JPH0550698B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0550698B2 JPH0550698B2 JP59261439A JP26143984A JPH0550698B2 JP H0550698 B2 JPH0550698 B2 JP H0550698B2 JP 59261439 A JP59261439 A JP 59261439A JP 26143984 A JP26143984 A JP 26143984A JP H0550698 B2 JPH0550698 B2 JP H0550698B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ray
- pulse
- light
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/22—X-ray tubes specially designed for passing a very high current for a very short time, e.g. for flash operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/065—Field emission, photo emission or secondary emission cathodes
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、発生時間を精密にコントロールされ
た超短X線パルスで試料等を照射し、光励起また
は電圧励起された試料の動的変化を時間分解シヤ
ドウグラフ法で観測する時間分解シヤドウグラフ
装置に関する。
た超短X線パルスで試料等を照射し、光励起また
は電圧励起された試料の動的変化を時間分解シヤ
ドウグラフ法で観測する時間分解シヤドウグラフ
装置に関する。
(従来の技術)
従来の時間分解シヤドウグラフ装置を第3図を
参照して説明する。
参照して説明する。
従来の時間分解シヤドウグラフ装置に用いられ
るX線管20は、ヒータ18、電子発生用カソー
ド17、制御グリツド16、電子レンズ15をも
ち、X線発生用のターゲツト14をベリリウム
(Be)窓13付の真空容器19に封入したもので
ある。このX線管20の制御グリツド16にコン
トロール用のパルスを印加し、カソード17から
のパルス状の電子流を発生し、ターゲツト14に
当てることにより短いX線パルス8を作る。
るX線管20は、ヒータ18、電子発生用カソー
ド17、制御グリツド16、電子レンズ15をも
ち、X線発生用のターゲツト14をベリリウム
(Be)窓13付の真空容器19に封入したもので
ある。このX線管20の制御グリツド16にコン
トロール用のパルスを印加し、カソード17から
のパルス状の電子流を発生し、ターゲツト14に
当てることにより短いX線パルス8を作る。
この短いX線パルス8を試料9に当て、その透
過像または透過回折像を記録装置10で記録す
る。
過像または透過回折像を記録装置10で記録す
る。
(発明の解決しようとする問題点)
前記従来の装置においては、X線パルスを発生
させるための電子ビームパルスを作るのに、制御
グリツドにパルス電圧を印加するという従来の通
常のX線発生管を使用しているから、そのパルス
幅は、高々1nsec程度までしか短くできないとい
う問題がある。
させるための電子ビームパルスを作るのに、制御
グリツドにパルス電圧を印加するという従来の通
常のX線発生管を使用しているから、そのパルス
幅は、高々1nsec程度までしか短くできないとい
う問題がある。
本発明の目的は、X線パルス源として、光電面
をレーザ光等により励起し、発生した電子ビーム
をターゲツトに衝突させてX線を発生させるとい
う新規なX線パルス発生管を用いることにより、
前記問題を解決したX線シヤドウグラフ装置を提
供することにある。
をレーザ光等により励起し、発生した電子ビーム
をターゲツトに衝突させてX線を発生させるとい
う新規なX線パルス発生管を用いることにより、
前記問題を解決したX線シヤドウグラフ装置を提
供することにある。
(問題を解決するための手段)
前記目的を達成するために本発明によるX線シ
ヤドウグラフ装置は、 極めて短い光パルスを発生する光源装置と、光
電面、前記光電面の発生した電子に衝突されてX
線パルスを発生するX線ターゲツトをもつX線発
生管と、 前記光パルスを前記X線発生管の光電面に接続
する光接続手段と、 前記X線パルスに照射される位置に配置されて
いる試料と、 前記光パルス発生に同期して前記試料を励起す
る試料励起手段と、 前記励起された試料のX線透過像を記録する像
記録装置とから構成されている。
ヤドウグラフ装置は、 極めて短い光パルスを発生する光源装置と、光
電面、前記光電面の発生した電子に衝突されてX
線パルスを発生するX線ターゲツトをもつX線発
生管と、 前記光パルスを前記X線発生管の光電面に接続
する光接続手段と、 前記X線パルスに照射される位置に配置されて
いる試料と、 前記光パルス発生に同期して前記試料を励起す
る試料励起手段と、 前記励起された試料のX線透過像を記録する像
記録装置とから構成されている。
(実施例)
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
第1図は本発明によるX線シヤドウグラフ装置
の第1の実施例を示すブロツク図である。
の第1の実施例を示すブロツク図である。
この実施例は試料を光で励起し、励起後極めて
短い一定時間後の試料のシヤドウグラフを得るも
のである。
短い一定時間後の試料のシヤドウグラフを得るも
のである。
レーザ装置1で発生したピコ秒レーザパルス2
の一部はハーフミラー3で一部、分離され半導体
等の試料9を直接励起する。資料9には、いわゆ
るレーザアニーリングに伴う結晶性、相転位が誘
起される。
の一部はハーフミラー3で一部、分離され半導体
等の試料9を直接励起する。資料9には、いわゆ
るレーザアニーリングに伴う結晶性、相転位が誘
起される。
ハーフミラー3を透過した光パルスは光遅延路
4で所要時間遅延させられる。
4で所要時間遅延させられる。
遅延させられた光パルスは、反射鏡5a,5b
で反射され、エキスパンダーレンズ6でビーム径
を拡大され、X線パルス発生管7に入射させられ
る。X線パルス発生管7は光電面7a、光電面7
aの発生した電子を集束する集束電極7bおよび
X線ターゲツト7cを持つている。
