JPH0551297A - サフアイアの直接接合方法 - Google Patents

サフアイアの直接接合方法

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JPH0551297A
JPH0551297A JP23395391A JP23395391A JPH0551297A JP H0551297 A JPH0551297 A JP H0551297A JP 23395391 A JP23395391 A JP 23395391A JP 23395391 A JP23395391 A JP 23395391A JP H0551297 A JPH0551297 A JP H0551297A
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博昭 戸嶋
Toshiro Furutaki
敏郎 古滝
Hideta Uchiumi
秀太 内海
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 接合面にメタライズ処理等を用いず、接合表
面での熱拡散処理により直接接合するサファイアの固定
方法。 【構成】 接合面の表面粗度Rmaxが0.1μm以下および
接合面の平坦度が10μm以下の鏡面であり、かつドーピ
ング材を0.1ppm〜5wt%含む2個のサファイアを結晶学
的に同方位に重合わせて加熱処理し接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、2個以上のサファイア
部材を熱拡散処理により直接接合するサファイアの固定
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術および課題】従来、サファイアの接合方法
としては接着剤により接合する方法もしくは接合面にメ
タライズ処理を行い接合する方法が実施されており、接
着材を使用する方法においては熱硬化型または紫外線硬
化型接着材等のいわゆる有機系接着材を用いる接合方法
が主に使われていた。この方法により接合されたものは
透過性を有する接合面ではあるが、接合後の接着材の耐
熱性、耐薬品性、接合強度等に難点があり、特に有機系
材質であるため高温域での使用が不可能であることが問
題視されていた。
【0003】また、メタライズ処理を行なう方法として
はモリブデン−マンガン(Mo-Mn)法がよく用いられる
が、1750℃の高温および水素雰囲気での処理が必要であ
り、かつ処理においてメタル(金属)相の析出を行うた
め透過特性の損失、並びに研磨品においては接合部メタ
ライズ相が外観上見える等、一体成形を思わせる装飾用
サファイア接合部品としての製造方法としては問題があ
った。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、2個以上のサ
ファイア部材を接合面にメタライズ処理等を用いず、接
合表面でのバルクサファイア内の酸化物およびイオンの
熱拡散処理により直接接合するサファイアの固定方法に
関するものであり、表面粗度Rmax=0.1μm以下、平坦度
が10μm以下に仕上げられたバルクサファイア内におい
て、その結晶内を移動できるイオンをドーピング材によ
り付加させ、高温状態でイオンが結晶内および接合界面
内を移動することによりサファイア同士を直接接合する
ものである。
【0005】バルクサファイアのドーピング材として
は、IVa, Va, VIa, VIIa, VIII族元素中から選ばれた一
種もしくは数種の酸化物を含んだサファイアであれば接
合が可能であり、接合面の表面粗度Rmaxを0.1μm以下
に仕上げ、更に接合面の平坦度が10μm以下の鏡面であ
れば接合部の接合強度は十分得られる。つまり平坦度が
精度以下(平坦度が10μm以上)であると接合部が平面
全体での接合ではなく、部分的に平坦度精度を充たす一
部平面のみでの接合となり、接合強度が十分得られない
事があるので接合強度を充分得るためには平坦度精度は
必要不可欠な要因である。
【0006】実験の結果、処理温度条件はドーピング材
のイオン移動の活性化を充分得る1000℃〜2000℃での処
理が効果的であり、1000℃以下の処理温度では接合が起
こらず、逆に2000℃を越えるとサファイア母体の変形が
起こるという問題があった。またサファイア中のド−ピ
ング材濃度は結晶内をイオンが移動できる量である所の
0.1ppm〜5wt%の範囲で良好な接合結果を得たが、0.1p
pm以下のバルクサファイア同士では接合が起こらず、一
方ドーピング材濃度が5wt%を越えるとサファイア結晶
内の不純物に依存する歪みおよび結晶育成時における第
二相の存在が影響して、接合処理後に接合部端面にクラ
ックを生ずることが確認できた。更に接合する個々のサ
ファイアにおいて接合面が結晶学的に同じ方位に重ね合
わせることが必要不可欠であることが確認できた。
【0007】
【実施例1】TiO2をドーピング材として 0.01wt%含む
人造サファイアをベルヌイ法により育成し、C-面の表面
粗度Rmaxが0.1μm以下および平坦度が10μm以下に成る
よう切断研磨加工(約φ30mm×2mm厚)した2個のサフ
ァイアを、接合面を結晶学的に同じ方位に重ね合わせ、
大気および窒素雰囲気において1500℃〜1700℃で24時間
熱処理を行い接合した。その結果、接合面が透過性の無
色透明であり、かつ接合強度が2kg/mm2以上の強度を
有する強固なサファイア接合が得られた。
【0008】また同様な方法において面方位をC-面とa-
面に変えて接合処理を行った結果、接合面にクラックが
存在する接合状態であり、接合強度も充分な強度を得る
ことはできなかった。更に条件を変えて平坦度10μm以
上のもの、表面粗度が1μm程度のもについての接合処理
を行ったが共に良好な接合は得られなかった。
【0009】
【実施例2】ドーピング材としてTiO2とFe2O3を用い、T
iO2が0.2wt%、Fe2O3が2wt%含むサファイアをベルヌイ
法により育成し、実施例1と同様な条件で接合処理を行
った結果、接合面が透過性を有する接合強度2kg/mm2
以上の強固な接合が得られた。同様な手順でドーピング
材をZrO2とCoOに変えたサファイアの接合処理を行った
結果も、前記同様に良好な接合が得られた。
【0010】
【実施例3】ドーピング材を添加しないバルクサファイ
ア中の不純物濃度が0.1ppm以下である表面粗度および平
坦度が前記条件に仕上げられたサファイア接合面におい
て、TiO2をスパッタ法により膜厚0.5μm付着させ、実施
例1と同様に結晶学的に同じ方位に重ね合わせて熱拡散
処理を行った。接合処理したサファイアは、多少接合面
の透過性は低下するがクラック等の無い強固な接合が得
られた。また、Zr,Cr,Mn,Feの酸化物の一種もしくは数
種を同様な方法により成膜し接合処理を行った結果も同
様であった。
【0011】
【実施例4】ドーピング材を添加しないバルクサファイ
ア中の不純物濃度が0.1ppm以下である表面粗度および平
坦度が前記条件に仕上げられたサファイア接合面におい
て、Ti,Zr,Cr,Mn,Feのそれぞれの元素についてイオン注
入法を用い、接合表面に1017/cm2程度の量をイオン注
入し、前記と同様な熱拡散処理を行った。この結果接合
強度は実施例1及び2と同様な強度が得られ、接合面は
透過性を有し外観上何等問題はなかった。
【0012】
【発明の効果】本発明は、2個以上のサファイア部材を
接合面にメタライズ処理等を用いず、接合表面でのバル
クサファイア内の酸化物およびイオンの熱拡散処理によ
り直接接合するサファイアの固定方法に関するものであ
り、従来、サファイアの接合方法として実施されていた
有機系接着剤を用いる方法やメタライズ処理を行う接合
方法での難点であった接合後の耐熱性、耐薬品性、接合
強度及び外観上の透過特性において、かかる問題点を全
て解決することが可能となった。
【0013】特に高温域におけるメタル層とサファイア
間との熱歪によるクラックの発生が皆無になり、透過特
性に優れた熱処理向け窓用部品および宝飾、貴金属、高
級時計等の装飾用接合部品に対し、外観、美観を損ねる
ことなく供給することが可能となった。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 サファイア接合面の表面粗度Rmaxが0.1
    μm以下および接合面の平坦度が10μm以下の鏡面であ
    り、かつIVa,Va,VIa,VIIa,VIII族元素の中から選ば
    れた一種もしくは数種のド−ピング材が0.1ppm〜5wt%
    含有した人造サファイアまたは天然サファイアを、結晶
    学的に同じ方位に接合面を重ね合わせて1000℃〜2000℃
    の加熱処理により接合することを特徴とするサファイア
    の直接接合方法。
  2. 【請求項2】 接合面にIVa,Va,VIa,VIIa,VIII族元
    素の中から選ばれた一種もしくは数種の酸化物をスパッ
    タリング法または真空蒸着法等により形成した請求項1
    の接合方法。
  3. 【請求項3】 接合面にIVa,Va,VIa,VIIa,VIII族元
    素の中から選ばれた一種もしくは数種の元素をイオン注
    入法により形成した請求項1の接合方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020078254A (ko) * 2001-04-06 2002-10-18 주식회사 아메스 수정원석 가공부산물의 직접접합을 이용한 수정장신구의제조방법
JP2019019041A (ja) * 2017-07-21 2019-02-07 株式会社サイオクス GaN基板
CN110396724A (zh) * 2019-08-07 2019-11-01 苏州恒嘉晶体材料有限公司 一种蓝宝石光学片的处理方法
CN112338344A (zh) * 2020-10-29 2021-02-09 河海大学常州校区 一种蓝宝石的高温自膨胀压力扩散焊接方法

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