JPH0547503A - 有機質正特性サーミスタ - Google Patents
有機質正特性サーミスタInfo
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- JPH0547503A JPH0547503A JP22506591A JP22506591A JPH0547503A JP H0547503 A JPH0547503 A JP H0547503A JP 22506591 A JP22506591 A JP 22506591A JP 22506591 A JP22506591 A JP 22506591A JP H0547503 A JPH0547503 A JP H0547503A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、室温での初期抵抗値が小さく、し
かも、ＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値変
化を呈する有機質正特性サーミスタを提供する。 【構成】 本発明の有機質正特性サーミスタは、結晶性
重合体と、この結晶性重合体に混練したスパイク状の突
起を多数有する導電性粒子からなるものである。この構
成により、スパイク状の突起を有する導電性粒子ではト
ンネル電流が流れ易く導電性が良好となって、常温での
初期抵抗値が小さく、導電性粒子の間隔が球状のものに
比べて大きいため、導電経路が寸断され易く、ＰＴＣ特
性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値変化を呈する有機
質正特性サーミスタを得ることができる。
かも、ＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値変
化を呈する有機質正特性サーミスタを提供する。 【構成】 本発明の有機質正特性サーミスタは、結晶性
重合体と、この結晶性重合体に混練したスパイク状の突
起を多数有する導電性粒子からなるものである。この構
成により、スパイク状の突起を有する導電性粒子ではト
ンネル電流が流れ易く導電性が良好となって、常温での
初期抵抗値が小さく、導電性粒子の間隔が球状のものに
比べて大きいため、導電経路が寸断され易く、ＰＴＣ特
性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値変化を呈する有機
質正特性サーミスタを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機質正特性サーミス
タに関し、より詳しくは、昇温時特定の温度領域で急激
に抵抗値が増大する特性、即ち、ＰＴＣ（Positive Tem
perature Coefficient）特性を有する有機質正特性サー
ミスタに関する。
タに関し、より詳しくは、昇温時特定の温度領域で急激
に抵抗値が増大する特性、即ち、ＰＴＣ（Positive Tem
perature Coefficient）特性を有する有機質正特性サー
ミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ポリエチレン又はポリプロピレン
等の結晶性重合体に、金属微粉末やカーボンブラック等
を分散させたＰＴＣ特性を有する有機質正特性サーミス
タはこの技術分野では公知である。例えば、米国特許第
3591526号明細書及び同第3673121 号明細書などに開示
されている。
等の結晶性重合体に、金属微粉末やカーボンブラック等
を分散させたＰＴＣ特性を有する有機質正特性サーミス
タはこの技術分野では公知である。例えば、米国特許第
3591526号明細書及び同第3673121 号明細書などに開示
されている。
【０００３】ところで、ＰＴＣ特性は結晶性重合体がそ
の融点において、結晶質から非晶質に変化する際に急激
な体積膨脹を示すため、その中に分散された導電性微粉
末の粒子同士の間隔が押し広げられて粒子間の接触抵抗
が急激に増大するために生ずる。
の融点において、結晶質から非晶質に変化する際に急激
な体積膨脹を示すため、その中に分散された導電性微粉
末の粒子同士の間隔が押し広げられて粒子間の接触抵抗
が急激に増大するために生ずる。
【０００４】このような有機質正特性サーミスタは、例
えば、温度検出器あるいは自己制御型ヒーター等として
利用し得るが、この有機質正特性サーミスタに要求され
る性能はＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値
変化を示し、しかも室温での初期抵抗値が小さいことが
必要である。
えば、温度検出器あるいは自己制御型ヒーター等として
利用し得るが、この有機質正特性サーミスタに要求され
る性能はＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値
変化を示し、しかも室温での初期抵抗値が小さいことが
必要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の有機質
