JPH0552444B2 - - Google Patents
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- JPH0552444B2 JPH0552444B2 JP57006896A JP689682A JPH0552444B2 JP H0552444 B2 JPH0552444 B2 JP H0552444B2 JP 57006896 A JP57006896 A JP 57006896A JP 689682 A JP689682 A JP 689682A JP H0552444 B2 JPH0552444 B2 JP H0552444B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明は真空容器;入射輻射線を透過する基
体;前記入射輻射線を透過する基体上で容器の内
側に設けた中間層;および中間層に隣接する第1
側面および前記第1側面に対向する第2側面を有
する、基体に対向する中間層の側の容器の内側に
設けた感光層からなり、かつ中間層の屈折率が基
体の屈折率と感光層の屈折率との間の値を有す
る、与えられたスペクトル域における波長を有す
る輻射線を検出する光電検出装置に関する。この
種の装置としては、例えば光電池;像増強管;撮
像システムまたは光電子増倍管に設けられた表示
管を挙げることができる。 光電検出装置が基体上に直接に設けられた感光
層を含む場合には、一般に基体に対する感光層の
光学的適応性が乏しく、このために基体上に入射
する光の大部分が光子を電子に転換するために満
足に利用されていない。それ故、装置の光電検出
効率は著しく減少する。基体と感光層との間に入
射輻射線を透過する1または2層以上の中間層を
設けることにより、感光層を有する基体の界面上
に形成する反射を減衰することによつて効率を改
良することは知られている。 ただ一層だけの中間層を相するこの種の装置に
ついては、例えば米国特許第3254253号明細書に
記載されている。この場合、導入された中間層を
その弱い吸収に対して選択している。更に、これ
らの光学的定数およびその厚さは、基体および感
光層の光学的定数を考慮して、基体と中間層との
間の界面における反射光線、および中間層と感光
層間の界面における反射光線が同じ振幅および反
対相を有するようにして、反射光線を干渉によつ
て互いに消失するようにしている。 この種の装置は反射によつて損失を著しい程度
に減少することができるが、しかし最適効率を有
する装置を形成するには必ずしも必要なことでは
ない。 本発明の目的は、真空容器内に透過性基体、基
体上の透過性中間層、および上記基体に対向する
中間層側における容器の内側に設けた感光層を含
み、中間層の屈折率が基体の屈折率と感光層の屈
折率との間の値を有し、光電放出効果を構成材料
の、基体の、および感光層および中間層の性質を
考慮して最適にした光電検出装置を提供すること
である。 本発明は、前文に記載する光電検出装置におい
て、中間層および感光層がそれぞれ、与えられた
スペクトル域における波長を有する輻射線の吸収
を感光層の第2側面に隣接する感光層の部分にお
いて実質的に生ずるように選定した厚さを有し、
かつ上記部分が感光層における光電子の逃散深さ
の大きさの程度の厚さを有するようにしたことを
特徴とする。 本発明において、中間層および感光層はそれぞ
れ、与えられたスペクトル域の輻射線の吸収が感
光層の第2側面に隣接する感光層の部分において
実質的に生ずるように選定された厚さを有してい
る。この感光層の部分は感光層における光電子の
逃散深さ(escaping depth)Lの大きさの程度
の厚さを有している。 本発明は、光の吸収を感光層に生ずるようにす
る基体と感光層との間に中間層を設け、または設
けない光電検出装置における光電子放出の効率の
理論式によつて明らかにすることができる。 中間層を存在させない場合には、効率は感光層
の厚さeおよびその光学的定数n、k(nは屈折
率を示しおよびkは材料の吸光係数を示す)に影
響する。効率についての式を次に示す: (1)ρλ=P(W、O)∫e pAλ =(n、k、x)f(x、L)dx 式中の符号は次の意味を有する: xは感光層の界面と管の真空(x=0)および
界面に対して直角に測定する層における光子の吸
収位置との距離を示し; wは光電子のエネルギーを示し; A(n、k、x)は感光層と真空との界面から
の距離xでの感光層における波長λの輻射線の吸
収関数を示し; P(W、O)は界面における光電子の逃散確率
