JPH0555196A - 半導体集積装置 - Google Patents
半導体集積装置Info
- Publication number
- JPH0555196A JPH0555196A JP21341691A JP21341691A JPH0555196A JP H0555196 A JPH0555196 A JP H0555196A JP 21341691 A JP21341691 A JP 21341691A JP 21341691 A JP21341691 A JP 21341691A JP H0555196 A JPH0555196 A JP H0555196A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wires
- film
- dielectric constant
- wirings
- silicon dioxide
- Prior art date
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体集積装置における隣接する配線間の寄生
容量を減少させる。 【構成】半導体集積装置における隣接する配線間に比誘
電率の小さい高分子膜を形成することによって隣接する
配線間の寄生容量を減少させる。
容量を減少させる。 【構成】半導体集積装置における隣接する配線間に比誘
電率の小さい高分子膜を形成することによって隣接する
配線間の寄生容量を減少させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積装置におけ
る配線間の寄生容量を減少させる技術に関する。
る配線間の寄生容量を減少させる技術に関する。
【0002】
【従来の技術】図2は従来の半導体集積装置の断面図で
ある。図2に示すように、隣接する配線の間隔aはフィ
ールド酸化膜厚bに比して大きかった(例えばa=2.
0μ、b=0.8μ)。そのため、隣接する配線間の寄
生容量は、配線と半導体基板との間の寄生容量に比して
小さく、半導体集積装置の特性に与える影響は比較的小
さいものであった。
ある。図2に示すように、隣接する配線の間隔aはフィ
ールド酸化膜厚bに比して大きかった(例えばa=2.
0μ、b=0.8μ)。そのため、隣接する配線間の寄
生容量は、配線と半導体基板との間の寄生容量に比して
小さく、半導体集積装置の特性に与える影響は比較的小
さいものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
製造プロセスの微細化が進展するに従って隣接する配線
の間隔aが小さくなり、フィールド酸化膜厚bに近くな
ってきた(例えば、最小線幅0.8μのデザイン・ルー
ルではa=1.1μ、b=0.8μ)。そのため隣接す
る配線間の寄生容量が増大し、隣接する配線間の寄生容
量が半導体集積装置の動作速度を低下させる主要因とな
ってきた。
製造プロセスの微細化が進展するに従って隣接する配線
の間隔aが小さくなり、フィールド酸化膜厚bに近くな
ってきた(例えば、最小線幅0.8μのデザイン・ルー
ルではa=1.1μ、b=0.8μ)。そのため隣接す
る配線間の寄生容量が増大し、隣接する配線間の寄生容
量が半導体集積装置の動作速度を低下させる主要因とな
ってきた。
【0004】配線の間隔をa、配線の対向面積をS、真
空の誘電率をε0、配線間の物質の比誘電率をεrとす
ると、配線間の容量Cは、 C=ε0εrS/a で与えられる。
空の誘電率をε0、配線間の物質の比誘電率をεrとす
ると、配線間の容量Cは、 C=ε0εrS/a で与えられる。
【0005】式より、配線間の容量Cを減少させるた
めには、(1)配線の対向面積Sを減少させること、
(2)配線の間隔aを増加させることが考えられる。し
かし、(1)の方法では配線を薄くしなければならない
ため、配線の抵抗が増大し、また、配線の断線が発生し
やすくなるという問題点がある。また、(2)の方法で
は集積度が低下するという問題点がある。
めには、(1)配線の対向面積Sを減少させること、
(2)配線の間隔aを増加させることが考えられる。し
かし、(1)の方法では配線を薄くしなければならない
ため、配線の抵抗が増大し、また、配線の断線が発生し
やすくなるという問題点がある。また、(2)の方法で
は集積度が低下するという問題点がある。
【0006】そこで、本発明の目的は、配線の対向面積
を小さくしたり配線の間隔を増加させることなく配線間
容量を減少させることにある。
を小さくしたり配線の間隔を増加させることなく配線間
容量を減少させることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、式
で配線間の物質の比誘電率εrを減少させることによ
って配線間の容量Cを減少させる。現在、配線間の絶縁
膜には二酸化シリコンが用いられることが多い。配線間
の絶縁膜を二酸化シリコンより比誘電率εrの小さい物
質で形成することによって配線間容量Cを減少させるこ
とができる。
で配線間の物質の比誘電率εrを減少させることによ
って配線間の容量Cを減少させる。現在、配線間の絶縁
膜には二酸化シリコンが用いられることが多い。配線間
の絶縁膜を二酸化シリコンより比誘電率εrの小さい物
質で形成することによって配線間容量Cを減少させるこ
とができる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の半導体集積装置の構造の1実
施例を図面とともに説明する。
施例を図面とともに説明する。
【0009】図1は本発明を適用して形成した半導体集
積装置の断面図である。1はN型基板、2は第1フィー
ルド酸化膜、3は第2フィールド酸化膜、4は配線、5
はポリイミド膜、6は二酸化シリコン膜である。
積装置の断面図である。1はN型基板、2は第1フィー
ルド酸化膜、3は第2フィールド酸化膜、4は配線、5
はポリイミド膜、6は二酸化シリコン膜である。
【0010】配線4を形成するところまでは従来と同様
であるが、図1に示す実施例では、配線4の間に比誘電
率の小さい高分子であるポリイミド膜5を形成し、さら
にその上に従来の二酸化シリコン膜6を形成する。二酸
化シリコンの比誘電率が4.0であるのに対してポリイ
ミドの比誘電率は3.5であるので、式により配線間
の容量Cを減少させることができる。
であるが、図1に示す実施例では、配線4の間に比誘電
率の小さい高分子であるポリイミド膜5を形成し、さら
にその上に従来の二酸化シリコン膜6を形成する。二酸
化シリコンの比誘電率が4.0であるのに対してポリイ
ミドの比誘電率は3.5であるので、式により配線間
の容量Cを減少させることができる。
【0011】なお、上記実施例ではポリイミド膜を用い
たが、二酸化シリコンより比誘電率の小さい物質であれ
ば他の物質を用いてもかまわない。考えられる物質の例
を表形式で下記に示す。
たが、二酸化シリコンより比誘電率の小さい物質であれ
ば他の物質を用いてもかまわない。考えられる物質の例
を表形式で下記に示す。
【0012】
【0013】
【発明の効果】上述のように、本発明の半導体集積装置
は、隣接する配線間に比誘電率の小さい高分子膜を形成
することによって、配線間の寄生容量を減少させること
ができる。
は、隣接する配線間に比誘電率の小さい高分子膜を形成
することによって、配線間の寄生容量を減少させること
ができる。
【図1】本発明の実施例の半導体集積装置の構造を示す
断面図。
断面図。
【図2】従来の半導体集積装置の構造を示す断面図。
1 N型基板 2 第1フィールド酸化膜 3 第2フィールド酸化膜 4 配線 5 ポリイミド膜 6 二酸化シリコン膜
Claims (1)
- 【請求項1】 隣接する配線間に比誘電率の小さい高分
子膜を形成したことを特徴とする半導体集積装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21341691A JPH0555196A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21341691A JPH0555196A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体集積装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0555196A true JPH0555196A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16638868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21341691A Pending JPH0555196A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体集積装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0555196A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE1013532A3 (fr) | 1999-04-28 | 2002-03-05 | G C Dental Ind Corp | Distributeur de materiau dentaire visqueux. |
KR100372625B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2003-02-17 | 닛폰 덴키(주) | 반도체 장치 제조 방법 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21341691A patent/JPH0555196A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100372625B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2003-02-17 | 닛폰 덴키(주) | 반도체 장치 제조 방법 |
BE1013532A3 (fr) | 1999-04-28 | 2002-03-05 | G C Dental Ind Corp | Distributeur de materiau dentaire visqueux. |
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