正特性サーミスタにおいては、カーボンブラックを導電
性物質として充填することが多く、この場合初期抵抗値
を小さくするためにはその充填量を大きくする必要があ
った。このような場合には抵抗変化率が小さくなりヒー
ター等への適用は困難になるという問題があった。
正特性サーミスタにおいては、カーボンブラックを導電
性物質として充填することが多く、この場合初期抵抗値
を小さくするためにはその充填量を大きくする必要があ
った。このような場合には抵抗変化率が小さくなりヒー
ター等への適用は困難になるという問題があった。
【０００６】また、一般の金属微粉末粒子を導電性物質
として充填したものも知られているが、この場合にも、
同様に初期抵抗値を小さくするためにその充填量を大き
くする必要があり、また、このような場合に大きく変化
率が得られないため、実用化に至っていない。
として充填したものも知られているが、この場合にも、
同様に初期抵抗値を小さくするためにその充填量を大き
くする必要があり、また、このような場合に大きく変化
率が得られないため、実用化に至っていない。
【０００７】そこで、本発明は、室温での初期抵抗値が
小さく、ＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値
変化を示す有機質正特性サーミスタを提供することを目
的とするものである。
小さく、ＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値
変化を示す有機質正特性サーミスタを提供することを目
的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の有機質正
特性サーミスタは、結晶性重合体と、この結晶性重合体
に混練したスパイク状の突起を有する導電性粒子からな
るものである。
特性サーミスタは、結晶性重合体と、この結晶性重合体
に混練したスパイク状の突起を有する導電性粒子からな
るものである。
【０００９】請求項２記載の有機質正特性サーミスタ
は、結晶性重合体と、この結晶性重合体に混練したスパ
イク状の突起を有する導電性粒子が鎖状に連結された形
状の導電性物質とからなるものである。
は、結晶性重合体と、この結晶性重合体に混練したスパ
イク状の突起を有する導電性粒子が鎖状に連結された形
状の導電性物質とからなるものである。
【００１０】
【作用】請求項１記載の有機質正特性サーミスタによれ
ば、結晶性重合体に、スパイク状の突起を有する導電性
粒子を混練したものであるから、真球状の導電性粒子を
充填した場合に比べ、スパイク状の突起を有する導電性
粒子同士では、その形状故にトンネル電流が流れやす
く、これにより、導電性が良好となって、常温での初期
抵抗値が小さく、また、導電性粒子同士の間隔が球状の
ものに比べて大きいのでＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻
で大きな抵抗値変化を呈する。
ば、結晶性重合体に、スパイク状の突起を有する導電性
粒子を混練したものであるから、真球状の導電性粒子を
充填した場合に比べ、スパイク状の突起を有する導電性
粒子同士では、その形状故にトンネル電流が流れやす
く、これにより、導電性が良好となって、常温での初期
抵抗値が小さく、また、導電性粒子同士の間隔が球状の
ものに比べて大きいのでＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻
で大きな抵抗値変化を呈する。
【００１１】請求項２記載の有機質正特性サーミスタに
よれば、結晶性重合体に、スパイク状の突起を有する導
電性粒子が鎖状に連結された形状の導電性物質を混練し
たものであるから、真球状の導電性粒子を充填した場合
に比べ、スパイク状の突起を有しかつ、鎖状につながっ
ているので、トンネル電流がより多く流れ、これによ
り、導電性が良好となって、常温での初期抵抗値が小さ
く、また、導電性粒子同士の間隔が球状のものに比べて
大きいのでＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗
値変化を呈する。
よれば、結晶性重合体に、スパイク状の突起を有する導
電性粒子が鎖状に連結された形状の導電性物質を混練し
たものであるから、真球状の導電性粒子を充填した場合
に比べ、スパイク状の突起を有しかつ、鎖状につながっ
ているので、トンネル電流がより多く流れ、これによ
り、導電性が良好となって、常温での初期抵抗値が小さ
く、また、導電性粒子同士の間隔が球状のものに比べて
大きいのでＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗
値変化を呈する。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１３】第１の実施例の有機質正特性サーミスタ
は、結晶性重合体と、この結晶性重合体に導電性物質と
して混練したスパイク状の突起を有する所定量の導電性
粒子からなるものである。この有機質正特性サーミスタ
の顕微鏡写真を図１に示す。
は、結晶性重合体と、この結晶性重合体に導電性物質と
して混練したスパイク状の突起を有する所定量の導電性
粒子からなるものである。この有機質正特性サーミスタ
の顕微鏡写真を図１に示す。
【００１４】図１に示す写真から明らかなように、本実
施例の有機質正特性サーミスタによれば、多数の導電性
粒子のスパイク状の突起があるが故にトンネル電流が流
れやすく、これにより、導電性が良好となって、常温で
の初期抵抗値が小さく、導電性粒子同士の間隔が球状の
ものに比べて大きいので接触点が容易に切れてＰＴＣ特
性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値変化を得ることが
できる。
施例の有機質正特性サーミスタによれば、多数の導電性
粒子のスパイク状の突起があるが故にトンネル電流が流
れやすく、これにより、導電性が良好となって、常温で
の初期抵抗値が小さく、導電性粒子同士の間隔が球状の
ものに比べて大きいので接触点が容易に切れてＰＴＣ特
性の立ち上がりが急峻で大きな抵抗値変化を得ることが
できる。
【００１５】前記結晶性重合体としては、ポリフッ化ビ
ニリデンを用いる。
ニリデンを用いる。
【００１６】結晶性重合体としては、ポリフッ化ビニリ
デンの他、ポリエチレン，ポリエチレンオキシド、ｔ−
４−ポリプタジエン，ポリエチレンアクリレート，エチ
レン−エチルアクリレート共重合体，エチレン−アクリ
ル酸共重合体，ポリエステル，ポリアミド，ポリエーテ
ル，ポリカブロラクタム，フッ素化エチレン−プロピレ
ン共重合体，塩素化ポリエチレン，クロロスルホン化エ
チレン，エチレン−酢酸ビニル共重合体，ポリプロピレ
ン，ポリスチレン，スチレン−アクリロニトリル共重合
体，ポリ塩化ビニル，ポリカーボネート，ポリアセター
ル，ポリアルキレンオキシド，ポリフェニレンオキシ
ド，ポリスルホン，フッ素樹脂等がある。
デンの他、ポリエチレン，ポリエチレンオキシド、ｔ−
４−ポリプタジエン，ポリエチレンアクリレート，エチ
レン−エチルアクリレート共重合体，エチレン−アクリ
ル酸共重合体，ポリエステル，ポリアミド，ポリエーテ
ル，ポリカブロラクタム，フッ素化エチレン−プロピレ
ン共重合体，塩素化ポリエチレン，クロロスルホン化エ
チレン，エチレン−酢酸ビニル共重合体，ポリプロピレ
ン，ポリスチレン，スチレン−アクリロニトリル共重合
体，ポリ塩化ビニル，ポリカーボネート，ポリアセター
ル，ポリアルキレンオキシド，ポリフェニレンオキシ
ド，ポリスルホン，フッ素樹脂等がある。
【００１７】結晶性重合体の種類は所望の性能，用途等
に応じて適宜選択することができる。
に応じて適宜選択することができる。
【００１８】前記スパイク状の突起を有する導電性粒子
としては、スパイク状Ｎｉパウダー（インコ・リミテッ
ド製）を用いる。
としては、スパイク状Ｎｉパウダー（インコ・リミテッ
ド製）を用いる。
【００１９】このＮｉパウダーは、例えばカーボニル法
により製造されるものであり、９９．９９％の純度のニ
ッケルカーボニルに対し下記化学式に示す変換を行った
ものである。
により製造されるものであり、９９．９９％の純度のニ
ッケルカーボニルに対し下記化学式に示す変換を行った
ものである。
【００２０】Ｎｉ（ＣＯ）4 →Ｎｉ＋４ＣＯ その平均粒径は３乃至７μｍ（フィッシュー・サブシー
ブ法で測定）、見掛け密度は１．８乃至２．７（ｇ／ｃ
ｃ）、比表面積は０．３４乃至０．４４（ｍ2 ／ｇ）の
各物理的特性を有する。
ブ法で測定）、見掛け密度は１．８乃至２．７（ｇ／ｃ
ｃ）、比表面積は０．３４乃至０．４４（ｍ2 ／ｇ）の
各物理的特性を有する。
【００２１】次に、第２の実施例について説明する。
【００２２】第２の実施例の有機質正特性サーミスタ
は、結晶性重合体と、この結晶性重合体に、導電性物質
としてスパイク状の突起を有する導電性粒子が連結した
形状をのものを混練して得られるものである。
は、結晶性重合体と、この結晶性重合体に、導電性物質
としてスパイク状の突起を有する導電性粒子が連結した
形状をのものを混練して得られるものである。
【００２３】この有機質正特性サーミスタの顕微鏡写真
を図２に示す。
を図２に示す。
【００２４】図２に示す写真から明らかなように、本実
施例の有機質正特性サーミスタによれば、導電性物質の
各々のスパイク状の突起がトンネル電流を流し易くし、
これにより、導電性が良好となって、常温での初期抵抗
値が小さく、導電性粒子同士の間隔が大きいので、容易
に導電経路が寸断されるのでＰＴＣ特性の立ち上がりが
急峻で大きな抵抗値変化を得ることができる。
施例の有機質正特性サーミスタによれば、導電性物質の
各々のスパイク状の突起がトンネル電流を流し易くし、
これにより、導電性が良好となって、常温での初期抵抗
値が小さく、導電性粒子同士の間隔が大きいので、容易
に導電経路が寸断されるのでＰＴＣ特性の立ち上がりが
急峻で大きな抵抗値変化を得ることができる。
