JPH0562147A - 磁気記録媒体とその製法 - Google Patents
磁気記録媒体とその製法Info
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- JPH0562147A JPH0562147A JP3220721A JP22072191A JPH0562147A JP H0562147 A JPH0562147 A JP H0562147A JP 3220721 A JP3220721 A JP 3220721A JP 22072191 A JP22072191 A JP 22072191A JP H0562147 A JPH0562147 A JP H0562147A
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣｏＰｔ系合金より成る磁性薄膜において、
保磁力の増大化をはかり、高密度記録媒体に用いて好適
な磁気記録媒体を得る。 【構成】 非磁性支持体上に、磁性薄膜が被着され、こ
の磁性薄膜の組成式がＣｏx Ｐｔy Ｎz で示され、その
組成範囲が、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、１２＜ｙ≦３０、２
≦ｚ≦６（但しｘ，ｙ，ｚは原子％）と選定して磁気記
録媒体を構成する。
保磁力の増大化をはかり、高密度記録媒体に用いて好適
な磁気記録媒体を得る。 【構成】 非磁性支持体上に、磁性薄膜が被着され、こ
の磁性薄膜の組成式がＣｏx Ｐｔy Ｎz で示され、その
組成範囲が、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、１２＜ｙ≦３０、２
≦ｚ≦６（但しｘ，ｙ，ｚは原子％）と選定して磁気記
録媒体を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高保磁力を有し、高密度
磁気記録媒体に用いて好適な磁気記録媒体とその製法に
係わる。
磁気記録媒体に用いて好適な磁気記録媒体とその製法に
係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年磁気記録の高密度化に伴い、高い保
磁力をもった薄膜磁性材料が要求されており、ＣｏＰｔ
合金薄膜が注目されている。８０ｋＡ／ｍ（約１０００
Ｏｅ）程度以上の高い保磁力を得るには、Ｐｔ含有量を
２０原子％前後としたＣｏＰｔ合金を、非磁性支持体上
に直接、又はＣｒ下地層等を介してスパッタリングして
達成できるが、この場合得られる保磁力は高々１２０ｋ
Ａ／ｍ程度である。
磁力をもった薄膜磁性材料が要求されており、ＣｏＰｔ
合金薄膜が注目されている。８０ｋＡ／ｍ（約１０００
Ｏｅ）程度以上の高い保磁力を得るには、Ｐｔ含有量を
２０原子％前後としたＣｏＰｔ合金を、非磁性支持体上
に直接、又はＣｒ下地層等を介してスパッタリングして
達成できるが、この場合得られる保磁力は高々１２０ｋ
Ａ／ｍ程度である。
【０００３】しかしながら、磁気ヘッドコア材の高磁束
密度化が急速に進み、２．０Ｔ（テスラ）に達するコア
材が見出されたことに対応して、磁気記録媒体において
も更に高い保磁力を得ることが要求されている。
密度化が急速に進み、２．０Ｔ（テスラ）に達するコア
材が見出されたことに対応して、磁気記録媒体において
も更に高い保磁力を得ることが要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うなＣｏＰｔ系合金より成る磁性薄膜において、１２０
ｋＡ／ｍ程度以上の高保磁力を得て、高密度記録媒体に
用いて好適な磁気記録媒体を得ることを目的とする。
うなＣｏＰｔ系合金より成る磁性薄膜において、１２０
ｋＡ／ｍ程度以上の高保磁力を得て、高密度記録媒体に
用いて好適な磁気記録媒体を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性支持体
上に磁性薄膜が被着され、この磁性薄膜の組成式がＣｏ
x Ｐｔy Ｎz で示され、その組成範囲を、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１００、１２＜ｙ≦３０、２≦ｚ≦６（但しｘ、ｙ、ｚ
は原子％）と選定して磁気記録媒体を構成する。
上に磁性薄膜が被着され、この磁性薄膜の組成式がＣｏ
x Ｐｔy Ｎz で示され、その組成範囲を、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１００、１２＜ｙ≦３０、２≦ｚ≦６（但しｘ、ｙ、ｚ
は原子％）と選定して磁気記録媒体を構成する。
【０００６】他の本発明は、上述の組成範囲に選定した
磁気記録媒体において、その磁性薄膜のＸ線回折像の
（００２）ピーク強度Ｉ(002) 及び（１００）ピーク強
度Ｉ(100) に対する（１０１）ピーク強度Ｉ(101) の比
を、それぞれＩ(002) ／Ｉ(101) ＜０．６、Ｉ(100) ／
Ｉ(101) ＜０．２と選定して構成する。
磁気記録媒体において、その磁性薄膜のＸ線回折像の
（００２）ピーク強度Ｉ(002) 及び（１００）ピーク強
度Ｉ(100) に対する（１０１）ピーク強度Ｉ(101) の比
を、それぞれＩ(002) ／Ｉ(101) ＜０．６、Ｉ(100) ／
Ｉ(101) ＜０．２と選定して構成する。
【０００７】また他の本発明製法は、非磁性支持体上
に、ＣｏＰｔ合金より成る磁性薄膜をＡｒとＮ2 との混
合ガス中でこの非磁性支持体の温度を室温として成膜
し、その後真空中で加熱処理することにより、非磁性支
持体上の磁性薄膜中の窒素を解離させて、上述の組成範
囲に選定した磁気記録媒体を構成する。
に、ＣｏＰｔ合金より成る磁性薄膜をＡｒとＮ2 との混
合ガス中でこの非磁性支持体の温度を室温として成膜
し、その後真空中で加熱処理することにより、非磁性支
持体上の磁性薄膜中の窒素を解離させて、上述の組成範
囲に選定した磁気記録媒体を構成する。
【０００８】
【作用】上述したように本発明磁気記録媒体において
は、非磁性支持体上に、その組成式がＣｏx Ｐｔy Ｎz
で示され、組成範囲がｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、１２＜ｙ≦
３０、２≦ｚ≦６（但しｘ、ｙ、ｚは原子％）とされた
磁性薄膜が被着されて構成されるものであるが、このよ
うに磁性薄膜の組成範囲を選定することによって、単層
の磁性膜構成を採るにも係わらず、１６０ｋＡ／ｍ以上
程度の高い保磁力を有する磁気記録媒体を得ることがで
きた。
は、非磁性支持体上に、その組成式がＣｏx Ｐｔy Ｎz
で示され、組成範囲がｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、１２＜ｙ≦
３０、２≦ｚ≦６（但しｘ、ｙ、ｚは原子％）とされた
磁性薄膜が被着されて構成されるものであるが、このよ
うに磁性薄膜の組成範囲を選定することによって、単層
の磁性膜構成を採るにも係わらず、１６０ｋＡ／ｍ以上
程度の高い保磁力を有する磁気記録媒体を得ることがで
きた。
【０００９】またこのような磁気記録媒体は、非磁性支
持体上にＣｏＰｔ合金より成る磁性薄膜をＡｒとＮ2 と
の混合ガス中でこの非磁性支持体の温度を室温として成
膜し、その後真空中で加熱処理を行って、非磁性支持体
上の磁性薄膜中の窒素を解離させる本発明製法を採るこ
とによって得ることができた。
持体上にＣｏＰｔ合金より成る磁性薄膜をＡｒとＮ2 と
の混合ガス中でこの非磁性支持体の温度を室温として成
膜し、その後真空中で加熱処理を行って、非磁性支持体
上の磁性薄膜中の窒素を解離させる本発明製法を採るこ
とによって得ることができた。
【００１０】上述の本発明製法によってそのＣｏＰｔ合
金の組成及び窒素ガス濃度を制御して作製したＣｏＰｔ
Ｎ系磁性薄膜を有する磁気記録媒体の配向性を、Ｘ線回
折により調べた結果を図１に示す。また、参考として単
層のＣｏＰｔ薄膜のＸ線回折像を図２に示し、またＣｒ
下地層を設けてＣｏＰｔを被着し、ＣｏＰｔ／Ｃｒの２
層膜構造とした磁性薄膜のＸ線回折像を図３に示す。こ
の場合、各磁性薄膜の膜厚を６０ｎｍとし、Ｃｒ下地層
の膜厚は２００ｎｍ、また成膜時のＡｒガス圧を２．７
Ｐａとして成膜した。またＸ線回折はＣｏ−Ｋα線を用
いて測定を行った。
金の組成及び窒素ガス濃度を制御して作製したＣｏＰｔ
Ｎ系磁性薄膜を有する磁気記録媒体の配向性を、Ｘ線回
折により調べた結果を図１に示す。また、参考として単
層のＣｏＰｔ薄膜のＸ線回折像を図２に示し、またＣｒ
下地層を設けてＣｏＰｔを被着し、ＣｏＰｔ／Ｃｒの２
層膜構造とした磁性薄膜のＸ線回折像を図３に示す。こ
の場合、各磁性薄膜の膜厚を６０ｎｍとし、Ｃｒ下地層
の膜厚は２００ｎｍ、また成膜時のＡｒガス圧を２．７
Ｐａとして成膜した。またＸ線回折はＣｏ−Ｋα線を用
いて測定を行った。
【００１１】図１からわかるように、本発明磁気記録媒
体におけるＣｏＰｔＮ系磁性薄膜では（１０１）ピーク
ｐ101 のみが見られ、図２に示すように、ＣｏＰｔ合金
単層による磁性薄膜では（００２）ピークｐ002 のみが
見られる。また図３からわかるように、ＣｏＰｔ／Ｃｒ
二層膜による磁性薄膜では、（１００）ピークｐ001 と
（００２）ピークｐ002 とが見られ、（１０１）ピーク
ｐ101 はあらわれていない。このように、本発明による
磁気記録媒体においては、そのＸ線回折像に（１０１）
ピークｐ101 のみが特徴的にあらわれ、他の従来の磁気
記録媒体とは異なる結晶性を有することがわかる。
体におけるＣｏＰｔＮ系磁性薄膜では（１０１）ピーク
ｐ101 のみが見られ、図２に示すように、ＣｏＰｔ合金
単層による磁性薄膜では（００２）ピークｐ002 のみが
見られる。また図３からわかるように、ＣｏＰｔ／Ｃｒ
二層膜による磁性薄膜では、（１００）ピークｐ001 と
（００２）ピークｐ002 とが見られ、（１０１）ピーク
ｐ101 はあらわれていない。このように、本発明による
磁気記録媒体においては、そのＸ線回折像に（１０１）
ピークｐ101 のみが特徴的にあらわれ、他の従来の磁気
記録媒体とは異なる結晶性を有することがわかる。
【００１２】一般にＸ線回折像に（１０１）ピークの
み、又は（００２）ピークのみが見られる場合は共にそ
の結晶構造がｈｃｐ（六方最密）構造であることが知ら
れている。しかしながら、（１０１）ピークがあらわれ
る場合は、そのｃ軸が磁性薄膜の面内方向にほぼ沿って
いることが予想される。即ち、ＣｏＰｔＮ系磁性薄膜で
は、その組成を上述した組成範囲に選定することによっ
て、磁性薄膜の面内方向に磁化容易軸であるｃ軸を有す
るように構成することができ、これによって高い保磁力
を得ることができるものと思われる。
み、又は（００２）ピークのみが見られる場合は共にそ
の結晶構造がｈｃｐ（六方最密）構造であることが知ら
れている。しかしながら、（１０１）ピークがあらわれ
る場合は、そのｃ軸が磁性薄膜の面内方向にほぼ沿って
いることが予想される。即ち、ＣｏＰｔＮ系磁性薄膜で
は、その組成を上述した組成範囲に選定することによっ
て、磁性薄膜の面内方向に磁化容易軸であるｃ軸を有す
るように構成することができ、これによって高い保磁力
を得ることができるものと思われる。
【００１３】これらＣｏＰｔＮ系磁性薄膜、ＣｏＰｔ単
層の磁性薄膜及びＣｏＰｔ／Ｃｒ二層の磁性薄膜の各ピ
ーク強度の相対値を、参考としてＣｏＰｔの無配向磁性
薄膜の計算値と共に表１に示す。
層の磁性薄膜及びＣｏＰｔ／Ｃｒ二層の磁性薄膜の各ピ
ーク強度の相対値を、参考としてＣｏＰｔの無配向磁性
薄膜の計算値と共に表１に示す。
【表１】
【００１４】表１に示すように、磁性薄膜が無配向であ
るときには、そのＸ線回折像の各（１００）ピーク、
（００２）ピーク、（１０１）ピークの積分強度比Ｉ(1
00) ：Ｉ(002) ：Ｉ(101) が２０：６０：１００となる
ことが知られている。
るときには、そのＸ線回折像の各（１００）ピーク、
（００２）ピーク、（１０１）ピークの積分強度比Ｉ(1
00) ：Ｉ(002) ：Ｉ(101) が２０：６０：１００となる
ことが知られている。
【００１５】これに対し、上述したＣｏＰｔＮ系磁性薄
膜においては、その（１０１）ピーク強度Ｉ(101) が他
の結晶構造の磁性薄膜に比して相対的に強いことがわか
る。即ち上述したようにＰｔ含有量及び窒素含有量を選
定することによってこのように（１０１）ピーク強度Ｉ
(101) を相対的に大とすることができ、面内方向に磁化
容易軸を有し、高い保磁力を得られるようになすことが
できる。
膜においては、その（１０１）ピーク強度Ｉ(101) が他
の結晶構造の磁性薄膜に比して相対的に強いことがわか
る。即ち上述したようにＰｔ含有量及び窒素含有量を選
定することによってこのように（１０１）ピーク強度Ｉ
(101) を相対的に大とすることができ、面内方向に磁化
容易軸を有し、高い保磁力を得られるようになすことが
できる。
【００１６】即ち他の本発明においては、磁性薄膜のＸ
線回折像の（００２）ピーク強度Ｉ(002) と、（１０
０）ピーク強度Ｉ(100) とに対する（１０１）ピーク強
度Ｉ(101) の比を、それぞれＩ(002) ／Ｉ(101) ＜０．
６、Ｉ(100) ／Ｉ(101) ＜０．２と選定して構成するも
のであり、このようにピーク（００２）及び（１００）
のピーク（１０１）に対する相対的なピーク強度を、無
配向磁性膜の場合に比して小となるように選定する場合
は、上述した（１０１）ピークの強度Ｉ(101) を相対的
に大とすることとなって、ｈｃｐ構造で且つ磁性薄膜の
面内方向またはこれにほぼ沿う方向に磁化容易軸を有
し、高保磁力を有する磁気記録媒体を得ることができ
る。
線回折像の（００２）ピーク強度Ｉ(002) と、（１０
０）ピーク強度Ｉ(100) とに対する（１０１）ピーク強
度Ｉ(101) の比を、それぞれＩ(002) ／Ｉ(101) ＜０．
６、Ｉ(100) ／Ｉ(101) ＜０．２と選定して構成するも
のであり、このようにピーク（００２）及び（１００）
のピーク（１０１）に対する相対的なピーク強度を、無
配向磁性膜の場合に比して小となるように選定する場合
は、上述した（１０１）ピークの強度Ｉ(101) を相対的
に大とすることとなって、ｈｃｐ構造で且つ磁性薄膜の
面内方向またはこれにほぼ沿う方向に磁化容易軸を有
し、高保磁力を有する磁気記録媒体を得ることができ
る。
【００１７】
【実施例】以下本発明磁気記録媒体及びその製法を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１８】以下の実施例１及び２、比較例１において
は、各例共にスライドガラス基板より成る非磁性支持体
を用いて、これの上に高周波マグネトロンスパッタリン
グ装置によって非磁性支持体を室温としてＡｒとＮ2 と
の混合ガス中で磁性薄膜を成膜し、その後真空中で加熱
処理を行ってこの磁性薄膜中の窒素を解離させて磁気記
録媒体を作製した。
は、各例共にスライドガラス基板より成る非磁性支持体
を用いて、これの上に高周波マグネトロンスパッタリン
グ装置によって非磁性支持体を室温としてＡｒとＮ2 と
の混合ガス中で磁性薄膜を成膜し、その後真空中で加熱
処理を行ってこの磁性薄膜中の窒素を解離させて磁気記
録媒体を作製した。
【００１９】またこのとき、初期真空度を５×１０-5Ｐ
ａ、スパッタガス圧を０．８Ｐａ一定とし、投入電力を
３００Ｗ、膜厚を６０ｎｍとした。そしてＡｒガスとＮ
2 ガスとの総流量を５０ＳＣＣＭ一定としてこれらの流
量比を変えて窒素分圧を制御し、更にターゲットはＣｏ
−Ｐｔ複合ターゲットを用いた。即ちこの場合Ｃｏター
ゲット上のＰｔセクターの数を変えることでその組成を
制御した。また成膜後の熱処理条件は、真空中で３００
℃、６時間とした。
ａ、スパッタガス圧を０．８Ｐａ一定とし、投入電力を
３００Ｗ、膜厚を６０ｎｍとした。そしてＡｒガスとＮ
2 ガスとの総流量を５０ＳＣＣＭ一定としてこれらの流
量比を変えて窒素分圧を制御し、更にターゲットはＣｏ
−Ｐｔ複合ターゲットを用いた。即ちこの場合Ｃｏター
ゲット上のＰｔセクターの数を変えることでその組成を
制御した。また成膜後の熱処理条件は、真空中で３００
℃、６時間とした。
【００２０】実施例１ この例においては、Ｃｏ−Ｐｔ複合ターゲットの組成比
をＣｏ83Ｐｔ17とした。
をＣｏ83Ｐｔ17とした。
【００２１】実施例２ この例においては、Ｃｏ−Ｐｔ複合ターゲットの組成比
をＣｏ76Ｐｔ24とした。
をＣｏ76Ｐｔ24とした。
【００２２】比較例１ この例においては、Ｃｏ−Ｐｔ複合ターゲットの組成比
をＣｏ68Ｐｔ32とした。
をＣｏ68Ｐｔ32とした。
【００２３】このとき、各例において成膜時の窒素ガス
濃度を２０％から４０％に変化させ、各磁性薄膜の保磁
力の変化を測定した。この結果を図４に示す。図４にお
いて線ａ〜ｃはそれぞれ上述の実施例１、２及び比較例
１の場合を示す。
濃度を２０％から４０％に変化させ、各磁性薄膜の保磁
力の変化を測定した。この結果を図４に示す。図４にお
いて線ａ〜ｃはそれぞれ上述の実施例１、２及び比較例
１の場合を示す。
【００２４】図４からわかるように、Ｐｔ含有量を１２
原子％を越える３０原子％以下程度とする場合は、その
成膜時の窒素分圧を制御することによって、８０ｋＡ／
ｍ以上の例えば１６０ｋＡ／ｍ程度の高い保磁力を得る
ことができることがわかる。
原子％を越える３０原子％以下程度とする場合は、その
成膜時の窒素分圧を制御することによって、８０ｋＡ／
ｍ以上の例えば１６０ｋＡ／ｍ程度の高い保磁力を得る
ことができることがわかる。
【００２５】この場合、成膜時の磁性薄膜中には２０〜
３０原子％の窒素が含まれ、窒化物の微結晶またはアモ
ルファスからなる非磁性薄膜となるが、これを真空中で
３００℃以上の熱処理を行うことによって窒素が解離し
て大きな保磁力をもつ磁気記録媒体となる。
３０原子％の窒素が含まれ、窒化物の微結晶またはアモ
ルファスからなる非磁性薄膜となるが、これを真空中で
３００℃以上の熱処理を行うことによって窒素が解離し
て大きな保磁力をもつ磁気記録媒体となる。
【００２６】これに対し、Ｐｔ含有量を３０原子％を越
えて成膜した磁気記録媒体は、その窒素含有量にかかわ
らず、格段に低い保磁力しか得られていない。
えて成膜した磁気記録媒体は、その窒素含有量にかかわ
らず、格段に低い保磁力しか得られていない。
【００２７】次に、上述の作製条件と同一の製造方法を
もって、そのＣｏＰｔターゲットの組成と窒素ガス流量
を制御して、Ｃｏx Ｐｔy Ｎz 磁性薄膜の各含有量ｘ、
ｙ、ｚ（但しｘ，ｙ，ｚは原子％）をそれぞれ次のよう
に選定して作製した。
もって、そのＣｏＰｔターゲットの組成と窒素ガス流量
を制御して、Ｃｏx Ｐｔy Ｎz 磁性薄膜の各含有量ｘ、
ｙ、ｚ（但しｘ，ｙ，ｚは原子％）をそれぞれ次のよう
に選定して作製した。
【００２８】実施例３ この例においては、ｘ＝７３とし、ｙを１２＜ｙ≦３０
の例えばｙ＝２２とし、ｚを２≦ｚ≦６の例えばｚ＝５
とした。
の例えばｙ＝２２とし、ｚを２≦ｚ≦６の例えばｚ＝５
とした。
【００２９】比較例２ この例においては、ｘ＝７６、ｙ＝２３、ｚ＝１とし
た。
た。
【００３０】比較例３ この例においては、ｘ＝６９、ｙ＝２１、ｚ＝１０とし
た。
た。
【００３１】比較例４ この例においては、ｘ＝８５、ｙ＝１０、ｚ＝５とし
た。
た。
【００３２】比較例５ この例においては、ｘ＝６４、ｙ＝３１、ｚ＝５とし
た。
た。
【００３３】比較例６ この例においては、ＣｏＰｔ合金のみによる磁性層を成
膜時のＡｒガス圧を２．７Ｐａとして作製した。この場
合その組成はＣｏx Ｐｔy で示される組成式においてｘ
＝７９、ｙ＝２１として構成した。
膜時のＡｒガス圧を２．７Ｐａとして作製した。この場
合その組成はＣｏx Ｐｔy で示される組成式においてｘ
＝７９、ｙ＝２１として構成した。
【００３４】比較例７ この例においては、Ｃｒ下地層を膜厚２００ｎｍとして
被着した後ＣｏＰｔ合金のみによる磁性層を成膜時のＡ
ｒガス圧を２．７Ｐａとして被着した。Ｃｏx Ｐｔy の
組成はｘ＝７９、ｙ＝２１として構成した。
被着した後ＣｏＰｔ合金のみによる磁性層を成膜時のＡ
ｒガス圧を２．７Ｐａとして被着した。Ｃｏx Ｐｔy の
組成はｘ＝７９、ｙ＝２１として構成した。
【００３５】これら実施例３及び比較例２〜７における
各磁性薄膜について、それぞれその組成、保磁力及び角
型比を測定した結果を表２に示す。
各磁性薄膜について、それぞれその組成、保磁力及び角
型比を測定した結果を表２に示す。
【表２】
【００３６】表２からわかるように、Ｃｏx Ｐｔy Ｎz
磁性薄膜の組成を、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、１２＜ｙ≦３
０、２≦ｚ≦６（但しｘ，ｙ，ｚは原子％）の範囲に選
定した実施例３においては、１６５ｋＡ／ｍという従来
にない高い保磁力が得られ、且つ角型比も０．７８と高
い値を得ることができている。
磁性薄膜の組成を、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、１２＜ｙ≦３
０、２≦ｚ≦６（但しｘ，ｙ，ｚは原子％）の範囲に選
定した実施例３においては、１６５ｋＡ／ｍという従来
にない高い保磁力が得られ、且つ角型比も０．７８と高
い値を得ることができている。
【００３７】これに対して窒素含有量ｚを２原子％未満
の例えば１原子％とした比較例２においては、その保磁
力が３０ｋＡ／ｍと低く、また窒素含有量ｚが６原子％
を越える例えば１０原子％とされた比較例３において
は、１０５ｋＡ／ｍと比較的高い保磁力を得るも、その
角型比が０．５０と小さくなってしまう。
の例えば１原子％とした比較例２においては、その保磁
力が３０ｋＡ／ｍと低く、また窒素含有量ｚが６原子％
を越える例えば１０原子％とされた比較例３において
は、１０５ｋＡ／ｍと比較的高い保磁力を得るも、その
角型比が０．５０と小さくなってしまう。
【００３８】また、Ｐｔ含有量ｙを１２原子％以下の例
えば１０原子％とした比較例４においては、その保磁力
が７０ｋＡ／ｍと比較的小さく、同様にＰｔ含有量ｙを
３０原子％を越える例えば３１原子％とした比較例５に
おいても、その保磁力が３０ｋＡ／ｍと格段に小となっ
