JPH0555196A - 半導体集積装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体集積装置における隣接する配線間の寄生
容量を減少させる。 【構成】半導体集積装置における隣接する配線間に比誘
電率の小さい高分子膜を形成することによって隣接する
配線間の寄生容量を減少させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積装置におけ
る配線間の寄生容量を減少させる技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】図２は従来の半導体集積装置の断面図で
ある。図２に示すように、隣接する配線の間隔ａはフィ
ールド酸化膜厚ｂに比して大きかった（例えばａ＝２．
０μ、ｂ＝０．８μ）。そのため、隣接する配線間の寄
生容量は、配線と半導体基板との間の寄生容量に比して
小さく、半導体集積装置の特性に与える影響は比較的小
さいものであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
製造プロセスの微細化が進展するに従って隣接する配線
の間隔ａが小さくなり、フィールド酸化膜厚ｂに近くな
ってきた（例えば、最小線幅０．８μのデザイン・ルー
ルではａ＝１．１μ、ｂ＝０．８μ）。そのため隣接す
る配線間の寄生容量が増大し、隣接する配線間の寄生容
量が半導体集積装置の動作速度を低下させる主要因とな
ってきた。

【０００４】配線の間隔をａ、配線の対向面積をＳ、真
空の誘電率をε０、配線間の物質の比誘電率をεｒとす
ると、配線間の容量Ｃは、 Ｃ＝ε０εｒＳ／ａ で与えられる。

【０００５】式より、配線間の容量Ｃを減少させるた
めには、（１）配線の対向面積Ｓを減少させること、
（２）配線の間隔ａを増加させることが考えられる。し
かし、（１）の方法では配線を薄くしなければならない
ため、配線の抵抗が増大し、また、配線の断線が発生し
やすくなるという問題点がある。また、（２）の方法で
は集積度が低下するという問題点がある。

【０００６】そこで、本発明の目的は、配線の対向面積
を小さくしたり配線の間隔を増加させることなく配線間
容量を減少させることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このため本発明では、式
で配線間の物質の比誘電率εｒを減少させることによ
って配線間の容量Ｃを減少させる。現在、配線間の絶縁
膜には二酸化シリコンが用いられることが多い。配線間
の絶縁膜を二酸化シリコンより比誘電率εｒの小さい物
質で形成することによって配線間容量Ｃを減少させるこ
とができる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の半導体集積装置の構造の１実
施例を図面とともに説明する。

【０００９】図１は本発明を適用して形成した半導体集
積装置の断面図である。１はＮ型基板、２は第１フィー
ルド酸化膜、３は第２フィールド酸化膜、４は配線、５
はポリイミド膜、６は二酸化シリコン膜である。

【００１０】配線４を形成するところまでは従来と同様
であるが、図１に示す実施例では、配線４の間に比誘電
率の小さい高分子であるポリイミド膜５を形成し、さら
にその上に従来の二酸化シリコン膜６を形成する。二酸
化シリコンの比誘電率が４．０であるのに対してポリイ
ミドの比誘電率は３．５であるので、式により配線間
の容量Ｃを減少させることができる。

【００１１】なお、上記実施例ではポリイミド膜を用い
たが、二酸化シリコンより比誘電率の小さい物質であれ
ば他の物質を用いてもかまわない。考えられる物質の例
を表形式で下記に示す。

【００１２】

【００１３】

【発明の効果】上述のように、本発明の半導体集積装置
は、隣接する配線間に比誘電率の小さい高分子膜を形成
することによって、配線間の寄生容量を減少させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の半導体集積装置の構造を示す
断面図。

【図２】従来の半導体集積装置の構造を示す断面図。

【符号の説明】

１ Ｎ型基板 ２ 第１フィールド酸化膜 ３ 第２フィールド酸化膜 ４ 配線 ５ ポリイミド膜 ６ 二酸化シリコン膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 隣接する配線間に比誘電率の小さい高分
   子膜を形成したことを特徴とする半導体集積装置。