(escaping probability)を示し(次の用途にお
ける単位に等しい); Lは感光層からの光電子の逃散深さを示し; f(c、L)は層における電子の輸送を示す式
を示し、および eは感光層の厚さを示す。 基体と感光層との間にe1の厚さおよび光学的定
数n1、k1(n1は屈折率およびk1は吸光係数を示す)
を有する中間層を設ける場合には、感光層におけ
る光子の吸収関数Aλはn、k、xのみならずe1、
n1、k1に影響し、この場合に構造の光電子放出の
効率ρ′λは次のように示される: (2)ρ′λ=P(W、O)∫e p Aλ(ee、ne、ken、k、x)f(x、L)dx 上記式(1)および(2)、および実施例により成功し
た二三の理論的な電子の輸送についての式 f(x、L)=e−x/L(式中eはネペリアン数 (Neperian number)を示す)は本発明の説明に
役だつ。基体に用いる材料は1.5〜2の大きさの
程度の屈折率を有し、透過材料を有する中間層に
用いる材料(k1#O)は基体より大きく、かつ感
光層より小さい屈折率を有する。 次に、本発明を添付図面および例について説明
する。 第1図に示す1例構造において、装置は輻射線
を透過する基体(デイスク)11から構成し、こ
の基体に厚さeの感光層12および基体と感光層
との間に厚さe1の輻射線を透過する中間層13を
設ける。この積層構造体は光電管の入力になつて
おり、この場合、検出すべき光を矢14の方向に
積層構造体の左側から入射させ、管15の真空を
右側に存在させる。 本発明の1例においては、効率は例えばタイプ
S20、化学式(SbNa2K、Cs)によるトリアルカ
リ(triallealine)の感光層の光電子放出を向上
し、かかる層をλ=4360Å、λ=5460Å、λ=
8000Åのそれぞれの波長に集中する可視スペクト
ルの青、緑、赤の各区域において1.5の程度の屈
折率を有するガラス基体に直接に設ける。上記層
の光電子放出の効率ρλは層の与えられた厚さe
における区域において最大になる。この値の大き
さは表の第2行目に示すが、この大きさはスペ
クトル区域により影響される。光電子放出の相当
する効率は入射光子当りの電子の数×100(%)で
示され、これを表の第3行目に示す。この第1
例においては、感光層と基体との間に設けた中間
層を例えば2.6の屈折率を有するTiO2からなる層
にした。第2、3、4図はパラメータとして中間
層の厚さe1を用いる感光層の厚さeに対する光電
検出装置の効率を示しており、この関係を、第2
図では青色光について、第3図では緑色光につい
ておよび第4図では赤色光について示しており、
これらの各スペクトル域はそれぞれλ=4360Å、
λ=5460Åおよびλ=8000Åの付近に集中させて
いる。構造の光電子放出の効率ρ′λはeおよびe1
の値が表の第4および第5行目に示す値に相当
する場合には、各スペクトル域において最適にな
り、光電子放出の効率それ自体は表の6行目に
示している。表の第7行目には青、緑および赤
の各スペクトル域において1.3;1.25;1.1に等し
い比ρ′λ/ρλを示している。最も重要な光電利得は
基 体に直接に設けた同じ組成物のタイプS20の感光
層に匹敵する光電陰極の厚さで青色光において得
られる。 本発明による光電検出構造は表に示す厚さe
およびe1に相当する構造に制限されるものではな
い。
体;前記入射輻射線を透過する基体上で容器の内
側に設けた中間層;および中間層に隣接する第1
側面および前記第1側面に対向する第2側面を有
する、基体に対向する中間層の側の容器の内側に
設けた感光層からなり、かつ中間層の屈折率が基
体の屈折率と感光層の屈折率との間の値を有す
る、与えられたスペクトル域における波長を有す
る輻射線を検出する光電検出装置に関する。この
種の装置としては、例えば光電池;像増強管;撮
像システムまたは光電子増倍管に設けられた表示
管を挙げることができる。 光電検出装置が基体上に直接に設けられた感光
層を含む場合には、一般に基体に対する感光層の
光学的適応性が乏しく、このために基体上に入射
する光の大部分が光子を電子に転換するために満
足に利用されていない。それ故、装置の光電検出
効率は著しく減少する。基体と感光層との間に入
射輻射線を透過する1または2層以上の中間層を
設けることにより、感光層を有する基体の界面上
に形成する反射を減衰することによつて効率を改
良することは知られている。 ただ一層だけの中間層を相するこの種の装置に
ついては、例えば米国特許第3254253号明細書に
記載されている。この場合、導入された中間層を
