際に支持板３
が膨張して炭素粉末６を外側に向かつて押し広げ
るが、冷却時に支持板３が収縮する際、炭素粉末
は縦方向に加圧されているだけであるから、支持
板３と炭素粉末６の間に間隙が生じてしまい、ま
だ融解状態にあるアルミニウムがこの間隙に流れ
出し、支持板３とシリコン基板５との全面接着が
できなくなる欠点があつた。
本発明は、支持板と半導体基板の間にはさまれ
た接着用金属片の外側に充填される炭素粉末が高
い密度を有し、また接着工程の加熱、冷却時に支
持板と炭素粉末の間に間隙が生じないようにして
融解した接着用金属の流出を防止し、半導体基板
と支持板との間の健全な接着が得られる接着用治
具を提供することを目的とする。
た接着用金属片の外側に充填される炭素粉末が高
い密度を有し、また接着工程の加熱、冷却時に支
持板と炭素粉末の間に間隙が生じないようにして
融解した接着用金属の流出を防止し、半導体基板
と支持板との間の健全な接着が得られる接着用治
具を提供することを目的とする。
本発明によれば、容器の内径に等しい外径を持
ち金属支持板の外径に等しい内径をもつ金属支持
板位置決め用リングを容器底面に嵌め、積み重ね
られた金属支持板、接着用金属片及び半導体基板
を該金属支持板が容器底面に接するようにして前
記金属支持板位置決め用リングの内径側に設けら
れた開口部に挿入し、更に容器内に炭素粉末を充
填し、炭素粉末上面を全面に押圧しながら加熱し
て接着用金属片を融解させる合金化法あるいはろ
う接法のために用いる治具において、前記金属支
持板位置決め用リングが、その厚さが外側より内
側に向かつて薄くなるように傾斜した上面を有
し、内径部の厚さが支持板の厚さより薄くされる
ことにより、炭素粉末の充填密度が支持板より外
側の部分でも高くなり、しかも加圧時に炭素粉末
内の圧力が容器側壁から接着部材に向かつて働く
ため、支持板の膨張、収縮に追従して炭素粉末と
支持板との間に間隙が生ずることがなくなつて上
記の目的が達成される。
ち金属支持板の外径に等しい内径をもつ金属支持
板位置決め用リングを容器底面に嵌め、積み重ね
られた金属支持板、接着用金属片及び半導体基板
を該金属支持板が容器底面に接するようにして前
記金属支持板位置決め用リングの内径側に設けら
れた開口部に挿入し、更に容器内に炭素粉末を充
填し、炭素粉末上面を全面に押圧しながら加熱し
て接着用金属片を融解させる合金化法あるいはろ
う接法のために用いる治具において、前記金属支
持板位置決め用リングが、その厚さが外側より内
側に向かつて薄くなるように傾斜した上面を有
し、内径部の厚さが支持板の厚さより薄くされる
ことにより、炭素粉末の充填密度が支持板より外
側の部分でも高くなり、しかも加圧時に炭素粉末
内の圧力が容器側壁から接着部材に向かつて働く
ため、支持板の膨張、収縮に追従して炭素粉末と
支持板との間に間隙が生ずることがなくなつて上
記の目的が達成される。
第１図、第２図は本発明の実施例を示し、第３
図と共通の部分には同一の符号を用いている。第
１図においては、炭素リング２は外径部が内径部
に対して厚くなるように傾斜した平面状上面８を
有している。このようにすることにより、炭素粉
末６を充填後押さえ板７を介して加圧した場合に
炭素粉末が傾斜面８に沿つて滑り、移動しやすい
ので支持板３の外側にも高い密度で充填される。
また押さえ板７によりシリコン基板５の面に垂直
に上方から加圧した際にも炭素粉末の滑りによつ
て内側に向かつてシリコン基板面内方向に力が加
わることになる。従つて支持板３が膨張、収縮し
ても炭素粉末６が常に支持板３の外周に向かつて
押しつけられるため、融解したアルミニウムが流
出する間隙を生じないようにすることができる。 第２図に示す実施例では、リング２の上面の傾
斜面８が斜め上方に向かつて凹面となつており、
支持板３の外径部より容器１の側壁に向かうに従
つて内側に向けて働く圧力が高まるようにしたも
のである。このようにすることにより、支持板３
の外径部付近の炭素粉末６の量が確保でき、しか
も第１図の実施例と同様に内側に向かつて働く圧
力が得られる。 さらに、第１図、第２図の実施例共にリング２
の外径部の厚さを調整することによつてストツパ
の機能を持たせることができる。すなわち、押さ
え板７を介して加圧するとき、シリコン基板５へ
加わる圧力が大きくなりすぎ、シリコン板の破損
あるいは圧力の不均衡が生ずるのを防止するよう
に、リング２の外径部によつて押さえ板の下降を
阻止することができる。
図と共通の部分には同一の符号を用いている。第
１図においては、炭素リング２は外径部が内径部
に対して厚くなるように傾斜した平面状上面８を
有している。このようにすることにより、炭素粉
末６を充填後押さえ板７を介して加圧した場合に
炭素粉末が傾斜面８に沿つて滑り、移動しやすい
ので支持板３の外側にも高い密度で充填される。
また押さえ板７によりシリコン基板５の面に垂直
に上方から加圧した際にも炭素粉末の滑りによつ
て内側に向かつてシリコン基板面内方向に力が加
わることになる。従つて支持板３が膨張、収縮し
ても炭素粉末６が常に支持板３の外周に向かつて
押しつけられるため、融解したアルミニウムが流
出する間隙を生じないようにすることができる。 第２図に示す実施例では、リング２の上面の傾
斜面８が斜め上方に向かつて凹面となつており、
支持板３の外径部より容器１の側壁に向かうに従
つて内側に向けて働く圧力が高まるようにしたも
のである。このようにすることにより、支持板３
の外径部付近の炭素粉末６の量が確保でき、しか
も第１図の実施例と同様に内側に向かつて働く圧
力が得られる。 さらに、第１図、第２図の実施例共にリング２
の外径部の厚さを調整することによつてストツパ
の機能を持たせることができる。すなわち、押さ
え板７を介して加圧するとき、シリコン基板５へ
加わる圧力が大きくなりすぎ、シリコン板の破損
あるいは圧力の不均衡が生ずるのを防止するよう
に、リング２の外径部によつて押さえ板の下降を
阻止することができる。
本発明は、半導体基板と金属支持板とを合金化
法あるいがろう接法によつて接着する際に用いる
治具の支持板位置決め用リングの上面を内側に向
かつて傾斜させることにより、炭素粉末充填時に
粉末の滑り込みが起こつて充填密度の均一化が可
能になり、支持板の膨張、収縮による炭素粉末と
支持体間の間隙の発生を防ぐ水平方向の押圧力が
発生し、融解した接着用金属の流出を防止するこ
とができる。従つて半導体基板が支持板に全面で
接着された信頼性の高い半導体素子の製造に極め
て有効に使用できる。
法あるいがろう接法によつて接着する際に用いる
治具の支持板位置決め用リングの上面を内側に向
かつて傾斜させることにより、炭素粉末充填時に
粉末の滑り込みが起こつて充填密度の均一化が可
能になり、支持板の膨張、収縮による炭素粉末と
支持体間の間隙の発生を防ぐ水平方向の押圧力が
発生し、融解した接着用金属の流出を防止するこ
とができる。従つて半導体基板が支持板に全面で
接着された信頼性の高い半導体素子の製造に極め
て有効に使用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す要部断面図、
第２図は別の実施例を示す要部断面図、第３図は
従来の合金化治具の断面図である。 １……容器、２……リング、３……モリブデン
支持板、４……Al箔、５……シリコン基板、６
……炭素粉末、７……押さえ板、８……傾斜面。
第２図は別の実施例を示す要部断面図、第３図は
従来の合金化治具の断面図である。 １……容器、２……リング、３……モリブデン
支持板、４……Al箔、５……シリコン基板、６
……炭素粉末、７……押さえ板、８……傾斜面。
Claims (1)
- １ 容器の内径に等しい外径を持ち金属支持板の
外径に等しい内径をもつ金属支持板位置決め用リ
ングを容器底面に嵌め、積み重ねられた金属支持
板、接着用金属片及び半導体基板を該金属支持板
が容器底面に接するようにして前記金属支持板位
置決め用リングの内径側に設けられた開口部に挿
入し、更に容器内に炭素粉末を充填し、炭素粉末
上面を全面に押圧しながら加熱して接着用金属片
を融解させる合金化法あるいはろう接法のために
用いる治具において、前記金属支持板位置決め用
リングが、その厚さが外側より内側に向かつて薄
くなるように傾斜した上面を有し、内径部の厚さ
が金属支持板の厚さより薄くされたことを特徴と
する接着用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24943985A JPS62109328A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 接着用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24943985A JPS62109328A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 接着用治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109328A JPS62109328A (ja) | 1987-05-20 |
| JPH0562820B2 true JPH0562820B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=17192983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24943985A Granted JPS62109328A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 接着用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109328A (ja) |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP24943985A patent/JPS62109328A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62109328A (ja) | 1987-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4654966A (en) | Method of making a dimensionally stable semiconductor device | |
| JP3336095B2 (ja) | 半導体モジュールの製造方法 | |
| US20030226253A1 (en) | Method and apparatus for thermally coupling a heat dissipation device to a microelectronic device | |
| KR20010031563A (ko) | 소자 및 소자의 제조 방법 | |
| KR102519075B1 (ko) | 본딩 트렌치를 갖는 세라믹-알루미늄 조립체 | |
| JPH03230552A (ja) | 半導体素子実装用接合材 | |
| JPH06326141A (ja) | 半導体チップ接合用基材および半導体チップ接合用半田材および半導体チップ接合用半田材の製造方法 | |
| US4876221A (en) | Bonding method | |
| JP2006058000A (ja) | 接合シリコン部品及びその製造方法 | |
| JPH0562820B2 (ja) | ||
| US5200365A (en) | System for achieving desired bondlength of adhesive between a semiconductor chip package and a heatsink | |
| US5055909A (en) | System for achieving desired bondlength of adhesive between a semiconductor chip package and a heatsink | |
| US5372296A (en) | Graphite lid seal fixture | |
| US6306526B1 (en) | Semiconductor packaging metal lid | |
| JP3214638B2 (ja) | 半導体パッケージ用のセラミック製リッド及びその製造方法 | |
| JPS583237A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05146920A (ja) | 金属接合方法 | |
| JPH04129253A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH05114662A (ja) | 電子部品用気密封止容器およびその封止方法 | |
| JPS5854504B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR101898122B1 (ko) | 진공 소자 및 진공 브레이징을 포함하는 그 제조 방법 | |
| JPH0397234A (ja) | 半導体ペレット搭載基板 | |
| JPS61104644A (ja) | 半導体装置封止用治具 | |
| JPS5821424B2 (ja) | 半導体材料支持用基板の製造方法 | |
| JPS609344B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |