JPH0557565U - 電磁弁 - Google Patents
電磁弁Info
- Publication number
- JPH0557565U JPH0557565U JP96492U JP96492U JPH0557565U JP H0557565 U JPH0557565 U JP H0557565U JP 96492 U JP96492 U JP 96492U JP 96492 U JP96492 U JP 96492U JP H0557565 U JPH0557565 U JP H0557565U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- solenoid
- stem
- valve body
- plunger
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パイロット型電磁弁の問題点、すなわち、弁
の大型化と部品点数の多いという問題点を解決し、製品
の性能向上とコストダウンを目的とする。 【構成】 弁本体に流路を形成し、流路中に弁座を設
け、弁体を弁本体内に収容した復帰バネで付勢して弁座
に着座させ、ソレノイドに摺動自在に設けたプランジャ
をソレノイドの励磁状態で後退させて弁体を弁座より離
して開弁させるようにした電磁弁において、プランジャ
の先端に軸方向の貫通孔を穿設したステムの基端を連結
し、ステムに弁体を外嵌め固定し、ステムの先端外径部
に、キャンバ室を区画し、有効径が弁のオリフィス径と
同等もしくは若干小さい径を有するキャンセルダイヤフ
ラム内径部を固着し、キャンバ室をステムの貫通孔を介
して流路と連通させてなる電磁弁である。
の大型化と部品点数の多いという問題点を解決し、製品
の性能向上とコストダウンを目的とする。 【構成】 弁本体に流路を形成し、流路中に弁座を設
け、弁体を弁本体内に収容した復帰バネで付勢して弁座
に着座させ、ソレノイドに摺動自在に設けたプランジャ
をソレノイドの励磁状態で後退させて弁体を弁座より離
して開弁させるようにした電磁弁において、プランジャ
の先端に軸方向の貫通孔を穿設したステムの基端を連結
し、ステムに弁体を外嵌め固定し、ステムの先端外径部
に、キャンバ室を区画し、有効径が弁のオリフィス径と
同等もしくは若干小さい径を有するキャンセルダイヤフ
ラム内径部を固着し、キャンバ室をステムの貫通孔を介
して流路と連通させてなる電磁弁である。
Description
【0001】
本考案は、電磁弁に関するものである。
【0002】
常時閉型2方口電磁弁では、図2に示す直動型の弁構造のものが知られている 。この直動型の弁構造は弁本体100内に流路101を形成し、流路101中に弁座102を 設け、プランジャ103の先端の弁体104を復帰バネ105で付勢して弁座102に着座さ せ、ソレノイド106内に摺動自在に設けたプランジャ103をソレノイド106を励磁 して弁体104を開弁させるものである。弁体104は復帰バネ105に付勢されて弁座 102に着座しているが、ソレノイド106を励磁するとプランジャ103を介して弁体 104は弁座102より離れて開弁する。この直動型の電磁弁では、復帰バネ105は弁 のオリフィス受圧面全体にかかる圧力に相当するバネ力で付勢しなければならず 、このバネ力に抗し得るソレノイド106の励磁力が必要となる。この直動型の弁 構造ではオリフィス口径が大きくなるに従い開弁時プランジャに抗して働く力 ( オリフィス圧力×面積) が比例して大きくなるため、ソレノイドが大型化し、消 費電力も増加する傾向にあった。
【0003】 この欠点を解消するため、図3に示すようなダイヤフラムを用いたパイロット 型電磁弁が製品化されていた。このパイロット型電磁弁は、弁本体200内に流路 201を形成し、流路201中に弁座202を設け、プランジャ203の先端の弁体204を復 帰バネ205で付勢して弁座202に着座させ、弁体204の中心部には貫通孔207を穿設 したパイロット208を設け、パイロット208の貫通孔207はプランジャ203下端の弁 シールゴム209に当接し、弁体204はプランジャ203下端に連結バネ210により連結 され、弁体204には弁本体200との間にブリード孔211を有するダイヤフラム212が 張設されている。また、プランジャ203はソレノイド206内に摺動自在に設けられ ている。弁体204にも弁シールゴム213が設けてある。弁体204は復帰バネ205に付 勢されて弁座202に着座しているが、ソレノイド206を励磁するとプランジャ203 が後退し、パイロット208の貫通孔207が開き、ダイヤフラム212のブリード孔211 より導かれた流体は貫通孔207より下端側に導かれ、弁体204の上流側と下流側と を同圧にし、わずかな励磁力で弁体204を開弁でき、ソレノイドも小さくてすむ。
【0004】
上述のように、直動型の弁構造では、オリフィス口径が大きくなるに従い、ソ レノイドが大型化し、消費電力も増大する。 また、パイロット型電磁弁においては、ソレノイドが比較的小型化できる反面 、ダイヤフラムのストロークに制約があるため、必要以上にオリフィス面積を大 きくしたり、構造上の制約のため、弁が大型化してしまう欠点があり、また、パ イロット部とオリフィス部との二箇所に弁部があったりして部品点数が多く構造 が複雑になる傾向にあった。
【0005】
そこで、本考案は、前記の問題点に鑑み、パイロット型電磁弁の問題点、すな わち、弁の大型化、部品点数が多いといった問題点を解決し、製品の性能向上と コストダウンの実現を目的とするため、弁本体に流路を形成し、流路中に弁座を 設け、弁体を弁本体内に収容した復帰バネで付勢して弁座に着座させ、ソレノイ ドに摺動自在に設けたプランジャをソレノイドの励磁状態で後退させて弁体を弁 座より離して開弁させるようにした電磁弁において、プランジャの先端に軸方向 の貫通孔を穿設したステムの基端を連結し、ステムに弁体を外嵌め固定し、ステ ムの先端外径部に、キャンバ室を区画し、有効径が弁のオリフィス径と同等もし くは若干小さい径を有するキャンセルダイヤフラム内径部を固着し、キャンバ室 をステムの貫通孔を介して流路と連通させてなる電磁弁である。
【0006】
消磁状態で弁体が復帰バネの付勢力により弁座に着座し閉弁している。ソレノ イドに通電すると、励磁状態で、弁体は復帰バネの付勢力に抗して弁座より離れ 開弁し、キャンバ室へ一次側流路と同圧力の流体がプランジャの連絡孔、ステム の貫通孔を経て流入し、同圧力となる。
【0007】
本考案を、図1に示す具体的な実施例に基づいて以下詳細に説明する。 弁本体1に左右方向に流路2を形成し、流路2の中央部に弁座3を設け、弁体 4を弁本体1内に収容した復帰バネ5で付勢して弁座3に着座させる。この弁座 4のオリフィス径はD1 で表される。
【0008】 ソレノイド6に摺動自在に設けたプランジャ7をソレノイド6の励磁状態で後 退させて弁体4を弁座3より離して開弁させる。 プランジャ7の先端に軸方向に貫通孔8を穿設したステム9の基端を連結し、 ステム9に弁体4を外嵌め固定し、ステム9の先端外径部にキャンバ室10を区画 し、有効径が弁のオリフィス径と同等もしくは若干小さい径D2 を有するキャン セルダイヤフラム11内径部を固着し、キャンバ室10をステム9の貫通孔8、プラ ンジャ7先端部の連絡孔12を介して流路2と連通させる。
【0009】 流路2は、左側が一次流路21で右側が二次流路22であり、一次流路21および二 次流路22とも他の機器を接続するための配管接続用ネジ山23・24が刻設してある 。 弁本体1の中央部開口を覆うボンネット25と弁体4との間に縮設した復帰バネ 5を介在させ、弁座3、弁体4、復帰バネ7を覆うストレーナ26をボンネット25 と弁座3との外側との間に設け、弁部への異物の浸入を防止する。
【0010】 弁体4の弁座3への着座部には密封させるため弁シールゴム31が設けてある。 ステム9の基端部に形成した段部32が弁体4の中央部が係合するようにしてス テム9を弁体4に挿入し、リティンニングリング33をステム9に外嵌めして弁体 4を固定し、ステム9外周部と弁体4内周部との気密性を維持するためOリング 34を装着する。
【0011】 ステム9の基端をプランジャ7先端面に凹設した穴35に挿入し、ピン36を打ち 込んでプランジャ7とステム9とを連結する。 ステム9の先端にはキャンバ室10を形成する。弁本体1底部開口を覆う底板41 とキャンセルダイヤフラム11とでキャンバ室10を形成し、キャンバ室10の中心部 にステム9先端部を連結する。すなわち、底板41は中央部を有底筒状に形成し、 そのフランジ42とリティナー43とでキャンセルダイヤフラム11の外径部を挟持さ せ、弁本体1に固着する。キャンセルダイヤフラム11の中心部分はアッパープレ ート44とローワープレート45とで挟持され、アッパープレート44とローワープレ ート45の中心部はステム9先端に外嵌めし、ストップリング46で固定する。これ によりキャンバ室10はステム9の貫通孔8、プランジャ7の連絡孔12を介して流 路2と連通する。
【0012】 図1の左側はソレノイド6の消磁状態で、弁体4は復帰バネ5の付勢力により 弁座3に着座し閉弁している。この状態で流路2はキャンバ室10と連通し、同圧 力が弁体4とキャンバ室10にかかり、弁体4を下方へ押し下げる力とキャンバ室 10からステム9すなわち弁体4を押し上げる力とは、ほぼ同じかあるいは後者が 前者より若干小さく設定してあるため、わずかな力で弁体4を弁座3に着座させ 閉弁させることができるので、復帰バネ5のバネ力は小さくてよい。また、復帰 バネ5のバネ力に抗する励磁力を生じるソレノイド6も小さくてよい。
【0013】 ソレノイド6に通電すると、励磁状態で、図1の右側に示す状態となる。すな わち、プランジャ7はソレノイド6の励磁により後退し、その先端のピン36によ りステム9も後退し、弁体4は復帰バネ5の付勢力に抗して弁座3より離れ開弁 する。すると、キャンセルダイヤフラム11は上方に移動し、キャンバ室10へは1 次側流路21と同圧力の流体がプランジャ7の連絡孔12、ステム9の貫通孔8を経 て流入し同圧力となる。
【0014】
本考案は、上述のように、弁本体に流路を形成し、流路中に弁座を設け、弁体 を弁本体内に収容した復帰バネで付勢して弁座に着座させ、ソレノイドに摺動自 在に設けたプランジャをソレノイドの励磁状態で後退させて弁体を弁座より離し て開弁させるようにした電磁弁において、プランジャの先端に軸方向の貫通孔を 穿設したステムの基端を連結し、ステムに弁体を外嵌め固定し、ステムの先端外 径部に、キャンバ室を区画し、有効径が弁のオリフィス径と同等もしくは若干小 さい径を有するキャンセルダイヤフラム内径部を固着し、キャンバ室をステムの 貫通孔を介して流路と連通させてなる電磁弁であるので、弁の大型化を避け、部 品点数を少なくし、製品の性能向上とコストダウンの実現が図れる。
【図1】本考案の具体的一実施例の縦断面図である。
【図2】従来の直動型電磁弁の縦断面である。
【図3】従来のパイロット型電磁弁の縦断面図である。
1…弁本体 2…流路 3…弁座 4…弁体 5…復帰バネ 6…ソレノイド 7…プランジャ 8…貫通孔 9…ステム 10…キャンバ室 11…キャンセルダイヤフラム
Claims (1)
- 【請求項1】 弁本体に流路を形成し、流路中に弁座を
設け、弁体を弁本体内に収容した復帰バネで付勢して弁
座に着座させ、ソレノイドに摺動自在に設けたプランジ
ャをソレノイドの励磁状態で後退させて弁体を弁座より
離して開弁させるようにした電磁弁において、プランジ
ャの先端に軸方向の貫通孔を穿設したステムの基端を連
結し、ステムに弁体を外嵌め固定し、ステムの先端外径
部に、キャンバ室を区画し、有効径が弁のオリフィス径
と同等もしくは若干小さい径を有するキャンセルダイヤ
フラム内径部を固着し、キャンバ室をステムの貫通孔を
介して流路と連通させてなる電磁弁。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96492U JPH0557565U (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 電磁弁 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96492U JPH0557565U (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 電磁弁 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0557565U true JPH0557565U (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11488326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP96492U Pending JPH0557565U (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 電磁弁 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0557565U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010127301A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Aisin Seiki Co Ltd | ダイヤフラム内蔵バルブ |
WO2012042745A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 株式会社テージーケー | 制御弁 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP96492U patent/JPH0557565U/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010127301A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Aisin Seiki Co Ltd | ダイヤフラム内蔵バルブ |
WO2012042745A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 株式会社テージーケー | 制御弁 |
JP2012077787A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Tgk Co Ltd | 制御弁 |
CN103124873A (zh) * | 2010-09-30 | 2013-05-29 | 株式会社Tgk | 控制阀 |
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