で反射され、エキスパンダーレンズ6でビーム径
を拡大され、X線パルス発生管7に入射させられ
る。X線パルス発生管7は光電面7a、光電面7
aの発生した電子を集束する集束電極7bおよび
X線ターゲツト7cを持つている。
前記光パルスに励起されて光電面7aが発生し
た電子ビームによりターゲツト7cから発生した
X線により試料9が照射される。試料9のシヤド
ウグラフは像記録装置10により記録される。
た電子ビームによりターゲツト7cから発生した
X線により試料9が照射される。試料9のシヤド
ウグラフは像記録装置10により記録される。
像記録装置10としてX線像増強管、X線カメ
ラ、X線乾板等を使用する。
ラ、X線乾板等を使用する。
レーザパルスで誘起された試料の構造変化は、
超短時間のX線パルスでサンプリングされ、透過
像または透過回折像が記録される。
超短時間のX線パルスでサンプリングされ、透過
像または透過回折像が記録される。
第2図は本発明によるX線シヤドウグラフ装置
の第2の実施例を示すブロツク図である。
の第2の実施例を示すブロツク図である。
この実施例は試料を電圧で励起し、励起後極め
て短い一定時間後の試料のシヤドウグラフを得る
ものである。
て短い一定時間後の試料のシヤドウグラフを得る
ものである。
試料に与えられる電圧による刺激に対応して発
生した試料の変化の透過像または透過回折像を超
短時間サンプリングして記録することができる。
生した試料の変化の透過像または透過回折像を超
短時間サンプリングして記録することができる。
トリガ11により発生する電圧パルスは圧電材
料の試料9に印加される。
料の試料9に印加される。
トリガ11により発生する電圧パルスは遅延回
路12により遅延され、レーザ装置1を起動して
光パルス2を発生させる。
路12により遅延され、レーザ装置1を起動して
光パルス2を発生させる。
この光パルスは反射鏡5a,5bで反射され、
エキスパンダーレンズ6でビーム径を拡大され、
X線パルス発生管7に入射させられる。
エキスパンダーレンズ6でビーム径を拡大され、
X線パルス発生管7に入射させられる。
これにより先に電圧で励起された試料9が前記
X線パルス発生管7の発生するX線により照射さ
れ、試料のX線シヤドウグラフが記録装置10に
より記録される。
X線パルス発生管7の発生するX線により照射さ
れ、試料のX線シヤドウグラフが記録装置10に
より記録される。
(変形例)
以上詳しく説明した実施例につき本発明の範囲
内で種々の変形を施すことができる。
内で種々の変形を施すことができる。
試料の励起について光の励起の例として半導
体、電圧による励起の例として圧電材料を示し
た。
体、電圧による励起の例として圧電材料を示し
た。
さらに、光の励起により、高分子材料、金属、
結晶等の変化を調べることができる。また、電圧
励起により電圧材料等の変化を調べることができ
る。
結晶等の変化を調べることができる。また、電圧
励起により電圧材料等の変化を調べることができ
る。
また、本発明によれば、他の刺激、例えば機械
的刺激や熱的な刺激、による試料の変化のシヤド
ウグラフも同様に得ることができる。
的刺激や熱的な刺激、による試料の変化のシヤド
ウグラフも同様に得ることができる。
また前記各実施例は一つのX線パルスによるシ
ヤドウグラフの記録の例を示したが、必要なら複
数のX線パルスによる記録ももちろん可能であ
る。
ヤドウグラフの記録の例を示したが、必要なら複
数のX線パルスによる記録ももちろん可能であ
る。
(発明の効果)
以上詳しく説明したように、本発明によれば、
X線パルス発生管をピコ秒レーザパルスで照射す
ることにより、試料の構造変化等の任意の時間経
過時点での様子が10psec以下の短時間サンプリン
グで記録できる。
X線パルス発生管をピコ秒レーザパルスで照射す
ることにより、試料の構造変化等の任意の時間経
過時点での様子が10psec以下の短時間サンプリン
グで記録できる。
第1図は本発明による時間分解シヤドウグラフ
装置の第1の実施例を示すブロツク図である。第
2図は本発明による時間分解シヤドウグラフ装置
の第2の実施例を示すブロツク図である。第3図
は従来のシヤドウグラフ装置を示すブロツク図で
ある。 1…レーザ装置、2…ピコ秒レーザパルス、3
…ハーフミラー、4…光遅延路、5a,5b…反
射ミラー、6…エキスパンダーレンズ、7…超短
X線パルス発生管、8…X線、9…試料、10…
記録装置、11…トリガ、12…遅延回路、13
…ベリリウム窓、14…ターゲツト、15…電子
レンズ、16…制御グリツド、17…カソード、
18…ヒータ、19…真空容器、20…X線管。
装置の第1の実施例を示すブロツク図である。第
2図は本発明による時間分解シヤドウグラフ装置
の第2の実施例を示すブロツク図である。第3図
は従来のシヤドウグラフ装置を示すブロツク図で
ある。 1…レーザ装置、2…ピコ秒レーザパルス、3
…ハーフミラー、4…光遅延路、5a,5b…反
射ミラー、6…エキスパンダーレンズ、7…超短
X線パルス発生管、8…X線、9…試料、10…
記録装置、11…トリガ、12…遅延回路、13
…ベリリウム窓、14…ターゲツト、15…電子
レンズ、16…制御グリツド、17…カソード、
18…ヒータ、19…真空容器、20…X線管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 極めて短い光パルスを発生する光源装置と、
光電面、前記光電面の発生した電子に衝突されて
X線パルスを発生するX線ターゲツトをもつX線
発生管と、 前記光パルスを前記X線発生管の光電面に接続
する光接続手段と、 前記X線パルスに照射される位置に配置されて
いる試料と、 前記光パルス発生に同期して前記試料を励起す
る試料励起手段と、 前記励起された試料のX線透過像を記録する像
記録装置とから構成した時間分解シヤドウグラフ
装置。 2 前記試料励起手段は前記光源装置の光パルス
の一部を光分割器により取り出し前記試料を光で
励起する励起手段である特許請求の範囲第1項記
載の時間分解シヤドウグラフ装置。 3 前記光接続手段は、前記光で励起された試料
の一定時間経過後の透過像を撮像するために、X
線発生管の励起光を遅延させる光遅延路を有する
特許請求の範囲第2項記載の時間分解シヤドウグ
ラフ装置。 4 前記試料励起手段は前記光源装置の光パルス
の発生に同期して試料を刺激する電圧を発生する
電圧励起手段である特許請求の範囲第1項記載の
時間分解シヤドウグラフ装置。 5 前記光源装置の光パルスの発生時点はトリガ
信号から一定時間遅延して発生させられ、前記電
圧励起手段は前記X線の発生時点より前に試料を
励起する特許請求の範囲第4項記載の時間分解シ
ヤドウグラフ装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59261439A JPS61138150A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | 時間分解シヤドウグラフ装置 |
US06/805,426 US4692938A (en) | 1984-12-11 | 1985-12-04 | X-ray shadow graph device |
DE19853543611 DE3543611A1 (de) | 1984-12-11 | 1985-12-10 | Roentgenschatten-aufzeichnungseinrichtung |
FR8518317A FR2574549B1 (fr) | 1984-12-11 | 1985-12-11 | Dispositif d'ombre portee en rayons x |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59261439A JPS61138150A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | 時間分解シヤドウグラフ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61138150A JPS61138150A (ja) | 1986-06-25 |
JPH0550698B2 true JPH0550698B2 (ja) | 1993-07-29 |
Family
ID=17361902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59261439A Granted JPS61138150A (ja) | 1984-12-11 | 1984-12-11 | 時間分解シヤドウグラフ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4692938A (ja) |
JP (1) | JPS61138150A (ja) |
DE (1) | DE3543611A1 (ja) |
FR (1) | FR2574549B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4821305A (en) * | 1986-03-25 | 1989-04-11 | Varian Associates, Inc. | Photoelectric X-ray tube |
US5042058A (en) * | 1989-03-22 | 1991-08-20 | University Of California | Ultrashort time-resolved x-ray source |
US5022061A (en) * | 1990-04-30 | 1991-06-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | An image focusing means by using an opaque object to diffract x-rays |
US5428658A (en) * | 1994-01-21 | 1995-06-27 | Photoelectron Corporation | X-ray source with flexible probe |
JP2715354B2 (ja) * | 1992-03-25 | 1998-02-18 | 矢崎総業株式会社 | ヒュージブルリンク |
US6195411B1 (en) | 1999-05-13 | 2001-02-27 | Photoelectron Corporation | Miniature x-ray source with flexible probe |
JP4584470B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2010-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置 |
JP4606839B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2011-01-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子流供給装置及び供給方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60157147A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | 光制御x線スキヤナ |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3482096A (en) * | 1965-08-02 | 1969-12-02 | Field Emission Corp | High energy field emission electron radiation pulse generator,x-ray apparatus and system employing same |
NL6711174A (ja) * | 1966-09-19 | 1968-03-20 | ||
US3825761A (en) * | 1969-12-17 | 1974-07-23 | Philips Corp | X-ray apparatus for displaying in slow motion tissues which move with the rhythm of the heart |
US3991309A (en) * | 1975-07-09 | 1976-11-09 | University Of Rochester | Methods and apparatus for the control and analysis of X-rays |
US4317994A (en) * | 1979-12-20 | 1982-03-02 | Battelle Memorial Institute | Laser EXAFS |
US4389729A (en) * | 1981-12-15 | 1983-06-21 | American Science And Engineering, Inc. | High resolution digital radiography system |
JPS6047355A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-14 | Hamamatsu Photonics Kk | X線発生管 |
-
1984
- 1984-12-11 JP JP59261439A patent/JPS61138150A/ja active Granted
-
1985
- 1985-12-04 US US06/805,426 patent/US4692938A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-12-10 DE DE19853543611 patent/DE3543611A1/de active Granted
- 1985-12-11 FR FR8518317A patent/FR2574549B1/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60157147A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | 光制御x線スキヤナ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2574549B1 (fr) | 1988-07-15 |
JPS61138150A (ja) | 1986-06-25 |
US4692938A (en) | 1987-09-08 |
FR2574549A1 (fr) | 1986-06-13 |
DE3543611A1 (de) | 1986-06-12 |
DE3543611C2 (ja) | 1987-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4467189A (en) | Framing tube and framing camera | |
US5930331A (en) | Compact high-intensity pulsed x-ray source, particularly for lithography | |
Chen et al. | Time resolved heat propagation in a gold crystal by means of picosecond x‐ray diffraction | |
US20190254152A1 (en) | Target expansion rate control in an extreme ultraviolet light source | |
Young et al. | Filamentation and second-harmonic emission in laser-plasma interactions | |
JPH0550698B2 (ja) | ||
JP4584470B2 (ja) | X線発生装置 | |
Vorobiev et al. | A PS-1/S1 picosecond streak camera in experimental physics | |
Kelly et al. | Fast X-ray microdiffraction techniques for studying irreversible transformations in materials | |
US4821302A (en) | Method and apparatus for transient unit cell measurement | |
US5832007A (en) | Apparatus for and method of generating X-ray laser | |
CN111175328A (zh) | 物质结构实时探测装置和方法 | |
Pikuz et al. | X pinch as a source for X-ray radiography | |
US5016250A (en) | X-ray lasers and methods utilizing two component driving illumination provided by optical laser means of relatively low energy and small physical size | |
US3991309A (en) | Methods and apparatus for the control and analysis of X-rays | |
US4714825A (en) | System for calibrating the time axis of an X-ray streak tube | |
Drabbels et al. | Demonstration of a far-infrared streak camera | |
JP2629594B2 (ja) | X線光電子分光装置 | |
JPH06102086A (ja) | レ−ザ計測装置 | |
Rumsby | Laser produced plasmas as intense X‐ray sources for microscopy at the Central Laser Facility | |
JP2002323598A (ja) | レーザー誘起プラズマによるx線集光方法及び装置 | |
Kojima et al. | Refinement of time‐resolved x‐ray measurement system for studying the lattice deformation of silicon under pulsed Nd: YAG laser irradiation | |
JP2730229B2 (ja) | 荷電粒子ビーム照射型分析装置 | |
CN114527057A (zh) | 在线高空间和时间分辨极紫外辐照损伤泵浦-探测系统 | |
Tomov et al. | Picosecond x-ray diffraction: System and applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |