JP2003346333A - 垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体Info
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- JP2003346333A JP2003346333A JP2002153060A JP2002153060A JP2003346333A JP 2003346333 A JP2003346333 A JP 2003346333A JP 2002153060 A JP2002153060 A JP 2002153060A JP 2002153060 A JP2002153060 A JP 2002153060A JP 2003346333 A JP2003346333 A JP 2003346333A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱成膜しても充分な磁気特性を有する垂直
磁気記録媒体を得ること。 【解決手段】 非磁性基体１上に、軟磁性裏打ち層２、
下地層３、非磁性中間層４、磁気記録層５、保護膜６、
液体潤滑材層７を順次積層して垂直記録媒体を製造する
垂直磁気記録媒体の製造方法であって、磁気記録層５の
成膜において、ＴａＢまたはＣｒＣを磁性材料に加えた
グラニュラー材料を原材料として使用する。これによっ
て、ＤＣスパッタリングによる成膜が可能となり、加熱
下で高い磁気特性が得られるようになる。
磁気記録媒体を得ること。 【解決手段】 非磁性基体１上に、軟磁性裏打ち層２、
下地層３、非磁性中間層４、磁気記録層５、保護膜６、
液体潤滑材層７を順次積層して垂直記録媒体を製造する
垂直磁気記録媒体の製造方法であって、磁気記録層５の
成膜において、ＴａＢまたはＣｒＣを磁性材料に加えた
グラニュラー材料を原材料として使用する。これによっ
て、ＤＣスパッタリングによる成膜が可能となり、加熱
下で高い磁気特性が得られるようになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は各種磁気記録装置に
搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記
録媒体に関する。
搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記
録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化を実現する技術とし
て、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方
式が注目されつつある。
て、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方
式が注目されつつある。
【０００３】垂直磁気記録媒体は主に、硬質磁性材料の
磁気記録層と、磁気記録層を目的の方向に配向させるた
めの下地層と、磁気記録層の表面を保護する保護膜と、
この記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する
磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層とか
ら構成される。
磁気記録層と、磁気記録層を目的の方向に配向させるた
めの下地層と、磁気記録層の表面を保護する保護膜と、
この記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する
磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層とか
ら構成される。
【０００４】垂直媒体の磁気記録層材料としては、これ
まで主にＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ等の合金材料が用
いられてきた。これらの合金材料では、結晶粒界に非磁
性材料であるＣｒが偏析することにより、個々の結晶粒
が磁気的に分離され、高い保磁力（Ｈｃ）など磁気記録
媒体として必要な特性を発現する。このような結晶粒界
へのＣｒの偏析は、面内媒体では、加熱や基板バイアス
印加など成膜プロセスの工夫により促進されてきた。し
かし、垂直媒体では、面内媒体と同様に加熱や基板バイ
アス印加を施してもＣｒの偏析量が少なく、それが原因
で媒体ノイズが高くなってしまうことが問題となってい
た。
まで主にＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ等の合金材料が用
いられてきた。これらの合金材料では、結晶粒界に非磁
性材料であるＣｒが偏析することにより、個々の結晶粒
が磁気的に分離され、高い保磁力（Ｈｃ）など磁気記録
媒体として必要な特性を発現する。このような結晶粒界
へのＣｒの偏析は、面内媒体では、加熱や基板バイアス
印加など成膜プロセスの工夫により促進されてきた。し
かし、垂直媒体では、面内媒体と同様に加熱や基板バイ
アス印加を施してもＣｒの偏析量が少なく、それが原因
で媒体ノイズが高くなってしまうことが問題となってい
た。
【０００５】この問題を解決する方法として、ＣｏＰｔ
やＣｏＣｒＰｔ等の合金材料にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，
Ｃｒ２Ｏ３等の酸化物やＳｉＮ，ＡｌＮ等の窒化物など
非磁性体を添加したグラニュラー磁性膜が提案されてい
る。例えばＣｏＰｔ−ＳｉＯ ２グラニュラー膜では、Ｃ
ｏＰｔ結晶粒の周囲をＳｉＯ２が取り囲むように偏析
し、それにより個々のＣｏＰｔ結晶粒は磁気的に分離さ
れる。このように、グラニュラー膜では合金材料の相分
離（磁気相分離）を利用するのではなく、酸化物や窒化
物などの合金材料と固溶しにくい非晶質材料を加えるこ
とが特徴である。
やＣｏＣｒＰｔ等の合金材料にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，
Ｃｒ２Ｏ３等の酸化物やＳｉＮ，ＡｌＮ等の窒化物など
非磁性体を添加したグラニュラー磁性膜が提案されてい
る。例えばＣｏＰｔ−ＳｉＯ ２グラニュラー膜では、Ｃ
ｏＰｔ結晶粒の周囲をＳｉＯ２が取り囲むように偏析
し、それにより個々のＣｏＰｔ結晶粒は磁気的に分離さ
れる。このように、グラニュラー膜では合金材料の相分
離（磁気相分離）を利用するのではなく、酸化物や窒化
物などの合金材料と固溶しにくい非晶質材料を加えるこ
とが特徴である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】グラニュラー膜では、
基板を加熱して成膜すると、Ｃｏの酸化あるいは窒化
や、合金相と非磁性相の混合などの問題を生じることか
ら、非加熱で成膜することが必要である。しかし、垂直
磁気記録媒体では、軟磁性裏打ち層をピンするための反
強磁性膜を成膜する時に加熱をする必要があり、そのた
め磁気記録層を成膜する際には基板は加熱された状態に
なってしまう。また軟磁性裏打ち層成膜後に飽和磁化の
増加と低ノイズ化を目的としてＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔ
ｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇ）を行なう場合もある
が、この時も同様に磁気記録層成膜前の基板は加熱され
た状態になる。グラニュラー磁性層成膜の際には基板温
度は室温程度である必要があるので、これらのプロセス
後には基板を冷却する必要があるが、基板を短時間で室
温付近まで冷却することは事実上不可能であるので、実
際は磁気記録層よりも下層にある、反強磁性層ピン層、
軟磁性裏打ち層、シード層、下地層等を全て非加熱で成
膜する必要がある。しかし、これらを非加熱で成膜した
場合、軟磁性裏打ち層起因ノイズの増加や下地層の配向
悪化などが起こり、媒体として十分な特性が得られない
というのが現状であり、加熱可能なグラニュラー材料が
望まれていた。
基板を加熱して成膜すると、Ｃｏの酸化あるいは窒化
や、合金相と非磁性相の混合などの問題を生じることか
ら、非加熱で成膜することが必要である。しかし、垂直
磁気記録媒体では、軟磁性裏打ち層をピンするための反
強磁性膜を成膜する時に加熱をする必要があり、そのた
め磁気記録層を成膜する際には基板は加熱された状態に
なってしまう。また軟磁性裏打ち層成膜後に飽和磁化の
増加と低ノイズ化を目的としてＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔ
ｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇ）を行なう場合もある
が、この時も同様に磁気記録層成膜前の基板は加熱され
た状態になる。グラニュラー磁性層成膜の際には基板温
度は室温程度である必要があるので、これらのプロセス
後には基板を冷却する必要があるが、基板を短時間で室
温付近まで冷却することは事実上不可能であるので、実
際は磁気記録層よりも下層にある、反強磁性層ピン層、
軟磁性裏打ち層、シード層、下地層等を全て非加熱で成
膜する必要がある。しかし、これらを非加熱で成膜した
場合、軟磁性裏打ち層起因ノイズの増加や下地層の配向
悪化などが起こり、媒体として十分な特性が得られない
というのが現状であり、加熱可能なグラニュラー材料が
望まれていた。
【０００７】また、酸化物や窒化物などの材料は導電率
が低く、ＣｏＰｔやＣｏＣｒＰｔなどの合金材料と混合
しても高い導電率は得られない。そのため、グラニュラ
ー膜をスパッタリングにより成膜する場合にはＲＦスパ
ッタリングを用いる必要がある。しかし、ＲＦスパッタ
リング法はＤＣスパッタリング法に比べて装置コスト、
ランニングコスト共に高く、大量生産を考慮するとＤＣ
スパッタリングにより成膜することが望ましい。
が低く、ＣｏＰｔやＣｏＣｒＰｔなどの合金材料と混合
しても高い導電率は得られない。そのため、グラニュラ
ー膜をスパッタリングにより成膜する場合にはＲＦスパ
ッタリングを用いる必要がある。しかし、ＲＦスパッタ
リング法はＤＣスパッタリング法に比べて装置コスト、
ランニングコスト共に高く、大量生産を考慮するとＤＣ
スパッタリングにより成膜することが望ましい。
【０００８】加熱可能で、かつＤＣスパッタリングによ
り成膜可能なグラニュラー磁性膜としては、ＣｏＣ（第
２１回応用磁気学会学術講演概要集，２３（１９９
７））やＣｏＰｔＣ（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａ
ｇ．，３４，１６２７（１９９８））が提案されている
が、ＨｃがＣｏＣでは８０［ｋＡ／ｍ］以下、ＣｏＰｔ
Ｃでも１６０［ｋＡ／ｍ］程度であり、十分な磁気特性
は得られていない。
り成膜可能なグラニュラー磁性膜としては、ＣｏＣ（第
２１回応用磁気学会学術講演概要集，２３（１９９
７））やＣｏＰｔＣ（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａ
ｇ．，３４，１６２７（１９９８））が提案されている
が、ＨｃがＣｏＣでは８０［ｋＡ／ｍ］以下、ＣｏＰｔ
Ｃでも１６０［ｋＡ／ｍ］程度であり、十分な磁気特性
は得られていない。
【０００９】そこで本発明の目的は、以上のような問題
を解消した垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記
録媒体を提供することにある。
を解消した垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記
録媒体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】グラニュラー磁性膜にお
いて、加熱成膜して十分な磁気特性を得るためには、加
熱下において非磁性添加物がＣｏと固溶したり化合物を
形成したりせず、非晶質の状態で結晶粒界に析出するこ
とが必要である。また大量生産を考えた場合、装置の安
定性やコストの観点から、ＤＣスパッタリング法により
成膜可能であることが望ましいが、このようなグラニュ
ラー磁性層材料を得るためには、非磁性添加物の導電率
が高いことが必要である。
いて、加熱成膜して十分な磁気特性を得るためには、加
熱下において非磁性添加物がＣｏと固溶したり化合物を
形成したりせず、非晶質の状態で結晶粒界に析出するこ
とが必要である。また大量生産を考えた場合、装置の安
定性やコストの観点から、ＤＣスパッタリング法により
成膜可能であることが望ましいが、このようなグラニュ
ラー磁性層材料を得るためには、非磁性添加物の導電率
が高いことが必要である。
【００１１】上記条件を満たした上で、従来の問題を解
決すべく、本発明者らは検討を繰り返し、ＴａＢあるい
はＣｒＣを非磁性材料とするグラニュラー膜を磁気記録
層に用いることで、ＤＣスパッタリングによる成膜が可
能で、加熱下で高い磁気特性が得られることを見出し
た。また、これらのグラニュラー膜を用いた場合には、
従来のＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＴａ等の合金系の磁気記
録層と比較して低ノイズであることも見出した。
決すべく、本発明者らは検討を繰り返し、ＴａＢあるい
はＣｒＣを非磁性材料とするグラニュラー膜を磁気記録
層に用いることで、ＤＣスパッタリングによる成膜が可
能で、加熱下で高い磁気特性が得られることを見出し
た。また、これらのグラニュラー膜を用いた場合には、
従来のＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＴａ等の合金系の磁気記
録層と比較して低ノイズであることも見出した。
【００１２】本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基体
上に下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層
を順次有する単層磁気記録媒体、あるいは非磁性基体上
に軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護
膜、液体潤滑層を順次有する二層磁気記録媒体におい
て、磁気記録層中にＴａＢあるいはＣｒＣの何れかから
選択される材料を含み、磁気記録層の微細構造が、Ｔａ
ＢあるいはＣｒＣが結晶粒界に析出したグラニュラー構
造となることを特徴とする。
上に下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層
を順次有する単層磁気記録媒体、あるいは非磁性基体上
に軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護
膜、液体潤滑層を順次有する二層磁気記録媒体におい
て、磁気記録層中にＴａＢあるいはＣｒＣの何れかから
選択される材料を含み、磁気記録層の微細構造が、Ｔａ
ＢあるいはＣｒＣが結晶粒界に析出したグラニュラー構
造となることを特徴とする。
【００１３】すなわち、請求項１の発明は、非磁性基体
上に、軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、
保護膜、液体潤滑層を順次積層して垂直記録媒体を製造
する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁気記
録層の成膜において、ＴａＢを磁性材料に加えたグラニ
ュラー材料を原材料として使用することを特徴とする。
上に、軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、
保護膜、液体潤滑層を順次積層して垂直記録媒体を製造
する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記磁気記
録層の成膜において、ＴａＢを磁性材料に加えたグラニ
ュラー材料を原材料として使用することを特徴とする。
【００１４】請求項２の発明は、請求項１の製造方法に
よって製造された垂直磁気記録媒体であって、成膜され
た磁気記録層の微細構造が、Ｔａ、Ｂ、およびＴａＢが
結晶粒界に偏析したグラニュラー構造であることを特徴
とする。
よって製造された垂直磁気記録媒体であって、成膜され
た磁気記録層の微細構造が、Ｔａ、Ｂ、およびＴａＢが
結晶粒界に偏析したグラニュラー構造であることを特徴
とする。
【００１５】請求項３の発明は、非磁性基体上に、軟磁
性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液
体潤滑層を順次積層して垂直記録媒体を製造する垂直磁
気記録媒体の製造方法であって、前記磁気記録層の成膜
において、ＣｒＣを磁性材料に加えたグラニュラー材料
を原材料として使用することを特徴とする。
性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液
体潤滑層を順次積層して垂直記録媒体を製造する垂直磁
気記録媒体の製造方法であって、前記磁気記録層の成膜
において、ＣｒＣを磁性材料に加えたグラニュラー材料
を原材料として使用することを特徴とする。
【００１６】請求項４の発明は、非磁性基体上に、軟磁
性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液
体潤滑層を順次積層して垂直記録媒体を製造する垂直磁
気記録媒体の製造方法であって、前記磁気記録層の成膜
において、Ｃｒを含む磁性材料にＣを加えたグラニュラ
ー材料を原材料として使用することを特徴とする。
性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液
体潤滑層を順次積層して垂直記録媒体を製造する垂直磁
気記録媒体の製造方法であって、前記磁気記録層の成膜
において、Ｃｒを含む磁性材料にＣを加えたグラニュラ
ー材料を原材料として使用することを特徴とする。
【００１７】請求項５の発明は、請求項３または４の製
造方法によって製造された垂直磁気記録媒体であって、
成膜された磁気記録層の微細構造が、Ｃｒ、Ｃ、および
ＣｒＣが結晶粒界に偏析したグラニュラー構造であるこ
とを特徴とする。
造方法によって製造された垂直磁気記録媒体であって、
成膜された磁気記録層の微細構造が、Ｃｒ、Ｃ、および
ＣｒＣが結晶粒界に偏析したグラニュラー構造であるこ
とを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい形態につ
いて説明する。図１は本発明に係る垂直媒体の断面模式
図である。本発明に係る垂直磁気記録媒体は、非磁性基
体１と、非磁性基体１の上に順次設けられる軟磁性裏打
ち層２、下地層３、非磁性中間層４、磁気記録層５、保
護膜６、及び液体潤滑材層７とを有する。
いて説明する。図１は本発明に係る垂直媒体の断面模式
図である。本発明に係る垂直磁気記録媒体は、非磁性基
体１と、非磁性基体１の上に順次設けられる軟磁性裏打
ち層２、下地層３、非磁性中間層４、磁気記録層５、保
護膜６、及び液体潤滑材層７とを有する。
【００１９】非磁性基体１としては表面が平滑である様
々な基体であってよく、例えば、磁気記録媒体用に用い
られる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、
結晶化ガラス等を用いることができる。軟磁性裏打ち層
２としては、結晶のＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉ
Ａｌ）合金等、また非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮ
ｂ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることができる。軟磁性裏
打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や
特性によって最適値が変化するが、おおむね１０ｎｍ以
上５００ｎｍ以下程度であることが、生産性との兼ね合
いから望ましい。
々な基体であってよく、例えば、磁気記録媒体用に用い
られる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、
結晶化ガラス等を用いることができる。軟磁性裏打ち層
２としては、結晶のＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉ
Ａｌ）合金等、また非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮ
ｂ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることができる。軟磁性裏
打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や
特性によって最適値が変化するが、おおむね１０ｎｍ以
上５００ｎｍ以下程度であることが、生産性との兼ね合
いから望ましい。
【００２０】下地層３は磁気記録層５のｃ軸を膜面に垂
直に配向させる効果を持つ材料が用いられ、軟磁性を有
するパーマロイ系材料である、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣ
ｒ，ＮｉＦｅＭｏ，ＮｉＦｅＮｂ，ＮｉＦｅＮｂＭｏ，
非磁性ＮｉＦｅＣｒ，Ｔｉ，ＴｉＣｒ，Ｐｄなどを用い
ることができる。
直に配向させる効果を持つ材料が用いられ、軟磁性を有
するパーマロイ系材料である、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣ
ｒ，ＮｉＦｅＭｏ，ＮｉＦｅＮｂ，ＮｉＦｅＮｂＭｏ，
非磁性ＮｉＦｅＣｒ，Ｔｉ，ＴｉＣｒ，Ｐｄなどを用い
ることができる。
【００２１】非磁性中間層４は非磁性かつ磁気記録層の
ｃ軸を膜面に垂直に配向させる効果を持ち、また磁気記
録層の初期層を低減する効果を同時に有する材料が用い
られ、例えばＲｕ、あるいはＲｕＣ，ＲｕＷ等のＲｕ基
合金、ＣｏＣｒ，Ｐｔなどを用いることができる。な
お、下地層３が非磁性であり、かつ非磁性中間層４の機
能を兼ねる場合は、非磁性中間層４を形成する必要は無
い。
ｃ軸を膜面に垂直に配向させる効果を持ち、また磁気記
録層の初期層を低減する効果を同時に有する材料が用い
られ、例えばＲｕ、あるいはＲｕＣ，ＲｕＷ等のＲｕ基
合金、ＣｏＣｒ，Ｐｔなどを用いることができる。な
お、下地層３が非磁性であり、かつ非磁性中間層４の機
能を兼ねる場合は、非磁性中間層４を形成する必要は無
い。
【００２２】磁気記録層５には、磁性材料中にＴａＢあ
るいはＣｒＣから選択される材料を添加したグラニュラ
ー材料が用いられる。この時磁性材料としては、Ｃｏ，
ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＦｅＰｔ，ＳｍＣｏ等を用い
ることができるが、これらに限定されるものではない。
るいはＣｒＣから選択される材料を添加したグラニュラ
ー材料が用いられる。この時磁性材料としては、Ｃｏ，
ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＦｅＰｔ，ＳｍＣｏ等を用い
ることができるが、これらに限定されるものではない。
【００２３】軟磁性裏打ち層２と非磁性基体１の間に
は、軟磁性裏打ち層２の磁化を半径方向外向きにピンし
てノイズを減らすことを目的として、下地層および反強
磁性ピン層を用いることができる。この下地層には、Ｎ
ｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｒ，ＮｉＦｅＢ等のパーマロイ系材
料を用いることができ、反強磁性ピン層としては、Ｐｔ
Ｍｎ，ＮｉＭｎ等の規則合金材料、ＦｅＭｎ，ＩｒＭｎ
等の不規則合金材料、またＮｉＯ等の酸化物材料などを
用いることができる。反強磁性ピン層の膜厚は、使用す
る材料や軟磁性層との組合せにより変化するが、おおむ
ね１ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度であることが、生産性
との兼ね合いから望ましい。
は、軟磁性裏打ち層２の磁化を半径方向外向きにピンし
てノイズを減らすことを目的として、下地層および反強
磁性ピン層を用いることができる。この下地層には、Ｎ
ｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｒ，ＮｉＦｅＢ等のパーマロイ系材
料を用いることができ、反強磁性ピン層としては、Ｐｔ
Ｍｎ，ＮｉＭｎ等の規則合金材料、ＦｅＭｎ，ＩｒＭｎ
等の不規則合金材料、またＮｉＯ等の酸化物材料などを
用いることができる。反強磁性ピン層の膜厚は、使用す
る材料や軟磁性層との組合せにより変化するが、おおむ
ね１ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度であることが、生産性
との兼ね合いから望ましい。
【００２４】保護膜６は、例えばカーボンを主体とする
薄膜が用いられる。その他、磁気記録媒体の保護膜とし
て一般的に用いられる様々な薄膜材料を使用しても良
い。
薄膜が用いられる。その他、磁気記録媒体の保護膜とし
て一般的に用いられる様々な薄膜材料を使用しても良
い。
【００２５】液体潤滑材層７は、例えばパープルオロポ
リエーテル系の潤滑剤をもちいることができる。その
他、磁気記録媒体の液体潤滑層材料として一般的に用い
られる様々な潤滑材料を使用しても良い。
リエーテル系の潤滑剤をもちいることができる。その
他、磁気記録媒体の液体潤滑層材料として一般的に用い
られる様々な潤滑材料を使用しても良い。
【００２６】非磁性基体の上に積層される各層は、磁気
記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によっ
て形成することが可能である。液体潤滑層を除く各層の
形成には、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法、
ＲＦマグネトロンスパッタリング法、真空蒸着法を用い
ることが出来る。また、液体潤滑層の形成には、例えば
ディップ法、スピンコート法を用いることができる。し
かし、これらに限定されるものではない。
記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によっ
て形成することが可能である。液体潤滑層を除く各層の
形成には、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法、
ＲＦマグネトロンスパッタリング法、真空蒸着法を用い
ることが出来る。また、液体潤滑層の形成には、例えば
ディップ法、スピンコート法を用いることができる。し
かし、これらに限定されるものではない。
【００２７】（実施例）以下に本発明の垂直磁気記録媒
体について実施例により詳細に説明するが、本発明はそ
れらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは言うまでも
ない。
体について実施例により詳細に説明するが、本発明はそ
れらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは言うまでも
ない。
【００２８】（実施例１）本実施例では、非磁性基体上
に軟磁性ＣｏＺｒＮｂ裏打ち層、軟磁性ＮｉＦｅＮｂ下
地層、Ｒｕ基合金であるＲｕＷ中間層、ＣｏＣｒＰｔ−
ＴａＢグラニュラー磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を
順次設けた垂直磁気記録媒体を作成した。
に軟磁性ＣｏＺｒＮｂ裏打ち層、軟磁性ＮｉＦｅＮｂ下
地層、Ｒｕ基合金であるＲｕＷ中間層、ＣｏＣｒＰｔ−
ＴａＢグラニュラー磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を
順次設けた垂直磁気記録媒体を作成した。
【００２９】非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガ
ラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を
用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８Ｚ
ｒ５Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性
裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。次に下地層として、パ
ーマロイ系の軟磁性材料であるＮｉ１２Ｆｅ９Ｎｂター
ゲットを用いてＮｉＦｅＮｂ下地層を５ｎｍ成膜した。
引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が３２０
℃になるように加熱を行なった後、ＲｕにＷを２０ａｔ
％固溶させた合金であるＲｕ２０Ｗターゲットを用い
て、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕＷ中間層を５ｎｍ成
膜した。次に、Ｃｏ８Ｃｒ１５Ｐｔ合金中にＴａとＢの
化合物であるＴａＢ２を１５ａｔ％混合した、８５（Ｃ
ｏ８Ｃｒ１５Ｐｔ）−１５ＴａＢ２ターゲットを用い
て、ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＢ磁気記録層を２０ｎｍ成膜し
た。最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからな
る保護膜１０ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。
ヒータ加熱およびＲｕＷ中間層の成膜を除くこれらの成
膜はすべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、ヒータ加
熱を除く全ての成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング
法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテル
からなる液体潤滑材層２ｎｍをディップ法により形成
し、垂直磁気記録媒体とした。
ラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を
用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８Ｚ
ｒ５Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性
裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。次に下地層として、パ
ーマロイ系の軟磁性材料であるＮｉ１２Ｆｅ９Ｎｂター
ゲットを用いてＮｉＦｅＮｂ下地層を５ｎｍ成膜した。
引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が３２０
℃になるように加熱を行なった後、ＲｕにＷを２０ａｔ
％固溶させた合金であるＲｕ２０Ｗターゲットを用い
て、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕＷ中間層を５ｎｍ成
膜した。次に、Ｃｏ８Ｃｒ１５Ｐｔ合金中にＴａとＢの
化合物であるＴａＢ２を１５ａｔ％混合した、８５（Ｃ
ｏ８Ｃｒ１５Ｐｔ）−１５ＴａＢ２ターゲットを用い
て、ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＢ磁気記録層を２０ｎｍ成膜し
た。最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからな
る保護膜１０ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。
ヒータ加熱およびＲｕＷ中間層の成膜を除くこれらの成
膜はすべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、ヒータ加
熱を除く全ての成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング
法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテル
からなる液体潤滑材層２ｎｍをディップ法により形成
し、垂直磁気記録媒体とした。
【００３０】また、一軸異方性定数Ｋｕ測定用のサンプ
ルとして、軟磁性裏打ち層を除き、下地層材料をパーマ
ロイ系の非磁性材料であるＮｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒとした
こと以外は上記と全く同様にして垂直単層媒体を作製し
た。
ルとして、軟磁性裏打ち層を除き、下地層材料をパーマ
ロイ系の非磁性材料であるＮｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒとした
こと以外は上記と全く同様にして垂直単層媒体を作製し
た。
【００３１】（実施例２）本実施例では、磁気記録層に
グラニュラーＣｏＣＰｔ−ＣｒＣを使用することを除
き、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作製し
た。
グラニュラーＣｏＣＰｔ−ＣｒＣを使用することを除
き、実施例１と同様にして垂直磁気記録媒体を作製し
た。
【００３２】非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガ
ラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を
用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８Ｚ
ｒ５Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性
裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。次に下地層として、パ
ーマロイ系の軟磁性材料であるＮｉ１２Ｆｅ９Ｎｂター
ゲットを用いてＮｉＦｅＮｂ下地層を５ｎｍ成膜した。
引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が３５０
℃になるように加熱を行なった後、ＲｕにＷを２０ａｔ
％固溶させた合金であるＲｕ２０Ｗターゲットを用い
て、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕＷ中間層を５ｎｍ成
膜した。次に、Ｃｏ１５Ｐｔ合金中にＣｒとＣの化合物
であるＣｒ３Ｃ２を２５ａｔ％混合した、７５（Ｃｏ１
５Ｐｔ）−２５Ｃｒ３Ｃ２ターゲットを用いて、ＣｏＰ
ｔ−ＣｒＣ磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。最後にカー
ボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜１０ｎ
ｍを成膜後、真空装置から取り出した。ヒータ加熱およ
びＲｕＷ中間層の成膜を除くこれらの成膜はすべてＡｒ
ガス圧０．６７Ｐａ下で行い、ヒータ加熱を除く全ての
成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なっ
た。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤
滑材層２ｎｍをディップ法により形成し、垂直磁気記録
媒体とした。
ラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を
用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８Ｚ
ｒ５Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性
裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。次に下地層として、パ
ーマロイ系の軟磁性材料であるＮｉ１２Ｆｅ９Ｎｂター
ゲットを用いてＮｉＦｅＮｂ下地層を５ｎｍ成膜した。
引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が３５０
℃になるように加熱を行なった後、ＲｕにＷを２０ａｔ
％固溶させた合金であるＲｕ２０Ｗターゲットを用い
て、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕＷ中間層を５ｎｍ成
膜した。次に、Ｃｏ１５Ｐｔ合金中にＣｒとＣの化合物
であるＣｒ３Ｃ２を２５ａｔ％混合した、７５（Ｃｏ１
５Ｐｔ）−２５Ｃｒ３Ｃ２ターゲットを用いて、ＣｏＰ
ｔ−ＣｒＣ磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。最後にカー
ボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜１０ｎ
ｍを成膜後、真空装置から取り出した。ヒータ加熱およ
びＲｕＷ中間層の成膜を除くこれらの成膜はすべてＡｒ
ガス圧０．６７Ｐａ下で行い、ヒータ加熱を除く全ての
成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なっ
た。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤
滑材層２ｎｍをディップ法により形成し、垂直磁気記録
媒体とした。
【００３３】また、実施例１と同様に、軟磁性裏打ち層
を除き、下地層材料をパーマロイ系の非磁性材料である
Ｎｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒとしたこと以外は上記と全く同様
にして垂直単層媒体を作製した。
を除き、下地層材料をパーマロイ系の非磁性材料である
Ｎｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒとしたこと以外は上記と全く同様
にして垂直単層媒体を作製した。
【００３４】（比較例１）磁気記録層にＣｏ２０Ｃｒ１
０Ｐｔを用いたこと以外は実施例１と全く同様にして垂
直磁気記録媒体およびＫｕ測定用の垂直単層媒体を作製
した。
０Ｐｔを用いたこと以外は実施例１と全く同様にして垂
直磁気記録媒体およびＫｕ測定用の垂直単層媒体を作製
した。
【００３５】完成した垂直磁気記録媒体の保磁力Ｈｃお
よび角型比Ｓを磁気カー効果磁力計で、配向分散（Δθ
５０）をＸ線回折装置を用いてロッキングカーブ法で、
一軸異方性定数Ｋｕを磁気トルクメータで、磁気記録層
の結晶粒径および粒界幅を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）
で各々評価した。なお、Ｈｃ、Ｓ、Δθ５０、ＴＥＭの
測定は、軟磁性裏打ち層を有する媒体を、Ｋｕの測定に
は垂直単層媒体を用いた。測定結果を表１に示す。
よび角型比Ｓを磁気カー効果磁力計で、配向分散（Δθ
５０）をＸ線回折装置を用いてロッキングカーブ法で、
一軸異方性定数Ｋｕを磁気トルクメータで、磁気記録層
の結晶粒径および粒界幅を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）
で各々評価した。なお、Ｈｃ、Ｓ、Δθ５０、ＴＥＭの
測定は、軟磁性裏打ち層を有する媒体を、Ｋｕの測定に
は垂直単層媒体を用いた。測定結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】表１に示すように、実施例１、実施例２、
比較例１におけるＨｃ，Ｓの差は僅かであり、「従来の
技術」に記載した参考文献の値と比較して、ＣｏＣｒＰ
ｔ−ＴａＢ（実施例１）、ＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例
２）ともに十分に高い磁気特性が得られている。また、
配向分散Δθ５０もグラニュラー磁性膜（実施例１，
２）と合金磁性膜（比較例１）に差は無い。Ｋｕはグラ
ニュラー磁性層の方が１０〜２５％高くなっており、熱
安定性の面では実施例のグラニュラー磁性膜の方が優れ
ていると考えられる。特徴的であるのは、結晶粒径と粒
界幅である。実施例１ではＴａＢ、実施例２ではＣｒＣ
を添加することにより、全く同じ下地層および中間層を
使用しているにもかかわらず、磁気記録層の結晶粒径が
約３／５に微細化されている。結晶粒径が小さいという
ことは、ヘッドにより記録した際にビットの遷移のギザ
ギザが低減されるということを意味し、媒体の低ノイズ
化のために重要な指標である。また、比較例１に示すよ
うに、ＣｏＣｒＰｔの粒界幅は１ｎｍであるのに対し、
ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＢ（実施例１）では１．８ｎｍ，Ｃ
ｏＰｍであるのに対し、ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＢ（実施例
１）では１．８ｎｍ、ＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例２）で
は２．２ｎｍになっており、約２倍に粒界幅が広がって
いる。粒界幅の広がりは結晶粒同士の磁気的相互作用の
低減に有効であり、磁気的相互作用が低減することが低
ノイズ化につながる。ＴＥＭのＸ線分光による元素分析
の結果、粒界からは、実施例１では、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔ
ａ，Ｂが検出され、実施例２ではＣｏ，ＣｒおよびＣが
検出された。また粒内からは、実施例１ではＣｏ，Ｃ
ｒ，Ｐｔが、また実施例２ではＣｏ，Ｐｔおよび少量の
Ｃｒ，Ｃが検出された。またＴＥＭの電子線回折像よ
り、何れの粒界もアモルファス状態になっていることが
わかった。この結果から、実施例１ではＴａＢが、また
実施例２ではＣｒＣがアモルファス状態で粒界に析出
し、意図通りのグラニュラー構造となっていることが確
認された。
比較例１におけるＨｃ，Ｓの差は僅かであり、「従来の
技術」に記載した参考文献の値と比較して、ＣｏＣｒＰ
ｔ−ＴａＢ（実施例１）、ＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例
２）ともに十分に高い磁気特性が得られている。また、
配向分散Δθ５０もグラニュラー磁性膜（実施例１，
２）と合金磁性膜（比較例１）に差は無い。Ｋｕはグラ
ニュラー磁性層の方が１０〜２５％高くなっており、熱
安定性の面では実施例のグラニュラー磁性膜の方が優れ
ていると考えられる。特徴的であるのは、結晶粒径と粒
界幅である。実施例１ではＴａＢ、実施例２ではＣｒＣ
を添加することにより、全く同じ下地層および中間層を
使用しているにもかかわらず、磁気記録層の結晶粒径が
約３／５に微細化されている。結晶粒径が小さいという
ことは、ヘッドにより記録した際にビットの遷移のギザ
ギザが低減されるということを意味し、媒体の低ノイズ
化のために重要な指標である。また、比較例１に示すよ
うに、ＣｏＣｒＰｔの粒界幅は１ｎｍであるのに対し、
ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＢ（実施例１）では１．８ｎｍ，Ｃ
ｏＰｍであるのに対し、ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＢ（実施例
１）では１．８ｎｍ、ＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例２）で
は２．２ｎｍになっており、約２倍に粒界幅が広がって
いる。粒界幅の広がりは結晶粒同士の磁気的相互作用の
低減に有効であり、磁気的相互作用が低減することが低
ノイズ化につながる。ＴＥＭのＸ線分光による元素分析
の結果、粒界からは、実施例１では、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔ
ａ，Ｂが検出され、実施例２ではＣｏ，ＣｒおよびＣが
検出された。また粒内からは、実施例１ではＣｏ，Ｃ
ｒ，Ｐｔが、また実施例２ではＣｏ，Ｐｔおよび少量の
Ｃｒ，Ｃが検出された。またＴＥＭの電子線回折像よ
り、何れの粒界もアモルファス状態になっていることが
わかった。この結果から、実施例１ではＴａＢが、また
実施例２ではＣｒＣがアモルファス状態で粒界に析出
し、意図通りのグラニュラー構造となっていることが確
認された。
【００３８】図２にスピンスタンドテスタを用いて実施
例１、実施例２、比較例１の媒体（軟磁性裏打ち層を有
する媒体）のノイズを測定した結果を示す。結晶粒径が
微細化されたことや、粒界幅が広がったことから予想さ
れるように、ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＢ（実施例１）および
ＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例２）はＣｏＣｒＰｔ（比較例
１）と比較してノイズ化を低くすることができた。
例１、実施例２、比較例１の媒体（軟磁性裏打ち層を有
する媒体）のノイズを測定した結果を示す。結晶粒径が
微細化されたことや、粒界幅が広がったことから予想さ
れるように、ＣｏＣｒＰｔ−ＴａＢ（実施例１）および
ＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例２）はＣｏＣｒＰｔ（比較例
１）と比較してノイズ化を低くすることができた。
【００３９】以上のように、磁気記録層をＣｏＣｒＰｔ
−ＴａＢあるいはＣｏＣｒＰｔ−ＣｒＣとすることで、
加熱下において磁気特性を劣化することなく成膜でき、
かつグラニュラー構造を形成することができた。また、
結晶粒径の低減および粒界幅の増大が達成され、これら
の効果から低ノイズ化が実現された。
−ＴａＢあるいはＣｏＣｒＰｔ−ＣｒＣとすることで、
加熱下において磁気特性を劣化することなく成膜でき、
かつグラニュラー構造を形成することができた。また、
結晶粒径の低減および粒界幅の増大が達成され、これら
の効果から低ノイズ化が実現された。
【００４０】（実施例３）本実施例では、非磁性基体の
上に軟磁性ＣｏＴａＺｒ裏打ち層、軟磁性ＮｉＦｅＮｂ
Ｍｏ下地層、Ｒｕ中間層、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃグラニュラ
ー磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を順次設けた垂直磁
気記録媒体を作製した。
上に軟磁性ＣｏＴａＺｒ裏打ち層、軟磁性ＮｉＦｅＮｂ
Ｍｏ下地層、Ｒｕ中間層、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃグラニュラ
ー磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を順次設けた垂直磁
気記録媒体を作製した。
【００４１】非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガ
ラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を
用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ３Ｔ
ａ５Ｚｒターゲットを用いてＣｏＴａＺｒ非晶質軟磁性
裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。次に下地層として、パ
ーマロイ系の軟磁性材料であるＮｉ１４Ｆｅ３Ｎｂ１Ｍ
ｏターゲットを用いてＮｉＦｅＮｂＭｏ下地層を５ｎｍ
成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温
度が３５０℃になるように加熱を行なった後、Ｒｕター
ゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕ中間層
を５ｎｍ成膜した。次に、Ｃｏ１７Ｃｒ１５Ｐｔ合金中
にＣを１０ａｔ％混合した、９０（Ｃｏ１７Ｃｒ１５Ｐ
ｔ）−１０Ｃターゲットを用いて、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ磁
気記録層を２０ｎｍ成膜した。最後にカーボンターゲッ
トを用いてカーボンからなる保護膜１０ｎｍを成膜後、
真空装置から取り出した。ヒータ加熱およびＲｕＷ中間
層の成膜を除くこれらの成膜はすべてＡｒガス圧０．６
７Ｐａ下で行い、ヒータ加熱を除く全ての成膜はＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により行なった。その後、
パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層２ｎｍ
をディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
ラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を
用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ３Ｔ
ａ５Ｚｒターゲットを用いてＣｏＴａＺｒ非晶質軟磁性
裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。次に下地層として、パ
ーマロイ系の軟磁性材料であるＮｉ１４Ｆｅ３Ｎｂ１Ｍ
ｏターゲットを用いてＮｉＦｅＮｂＭｏ下地層を５ｎｍ
成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温
度が３５０℃になるように加熱を行なった後、Ｒｕター
ゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕ中間層
を５ｎｍ成膜した。次に、Ｃｏ１７Ｃｒ１５Ｐｔ合金中
にＣを１０ａｔ％混合した、９０（Ｃｏ１７Ｃｒ１５Ｐ
ｔ）−１０Ｃターゲットを用いて、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃ磁
気記録層を２０ｎｍ成膜した。最後にカーボンターゲッ
トを用いてカーボンからなる保護膜１０ｎｍを成膜後、
真空装置から取り出した。ヒータ加熱およびＲｕＷ中間
層の成膜を除くこれらの成膜はすべてＡｒガス圧０．６
７Ｐａ下で行い、ヒータ加熱を除く全ての成膜はＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により行なった。その後、
パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層２ｎｍ
をディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００４２】また、Ｋｕ測定用サンプルとして、実施例
１，２と同様に、軟磁性裏打ち層を除き、下地層をＮｉ
１５Ｆｅ２５Ｃｒとしたこと以外は上記と全く同様にし
て垂直単層媒体を作製した。
１，２と同様に、軟磁性裏打ち層を除き、下地層をＮｉ
１５Ｆｅ２５Ｃｒとしたこと以外は上記と全く同様にし
て垂直単層媒体を作製した。
【００４３】完成した垂直磁気記録媒体の保磁力Ｈｃお
よび角型比Ｓを磁気カー効果磁力計で、配向分散（Δθ
５０）をＸ線回折装置を用いてロッキングカーブ法で、
一軸異方性定数Ｋｕを磁気トルクメータで、磁気記録層
の結晶粒径および粒界幅を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）
で各々評価した。
よび角型比Ｓを磁気カー効果磁力計で、配向分散（Δθ
５０）をＸ線回折装置を用いてロッキングカーブ法で、
一軸異方性定数Ｋｕを磁気トルクメータで、磁気記録層
の結晶粒径および粒界幅を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）
で各々評価した。
【００４４】なお、Ｈｃ、Ｓ、Δθ５０、ＴＥＭの測定
は、軟磁性裏打ち層を有する媒体を、Ｋｕの測定には垂
直単層媒体を用いた。測定結果を、実施例２と比較して
表２に示す。
は、軟磁性裏打ち層を有する媒体を、Ｋｕの測定には垂
直単層媒体を用いた。測定結果を、実施例２と比較して
表２に示す。
【００４５】
【表２】
【００４６】表２から明らかなように、ＣｏＰｔにＣｒ
Ｃを添加したＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例２）とＣｏＣｒ
ＰｔにＣを添加したＣｏＣｒＰｔ−Ｃ（実施例３）では
磁気特性、配向、一軸異方性、結晶粒径ともにほぼ同じ
値が得られている。これは、偏析状態などの微細構造が
ほぼ同じになっていることを意味している。実際、ＴＥ
Ｍによる粒界の元素分析からは、Ｃｏ，Ｃｒに加えＣが
検出され、偏析構造もＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例２）と
同等になっていることが分かった。
Ｃを添加したＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例２）とＣｏＣｒ
ＰｔにＣを添加したＣｏＣｒＰｔ−Ｃ（実施例３）では
磁気特性、配向、一軸異方性、結晶粒径ともにほぼ同じ
値が得られている。これは、偏析状態などの微細構造が
ほぼ同じになっていることを意味している。実際、ＴＥ
Ｍによる粒界の元素分析からは、Ｃｏ，Ｃｒに加えＣが
検出され、偏析構造もＣｏＰｔ−ＣｒＣ（実施例２）と
同等になっていることが分かった。
【００４７】以上の結果から、ＣｏＣｒＰｔにＣを添加
したＣｏＣｒＰｔ−Ｃにおいても加熱下において磁気特
性を劣化することなく成膜でき、かつＣｏＰｔ−ＣｒＣ
と同等のグラニュラー構造を形成することができた。
したＣｏＣｒＰｔ−Ｃにおいても加熱下において磁気特
性を劣化することなく成膜でき、かつＣｏＰｔ−ＣｒＣ
と同等のグラニュラー構造を形成することができた。
【００４８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、Ｔａ
ＢあるいはＣｒＣを非磁性添加物として磁性材料に加え
た材料を用いてグラニュラー磁気記録層を形成すること
で、加熱下で十分な磁気特性を得ることが可能になる。
これによって、磁気記録層成膜前に、加熱を伴う反強磁
性ピン層の成膜や、軟磁性裏打ち層の飽和磁化向上およ
び低ノイズ化を目的としたＲＴＡを行った場合でも、磁
気記録層の特性が損なわれることがなくなる。また、本
発明のグラニュラー磁気記録層を用いることにより、従
来のＣｏＣｒＰｔなどの合金材料に比べてノイズを低減
することが可能になり、媒体の特性向上に繋がる。更
に、本発明のグラニュラー磁気記録層はＤＣスパッタリ
ングにより成膜可能なことから、ＲＦスパッタリングで
なければ成膜できなかったＣｏＰｔ−Ｓｉ０２など従来
のグラニュラー材料を使用する場合と比べて安価に製造
できることから、媒体のコストダウンにも繋がる。
ＢあるいはＣｒＣを非磁性添加物として磁性材料に加え
た材料を用いてグラニュラー磁気記録層を形成すること
で、加熱下で十分な磁気特性を得ることが可能になる。
これによって、磁気記録層成膜前に、加熱を伴う反強磁
性ピン層の成膜や、軟磁性裏打ち層の飽和磁化向上およ
び低ノイズ化を目的としたＲＴＡを行った場合でも、磁
気記録層の特性が損なわれることがなくなる。また、本
発明のグラニュラー磁気記録層を用いることにより、従
来のＣｏＣｒＰｔなどの合金材料に比べてノイズを低減
することが可能になり、媒体の特性向上に繋がる。更
に、本発明のグラニュラー磁気記録層はＤＣスパッタリ
ングにより成膜可能なことから、ＲＦスパッタリングで
なければ成膜できなかったＣｏＰｔ−Ｓｉ０２など従来
のグラニュラー材料を使用する場合と比べて安価に製造
できることから、媒体のコストダウンにも繋がる。
【図１】本発明に係る垂直二層媒体の断面模式図であ
る。
る。
【図２】実施例１、実施例２、比較例１に係る規格化ノ
イズの線記録密度依存性を表す図である。
イズの線記録密度依存性を表す図である。
１ 非磁性基体
２ 軟磁性裏打ち層
３ 軟磁性下地層
４ 非磁性中間層
５ 磁気記録層
６ 保護膜
７ 液体潤滑材層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB06 BB07 DA03 DA08
EA03 FA09
5D112 AA05 AA24 BB01 BB06 FA04
FB02 FB26
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基体上に、軟磁性裏打ち層、下地
層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を順次積
層して垂直記録媒体を製造する垂直磁気記録媒体の製造
方法であって、前記磁気記録層の成膜において、ＴａＢ
を磁性材料に加えたグラニュラー材料を原材料として使
用することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１の製造方法によって製造された
垂直磁気記録媒体であって、成膜された磁気記録層の微
細構造が、Ｔａ、Ｂ、およびＴａＢが結晶粒界に偏析し
たグラニュラー構造であることを特徴とする垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基体上に、軟磁性裏打ち層、下地
層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を順次積
層して垂直記録媒体を製造する垂直磁気記録媒体の製造
方法であって、前記磁気記録層の成膜において、ＣｒＣ
を磁性材料に加えたグラニュラー材料を原材料として使
用することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 非磁性基体上に、軟磁性裏打ち層、下地
層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を順次積
層して垂直記録媒体を製造する垂直磁気記録媒体の製造
方法であって、前記磁気記録層の成膜において、Ｃｒを
含む磁性材料にＣを加えたグラニュラー材料を原材料と
して使用することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項５】 請求項３または４の製造方法によって製
造された垂直磁気記録媒体であって、成膜された磁気記
録層の微細構造が、Ｃｒ、Ｃ、およびＣｒＣが結晶粒界
に偏析したグラニュラー構造であることを特徴とする垂
直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002153060A JP2003346333A (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002153060A JP2003346333A (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003346333A true JP2003346333A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29770226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002153060A Pending JP2003346333A (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003346333A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007234130A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Hitachi Ltd | パターンドメディア及びその製造方法 |
| JP2010135610A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Tohoku Univ | 磁性薄膜及びその製造方法、並びにこのような磁性薄膜を用いた各種応用デバイス |
| WO2012026405A1 (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録媒体用軟磁性合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 |
-
2002
- 2002-05-27 JP JP2002153060A patent/JP2003346333A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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