【００２５】前記結晶性重合体としては、ポリフッ化ビ
ニリデンを用いることは第１の実施例の場合と同様であ
る。
ニリデンを用いることは第１の実施例の場合と同様であ
る。
【００２６】前記各導電性物質としては、フィラメント
状鎖状Ｎｉパウダー（インコ・リミテッド製）を用い
る。
状鎖状Ｎｉパウダー（インコ・リミテッド製）を用い
る。
【００２７】この鎖状Ｎｉパウダーの平均粒径は２．２
乃至２．８μｍ（フィッシュー・サブシーブ法で測
定）、見掛け密度は０．５乃至０．９５（ｇ／ｃｃ）、
比表面積は０．５８乃至０．６３（ｍ2 ／ｇ）の各物理
的特性を有する。
乃至２．８μｍ（フィッシュー・サブシーブ法で測
定）、見掛け密度は０．５乃至０．９５（ｇ／ｃｃ）、
比表面積は０．５８乃至０．６３（ｍ2 ／ｇ）の各物理
的特性を有する。
【００２８】以下、さらに詳細に説明する。
【００２９】実施例１ 結晶性重合体としてポリフッ化ビニリデンを用い、導電
性物質としてスパイク状突起を有するＮｉパウダー（平
均粒径３．０乃至７．０μｍ、インコ・リミテッド製）
を用い、該ポリフッ化ビニリデンに対してＮｉパウダー
を３０重量部の割合で加え、ラボプラストミル（東洋精
機製作所製）で混練後、厚さ０．７ｍｍのシートにプレ
ス成形し、その後架橋処理を施した。
性物質としてスパイク状突起を有するＮｉパウダー（平
均粒径３．０乃至７．０μｍ、インコ・リミテッド製）
を用い、該ポリフッ化ビニリデンに対してＮｉパウダー
を３０重量部の割合で加え、ラボプラストミル（東洋精
機製作所製）で混練後、厚さ０．７ｍｍのシートにプレ
ス成形し、その後架橋処理を施した。
【００３０】さらに、この成形品の両面に電極としてＮ
ｉ箔を圧着し直径１０ｍｍの円板状に打ち抜いてサンプ
ルとした。
ｉ箔を圧着し直径１０ｍｍの円板状に打ち抜いてサンプ
ルとした。
【００３１】次に、このサンプルについてＰＴＣ特性を
測定した。この測定に当たっては、前記サンプルを恒温
槽内で温度上昇及び下降を行い、各所定温度における抵
抗値を測定し、温度と抵抗値の関係を求めた。この測定
結果を図３に示す。
測定した。この測定に当たっては、前記サンプルを恒温
槽内で温度上昇及び下降を行い、各所定温度における抵
抗値を測定し、温度と抵抗値の関係を求めた。この測定
結果を図３に示す。
【００３２】図３に示す測定結果から、常温での抵抗値
は０．６Ωと非常に低い値でありながら、転移温度では
抵抗値が急激に上昇して、最大抵抗値は３×１０7 Ωに
なり、変化率は１０8 以上の高い値になっていることが
分かる。
は０．６Ωと非常に低い値でありながら、転移温度では
抵抗値が急激に上昇して、最大抵抗値は３×１０7 Ωに
なり、変化率は１０8 以上の高い値になっていることが
分かる。
【００３３】また、最大抵抗値を呈する１７６℃以上の
温度においても抵抗値の低下はなく、サンプルの熱によ
る変形は生じなかった。
温度においても抵抗値の低下はなく、サンプルの熱によ
る変形は生じなかった。
【００３４】このように本実施例の有機質正特性サーミ
スタは、常温での抵抗値が低く、かつ、急峻なＰＴＣ特
性を持つものである。
スタは、常温での抵抗値が低く、かつ、急峻なＰＴＣ特
性を持つものである。
【００３５】実施例２ スパイク状突起を有するＮｉパウダーの含有量を２０重
量部とした他は、実施例１と同様にして円板状のサンプ
ルを形成した。
量部とした他は、実施例１と同様にして円板状のサンプ
ルを形成した。
【００３６】このサンプルに対し、実施例１と同様にし
てＰＴＣ特性を測定し、図４に示す測定結果を得た。図
４から明らかなように、常温での抵抗値は１．４Ωと低
い値でありながら、転移温度では抵抗値が急激に上昇し
て、最大抵抗値は５×１０7 Ωになり、変化率は１０7
以上の高い値になった。
てＰＴＣ特性を測定し、図４に示す測定結果を得た。図
４から明らかなように、常温での抵抗値は１．４Ωと低
い値でありながら、転移温度では抵抗値が急激に上昇し
て、最大抵抗値は５×１０7 Ωになり、変化率は１０7
以上の高い値になった。
【００３７】実施例３ スパイク状突起を有するＮｉパウダーの含有量を６０重
量部とした他は、実施例１と同様にして円板状のサンプ
ルを形成した。
量部とした他は、実施例１と同様にして円板状のサンプ
ルを形成した。
【００３８】このサンプルに対し、実施例１と同様にし
てＰＴＣ特性を測定し、図５に示す測定結果を得た。図
５から明らかなように、常温での抵抗値は０．０７Ωと
非常に低い値でありながら、転移温度では抵抗値が急激
に上昇して、最大抵抗値は３×１０6 Ω・ｃｍになり、
その変化率は１０8 以上の高い値になった。
てＰＴＣ特性を測定し、図５に示す測定結果を得た。図
５から明らかなように、常温での抵抗値は０．０７Ωと
非常に低い値でありながら、転移温度では抵抗値が急激
に上昇して、最大抵抗値は３×１０6 Ω・ｃｍになり、
その変化率は１０8 以上の高い値になった。
【００３９】実施例４ 結晶性重合体としてポリフッ化ビニリデンを用い、導電
性物質としてフェラメント状鎖状Ｎｉパウダー（平均粒
