JPH0557742B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は静止画撮像に適した撮像素子に関す
る。

（従来技術） 従来フレーム転送型のCCD（Charge Coupled
Device）では撮像部の縦方向のセル数はNTSC
方式の場合、走査線本数525本の約半分の245セル
からなり、またそれぞれの各セルは感光と転送の
機能をもたせている関係上、一度に蓄積できる絵
素数は245、すなわち１フイールド分であり、こ
の１フイールド分の信号電荷を読み出したあと各
セルの有効な感光領域を移動して撮像し、この１
フイールド分を次に読み出すという、インターレ
ース動作をさせて、１フレーム分の画像を得てい
た。

このような方式で静止画を撮影しようとした場
合に、被写体の動きが速い場合においては第１フ
イールドと第２フイールドとの間で画像外が異な
つてしまうという問題があつた。そこで、従来か
ら、一回の露光によつて２フイールド分の信号電
荷を発生させ、各フイールド信号を順次出力させ
るものが提案されていた。

しかしながら、従来のものにおいては、各フイ
ールド信号を取り出すための出力部が夫々設けら
れていたため、各出力部の特性の相違によつて各
フイールド信号のレベルがばらつくおそれがあつ
た。

（目的） 本発明は、上述のような事情に鑑みて成された
ものであり、上述のような信号間のばらつきの発
生を防止することができるようにした撮像素子を
提供することを目的とする。

（実施例） 以下、本発明を図面を用いて実施例と共に説明
する。第１図は、本発明の第１の実施例のフレー
ム転送型CCDの構成を示す図である。図中の１
０１はフレーム転送型CCDの撮像部である。こ
の撮像部の垂直方向のセル数は例えば、NTSC方
式の場合走査線本数とほぼ等しい490本程度に設
定される。すなわち、従来のフレーム転送型
CCDの約倍のセル数を有している。撮像部１０
１の水平方向のセル数は、通常、390あるいは570
程度と、カラーサブ・キヤリア周波数に対応した
数であれば良い。

第１図の撮像部１０１では、垂直方向にその内
の９素子、水平方向に４素子だけを配列した例を
示している。第１図中１２１はこの撮像部に蓄
積、転送をさせるための制御電圧パルスφ₁₁を供
給する電極である。

第１図中１０３は記憶部であり、垂直方向のセ
ル数は撮像部の約1/2の245、水平方向には撮像部
１０１と等しいセル数が配列されている。

１２４は電荷信号を垂直方向に転送するための
電圧を印加する電極である。

１０５は本発明に係る第２の読み出し経路とし
ての水平転送レジスタであり、撮像部、記憶部の
水平方向セル数とほぼ等しいセル数よりなる一列
の電荷転送部より構成されている。

１２６はこの水平転送レジスタ１０５の電荷を
転送するためのパルス電圧φ₁₄を印加する電極で
ある。

１０７は水平転送レジスタ１０５より転送され
た電荷を電流又は電圧出力に変換する出力手段と
してのアンプである。

又、撮像部１０１と記憶部１０３の中間に、第
２の転送レジスタ１０８を有している。又、この
レジスタ１０８と前記アンプ１０７の入力との間
に、第３の電荷転送レジスタ１０８′を有してい
る。

このレジスタ１０８及び１０８′により本発明
に係る第１の読み出し経路が形成されている。レ
ジスタ１０８は前記水平転送レジスタ１０５と同
じセル数から成つている。

尚、レジスタ１０８′のセル数は撮像部１０１
の水平方向セル数の整数倍である事が望ましく、
中でも特に撮像部１０１の水平方向セル数と同じ
場合が構造を簡単にするうえで望ましい。

１２３，１２７は夫々レジスタ１０８，１０
８′内の電荷を転送する為の電圧を印加する電極
である。

電荷の転送方法には従来より単相駆動、２相駆
動、３相駆動、４相駆動方法等いくつかの方法が
あり、本発明はそのいずれをも適用できるもので
あるが、以下に説明を簡単化するため単相駆動方
法を例にとり、第１図示の構成について第２図を
用いて説明する。

なお、ここで参考とする単相駆動方法は、例え
ば、特開昭55−11394号公報に記載されているの
でくわしい動作については省略する。

第２図においてCSは水平方向のセル間の電荷
もれを防止するためのチヤネルストツプを示す。

１２１は前述の撮像部のポリ・シリコン電極を
示し、この電極が取りつけられた領域はシリコン
中のポテンシヤル状態の異なる領域CBと領域
CWから成つている。１２２は、シリコン中に仮
想電極が形成されている領域であり、シリコン中
のポテンシヤル状態の異なる領域VBおよび領域
VWから成つている。

又、垂直方向はこの領域CB，CW，VB，VW
から、１セルが構成されている。

１０５，１０８，１０８′は夫々第１〜第３の
転送レジスタ領域を示す。この領域には夫々ポリ
シリコン電極１２６，１２３，１２７が斜線をほ
どこした様にくし歯形に形成されており、このポ
リシリコン電極下にも、やはりポテンシヤル状態
の異なるCB，CW領域が設けられている。これ
らのレジスター中のVB，VW領域は撮像部の仮
想電極部１２２とそれぞれ同じポテンシヤルレベ
ルに設定されている。尚メモリ部の１２４，１２
５は、それぞれ撮像部の１２１，１２２と同様に
構成されている。但し１２４，１２５に於ける電
荷蓄積容量は１２１，１２２に比べて約２倍とな
る様構成されている。尚、ADはアンチブレーミ
ングドレイン、OFDはオーバーフロードレイン、
CGはレジスタ１０５内の電荷をドレインOFDに
落とす為のゲートである。

第３図は、第２図に示した構成のCCDの内部
のポテンシヤル状態を示した図である。

第３図中第１，第２図と同じ符番のものは同じ
要素を示す。撮像部のポリシリコン電極１２１は
全て共通に接続され、電荷転送のための電圧が印
加される様になつている。又、領域CBは領域
CWよりポテンシヤル状態が高くなつている。図
における点線はポリシリコン電極１２１が、負電
位の大きい状態であり、実線はポリシリコン電極
１２１の電位が０近傍（わずかに負又は正）の状
態のポテンシヤルをそれぞれ示す。

又、第２図の仮想電極部１２２のポテンシヤル
は、第３図に示すごとく領域VBの方が領域VW
よりわずかにポテンシヤルが高くなつている。ま
たこの部分のポテンシヤルは電極１２１にかける
電圧には依存せず、常に一定に保たれている。し
かたがつて、ポリシリコン電極１２１に、一定の
電圧を印加すれば電荷が蓄積され、パルス状の電
圧を印加すれば電荷は転送される。

第３図中１２３は第２の転送レジスター１０８
のポリシリコン電極を示している。この電極は他
の電極とは切り離され、独立した電圧が印加され
る様になつている。又、この転送レジスタ部の内
部ポテンシヤルはそれぞれ第３図のポリシリコン
電極１２３の下の図の様になつている。

第３図１２４は記憶部のポリシリコン電極を示
している。この記憶部の内部ポテンシヤルは撮像
部と同様である。１２６は第１の水平転送レジス
タ１０５の電極を示す。構造は第２の転送レジス
タとほぼ同様であるが、ゲートCGを介してオー
バー・フロー・ドレインに隣接している。

尚、レジスター１０８′の内部ポテンシヤルも
転送レジスタ１０８と同様の構成になつている。
１３４はチヤネル・ストツプ部のポテンシヤル状
態を示している。以下に各転送レジスタ部におけ
る電荷の動きについて説明する。撮像部の領域
CWに蓄積された電荷は、ポリシリコン電極１２
１に大きな負電位のパルス電圧を印加することに
より、第３図点線で示す如く領域CB，CWのポ
テンシヤルが上がつて転送され第２図１２２のポ
テンシヤルウエル領域VWに入る。このとき第２
の転送レジスタのポリシリコン電極１２３に、わ
ずかに負または正の電位が印加されていると、第
２図示領域CB，CWのポテンシヤルは第３図の
実線で示すポテンシヤル状態になり、撮像部の最
下行中の領域VWの電荷は、レジスタ１０８中の
領域CBを通じて領域CWに入る。次いで、この
電極１２３に負の大きい電位を印加すると、レジ
スタ１０８の領域CB，CWの各ポテンシヤルは
点線で示した状態となり領域CWにあつた電荷は
領域VB（点線の一定ポテンシヤルを有する）を
通じてレジスタ１０８の領域VW（点線の一定ポ
テンシヤルを有する）に転送される。このとき、
記憶部のポリシコン電極１２４にわずかに負また
は、正の電圧が印加されると、このレジスタ１０
８の領域VWより記憶部の領域CB，CWのポテン
シヤルが実線の如く下がりレジスタ１０８の領域
VWにあつた電荷は記憶部の領域CBを介して領
域CWに転送されることになる。

この様にして、記憶部の領域CWに転送された
電荷は、記憶部のポリシリコン電極１２４に負電
位のパルス状の電圧を印加することにより領域
CB，CWのポテンシヤルが点線の如く上り、領
域VBを介して領域VWに転送される。よつて電
極１２４に駆動信号としてのパルス電圧を印加す
ることにより蓄積電荷がCW→VW→CWと順次
転送され第１の水平転送レジスタ１０５まで転送
され、次いで電極１２６及び１２７に同じ転送パ
ルスを同期して供給する事により第１の水平転送
レジスタ１０５及び第３のレジスタ１０８′を通
じて外部に読み出すことが可能である。

次に第２の転送レジスタを通して信号を読み出
す場合の電荷の流れについて説明する。

レジスタ１０８の領域VWまで転送された電荷
は、上述の動作において記憶部のポリシリコン電
極１２４にわずかに負または正の電位をかけて、
記憶部へ転送したわかであるが、この電極に負の
高い電圧を印加して記憶部のCB、CWのポテン
シヤルを点線の如く保持しておき、ポリシリコン
電極１２３，１２７，１３１に互いに同期した同
パルス状の電圧を印加して、レジスタ１０８，１
０８′の領域CB，CWのポテンシヤルを交互に実
線及び点線の状態に移行させることによりレジス
タ１０８，１０８′の領域VWの電荷は、CB→
CW→VB→VWと先ず水平方向に転送され、次
いで第３の転送レジスタ１０８′を介して垂直方
向に転送されアンプ１１０に導びかれる。

次いで、実際のカメラとして動作させるときの
動作について、第４図を用いて説明する。

第４図ａは、ビデオ・スチル・カメラとして動
作させるときの動作状態図を、第４図ｂは、動画
を撮影するビデオ・ムービー・カメラとして動作
させるときの状態図をそれぞれ示す。

まず、ビデオ・スチル・カメラとして動作させ
る場合について説明する。

第４図ａの（Ｓ−１）の状態は、露光動作直前
に、暗電流等により蓄積されていた電荷を第２
図、第３図示のオーバー・フロー・ドレイン
OFDを通じてクリアするか、または高速でCCD
を動作させて、外部に電荷をはきだしてクリアす
るかのオール・クリアの状態を示している。

次いでシヤツタが開き、露光状態、即ち撮像部
の蓄積状態（Ｓ−２）に移る。更にその後で第２
の転送レジスター１０８により第１フイールドの
読出し状態（Ｓ−３）に移る。

即ち（Ｓ−２）状態に於ける所定の露光時間後
シヤツターを閉じることにより、第１図示各セル
に於ける画像信号（電荷）の蓄積を停止した後、
（Ｓ−３）状態でまず撮像部のセルの蓄積電荷を
２行ずつ垂直方向に転送する。これによつて第１
図実施例の場合（1.1）〜（1.4）に蓄積されてい
た電荷が第１のレジスター１０８を通して記憶部
のセル〔4.1〕〜〔4.4〕に移り、（2.1）〜（2.4）
に蓄積されていた。電荷が第２のレジスター１０
８に転送される。又この時同様に、他の各行のセ
ル部に蓄積された電荷も１行ずつ転送される。こ
れにより（3.1）〜（3.4）、（4.1）〜（4.4）、（5.1
）
〜（5.4）、（6.1）〜（6.4）、（7.1）〜（7.4）、
（8.1）〜（8.4）、（9.1）〜（9.4）部の蓄積電荷は
それぞれ（1.1）〜（1.4）、（2.1）〜（2.4）、（3.1
）
〜（3.4）、（4.1）〜（4.4）、（5.1）〜（5.4）、
（6.1）〜（6.4）、（7.1）〜（7.4）部に転送され
る。

この様にして電荷が２行分転送された後、第２
の転送レジスター１０８に転送された電荷を電極
１２３及び１２７に読み出しパルスを同期して供
給する事によりアンプ１０７を介して外部に送出
される。

この後、再び撮像部のセルの蓄積電荷を２行転
送する。これにより（1.1）〜（．４）部にて転
送された電荷、即ち露光（3.1）〜（3.4）に蓄積
された電荷が水平レジスターを介して蓄積部のセ
ル〔4.4〕〜〔4.4〕に移行し、又（2.1）〜（2.4）
部に転送された電荷、即ち露光時（4.1）〜
（4.4）に蓄積された電荷が水平レジスター１０８
に転送される。又、この時記憶部１０３の各行の
セル部に転送された電荷は１行分転送される。よ
つて前回セル〔4.1〕〜〔4.4〕に転送された電
荷、即ち露光時（4.1）〜（4.4）に蓄積された電
荷はセル〔3.1〕〜〔3.4〕に転送される。この
後、再び第２のレジスター１０８に転送された電
荷の読出し動作が行なわれ、上述の如く水平レジ
スター１０８に転送された露光時（4.1）〜
（4.4）に蓄積された電荷がアンプ１０７を介して
シリアルに送出される。

以後、同様にして撮像部１０１のセルに蓄積さ
れた電荷を２行分垂直シフトすると共に、記憶部
１０３電荷を１行垂直シフトして撮像部から１行
分取り込み残りの１行を第２、第３のレジスター
１０８，１０８′を介して読み出す動作を繰り返
し実行することにより、第２、第３のレジスター
１０８，１０８′から露光時（2.1）〜（2.4）、
（4.1）〜（4.4）、（6.1）〜（6.4）、（8.1）〜（8.4
）
の偶数行にそれぞれ蓄積された電荷が順次送出さ
れる。即ち第１フイールドの読出し動作が実行さ
れる。又露光時（1.1）〜（1.4）、（3.1）〜
（3.4）、（5.1）〜（5.4）、（7.1）〜（7.4）の奇数
行
に蓄積された電荷がそれぞれ、蓄積部〔1.1〕〜
〔1.4〕、〔2.1〕〜〔2.4〕、〔3.1〕〜〔3.4〕、〔4.1
〕
〜〔4.4〕に転送され記憶される。

尚、各２行の転送は標準テレビジヨン方式の水
平プランキング期間内に行なわれ、レジスタ１０
８からレジスタ１０８′への転送は１水平走査期
間かけて行なわれる。このとき本発明の第３のレ
ジスタ１０８′は第２レジスタ１０８の水平bit数
の略整数倍に設定されているので奇数行のフイー
ルドを後で読み出す時に同期が狂いにくい。

この様にして（Ｓ−３）状態で第１フイールド
の読出し動作が実行された後、第２フイールドの
読出し状態、（Ｓ−４）状態に移行する。該（Ｓ
−４）状態においては、蓄積部の各行のセルに転
送された電荷を１行分転送した後、第１の水平レ
ジスター１０５に転送された電荷を第３のレジス
タ１０８′を介して読出すことにより、水平レジ
スターから露光時（1.1）〜（1.4）、（3.1）〜
（3.4）、（5.1）〜（5.4）、（7.1）〜（7.4）、（9.1
）
〜（9.4）に蓄積された電荷が順次送出され第２
フイールドの読出しを終了する。尚、本実施例で
は偶数フイールドを先に読み出し奇数フイールド
を次に読み出す様にしたが、撮像部を最初１行シ
フトして、これをレジスタ１０８から読み出し、
次いで撮像部を２行シフトし、１行を記憶部に写
すようにすれば奇数行を先に読み出す事もでき
る。この様に本発明によれば、同一時点に記録し
た１フレーム分の画像信号を通常のTV動作のご
とく第１フイールド、次いでインターレースされ
た第２フイールドとして読出すことが可能とな
る。この時第２転送レジスタ１０８は、水平転送
シフトレジスタとしても、又、パラレル・イン、
パラレル・アウトのシフトレジスタとしても動作
している。

次いで、この素子を画像の映像信号を取り出す
通常のビデオ・カメラとして動作させるときの動
作について説明する。

第４図ｂの（Ｍ−１）の状態は第４図ａの（Ｓ
−１）の不要電荷クリア動作に相当する。但し、
この動作は必要不可欠のものではない。

この場合は、シヤツタは必要なく、蓄積と読出
しを同時にくり返す動作となる。（Ｍ−２）、（Ｍ
−2′）…は蓄積状態をそれぞれ示し、ダツシユ記
号は第２フイールド目を示している。すなわち、
（Ｍ−２）で蓄積された電荷（第１フイールド）
は、（Ｍ−３）で読出され、（Ｍ−2′）で蓄積され
た電荷（第２フイールド）は、（Ｍ−3′）でそれ
ぞれ読出されるわけである。

（Ｍ−４）の状態は、撮像部に蓄積された電荷
が、記憶部へ転送される状態を示す。

この第２の実施例に於ては、撮像部の垂直方向
のセル数が490あり、記憶部のセル数が245なので
従来のフレーム転送型CCDとは、この撮像部か
ら記憶部へ移すときの動作およびインターレース
方法が、異なつている。この動作について第１図
を用いて説明する。

まず、（Ｍ−２）状態にて露光蓄積を行なつた
後、（Ｍ−４）状態にて撮像部の蓄積電荷の記憶
部への転送が行なわれる。この時該転送動作にお
いて、まず行（1.1）、（1.2）、（1.3）、（1.4）に蓄
積された電荷が、第２のレジスタ１０８を通して
記憶部１０３の行〔4.1〕、〔4.2〕、〔4.3〕、〔4.4〕
へ転送される。次いで、（2.1）、（2.2）、（2.3）、
（2.4）の電荷も同様にして、〔4.1〕、〔4.2〕、
〔4.3〕、〔4.4〕へ転送される。

このとき記憶部へはパルス電圧は印加されず、
露光時に（1.1）〜（1.4）に蓄積された電荷を
〔4.1〕〜〔4.4〕に保持状態としておく。これに
より行〔4.1〕〜〔4.4〕には撮像部の行（1.1）〜
（1.4）及び（2.1）〜（2.4）の２列に蓄積された
電荷が加算されて蓄積されることとなる。

次いで記憶部を一行転送し、即ち〔4.1〕〜
〔4.4〕にて加算された電荷を〔3.1〕〜〔3.4〕に
転送して、再び上述の如くして撮像部の２行分、
即ち露光時の行（3.1）〜（3.4）、（4.1）〜（4.4）
に蓄積された２行分の電荷を行〔4.1〕〜〔4.4〕
に転送、加算する。この後、同様にして記憶部の
一行転送動作及び撮像部の２行分の〔4.1〕〜
〔4.4〕への転送加算動作を繰り返すことにより、
記憶部の行〔1.1〕〜〔1.4〕には行（1.1）〜
（1.4）及び（2.1）〜（2.4）の加算電荷が、行
〔2.1〕〜〔2.4〕には行（3.1）〜（3.4）及び
（4.1）〜（4.4）の加算電荷が、行〔3.1〕〜
〔3.4〕には行（5.1）〜（5.4）及び（6.1）〜
（6.4）の加算電荷が、又行〔4.1〕〜〔4.4〕には
行（7.1）〜（7.4）及び（8.1）〜（8.4）の加算
電荷がそれぞれ転送される。これらの動作が（Ｍ
−４）状態に於て行なわれる。

この後（Ｍ−2′）、（Ｍ−３）状態に移行し、新
たな露光蓄積動作が実行されると共に、上述の如
く記憶部１０３に一旦転送された信号は順次一行
ずつ水平レジスタ−１０５及びレジスタ−１０
８′の一部を介して読み出される。これにより第
１フイールドの読出し動作が実行される。

この様にして第１フイールド目の読出し動作が
終了した後、（Ｍ−2′）状態に於て撮像部１０１
に蓄積された新たな電荷情報が、（Ｍ−4′）にて
記憶部１０３に転送される。尚、この場合第２フ
イールド目の読出し動作であるため、撮像部１０
１からセル〔4.1〕〜〔4.4〕に転送する際にセル
を一行ずらして撮像部２列分の転送加算を行な
う。

即ち第２フイールド目はまずセル（2.1）〜
（2.4）及び（3.1）〜（3.4）の蓄積電荷、セル
（4.1）〜（4.4）及び（5.1）〜（5.4）の蓄積電
荷、セル（6.1）〜（6.4）及び（7.1）〜（7.4）
の蓄積電荷をそれぞれ行〔4.1〕〜〔4.4〕に於て
加算してから、記憶部１０３の各行に加算された
電荷を転送して蓄積する。この後（Ｍ−3′）によ
り、記憶部１０３の蓄積電荷を水平レジスタ−１
０５により送出することにより第２フイールド目
の読み出し動作を終了する。この様にして、撮像
部セルを２列加算する場合に、第１回目のフイー
ルドの転送加算動作と第２回目の転送加算を一行
ずらすことにより第１回目のフイールドとインタ
ーレースされた信号を得ることが出来、ビデオカ
メラとして画像撮像を実行することが出来る。

この時は第２水平転送レジスタ１０８は並列入
力、並列出力のシフトレジスタとして用いられ、
水平転送は行なわない。

ところで撮像部の各セルの電荷は２行分づつ加
算されて記憶部の各セルに蓄積されるので、記憶
部の各セルの容量は撮像の各セルの容量に対して
約２倍必要となる。又、加算するセル数が多くな
ればなるほど記憶部の各セルの容量を大きくとる
必要がある。しかし、静止画専用に用いられる場
合には記憶部の容量は撮像部の容量と大略等しく
して構わない。又、本実施例では撮像部の２ライ
ンの加算を記憶部で行なつたが第２レジスタ１０
８で行なつても良いし、撮像部１０３の最下行で
行なつても良いものである。

第５図は実施例の駆動回路の一例を示す図であ
る。

第５図に実施例のCCDの駆動回路図の一例を
示し、第６図ａに静止画撮影時の第５図の各部の
タイミング図、第６図ｂに動画撮影時の第５図の
部のタイミング図を示す。第６図ａ，ｂのクロツ
クパルスφ１１，φ１２，φ１２′，φ１３，φ
１４，φCGはレベルが高い時は電極にわずかに
正又は負の電位が印加され、レベルが低い時には
負の大きな電荷が印加されているものとする。

第５図に於いて５１はスタートスイツチ、５２
はワンシヨツトマルチバイブレータ、５３は所定
周波数のクロツクパルスを発生するクロツク発振
器、５４はカウンタ、５５はカウンタのカウント
値に応じてパルスφ１１，φ１２，φ１２′，φ
１３，φ１４を発生するROMで第６図ａ，ｂに
示すパルス信号を発生する様プログラムされてい
る。５６はスチルＳ、ムービーＭの切り換えスイ
ツチ、５７はセツト・リセツト・フリツプフロツ
プ、５８はシヤツタドライバ、５９〜６１，７
０，７０′はCCD駆動ドライバ、６２はシヤツ
タ、６３はレンズである。

ROM５５には第６図ａ，ｂのタイムチヤート
に示された静止画撮影時と、動画撮影時の変換テ
ーブルが内蔵されている。

つづいて第６図ａにもとづいて静止画撮影時の
動作を説明する。

スタートスイツチ５１が押されるとスタートパ
ルスSPが出力され、カウンタ５４がクリアされ、
クロツク発振器５３の出力クロツクでカウンタ５
４がカウント・アツプする。カウンタ５４の出力
はROM５５に入力されて、スイツチ５６がＳ接
点に接続されている場合には、ROM５５は第６
図ａのタイムチヤートに従う信号を出力する。

即ち、先ず（Ｓ−１）期間に於て高速のクロツ
クφ１１〜φ１４を夫々供給すると共に、クリア
ゲートを開く為のハイレベルのクロツクφCGを
この間供給する事により撮像部１０１、記憶部１
０３、レジスタ１０８，１０５内の電荷がオーバ
ー・フロー・ドレインCFDに吸収される。

次いで期間（Ｓ−２）に於てシヤツタドライバ
５８が作動してその出力にハイレベル信号を出力
する間シヤツタが開き露光が行なわれる。

そしてその後例えば偶数行の読み出しが期間
（Ｓ−３）に於て行なわれる。その為に最初クロ
ツクφ１１，φ１２により１行分シフトすると共
に、この行の情報をそのまま記憶部の行〔4.1〕
〜〔4.4〕に蓄積する。次いでクロツクφ１１，
φ１２によりもう１行シフトし、この情報をレジ
スタ１０８に蓄積する。その後このレジスタの内
容をクロツクφ１２，φ１２′により読み出す。
このシーケンスを繰り返す事により偶数行の読み
出しを行なつた後、次に期間（Ｓ−４）に於て奇
数行の読み出しを記憶部から行なう。この場合の
読み出し動作は従来のフレーム・トランスフアー
型CCDの読み出し方法と同じで良いが、レジス
タ１０５と出力アンプ１０７の間にレジスタ１０
８′の一部が在る点が従来と異なる。

