JPH0555469A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0555469A JPH0555469A JP21117791A JP21117791A JPH0555469A JP H0555469 A JPH0555469 A JP H0555469A JP 21117791 A JP21117791 A JP 21117791A JP 21117791 A JP21117791 A JP 21117791A JP H0555469 A JPH0555469 A JP H0555469A
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- thin film
- film
- semiconductor device
- resistor
- film resistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、薄膜抵抗体の形成方法を含む半導体
装置の製造方法に関し、熱的安定性の良い薄膜抵抗体を
形成することができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】マグネトロンスパッタ法により、アルゴンガス
圧13mTorr 以上，直流パワーデンシティ０．００２ｋＷ
／ｃｍ2 以下の条件で、基板３３上にクロムシリコン
（ＣｒＳｉ2 ）膜24ａを形成する工程と、前記クロムシ
リコン（ＣｒＳｉ2 ）膜24ａをパターニングして抵抗体
２４を形成する工程とを含み構成する。
装置の製造方法に関し、熱的安定性の良い薄膜抵抗体を
形成することができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】マグネトロンスパッタ法により、アルゴンガス
圧13mTorr 以上，直流パワーデンシティ０．００２ｋＷ
／ｃｍ2 以下の条件で、基板３３上にクロムシリコン
（ＣｒＳｉ2 ）膜24ａを形成する工程と、前記クロムシ
リコン（ＣｒＳｉ2 ）膜24ａをパターニングして抵抗体
２４を形成する工程とを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、更に詳しく言えば、薄膜抵抗体の形成方法を含
む半導体装置の製造方法に関する。
に関し、更に詳しく言えば、薄膜抵抗体の形成方法を含
む半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来例の薄膜抵抗体の形成され
た半導体装置について説明する断面図である。同図にお
いて、１は半導体基板、２は選択酸化法により形成され
た素子分離領域のフィールド酸化膜、３はエミッタ領域
層５，ベース領域層６，コレクタ領域層７，コレクタコ
ンタクト領域層７ａを有する、フィールド酸化膜２で囲
まれた素子領域である。４はフィールド酸化膜２及び素
子領域３を被覆する絶縁膜で、エミッタ領域層５，ベー
ス領域層６，コレクタコンタクト領域層７ａ上にコンタ
クトホール４ａ，４ｂ，４ｃが形成されている。８はフ
ィールド酸化膜２上の絶縁膜４の上に形成された薄膜抵
抗体である。９ａ〜９ｅは、それぞれエミッタ領域層
５，ベース領域層６及びコレクタコンタクト領域層７ａ
に接続する電極，及び薄膜抵抗体８の両端に接続する電
極である。
た半導体装置について説明する断面図である。同図にお
いて、１は半導体基板、２は選択酸化法により形成され
た素子分離領域のフィールド酸化膜、３はエミッタ領域
層５，ベース領域層６，コレクタ領域層７，コレクタコ
ンタクト領域層７ａを有する、フィールド酸化膜２で囲
まれた素子領域である。４はフィールド酸化膜２及び素
子領域３を被覆する絶縁膜で、エミッタ領域層５，ベー
ス領域層６，コレクタコンタクト領域層７ａ上にコンタ
クトホール４ａ，４ｂ，４ｃが形成されている。８はフ
ィールド酸化膜２上の絶縁膜４の上に形成された薄膜抵
抗体である。９ａ〜９ｅは、それぞれエミッタ領域層
５，ベース領域層６及びコレクタコンタクト領域層７ａ
に接続する電極，及び薄膜抵抗体８の両端に接続する電
極である。
【０００３】従来、高精度かつ高信頼度を必要とされる
用途、例えばＤ／Ａコンバータに用いられる薄膜抵抗体
の材料として、ニクロム（ＮｉＣｒ），Ｔａ2 Ｎ，Ｃｒ
ＳｉＯ及びクロムシリコン（ＣｒＳｉ2 ）があるが、適
度に高い抵抗値を得ることが出来、また加工が容易、抵
抗値の温度係数が小さい等から、特に、ＣｒＳｉ2 が注
目されている。
用途、例えばＤ／Ａコンバータに用いられる薄膜抵抗体
の材料として、ニクロム（ＮｉＣｒ），Ｔａ2 Ｎ，Ｃｒ
ＳｉＯ及びクロムシリコン（ＣｒＳｉ2 ）があるが、適
度に高い抵抗値を得ることが出来、また加工が容易、抵
抗値の温度係数が小さい等から、特に、ＣｒＳｉ2 が注
目されている。
【０００４】次に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用
いてＣｒＳｉ2 をスパッタすることにより、上記の薄膜
抵抗体を作成する方法について図３を参照しながら説明
する。
いてＣｒＳｉ2 をスパッタすることにより、上記の薄膜
抵抗体を作成する方法について図３を参照しながら説明
する。
【０００５】まず、図３に示すチャンバ内の載置台に半
導体基板（ウエハ）１を載置する。次いで、チャンバ１
０内を排気するとともにアルゴンガスをガス導入口１１
より導入し、内部圧力を通常約１０ｍＴｏｒｒに保持す
る。続いて、電磁コイル１２に電流を流し、磁場を形成
するとともに、電子収集具１３に正の電圧を印加する。
そして、例えば、表面積３４９．５ｃｍ2 の円板状のＣ
ｒ／Ｓｉ合金のターゲット１５と載置台１４との間に直
流電力１ｋＷ程度（パワーデンシティ０．００３ｋＷ／
ｃｍ2 程度）を印加する。これにより、アルゴンガスは
プラズマ化し、発生した電子は電子収集具１３に集めら
れる。一方、プラズマガスは負の電圧になっているター
ゲット１５に衝突し、Ｃｒ粒子及びＳｉ粒子を飛散させ
る。飛散したＣｒ粒子及びＳｉ粒子は、ターゲット１５
に対向するウエハ１に付着・結合し、ＣｒＳｉ2 膜がウ
エハ１上に堆積していく。
導体基板（ウエハ）１を載置する。次いで、チャンバ１
０内を排気するとともにアルゴンガスをガス導入口１１
より導入し、内部圧力を通常約１０ｍＴｏｒｒに保持す
る。続いて、電磁コイル１２に電流を流し、磁場を形成
するとともに、電子収集具１３に正の電圧を印加する。
そして、例えば、表面積３４９．５ｃｍ2 の円板状のＣ
ｒ／Ｓｉ合金のターゲット１５と載置台１４との間に直
流電力１ｋＷ程度（パワーデンシティ０．００３ｋＷ／
ｃｍ2 程度）を印加する。これにより、アルゴンガスは
プラズマ化し、発生した電子は電子収集具１３に集めら
れる。一方、プラズマガスは負の電圧になっているター
ゲット１５に衝突し、Ｃｒ粒子及びＳｉ粒子を飛散させ
る。飛散したＣｒ粒子及びＳｉ粒子は、ターゲット１５
に対向するウエハ１に付着・結合し、ＣｒＳｉ2 膜がウ
エハ１上に堆積していく。
【０００６】この状態を所定時間保持すると、ウエハ１
上に所定の膜厚のＣｒＳｉ2 膜８ａが形成される。次
に、ＣｒＳｉ2 膜８ａをパターニングして、薄膜抵抗体
８が作成される。
上に所定の膜厚のＣｒＳｉ2 膜８ａが形成される。次
に、ＣｒＳｉ2 膜８ａをパターニングして、薄膜抵抗体
８が作成される。
【０００７】その後、カバー絶縁膜としてＰＳＧ膜／Si
3N4 膜を順次形成すると、半導体装置が完成する。
3N4 膜を順次形成すると、半導体装置が完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の薄膜
抵抗体８について、〔温度４５０℃／時間３０分間＋温
度２５℃／６０分間〕を一サイクルとしてＮ2 中で温度
サイクルを３回行うと、図２（ａ）に示すように、薄膜
抵抗体８の電気抵抗値は初期値の２倍以上増大する。こ
のため、Ｄ／Ａコンバータ等抵抗値の精度が要求される
用途に用いることは難しいという問題がある。
抵抗体８について、〔温度４５０℃／時間３０分間＋温
度２５℃／６０分間〕を一サイクルとしてＮ2 中で温度
サイクルを３回行うと、図２（ａ）に示すように、薄膜
抵抗体８の電気抵抗値は初期値の２倍以上増大する。こ
のため、Ｄ／Ａコンバータ等抵抗値の精度が要求される
用途に用いることは難しいという問題がある。
【０００９】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、熱的安定性の良い薄膜抵抗体を形成する
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とするものである。
されたもので、熱的安定性の良い薄膜抵抗体を形成する
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、マグネトロ
ンスパッタ法により、アルゴンガス圧13mTorr 以上，直
流パワーデンシティ０．００２ｋＷ／ｃｍ2 以下の条件
で、基板上にクロムシリコン（ＣｒＳｉ2）膜を形成す
る工程と、前記クロムシリコン（ＣｒＳｉ2 ）膜をパタ
ーニングして抵抗体を形成する工程とを有する半導体装
置の製造方法によって達成される。
ンスパッタ法により、アルゴンガス圧13mTorr 以上，直
流パワーデンシティ０．００２ｋＷ／ｃｍ2 以下の条件
で、基板上にクロムシリコン（ＣｒＳｉ2）膜を形成す
る工程と、前記クロムシリコン（ＣｒＳｉ2 ）膜をパタ
ーニングして抵抗体を形成する工程とを有する半導体装
置の製造方法によって達成される。
【００１１】
【作用】図２（ａ），（ｂ）は、各種スパッタ条件によ
るＤＣマグネトロンスパッタにより作成した薄膜抵抗体
を温度サイクル試験した前後の抵抗値の変動について本
願発明者の行った実験結果を示す図である。図２（ａ）
は、アルゴンガス圧を一定にした場合の、スパッタ時の
直流パワーデンシティに対する抵抗値の変動率を示し、
図２（ｂ）は、スパッタ時の直流パワーデンシティを一
定にした場合の、アルゴンガス圧に対する抵抗値の変動
率を示している。
るＤＣマグネトロンスパッタにより作成した薄膜抵抗体
を温度サイクル試験した前後の抵抗値の変動について本
願発明者の行った実験結果を示す図である。図２（ａ）
は、アルゴンガス圧を一定にした場合の、スパッタ時の
直流パワーデンシティに対する抵抗値の変動率を示し、
図２（ｂ）は、スパッタ時の直流パワーデンシティを一
定にした場合の、アルゴンガス圧に対する抵抗値の変動
率を示している。
【００１２】試料の作成条件は、次のようにして行っ
た。即ち、薄膜抵抗体として、表１に示すＤＣマグネト
ロンスパッタのスパッタ条件により膜厚約300ÅのＣｒ
Ｓｉ2 膜をSiO2膜上に形成した。
た。即ち、薄膜抵抗体として、表１に示すＤＣマグネト
ロンスパッタのスパッタ条件により膜厚約300ÅのＣｒ
Ｓｉ2 膜をSiO2膜上に形成した。
【００１３】
【表１】
【００１４】また、薄膜抵抗体の温度サイクルの試験条
件は次の通りである。即ち、〔温度４５０℃／時間３０
分間＋温度２５℃／６０分間〕を一サイクルとしてＮ2
中で３回行った。
件は次の通りである。即ち、〔温度４５０℃／時間３０
分間＋温度２５℃／６０分間〕を一サイクルとしてＮ2
中で３回行った。
【００１５】更に、薄膜抵抗体の抵抗値として、四探針
法により測定したシート抵抗値を用いた。 抵抗値変動率＝（Ｒｉ−Ｒｆ）／Ｒｉ×１００ 〔％〕 但し、Ｒｉ，Ｒｆはそれぞれ温度サイクル前後で測定し
たシート抵抗値を示す。
法により測定したシート抵抗値を用いた。 抵抗値変動率＝（Ｒｉ−Ｒｆ）／Ｒｉ×１００ 〔％〕 但し、Ｒｉ，Ｒｆはそれぞれ温度サイクル前後で測定し
たシート抵抗値を示す。
【００１６】試験結果は、図２（ａ），（ｂ）に示す通
りである。その結果によれば、直流パワーデンシティが
小さく、アルゴンガス圧が高い程、抵抗値の変動は小さ
い。即ち、直流パワーデンシティ０．００２ｋＷ／ｃｍ
2 以下，アルゴンガス圧13mTorr 以上で形成された薄膜
抵抗体は抵抗変動に関して熱的安定性が良く、十分に高
い精度を得ることができる。
りである。その結果によれば、直流パワーデンシティが
小さく、アルゴンガス圧が高い程、抵抗値の変動は小さ
い。即ち、直流パワーデンシティ０．００２ｋＷ／ｃｍ
2 以下，アルゴンガス圧13mTorr 以上で形成された薄膜
抵抗体は抵抗変動に関して熱的安定性が良く、十分に高
い精度を得ることができる。
【００１７】
【実施例】図４は、本発明の実施例の製造方法により形
成された薄膜抵抗体を有する半導体装置について説明す
る断面図である。同図において、１７はｎ型のSiからな
る半導体基板（ウエハ）、１８は選択酸化法により形成
された素子分離領域の膜厚約5000ÅのSiO2膜からなるフ
ィールド酸化膜、１９はフィールド酸化膜１８で囲まれ
た素子領域で、半導体基板１７と領域を共通にするｎ型
のコレクタ領域層２３及びｎ型のコレクタコンタクト領
域層23ａと，コレクタ領域層２３内のｐ型のベース領域
層２２と，ベース領域層２２内のｎ型のエミッタ領域層
２１とが形成されている。２０はフィールド酸化膜１８
及び素子領域１９を被覆する膜厚約2000ÅのSiO2膜から
なる絶縁膜で、エミッタ領域層２１，ベース領域層２
２，コレクタコンタクト領域層23ａ上にそれぞれコンタ
クトホール20ａ，20ｂ，20ｃが形成されている。２４は
フィールド酸化膜１８上の絶縁膜２０の上に形成された
薄膜抵抗体で、膜厚約３００ÅのＣｒＳｉ2 膜からな
る。25ａ〜25ｅは、それぞれコンタクトホール20ａ，20
ｂ，20ｃを介してエミッタ領域層２１，ベース領域層２
２及びコレクタコンタクト領域層23ａに接続する電極，
及び薄膜抵抗体２４の両端に接続するＡｌ膜からなる電
極である。
成された薄膜抵抗体を有する半導体装置について説明す
る断面図である。同図において、１７はｎ型のSiからな
る半導体基板（ウエハ）、１８は選択酸化法により形成
された素子分離領域の膜厚約5000ÅのSiO2膜からなるフ
ィールド酸化膜、１９はフィールド酸化膜１８で囲まれ
た素子領域で、半導体基板１７と領域を共通にするｎ型
のコレクタ領域層２３及びｎ型のコレクタコンタクト領
域層23ａと，コレクタ領域層２３内のｐ型のベース領域
層２２と，ベース領域層２２内のｎ型のエミッタ領域層
２１とが形成されている。２０はフィールド酸化膜１８
及び素子領域１９を被覆する膜厚約2000ÅのSiO2膜から
なる絶縁膜で、エミッタ領域層２１，ベース領域層２
２，コレクタコンタクト領域層23ａ上にそれぞれコンタ
クトホール20ａ，20ｂ，20ｃが形成されている。２４は
フィールド酸化膜１８上の絶縁膜２０の上に形成された
薄膜抵抗体で、膜厚約３００ÅのＣｒＳｉ2 膜からな
る。25ａ〜25ｅは、それぞれコンタクトホール20ａ，20
ｂ，20ｃを介してエミッタ領域層２１，ベース領域層２
２及びコレクタコンタクト領域層23ａに接続する電極，
及び薄膜抵抗体２４の両端に接続するＡｌ膜からなる電
極である。
【００１８】次に、上記の薄膜抵抗体２４を形成するの
に用いられるＤＣマグネトロンスパッタ装置について図
３を参照しながら説明する。図３において、２６はチャ
ンバ、２７はアルゴンガスをチャンバ２６内に導入する
ガス導入口、２８は電磁コイルで、プラズマ化により生
じる電子を電子収集具２９に導く磁界を発生する。電子
収集具２９は、スパッタ中、正の電圧に保持され、電子
を捕獲する。これにより、電子の衝突からウエハ１７を
保護する。３１は原子含有率で３０％Ｃｒ／７０％Ｓｉ
を含有する合金からなるターゲットで、その表面積は３
４９．５ｃｍであり、電子収集具２９の周囲にドーナツ
状に設けられている。そして、負の電圧に保持すること
によりアルゴンのプラズマ粒子を衝突させてＣｒ粒子や
Ｓｉ粒子を飛散させ、ウエハ１７に付着させる。３０は
ウエハ１７を載置する載置台で、飛散してくるＣｒ粒子
やＳｉ粒子をウエハ１７に付着させるため、ターゲット
３１と対向する位置に設けられている。３２はアルゴン
ガス等の排気口である。
に用いられるＤＣマグネトロンスパッタ装置について図
３を参照しながら説明する。図３において、２６はチャ
ンバ、２７はアルゴンガスをチャンバ２６内に導入する
ガス導入口、２８は電磁コイルで、プラズマ化により生
じる電子を電子収集具２９に導く磁界を発生する。電子
収集具２９は、スパッタ中、正の電圧に保持され、電子
を捕獲する。これにより、電子の衝突からウエハ１７を
保護する。３１は原子含有率で３０％Ｃｒ／７０％Ｓｉ
を含有する合金からなるターゲットで、その表面積は３
４９．５ｃｍであり、電子収集具２９の周囲にドーナツ
状に設けられている。そして、負の電圧に保持すること
によりアルゴンのプラズマ粒子を衝突させてＣｒ粒子や
Ｓｉ粒子を飛散させ、ウエハ１７に付着させる。３０は
ウエハ１７を載置する載置台で、飛散してくるＣｒ粒子
やＳｉ粒子をウエハ１７に付着させるため、ターゲット
３１と対向する位置に設けられている。３２はアルゴン
ガス等の排気口である。
【００１９】次に、上記のＤＣマグネトロンスパッタ装
置を用いてＣｒＳｉ2 膜をスパッタすることにより、上
記の薄膜抵抗体を作成する方法について図１（ａ）〜
（ｄ）及び図３を参照しながら説明する。
置を用いてＣｒＳｉ2 膜をスパッタすることにより、上
記の薄膜抵抗体を作成する方法について図１（ａ）〜
（ｄ）及び図３を参照しながら説明する。
【００２０】まず、図３に示すチャンバ２６内の載置台
３０にSiからなる半導体基板（ウエハ）１７を載置す
る。このウエハ１７上にはフィールド酸化膜１８とSiO2
膜からなる絶縁膜２０とが形成されている。これらが基
板３３を構成する。
３０にSiからなる半導体基板（ウエハ）１７を載置す
る。このウエハ１７上にはフィールド酸化膜１８とSiO2
膜からなる絶縁膜２０とが形成されている。これらが基
板３３を構成する。
【００２１】次いで、チャンバ２６内を排気するととも
にアルゴンガスをガス導入口２７より導入し、内部圧力
を通常約１５ｍＴｏｒｒに保持する。続いて、電磁コイ
ル２８に電流を流し、磁場を形成するとともに、電子収
集具２９に正の電圧を印加する。そして、ターゲット３
１と載置台３０との間にパワー０．５ｋＷ程度を印加す
る。これにより、アルゴンガスはプラズマ化し、発生し
た電子は電子収集具２９に集められる。そして、プラズ
マガスは負の電圧になっているターゲット３１に衝突
し、Ｃｒ粒子やＳｉ粒子等を飛散させる。飛散したＣｒ
粒子やＳｉ粒子等は、ターゲット３１に対向するウエハ
１７に付着・結合し、ＣｒＳｉ2 膜24ａがウエハ１７上
の絶縁膜２０の上に堆積していく。
にアルゴンガスをガス導入口２７より導入し、内部圧力
を通常約１５ｍＴｏｒｒに保持する。続いて、電磁コイ
ル２８に電流を流し、磁場を形成するとともに、電子収
集具２９に正の電圧を印加する。そして、ターゲット３
１と載置台３０との間にパワー０．５ｋＷ程度を印加す
る。これにより、アルゴンガスはプラズマ化し、発生し
た電子は電子収集具２９に集められる。そして、プラズ
マガスは負の電圧になっているターゲット３１に衝突
し、Ｃｒ粒子やＳｉ粒子等を飛散させる。飛散したＣｒ
粒子やＳｉ粒子等は、ターゲット３１に対向するウエハ
１７に付着・結合し、ＣｒＳｉ2 膜24ａがウエハ１７上
の絶縁膜２０の上に堆積していく。
【００２２】この状態を所定時間保持すると、膜厚約３
００ÅのＣｒＳｉ2膜24ａが形成される（図１
（ａ））。次に、ＣｒＳｉ2 膜24ａをパターニングし、
幅１６μｍ，長さ８０μｍの薄膜抵抗体２４を作成す
る。このような形状の薄膜抵抗体２４はほぼ１ｋΩの抵
抗値を有する（図１（ｂ））。
００ÅのＣｒＳｉ2膜24ａが形成される（図１
（ａ））。次に、ＣｒＳｉ2 膜24ａをパターニングし、
幅１６μｍ，長さ８０μｍの薄膜抵抗体２４を作成す
る。このような形状の薄膜抵抗体２４はほぼ１ｋΩの抵
抗値を有する（図１（ｂ））。
【００２３】その後、Ａｌ膜からなる電極25ｄ，25ｅを
形成した（図１（ｃ））後、カバー絶縁膜としてＰＳＧ
膜／Si3N4 膜を順次形成すると、半導体装置が完成す
る。なお、図１（ｃ）は、上面図としての図１（ｄ）の
Ａ−Ａ線断面図を示す。
形成した（図１（ｃ））後、カバー絶縁膜としてＰＳＧ
膜／Si3N4 膜を順次形成すると、半導体装置が完成す
る。なお、図１（ｃ）は、上面図としての図１（ｄ）の
Ａ−Ａ線断面図を示す。
【００２４】次に、上記のようにして作成された薄膜抵
抗体２４について、下記のような試験条件で、温度サイ
クル試験を行った。即ち、〔温度４５０℃／時間３０分
間＋温度２５℃／６０分間〕を一サイクルとしてＮ2 中
で３回行った。
抗体２４について、下記のような試験条件で、温度サイ
クル試験を行った。即ち、〔温度４５０℃／時間３０分
間＋温度２５℃／６０分間〕を一サイクルとしてＮ2 中
で３回行った。
【００２５】試験結果は、図２（ａ），（ｂ）に示すよ
うに、直流パワーデンシティ０．００１４ｋＷ／ｃ
ｍ2 ，アルゴンガス圧15mTorrで形成された薄膜抵抗体
２４は抵抗値変動に関して熱的安定性が良く、抵抗値変
動は約０．５％の測定限界以下であることが確かめられ
た。これは、Ｄ／Ａコンバータ等の用途に十分に用いる
ことができるほど高精度である。
うに、直流パワーデンシティ０．００１４ｋＷ／ｃ
ｍ2 ，アルゴンガス圧15mTorrで形成された薄膜抵抗体
２４は抵抗値変動に関して熱的安定性が良く、抵抗値変
動は約０．５％の測定限界以下であることが確かめられ
た。これは、Ｄ／Ａコンバータ等の用途に十分に用いる
ことができるほど高精度である。
【００２６】本発明の半導体装置の製造方法を用いた、
本願発明者の実験結果によれば、図２（ａ），（ｂ）に
示すように、直流パワーデンシティ０．００２ｋＷ／ｃ
ｍ2 以下，アルゴンガス圧13mTorr 以上で薄膜抵抗体２
４を形成することにより、抵抗値変動に関して熱的安定
性が良く、十分に高い精度のものを得ることが可能であ
ることが確認された。
本願発明者の実験結果によれば、図２（ａ），（ｂ）に
示すように、直流パワーデンシティ０．００２ｋＷ／ｃ
ｍ2 以下，アルゴンガス圧13mTorr 以上で薄膜抵抗体２
４を形成することにより、抵抗値変動に関して熱的安定
性が良く、十分に高い精度のものを得ることが可能であ
ることが確認された。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置の製
造方法によれば、本願発明者の実験結果から、直流パワ
ーデンシティ０．００２ｋＷ／ｃｍ2 以下，アルゴンガ
ス圧13mTorr 以上で薄膜抵抗体を形成することにより、
抵抗変動に関して熱的安定性が良く、十分に高い精度の
ものを得ることが可能であることが確認された。
造方法によれば、本願発明者の実験結果から、直流パワ
ーデンシティ０．００２ｋＷ／ｃｍ2 以下，アルゴンガ
ス圧13mTorr 以上で薄膜抵抗体を形成することにより、
抵抗変動に関して熱的安定性が良く、十分に高い精度の
ものを得ることが可能であることが確認された。
【００２８】これにより、Ｄ／Ａコンバータ等高精度の
用途に十分に用いることができる薄膜抵抗体を作成する
ことができる。
用途に十分に用いることができる薄膜抵抗体を作成する
ことができる。
【図１】本発明の実施例の薄膜抵抗体の作成方法につい
て説明する図である。
て説明する図である。
【図２】本発明の実施例の薄膜抵抗体の温度サイクル前
後の抵抗値変動率を示す相関図である。
後の抵抗値変動率を示す相関図である。
【図３】マグネトロンスパッタ装置の構成図である。
【図４】薄膜抵抗体を有する半導体装置の断面図であ
る。
る。
１，１７ 半導体基板（ウエハ）、 ２，１８ フィールド酸化膜、 ３，１９ 素子領域、 ４，２０ 絶縁膜、 ４ａ〜４ｃ，20ａ〜20ｃ コンタクトホール、 ５，２１ エミッタ領域層、 ６，２２ ベース領域層、 ７，２３ コレクタ領域層、 ７ａ，23ａ コレクタコンタクト領域層、 ８，２４ 薄膜抵抗体、 ９ａ〜９ｅ，25ａ〜25ｅ 電極、 １０，２６ チャンバ、 １１，２７ ガス導入口、 １２，２８ 電磁コイル、 １３，２９ 電子収集具、 １４，３０ 載置台、 １５，３１ ターゲット、 １６，３２ 排気口、 24ａ ＣｒＳｉ2 膜、 ３３ 基板、 ３４ レジスト膜。
Claims (1)
- 【請求項１】 マグネトロンスパッタ法により、アルゴ
ンガス圧13mTorr 以上，直流パワーデンシティ０．０２
ｋＷ／ｃｍ2 以下の条件で、基板上にクロムシリコン
（ＣｒＳｉ2 ）膜を形成する工程と、 前記クロムシリコン（ＣｒＳｉ2 ）膜をパターニングし
て抵抗体を形成する工程とを有する半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21117791A JPH0555469A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21117791A JPH0555469A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555469A true JPH0555469A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16601689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21117791A Withdrawn JPH0555469A (ja) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555469A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113410382A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-09-17 | 西安微电子技术研究所 | 一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法 |
-
1991
- 1991-08-22 JP JP21117791A patent/JPH0555469A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113410382A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-09-17 | 西安微电子技术研究所 | 一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法 |
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Legal Events
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