径２．２乃至２．８μｍ、インコ・リミテッド製）を用
い、該ポリフッ化ビニリデンに対してフィラメント状鎖
状Ｎｉパウダーを３０重量部の割合で加え、ラボプラス
トミルで混練後、厚さ０．７ｍｍのシートにプレス成形
し、その後架橋処理を施した。
性物質としてフェラメント状鎖状Ｎｉパウダー（平均粒
径２．２乃至２．８μｍ、インコ・リミテッド製）を用
い、該ポリフッ化ビニリデンに対してフィラメント状鎖
状Ｎｉパウダーを３０重量部の割合で加え、ラボプラス
トミルで混練後、厚さ０．７ｍｍのシートにプレス成形
し、その後架橋処理を施した。
【００４０】さらに、この成形品の両面に電極としてＮ
ｉ箔を圧着し直径１０ｍｍの円板状に打ち抜いてサンプ
ルとした。
ｉ箔を圧着し直径１０ｍｍの円板状に打ち抜いてサンプ
ルとした。
【００４１】次に、このサンプルについてＰＴＣ特性を
測定した。この測定に当たっては、前記サンプルを恒温
槽内で温度上昇及び下降を行い、各所定温度における抵
抗値を測定し、温度と抵抗値の関係を求めた。この測定
結果を図６に示す。
測定した。この測定に当たっては、前記サンプルを恒温
槽内で温度上昇及び下降を行い、各所定温度における抵
抗値を測定し、温度と抵抗値の関係を求めた。この測定
結果を図６に示す。
【００４２】図６に示す測定結果から、常温での抵抗値
は０．５Ωと非常に低い値でありながら、転移温度では
抵抗値が急激に上昇して、最大抵抗値は２×１０7 Ωに
なり、抵抗変化率は１０8 以上の高い値になっているこ
とが分かる。
は０．５Ωと非常に低い値でありながら、転移温度では
抵抗値が急激に上昇して、最大抵抗値は２×１０7 Ωに
なり、抵抗変化率は１０8 以上の高い値になっているこ
とが分かる。
【００４３】また、最大抵抗値を呈する１７６℃以上の
温度においても抵抗値の低下はなく、サンプルの熱によ
る変形は生じなかった。
温度においても抵抗値の低下はなく、サンプルの熱によ
る変形は生じなかった。
【００４４】このように本実施例の有機質正特性サーミ
スタは、常温での抵抗値が低く、かつ、急峻なＰＴＣ特
性を持つものである。
スタは、常温での抵抗値が低く、かつ、急峻なＰＴＣ特
性を持つものである。
【００４５】実施例５ フェラメント状鎖状Ｎｉパウダーの含有量を２０重量部
とした他は、実施例４と同様にして円板状のサンプルを
形成した。
とした他は、実施例４と同様にして円板状のサンプルを
形成した。
【００４６】このサンプルに対し、実施例１と同様にし
てＰＴＣ特性を測定し、図７に示す測定結果を得た。図
７から明らかなように、常温での抵抗値は１．２Ωと低
い値でありながら、転移温度では抵抗値が急激に上昇し
て、最大抵抗値は４×１０7 Ωになり、変化率は１０7
以上の高い値になった。
てＰＴＣ特性を測定し、図７に示す測定結果を得た。図
７から明らかなように、常温での抵抗値は１．２Ωと低
い値でありながら、転移温度では抵抗値が急激に上昇し
て、最大抵抗値は４×１０7 Ωになり、変化率は１０7
以上の高い値になった。
【００４７】実施例６ フェラメント状鎖状Ｎｉパウダーの含有量を６０重量部
とした他は、実施例４と同様にして円板状のサンプルを
形成した。
とした他は、実施例４と同様にして円板状のサンプルを
形成した。
【００４８】このサンプルに対し、実施例１と同様にし
てＰＴＣ特性を測定し、図８に示す測定結果を得た。図
８から明らかなように、常温での抵抗値は０．０５Ωと
非常に低い値でありながら、転移温度では抵抗値が急激
に上昇して、最大抵抗値は２×１０6 Ω・ｃｍになり、
その変化率は１０8 以上の高い値になった。
てＰＴＣ特性を測定し、図８に示す測定結果を得た。図
８から明らかなように、常温での抵抗値は０．０５Ωと
非常に低い値でありながら、転移温度では抵抗値が急激
に上昇して、最大抵抗値は２×１０6 Ω・ｃｍになり、
その変化率は１０8 以上の高い値になった。
【００４９】比較例１ 導電性物質をカーボンブラックとして含有量を４０重量
部とした他は、実施例３と同様にして比較サンプルを作
成した。この比較サンプルの測定結果を図９に示す。図
９から明らかなように、常温での抵抗値は０．２Ω程
度、最大抵抗値は４×１０4 Ω・ｃｍであり、変化率は
１０5 程度であった。
部とした他は、実施例３と同様にして比較サンプルを作
成した。この比較サンプルの測定結果を図９に示す。図
９から明らかなように、常温での抵抗値は０．２Ω程
度、最大抵抗値は４×１０4 Ω・ｃｍであり、変化率は
１０5 程度であった。
【００５０】比較例２ 導電性物質を球状Ｎｉパウダー（平均粒径３μｍ、イン
コ・リミテッド製）としたほかは、実施例１と同様にし
て比較サンプルを作成した。この比較サンプルの測定結
果を図１０に示す。図１０から明らかなように、この比
較サンプルの常温での抵抗値は９×１０4 Ω程度、最大
抵抗値は４×１０8 Ωであり、変化率は１０3 程度であ
った。
コ・リミテッド製）としたほかは、実施例１と同様にし
て比較サンプルを作成した。この比較サンプルの測定結
果を図１０に示す。図１０から明らかなように、この比