ている。
えば１０原子％とした比較例４においては、その保磁力
が７０ｋＡ／ｍと比較的小さく、同様にＰｔ含有量ｙを
３０原子％を越える例えば３１原子％とした比較例５に
おいても、その保磁力が３０ｋＡ／ｍと格段に小となっ
ている。
【００３９】これらのことから、上述したように、各含
有量ｙ，ｚをそれぞれ１２＜ｙ≦３０、２≦ｚ≦６と選
定することによって、高い保磁力及び高い角型比を得る
ことができることがわかる。
有量ｙ，ｚをそれぞれ１２＜ｙ≦３０、２≦ｚ≦６と選
定することによって、高い保磁力及び高い角型比を得る
ことができることがわかる。
【００４０】即ちＣｏＰｔＮ系磁性薄膜において、その
Ｐｔ含有量が１２原子％以下であると８０ｋＡ／ｍ程度
以上の保磁力が得られず、また３０原子％を越える場合
には保磁力が急激に減少する。これはその結晶構造がｆ
ｃｃ（面心立方格子）構造に変化するためと思われる。
従って、本発明においてはこのＰｔ含有量ｙを１２＜ｙ
≦３０（但しｙは原子％）に選定するものである。
Ｐｔ含有量が１２原子％以下であると８０ｋＡ／ｍ程度
以上の保磁力が得られず、また３０原子％を越える場合
には保磁力が急激に減少する。これはその結晶構造がｆ
ｃｃ（面心立方格子）構造に変化するためと思われる。
従って、本発明においてはこのＰｔ含有量ｙを１２＜ｙ
≦３０（但しｙは原子％）に選定するものである。
【００４１】また同様に、窒素含有量が２原子％未満の
ときには充分な保磁力が得られず、６原子％を越える場
合には角型比が小となるため、本発明においてはこの窒
素含有量ｚを２≦ｚ≦６（但しｚは原子％）に選定する
ものである。
ときには充分な保磁力が得られず、６原子％を越える場
合には角型比が小となるため、本発明においてはこの窒
素含有量ｚを２≦ｚ≦６（但しｚは原子％）に選定する
ものである。
【００４２】このような磁性薄膜中の窒素濃度は、成膜
時の窒素ガス濃度を変えることで制御できるものである
が、この場合Ｎ2 雰囲気中で成膜することによって、膜
中に一旦２０〜３０原子％の窒素を含ませて非磁性化さ
せるので、これを熱処理して膜中の窒素を解離させる必
要がある。熱処理が不十分な場合は、残留窒素濃度が高
すぎて充分な磁化及び保磁力が得られず、また成膜時の
窒素分圧が低過ぎる場合は、非磁性化していない状態つ
まり残留窒素が少なくなりすぎて、充分な保磁力が得ら
れない。
時の窒素ガス濃度を変えることで制御できるものである
が、この場合Ｎ2 雰囲気中で成膜することによって、膜
中に一旦２０〜３０原子％の窒素を含ませて非磁性化さ
せるので、これを熱処理して膜中の窒素を解離させる必
要がある。熱処理が不十分な場合は、残留窒素濃度が高
すぎて充分な磁化及び保磁力が得られず、また成膜時の
窒素分圧が低過ぎる場合は、非磁性化していない状態つ
まり残留窒素が少なくなりすぎて、充分な保磁力が得ら
れない。
【００４３】また表２からわかるように、比較例６の窒
素を含有しないＣｏＰｔ合金磁性薄膜では得られる角型
比が小さく、また比較例７のＣｒ下地層上にＣｏＰｔ合
金磁性薄膜を設ける場合は１２５ｋＡ／ｍ程度の比較的
高い保磁力を得るものの、実施例１における１６５ｋＡ
／ｍの保磁力には及ばないことがわかる。
素を含有しないＣｏＰｔ合金磁性薄膜では得られる角型
比が小さく、また比較例７のＣｒ下地層上にＣｏＰｔ合
金磁性薄膜を設ける場合は１２５ｋＡ／ｍ程度の比較的
高い保磁力を得るものの、実施例１における１６５ｋＡ
／ｍの保磁力には及ばないことがわかる。
【００４４】また、上述の実施例２における磁性薄膜の
Ｘ線回折像は、図１において説明した例と同様に、ピー
ク（１０１）のみが見られ、ピーク（００２）及びピー
ク（１００）は殆ど見られず、このピークの強度Ｉ(10
1) に対する他のピーク（００２）、（１００）ピーク
の強度Ｉ(002) 及びＩ(100) の比は、Ｉ(002) ／Ｉ(10
1) ＝０と０．６より小となり、またＩ(100) ／Ｉ(101)
＝０となって０．２より小であった。
Ｘ線回折像は、図１において説明した例と同様に、ピー
ク（１０１）のみが見られ、ピーク（００２）及びピー
ク（１００）は殆ど見られず、このピークの強度Ｉ(10
1) に対する他のピーク（００２）、（１００）ピーク
の強度Ｉ(002) 及びＩ(100) の比は、Ｉ(002) ／Ｉ(10
1) ＝０と０．６より小となり、またＩ(100) ／Ｉ(101)
＝０となって０．２より小であった。