即ち記憶部１０３内の各行の情報を１行シフト
する毎にレジスタ１０５及び１０８′を駆動する
異によつて順次各行を読み出すものである。

そして記憶部１０３の最後の行の情報が読み出
されると終了信号STPがROMより出力されてカ
ウンタ５４のカウント動作を停止させる。

次に第６図ｂを用いてムービーモードの動作タ
イミングを説明する。

先ずスタートパルスSPが出力されるとその後
クロツクφ１１，φ１２により撮像１０１内の電
荷が１行ずつ記憶部１０３に転送されると共に記
憶部はクロツクφ１１，φ１２と同じかそれより
長い周期で駆動される。

これによつて撮像部の情報は２行ずつ加算され
て記憶部に蓄積される。この時クロツクφ１１，
φ１２に対するクロツクφ１３の位相を例えば図
の様に設定する事により加算されるべき２行の組
み合わせがフイールド毎に切換わる様にしてい
る。

尚、以上の実施例では第１のレジスタ１０５と
第２のレジスタ１０８を共通の出力アンプを介し
て読み出す様にする為に電荷転送レジスタ１０
８′を設けたが、これを、信号を直接伝達するリ
ード線としても良い。又、出力アンプは第２のレ
ジスタ１０８の出力の近傍に設けても良い。又、
信号出力手段としての出力アンプは入力電荷信号
を電圧信号に変換するものの他に電流信号に変換
するものなどであつても良い事は言うまでもな
い。

（効果） 上述の説明から明らかなように、本発明の実施
例によれば第１の転送レジスタと第２の転送レジ
スタの出力を共通の出力アンプ１０７を介して読
み出す様にしたのでたとえ変換手段としてのアン
プ１０７の電荷−電圧変換特性に多少のばらつき
があつても、これがスチルモードに於ける各フイ
ールド出力間の誤差となつたりする事がない。

即ち仮にレジスタ１０８と１０５の出力を夫々
別のアンプを介して読み出すものとすると、両ア
ンプの特性のバランスをとる事が極めて困難であ
る為に、各レジスタの出力が均等に得られないと
いう欠点があり、特にγ補正等を施す事によりこ
の誤差が無視し得ないものとなるおそれがある
が、本発明によれば、この様な問題を回避する事
ができる。

勿論出力アンプが１つであるから構成も簡略化
される。

又、レジスタ１０８と１０５の出力を共通のア
ンプに導びく為に電荷転送路を用いているので信
号のクロストークや減衰が小さい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例のフレームトランスフ
ア型CCDの構成概略図、第２図は第１の実施例
のCCDの要部の模式図、第３図は第１図示実施
例のCCDの内部ポテンシヤル状態図、第４図ａ
は第１図示実施例を静止画撮影に用いた時のシー
ケンス図、第４図ｂは第１図示実施例を撮影に用
いた時にシーケンス図、第５図は第１図示実施例
のCCDの駆動回路図、第６図ａは静止画撮影時
の第５図の各部のタイミング図、第６図ｂは動画
撮影時の第５図の各部のタイミング図である。 図において１０１は撮像部、１０３は蓄積部、
１０５は第１の水平転送シフトレジスタ、１０
８，１０８′は夫々第２の水平転送シフトレジス
タ、５３はクロツク発振器、５４はカウンタ、５
５はROM、φ１１，φ１２，φ１２′，φ１３，
φ１４はCCDの駆動クロツク信号を夫々示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 被写体からの撮像光を電荷に変換する複数の
   受光素子を行及び列状に配置して成る受光手段
   と、 上記受光手段における第１群の受光素子からの
   電荷を読み出し可能な第１の電荷転送手段と、 上記受光手段における第２群の受光素子からの
   電荷を読み出し可能な第２の電荷転送手段と、 １回の露光によつて上記受光手段にて得られた
   上記電荷を、上記第１群の受光素子にて得られた
   電荷と、上記第２群の受光素子にて得られた電荷
   とで上記第１の電荷転送手段又は上記第２の電荷
   転送手段に選択的に分配する電荷分配手段と、 上記第２の転送手段を介して転送された電荷を
   出力する出力手段とから成り、 上記第１の電荷転送手段は上記電荷分配手段と
   上記第２の転送手段の途中との間に接続され、第
   １の電荷転送手段を介して転送される電荷は上記
   第２の転送手段の一部を介して上記出力手段に転
   送されて出力されることを特徴とする撮像素子。