較サンプルの常温での抵抗値は９×１０4 Ω程度、最大
抵抗値は４×１０8 Ωであり、変化率は１０3 程度であ
った。
【００５１】以上詳述したように、本実施例の有機質正
特性サーミスタは、導電性物質としてのスパイク状Ｎｉ
パウダー又はフィラメント状鎖状Ｎｉパウダーの充填量
が比較的少ないにもかかわらず、常温での低い抵抗値
と、急峻なＰＴＣ特性の両方を併せ持ち、ヒータ等に適
用して好適である。
特性サーミスタは、導電性物質としてのスパイク状Ｎｉ
パウダー又はフィラメント状鎖状Ｎｉパウダーの充填量
が比較的少ないにもかかわらず、常温での低い抵抗値
と、急峻なＰＴＣ特性の両方を併せ持ち、ヒータ等に適
用して好適である。
【００５２】本発明は、上述した実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であ
る。
のではなく、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であ
る。
【００５３】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、上述した
構成としたことにより、以下の効果を奏する。
構成としたことにより、以下の効果を奏する。
【００５４】請求項１記載の発明によれば、充填材とし
て真球状の導電性物質を用いた場合に比べ、スパイク状
の突起を有する導電性粒子では、トンネル電流が流れや
すいので導電性が良好となって、常温での初期抵抗値が
小さく、導電性粒子同士の間隔が比較的大きいので容易
に導電路が寸断されＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大
きな抵抗値変化を呈する有機質正特性サーミスタを提供
することができる。
て真球状の導電性物質を用いた場合に比べ、スパイク状
の突起を有する導電性粒子では、トンネル電流が流れや
すいので導電性が良好となって、常温での初期抵抗値が
小さく、導電性粒子同士の間隔が比較的大きいので容易
に導電路が寸断されＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大
きな抵抗値変化を呈する有機質正特性サーミスタを提供
することができる。
【００５５】請求項２記載の発明によれば、充填材とし
て真球状の導電性物質を用いた場合に比べ、スパイク状
の突起を有する導電性粒子が連結された形状の導電性物
質の場合、突起を有するのでトンネル電流が流れ易く、
導電性が良好となって、常温での初期抵抗値が小さく、
また、導電性粒子間隔が比較的大きいため、導電路が寸
断され易く、ＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵
抗値変化を呈する有機質正特性サーミスタを提供するこ
とができる。
て真球状の導電性物質を用いた場合に比べ、スパイク状
の突起を有する導電性粒子が連結された形状の導電性物
質の場合、突起を有するのでトンネル電流が流れ易く、
導電性が良好となって、常温での初期抵抗値が小さく、
また、導電性粒子間隔が比較的大きいため、導電路が寸
断され易く、ＰＴＣ特性の立ち上がりが急峻で大きな抵
抗値変化を呈する有機質正特性サーミスタを提供するこ
とができる。
【図１】本発明の第１の実施例の有機質正特性サーミス
タの組織を示す顕微鏡写真
タの組織を示す顕微鏡写真
【図２】本発明の第２の実施例の有機質正特性サーミス
タの組織を示す顕微鏡写真
タの組織を示す顕微鏡写真
【図３】実施例１の有機質正特性サーミスタの抵抗温度
特性を示すグラフ
特性を示すグラフ
【図４】実施例２の有機質正特性サーミスタの抵抗温度
特性を示すグラフ
特性を示すグラフ
【図５】実施例３の有機質正特性サーミスタの抵抗温度
特性を示すグラフ
特性を示すグラフ
【図６】実施例４の有機質正特性サーミスタの抵抗温度
特性を示すグラフ
特性を示すグラフ
【図７】実施例５の有機質正特性サーミスタの抵抗温度
特性を示すグラフ
特性を示すグラフ
【図８】実施例６の有機質正特性サーミスタの抵抗温度
特性を示すグラフ
特性を示すグラフ
【図９】比較例１の有機質正特性サーミスタの抵抗温度
特性を示すグラフ
特性を示すグラフ
【図１０】比較例２の有機質正特性サーミスタの抵抗温
度特性を示すグラフ
度特性を示すグラフ
Claims (2)
- 【請求項１】 結晶性重合体と、この結晶性重合体に混
練したスパイク状の突起を有する導電性粒子からなるこ
とを特徴とする有機質正特性サーミスタ。 - 【請求項２】 結晶性重合体と、この結晶性重合体に混
練したスパイク状の突起を有する導電性粒子が鎖状に連
結された形状の導電性物質とからなることを特徴とする
有機質正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3225065A JP3022644B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 有機質正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3225065A JP3022644B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 有機質正特性サーミスタ |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11317540A Division JP2000133502A (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | 有機質正特性サ―ミスタ |
| JP31754299A Division JP2000133503A (ja) | 1999-11-08 | 1999-11-08 | 有機質正特性サ―ミスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547503A true JPH0547503A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3022644B2 JP3022644B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=16823489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3225065A Expired - Fee Related JP3022644B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 有機質正特性サーミスタ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3022644B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960032513A (ko) * | 1995-02-28 | 1996-09-17 | 다구치 다마우즈 | 정온도계수 소자 및 이의 제조방법 |
| US5945034A (en) * | 1997-12-04 | 1999-08-31 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US5982271A (en) * | 1996-11-28 | 1999-11-09 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US6090314A (en) * | 1998-06-18 | 2000-07-18 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US6143206A (en) * | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor |
| EP1058277A1 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-06 | TDK Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US6193429B1 (en) | 1999-05-25 | 2001-02-27 | Dong-A Pencil Co., Ltd. | Tip mechanism for knock-type ballpoint pen |
| US6299801B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-10-09 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US6558579B2 (en) | 1999-10-01 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and making method |
| US6778062B2 (en) | 2001-11-15 | 2004-08-17 | Tdk Corporation | Organic PTC thermistor and making method |
| US7019613B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | PTC thermistor body, PTC thermistor, method of making PTC thermistor body, and method of making PTC thermistor |
| CN1301511C (zh) * | 1998-11-02 | 2007-02-21 | Tdk株式会社 | 有机正温系数热敏电阻 |
| US7416587B2 (en) | 2003-03-10 | 2008-08-26 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Heat regenerative deodorizing filter |
| US8164414B2 (en) | 2004-06-08 | 2012-04-24 | Tyco Electronics Japan G.K. | Polymer PTC element |
| CN112242520A (zh) * | 2019-07-17 | 2021-01-19 | 珠海冠宇电池股份有限公司 | 一种基于多枝杈结构的石墨烯微球的ptc材料及其制备方法和应用 |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3225065A patent/JP3022644B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960032513A (ko) * | 1995-02-28 | 1996-09-17 | 다구치 다마우즈 | 정온도계수 소자 및 이의 제조방법 |
| US5982271A (en) * | 1996-11-28 | 1999-11-09 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US5945034A (en) * | 1997-12-04 | 1999-08-31 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US6090314A (en) * | 1998-06-18 | 2000-07-18 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US6143206A (en) * | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor |
| CN1301511C (zh) * | 1998-11-02 | 2007-02-21 | Tdk株式会社 | 有机正温系数热敏电阻 |
| US6299801B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-10-09 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US6193429B1 (en) | 1999-05-25 | 2001-02-27 | Dong-A Pencil Co., Ltd. | Tip mechanism for knock-type ballpoint pen |
| EP1058277A1 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-06 | TDK Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor |
| US6558579B2 (en) | 1999-10-01 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and making method |
| US6778062B2 (en) | 2001-11-15 | 2004-08-17 | Tdk Corporation | Organic PTC thermistor and making method |
| CN1312705C (zh) * | 2001-11-15 | 2007-04-25 | Tdk株式会社 | 有机正温度系数热敏电阻及其制造方法 |
| US7019613B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | PTC thermistor body, PTC thermistor, method of making PTC thermistor body, and method of making PTC thermistor |
| US7416587B2 (en) | 2003-03-10 | 2008-08-26 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Heat regenerative deodorizing filter |
| US8164414B2 (en) | 2004-06-08 | 2012-04-24 | Tyco Electronics Japan G.K. | Polymer PTC element |
| CN112242520A (zh) * | 2019-07-17 | 2021-01-19 | 珠海冠宇电池股份有限公司 | 一种基于多枝杈结构的石墨烯微球的ptc材料及其制备方法和应用 |
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| Publication number | Publication date |
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