【００４５】これに対し、上述の比較例６及び７におけ
るＸ線回折像はそれぞれ図２及び図３において説明した
ように、それぞれピーク強度比がＩ(002)／Ｉ(101) ≧
０．６、Ｉ(100) ／Ｉ(101) ≧０．２となり、面内方向
またはこれにほぼ沿う方向にｃ軸を有するｈｃｐ構造が
得られず、即ち高い面内保磁力が得られない。
るＸ線回折像はそれぞれ図２及び図３において説明した
ように、それぞれピーク強度比がＩ(002)／Ｉ(101) ≧
０．６、Ｉ(100) ／Ｉ(101) ≧０．２となり、面内方向
またはこれにほぼ沿う方向にｃ軸を有するｈｃｐ構造が
得られず、即ち高い面内保磁力が得られない。
【００４６】即ち上述したようにピーク強度比をＩ(00
2) ／Ｉ(101) ＜０．６、Ｉ(100) ／Ｉ(101) ＜０．２
と選定することによって、高保磁力の磁気記録媒体を得
ることができる。
2) ／Ｉ(101) ＜０．６、Ｉ(100) ／Ｉ(101) ＜０．２
と選定することによって、高保磁力の磁気記録媒体を得
ることができる。
【００４７】また上述したように本発明構成によればＣ
ｏＰｔＮ系の磁性薄膜を用いることによって、単層の磁
性薄膜であるにもかかわらず、１６０ｋＡ／ｍ程度の高
い保磁力を得られた。従って、前述したように高磁束密
度がはかられた２．０Ｔ程度の磁気ヘッドコア材に対応
し得る磁気記録媒体を得ることができる。
ｏＰｔＮ系の磁性薄膜を用いることによって、単層の磁
性薄膜であるにもかかわらず、１６０ｋＡ／ｍ程度の高
い保磁力を得られた。従って、前述したように高磁束密
度がはかられた２．０Ｔ程度の磁気ヘッドコア材に対応
し得る磁気記録媒体を得ることができる。
【００４８】更に本発明においては下地層を設けないた
め、簡単な成膜装置によって作製することができる。
め、簡単な成膜装置によって作製することができる。
【００４９】更にまた本発明製法によって上述したよう
な磁性薄膜を作製する場合、窒素をガスとしてＣｏＰｔ
合金の成膜時に導入しているため、ＣｏＰｔターゲット
の合金組成に多少のばらつきがあっても、窒素分圧を変
えることで容易に磁気特性の制御を行うことができる。
な磁性薄膜を作製する場合、窒素をガスとしてＣｏＰｔ
合金の成膜時に導入しているため、ＣｏＰｔターゲット
の合金組成に多少のばらつきがあっても、窒素分圧を変
えることで容易に磁気特性の制御を行うことができる。
【００５０】尚、本発明磁気記録媒体は、上述の各実施
例に示した構成の他、本発明構成を逸脱しない範囲で種
々の組成及び積分強度比等を採ることができ、またその
製法においても、上述の成膜条件の他種々の装置、成膜
方法及び加熱方法を採ることができる。
例に示した構成の他、本発明構成を逸脱しない範囲で種
々の組成及び積分強度比等を採ることができ、またその
製法においても、上述の成膜条件の他種々の装置、成膜
方法及び加熱方法を採ることができる。
【００５１】
【発明の効果】上述したように、本発明磁気記録媒体に
よれば、単層膜であっても１６０ｋＡ／ｍを越える充分
高い保磁力を得ることができて、高磁束密度の磁気ヘッ
ドコア材に対応し得る磁気記録媒体を得ることができ
る。
よれば、単層膜であっても１６０ｋＡ／ｍを越える充分
高い保磁力を得ることができて、高磁束密度の磁気ヘッ
ドコア材に対応し得る磁気記録媒体を得ることができ
る。
【００５２】また下地層を設けないため、成膜時の簡単
化、製造工程の低減化をはかることができる。
化、製造工程の低減化をはかることができる。
【００５３】更にまた他の本発明は、磁性薄膜の面内方
向またはこれにほぼ沿う方向に磁化容易軸を有するｈｃ
ｐ構造とすることができて、高い面内保磁力を得ること
ができる。
向またはこれにほぼ沿う方向に磁化容易軸を有するｈｃ
ｐ構造とすることができて、高い面内保磁力を得ること
ができる。
【００５４】また他の本発明製法によれば、上述の組成
比を有する磁気記録媒体を得ることができ、かつ窒素を
ガスとして成膜中に磁性薄膜中に導入することから、Ｃ
ｏＰｔ合金の組成に多少ばらつきがあっても、この窒素
分圧を変えることによって容易に磁気特性を制御するこ
とができる。
比を有する磁気記録媒体を得ることができ、かつ窒素を
ガスとして成膜中に磁性薄膜中に導入することから、Ｃ
ｏＰｔ合金の組成に多少ばらつきがあっても、この窒素
分圧を変えることによって容易に磁気特性を制御するこ
とができる。
【図１】本発明磁気記録媒体の一例のＸ線回折像を示す
図である。
図である。
【図２】比較磁気記録媒体のＸ線回折像を示す図であ
る。
る。
【図３】比較磁気記録媒体のＸ線回折像を示す図であ
る。
る。
【図４】磁気記録媒体の成膜時の窒素ガス濃度に対する
保磁力の変化を示す図である。
保磁力の変化を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 41/18 7371−5Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に磁性薄膜が被着され、 該磁性薄膜の組成式がＣｏx Ｐｔy Ｎz で示され、その
組成範囲が、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ １２＜ｙ≦３０ ２≦ｚ≦６ （但しｘ、ｙ、ｚは原子％） と選定されて成ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記請求項１に記載の磁気記録媒体にお
いて、 上記磁性薄膜のＸ線回折像の（００２）ピーク強度Ｉ(0
02) 及び（１００）ピーク強度Ｉ(100) に対する（１０
１）ピーク強度Ｉ(101) の比が、それぞれ Ｉ(002) ／Ｉ(101) ＜０．６ Ｉ(100) ／Ｉ(101) ＜０．２ と選定されたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性支持体上に、ＣｏＰｔ合金より成
る磁性薄膜をＡｒとＮ2 との混合ガス中で上記非磁性支
持体の温度を室温として成膜し、 その後真空中で加熱処理することにより、上記非磁性支
持体上の上記磁性薄膜中の窒素を解離させて上記請求項
１に記載の磁気記録媒体を得ることを特徴とする磁気記
録媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3220721A JPH0562147A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 磁気記録媒体とその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3220721A JPH0562147A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 磁気記録媒体とその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562147A true JPH0562147A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16755480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3220721A Pending JPH0562147A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 磁気記録媒体とその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562147A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6075092A (en) * | 1996-04-17 | 2000-06-13 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Rubber composition |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3220721A patent/JPH0562147A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6075092A (en) * | 1996-04-17 | 2000-06-13 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Rubber composition |
| US6255446B1 (en) | 1996-04-17 | 2001-07-03 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Rubber composition |
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