その弱い吸収に対して選択している。更に、これ
らの光学的定数およびその厚さは、基体および感
光層の光学的定数を考慮して、基体と中間層との
間の界面における反射光線、および中間層と感光
層間の界面における反射光線が同じ振幅および反
対相を有するようにして、反射光線を干渉によつ
て互いに消失するようにしている。 この種の装置は反射によつて損失を著しい程度
に減少することができるが、しかし最適効率を有
する装置を形成するには必ずしも必要なことでは
ない。 本発明の目的は、真空容器内に透過性基体、基
体上の透過性中間層、および上記基体に対向する
中間層側における容器の内側に設けた感光層を含
み、中間層の屈折率が基体の屈折率と感光層の屈
折率との間の値を有し、光電放出効果を構成材料
の、基体の、および感光層および中間層の性質を
考慮して最適にした光電検出装置を提供すること
である。 本発明は、前文に記載する光電検出装置におい
て、中間層および感光層がそれぞれ、与えられた
スペクトル域における波長を有する輻射線の吸収
を感光層の第2側面に隣接する感光層の部分にお
いて実質的に生ずるように選定した厚さを有し、
かつ上記部分が感光層における光電子の逃散深さ
の大きさの程度の厚さを有するようにしたことを
特徴とする。 本発明において、中間層および感光層はそれぞ
れ、与えられたスペクトル域の輻射線の吸収が感
光層の第2側面に隣接する感光層の部分において
実質的に生ずるように選定された厚さを有してい
る。この感光層の部分は感光層における光電子の
逃散深さ(escaping depth)Lの大きさの程度
の厚さを有している。 本発明は、光の吸収を感光層に生ずるようにす
る基体と感光層との間に中間層を設け、または設
けない光電検出装置における光電子放出の効率の
理論式によつて明らかにすることができる。 中間層を存在させない場合には、効率は感光層
の厚さeおよびその光学的定数n、k(nは屈折
率を示しおよびkは材料の吸光係数を示す)に影
響する。効率についての式を次に示す: (1)ρλ=P(W、O)∫e pAλ =(n、k、x)f(x、L)dx 式中の符号は次の意味を有する: xは感光層の界面と管の真空(x=0)および
界面に対して直角に測定する層における光子の吸
収位置との距離を示し; wは光電子のエネルギーを示し; A(n、k、x)は感光層と真空との界面から
の距離xでの感光層における波長λの輻射線の吸
収関数を示し; P(W、O)は界面における光電子の逃散確率
(escaping probability)を示し(次の用途にお
ける単位に等しい); Lは感光層からの光電子の逃散深さを示し; f(c、L)は層における電子の輸送を示す式
を示し、および eは感光層の厚さを示す。 基体と感光層との間にe1の厚さおよび光学的定
数n1、k1(n1は屈折率およびk1は吸光係数を示す)
を有する中間層を設ける場合には、感光層におけ
る光子の吸収関数Aλはn、k、xのみならずe1、
n1、k1に影響し、この場合に構造の光電子放出の
効率ρ′λは次のように示される: (2)ρ′λ=P(W、O)∫e p Aλ(ee、ne、ken、k、x)f(x、L)dx 上記式(1)および(2)、および実施例により成功し
た二三の理論的な電子の輸送についての式 f(x、L)=e−x/L(式中eはネペリアン数 (Neperian number)を示す)は本発明の説明に
役だつ。基体に用いる材料は1.5〜2の大きさの
程度の屈折率を有し、透過材料を有する中間層に
用いる材料(k1#O)は基体より大きく、かつ感
光層より小さい屈折率を有する。 次に、本発明を添付図面および例について説明
する。 第1図に示す1例構造において、装置は輻射線
を透過する基体(デイスク)11から構成し、こ
の基体に厚さeの感光層12および基体と感光層
との間に厚さe1の輻射線を透過する中間層13を
設ける。この積層構造体は光電管の入力になつて
おり、この場合、検出すべき光を矢14の方向に
積層構造体の左側から入射させ、管15の真空を
右側に存在させる。 本発明の1例においては、効率は例えばタイプ
S20、化学式(SbNa2K、Cs)によるトリアルカ
リ(triallealine)の感光層の光電子放出を向上
し、かかる層をλ=4360Å、λ=5460Å、λ=
8000Åのそれぞれの波長に集中する可視スペクト
ルの青、緑、赤の各区域において1.5の程度の屈
折率を有するガラス基体に直接に設ける。上記層
の光電子放出の効率ρλは層の与えられた厚さe
における区域において最大になる。この値の大き
さは表の第2行目に示すが、この大きさはスペ
クトル区域により影響される。光電子放出の相当
する効率は入射光子当りの電子の数×100(%)で
示され、これを表の第3行目に示す。この第1
例においては、感光層と基体との間に設けた中間
層を例えば2.6の屈折率を有するTiO2からなる層
にした。第2、3、4図はパラメータとして中間
層の厚さe1を用いる感光層の厚さeに対する光電
検出装置の効率を示しており、この関係を、第2
図では青色光について、第3図では緑色光につい
ておよび第4図では赤色光について示しており、
これらの各スペクトル域はそれぞれλ=4360Å、
λ=5460Åおよびλ=8000Åの付近に集中させて
いる。構造の光電子放出の効率ρ′λはeおよびe1
の値が表の第4および第5行目に示す値に相当
する場合には、各スペクトル域において最適にな
り、光電子放出の効率それ自体は表の6行目に
示している。表の第7行目には青、緑および赤
の各スペクトル域において1.3;1.25;1.1に等し
い比ρ′λ/ρλを示している。最も重要な光電利得は
基 体に直接に設けた同じ組成物のタイプS20の感光
層に匹敵する光電陰極の厚さで青色光において得
られる。 本発明による光電検出構造は表に示す厚さe
およびe1に相当する構造に制限されるものではな
い。
【表】
【表】
更に、第2、3および4図に示すように、他の
eおよびe1の対をなす値が存在し、光電子放出の
効率が極めて最適であることを示している。各対
をなす値は本発明の変形例に相当する。これらの
eおよびe1の対をなす値を表に各スペクトル域
について示す。
eおよびe1の対をなす値が存在し、光電子放出の
効率が極めて最適であることを示している。各対
をなす値は本発明の変形例に相当する。これらの
eおよびe1の対をなす値を表に各スペクトル域
について示す。
【表】
スペクトル域の赤および緑について、対をなす
値を極めて一定である厚さeおよびe1の和に相当
する2つの組合せにし、すなわち、青範囲におい
てe+e1=1450Åおよびe+e1=700Åおよび緑
範囲においてe+e1=1900Å、e+e1=900Åに
することができる。赤範囲において対をなす値は
e+e1=1450Åの組合せを形成する。測定の正確
さを考慮して、また本発明はe+e1和が±15%の
許容範囲内の上記値にほぼ等しい構造を包含す
る。異なる波長を有する範囲の場合には、本発明
においては装置を同様の手段によりそのe+e1和
を上述する特定範囲にすることができる。 本発明における第2の例においては、上記例に
おけるように出来るだけ良くわかるスペクトルに
おける感度を均一に維持しながら可視スペクトル
および近赤外線において光電検出装置として使用
できる装置に構成することができる。例えば、感
光層および中間層の材料をそれぞれe1=500Åお
よびe=900Åの大きさの程度の厚さeおよびe1
において(SbNa2K、Cs)およびTiO2に選択す
ることができる。第5図は対をなす3つの曲線
B、V、Rを示しており、感光層の厚さによりス
ペクトルの青、緑および赤範囲における光電検出
装置のエネルギー感度(ミリアンペア/ワツト)
を示している。破線で示す曲線は基体に直接に設
けた感光層を有する装置に関し、実線で示す曲線
は基体と感光層との間に厚さe1=500Åを有する
中間層を設けた装置に関し、これらいずれの場合
においても感光層からの電子の逃散(escape)
の確率P(W、O)を0.5に仮定している。これら
の曲線から、本発明による光電装置の感度を、ガ
ラス基体に直接設けた感光層S25の感度と比較す
ることができる。層S25に関する本発明による光
電増幅は赤に対して1.1、緑に対して1.5および青
に対して2.5の大きさの程度である。これらの結
果を第6図の曲線61および62で示すことがで
きる。この第6図は本発明の構造の光の波長λ、
mA/ワツトで表わされるエネルギー感度および
層S25に影響するバリエーシヨンを示している。
層S25に関して、青および緑に対する感度は大き
くなり、このためにある均一性を示すことができ
る。 勿論、また本発明は感光層および透過中間
(K1#0)を基体に設け、材料の屈折率を基体の
屈折率と感光材料の屈折率との間にした多くの装
置を包含することができる。 この場合、本発明における変形例として、感度
を青および緑範囲において高めようとする場合に
は、感光層を化学式SbAxBy(式中AおよびBは
アルカリ元素、およびxおよびyは係数を示す)
で表わされるビアルカリ(bialkaline)にするこ
とができ、また感度を青範囲だけにおいて高める
ようにする場合には感光層をタイプSb、Axにす
ることができ、また全可視スペクトルおよび光の
近赤外線において感度を高めようとする場合には
タイプAgOScにすることができる。更に、中間
層の材料TiO2を、例えばTa2O5またはIn2O3また
はSnO2(ナトリウムの存在するのを除いて)、ま
たはSiO、MnO、Al2O3、Si3N4、MgOまたは薄
い層にしたランタン ガラスに置き替えることが
できる。上述する感光層および中間層の材料を用
いる場合には、感光層および中間層の厚さeおよ
びe1を表およびに示す値と殆んど同じ値にす
ることができ、この場合15%の偏差は装置の光電
子放出の効率の最適値から著しくかたよらないか
ぎり許容することができる。 また、本発明の装置の他の利点としては、従来
の装置の感光層の厚さに比較して極めて薄くする
ことができ、また極めて低い電気抵抗のために装
置を光電陰極として用いる場合には、例えば
SnO2およびIn2O3のある中間層は感光層の表面の
電位を安定にすることができる。
値を極めて一定である厚さeおよびe1の和に相当
する2つの組合せにし、すなわち、青範囲におい
てe+e1=1450Åおよびe+e1=700Åおよび緑
範囲においてe+e1=1900Å、e+e1=900Åに
することができる。赤範囲において対をなす値は
e+e1=1450Åの組合せを形成する。測定の正確
さを考慮して、また本発明はe+e1和が±15%の
許容範囲内の上記値にほぼ等しい構造を包含す
る。異なる波長を有する範囲の場合には、本発明
においては装置を同様の手段によりそのe+e1和
を上述する特定範囲にすることができる。 本発明における第2の例においては、上記例に
おけるように出来るだけ良くわかるスペクトルに
おける感度を均一に維持しながら可視スペクトル
および近赤外線において光電検出装置として使用
できる装置に構成することができる。例えば、感
光層および中間層の材料をそれぞれe1=500Åお
よびe=900Åの大きさの程度の厚さeおよびe1
において(SbNa2K、Cs)およびTiO2に選択す
ることができる。第5図は対をなす3つの曲線
B、V、Rを示しており、感光層の厚さによりス
ペクトルの青、緑および赤範囲における光電検出
装置のエネルギー感度(ミリアンペア/ワツト)
を示している。破線で示す曲線は基体に直接に設
けた感光層を有する装置に関し、実線で示す曲線
は基体と感光層との間に厚さe1=500Åを有する
中間層を設けた装置に関し、これらいずれの場合
においても感光層からの電子の逃散(escape)
の確率P(W、O)を0.5に仮定している。これら
の曲線から、本発明による光電装置の感度を、ガ
ラス基体に直接設けた感光層S25の感度と比較す
ることができる。層S25に関する本発明による光
電増幅は赤に対して1.1、緑に対して1.5および青
に対して2.5の大きさの程度である。これらの結
果を第6図の曲線61および62で示すことがで
きる。この第6図は本発明の構造の光の波長λ、
mA/ワツトで表わされるエネルギー感度および
層S25に影響するバリエーシヨンを示している。
層S25に関して、青および緑に対する感度は大き
くなり、このためにある均一性を示すことができ
る。 勿論、また本発明は感光層および透過中間
(K1#0)を基体に設け、材料の屈折率を基体の
屈折率と感光材料の屈折率との間にした多くの装
置を包含することができる。 この場合、本発明における変形例として、感度
を青および緑範囲において高めようとする場合に
は、感光層を化学式SbAxBy(式中AおよびBは
アルカリ元素、およびxおよびyは係数を示す)
で表わされるビアルカリ(bialkaline)にするこ
とができ、また感度を青範囲だけにおいて高める
ようにする場合には感光層をタイプSb、Axにす
ることができ、また全可視スペクトルおよび光の
近赤外線において感度を高めようとする場合には
タイプAgOScにすることができる。更に、中間
層の材料TiO2を、例えばTa2O5またはIn2O3また
はSnO2(ナトリウムの存在するのを除いて)、ま
たはSiO、MnO、Al2O3、Si3N4、MgOまたは薄
い層にしたランタン ガラスに置き替えることが
できる。上述する感光層および中間層の材料を用
いる場合には、感光層および中間層の厚さeおよ
びe1を表およびに示す値と殆んど同じ値にす
ることができ、この場合15%の偏差は装置の光電
子放出の効率の最適値から著しくかたよらないか
ぎり許容することができる。 また、本発明の装置の他の利点としては、従来
の装置の感光層の厚さに比較して極めて薄くする
ことができ、また極めて低い電気抵抗のために装
置を光電陰極として用いる場合には、例えば
SnO2およびIn2O3のある中間層は感光層の表面の
電位を安定にすることができる。
第1図は本発明における光電子放出装置の断面
を示す説明用線図、第2図は感光材料を
(SbNa2K、Cs)および中間層をTiO2から構成し
た場合、装置の光電子放出の効率を波長λ=4360
Åにおける中間層の種々の厚さe1に対する感光層
の厚さeの関数として示す曲線図、第3図は第2
図と同様に示した波長λ=5460Åにおける装置の
光電子放出の効率を示す曲線図、第4図は第2図
と同様に示した波長λ=800Åにおける装置の光
電子放出の効率を示す曲線図、第5図はエネルギ
ー感度を厚さe1=500Åを有するTiO2中間層を設
けたまたは設けない光電子放出装置の感光層の厚
さeの関数として示した曲線図、および第6図は
本発明における光電子放出装置のスペクトルエネ
ルギー感度を厚さe1=500Åを有する中間層およ
び(SbNa2K、Cs)からなる厚さe=900Åを有
する光電子放出層による光の波長に依存する本発
明における光電子放出装置の特定のエネルギー感
度およびガラス基体に直接に設けた1300Åの厚さ
を有する同じ光電子放出層(層をS25と称する)
のエネルギー感度を示す曲線である。 11……基体(デイスク)、12……感光層、
13……中間層、15……管。
を示す説明用線図、第2図は感光材料を
(SbNa2K、Cs)および中間層をTiO2から構成し
た場合、装置の光電子放出の効率を波長λ=4360
Åにおける中間層の種々の厚さe1に対する感光層
の厚さeの関数として示す曲線図、第3図は第2
図と同様に示した波長λ=5460Åにおける装置の
光電子放出の効率を示す曲線図、第4図は第2図
と同様に示した波長λ=800Åにおける装置の光
電子放出の効率を示す曲線図、第5図はエネルギ
ー感度を厚さe1=500Åを有するTiO2中間層を設
けたまたは設けない光電子放出装置の感光層の厚
さeの関数として示した曲線図、および第6図は
本発明における光電子放出装置のスペクトルエネ
ルギー感度を厚さe1=500Åを有する中間層およ
び(SbNa2K、Cs)からなる厚さe=900Åを有
する光電子放出層による光の波長に依存する本発
明における光電子放出装置の特定のエネルギー感
度およびガラス基体に直接に設けた1300Åの厚さ
を有する同じ光電子放出層(層をS25と称する)
のエネルギー感度を示す曲線である。 11……基体(デイスク)、12……感光層、
13……中間層、15……管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 真空容器;入射輻射線を透過する基体;前記
入射輻射線を透過する基体上で容器の内側に設け
た中間層;および中間層に隣接する第1側面およ
び前記第1側面に対向する第2側面を有する、基
体に対向する中間層の側の容器の内側に設けた感
光層からなり、かつ中間層の屈折率が基体の屈折
率と感光層の屈折率との間の値を有する、与えら
れたスペクトル域における波長を有する輻射線を
検出する光電検出装置において、中間層および感
光層がそれぞれ、与えられたスペクトル域におけ
る波長を有する輻射線の吸収を感光層の第2側面
に隣接する感光層の部分において実質的に生ずる
ように選定した厚さを有し、かつ前記部分が感光
層における光電子の逃散深さの大きさの程度の厚
さを有するようにしたことを特徴とする光電検出
装置。 2 ガラスを含む基体が1.5〜2の範囲の程度の
屈折率を有し;感光層が実質的にSbAxByCs、
SbAxBy、SbAxおよびAgOCs(ここにAおよび
Bはアルカリ金属、およびxおよびyは0〜3を
示す)からなる群から選択した材料からなり、お
よび中間層が1.9〜2.6の範囲の屈折率を有する特
許請求の範囲第1項記載の装置。 3 中間層の厚さが1105〜1495Åであり、および
感光層の厚さが170〜230Åまたは510〜690Åであ
る特許請求の範囲第1または2項記載の装置。 4 中間層の厚さが1035〜1265Åであり、および
感光層の厚さが297.5〜402.5Åまたは340〜460Å
である特許請求の範囲第1または2項記載の装
置。 5 中間層の厚さが425〜575Åであり、および感
光層の厚さが170〜230Å、340〜460Åまたは
807.5〜1092.5Åである特許請求の範囲第1また
は2項記載の装置。 6 中間層の厚さが255〜345Åであり、および感
光層の厚さが255〜345Åまたは510〜690Åである
特許請求の範囲第1または2項記載の装置。 7 中間層の厚さが1275〜1725Åであり、および
感光層の厚さ387.5〜512.5Åである特許請求の範
囲第9項記載の装置。 8 中間層の厚さが595〜805Åであり、および感
光層の厚さが212.5〜287.5Åまたは637.5〜762.5
Åである特許請求の範囲第1または2項記載の装
置。 9 中間層の厚さが665〜1035Åであり、および
感光層の厚さが425〜575Åである特許請求の範囲
第1または2項記載の装置。 10 中間層の厚さが425〜575Åであり、および
感光層の厚さが765〜1035Åである特許請求の範
囲第1または2項記載の装置。 11 感光層が、実質的にSbK2Cs、SbNa2KCs、
SbK2Rb、SbRb2Cs、SbCs3およびAgOCsからな
る群から選択する材料からなり;および中間層が
実質的にTiO2、Ta2O5、SiO、MnO、AL2O3、
MgO、Si3N4およびランタン ガラスからなる群
から選択する材料からなる特許請求の範囲第9項
記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8101039A FR2498321A1 (fr) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | Structure de detection photoelectrique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57142521A JPS57142521A (en) | 1982-09-03 |
JPH0552444B2 true JPH0552444B2 (ja) | 1993-08-05 |
Family
ID=9254354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57006896A Granted JPS57142521A (en) | 1981-01-21 | 1982-01-21 | Photoelectric detector |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4490605A (ja) |
EP (1) | EP0056671B1 (ja) |
JP (1) | JPS57142521A (ja) |
DE (1) | DE3277100D1 (ja) |
FR (1) | FR2498321A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08280276A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-10-29 | Taishiyoo:Kk | 水田用給水装置 |
Families Citing this family (7)
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---|---|---|---|---|
FR2515870A1 (fr) * | 1981-11-04 | 1983-05-06 | Labo Electronique Physique | Photocathode pour entree de tube electronique comportant un dispositif semi-conducteur avec photo-emission par transmission |
JP4926504B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2012-05-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法 |
JP5342769B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2013-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電陰極、電子管及び光電子増倍管 |
US8212475B2 (en) * | 2009-04-02 | 2012-07-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photocathode, electron tube, and photomultiplier tube |
IT1396605B1 (it) | 2009-11-11 | 2012-12-14 | Pirelli | Metodo per controllare la formazione di difettosita' in uno strato sigillante di un pneumatico durante un processo di produzione di pneumatici auto-sigillanti per ruote di veicoli e processo per produrre pneumatici auto-sigillanti per ruote di veicoli |
IT1396684B1 (it) | 2009-11-27 | 2012-12-14 | Meus S R L | Metodo per la produzione di corpi in materiale plastico comprendenti almeno due porzioni tra loro incernierate mediante un singolo perno di rotazione |
DE102014003560B4 (de) | 2013-03-13 | 2024-08-01 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Photomultipliers |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2972691A (en) * | 1952-08-06 | 1961-02-21 | Leitz Ernst Gmbh | Photocathode for photocells, photoelectric quadrupler and the like |
GB1005708A (en) * | 1960-12-14 | 1965-09-29 | Emi Ltd | Improvements relating to photo electrically sensitive devices |
FR1345063A (fr) * | 1962-10-23 | 1963-12-06 | Thomson Houston Comp Francaise | Cathode photoélectrique |
DE1564481A1 (de) * | 1966-04-22 | 1969-09-11 | Rodenstock Optik G | Verbesserung in Fotokathoden von Bildwander- und Bildverstaerkerroehren |
-
1981
- 1981-01-21 FR FR8101039A patent/FR2498321A1/fr active Granted
-
1982
- 1982-01-08 US US06/337,917 patent/US4490605A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-01-14 DE DE8282200039T patent/DE3277100D1/de not_active Expired
- 1982-01-14 EP EP82200039A patent/EP0056671B1/fr not_active Expired
- 1982-01-21 JP JP57006896A patent/JPS57142521A/ja active Granted
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08280276A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-10-29 | Taishiyoo:Kk | 水田用給水装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4490605A (en) | 1984-12-25 |
FR2498321B1 (ja) | 1984-04-13 |
JPS57142521A (en) | 1982-09-03 |
EP0056671A1 (fr) | 1982-07-28 |
FR2498321A1 (fr) | 1982-07-23 |
DE3277100D1 (en) | 1987-10-01 |
EP0056671B1 (fr) | 1987-08-26 |
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