JPH0544962B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0544962B2 JPH0544962B2 JP59243717A JP24371784A JPH0544962B2 JP H0544962 B2 JPH0544962 B2 JP H0544962B2 JP 59243717 A JP59243717 A JP 59243717A JP 24371784 A JP24371784 A JP 24371784A JP H0544962 B2 JPH0544962 B2 JP H0544962B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- ferromagnetic thin
- magnetic
- constant voltage
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 81
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 65
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、直線運動する物体の移動距離、及び
回転運動する物体の回転角度の検出等に使用され
る検出装置に関するものであり、さらに言えば、
磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜抵抗素子(以下
MR素子と称す。)を使用して磁極歯(磁性材よ
りなる歯状の凹凸)を検出する装置に関するもの
である。
回転運動する物体の回転角度の検出等に使用され
る検出装置に関するものであり、さらに言えば、
磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜抵抗素子(以下
MR素子と称す。)を使用して磁極歯(磁性材よ
りなる歯状の凹凸)を検出する装置に関するもの
である。
従来の技術
近年、物体の変位量を精度良く検出する装置と
して、MR素子を利用したものが増えてきてい
る。このような動向の中で本発明者は、MR素子
を用いて、これと相対運動を行う磁極歯を検出す
る装置として、特願昭59−12302号明細書及び特
願昭59−205807号明細書で提案してきた。
して、MR素子を利用したものが増えてきてい
る。このような動向の中で本発明者は、MR素子
を用いて、これと相対運動を行う磁極歯を検出す
る装置として、特願昭59−12302号明細書及び特
願昭59−205807号明細書で提案してきた。
以下図面を参照しながら、上述した先頭の技術
を従来の検出装置の一例として説明する。
を従来の検出装置の一例として説明する。
第3図、第4図、第5図は従来の信号検出用
MR素子を用いた検出装置の一例を示すものであ
り、第3図はMRセンサの構成及び電気的な接続
関係の説明図、第4図は検出装置の要部構成図、
第5図は信号検出用MR素子の磁界−抵抗値特性
図である。なお、各図において同一の構成部品に
ついては同一の番号を付す。
MR素子を用いた検出装置の一例を示すものであ
り、第3図はMRセンサの構成及び電気的な接続
関係の説明図、第4図は検出装置の要部構成図、
第5図は信号検出用MR素子の磁界−抵抗値特性
図である。なお、各図において同一の構成部品に
ついては同一の番号を付す。
第3図において、MRセンサ1は、基板33の
表面に信号検出用MR素子2,3,4,5,6,
7と端子8,9,10,11,12,13,1
4,15,16,17,18,19とを形成した
ものであり、各MR素子及び端子は第3図に示す
ように電気的に接続されており、特に端子8,1
0,12は定電圧20、端子9,11,13は定
電圧21と接続されている。なお、各信号検出用
MR素子は、被検出物である磁極歯のピツチをP
として、一対となる信号検出用MR素子2と5
(又は3と6、又は4と7)とで、1/2・Pの間隔 を隔てて配置され、信号検出用MR素子2と4及
び4と6(又は3と5及び5と7)とで1/3・P の間隔を隔てて配置され、結果として出力端子2
2,23,24より120°ずつ位相のずれた3相出
力信号力が得られるように構成している。但し、
各信号検出用MR素子は図中±X方向の磁界強度
の変化に応じて抵抗値が変化し、他の方向の磁界
強度の変化に対しては抵抗値がほとんど変化しな
い。言わゆる磁気的異方性効果を有する。
表面に信号検出用MR素子2,3,4,5,6,
7と端子8,9,10,11,12,13,1
4,15,16,17,18,19とを形成した
ものであり、各MR素子及び端子は第3図に示す
ように電気的に接続されており、特に端子8,1
0,12は定電圧20、端子9,11,13は定
電圧21と接続されている。なお、各信号検出用
MR素子は、被検出物である磁極歯のピツチをP
として、一対となる信号検出用MR素子2と5
(又は3と6、又は4と7)とで、1/2・Pの間隔 を隔てて配置され、信号検出用MR素子2と4及
び4と6(又は3と5及び5と7)とで1/3・P の間隔を隔てて配置され、結果として出力端子2
2,23,24より120°ずつ位相のずれた3相出
力信号力が得られるように構成している。但し、
各信号検出用MR素子は図中±X方向の磁界強度
の変化に応じて抵抗値が変化し、他の方向の磁界
強度の変化に対しては抵抗値がほとんど変化しな
い。言わゆる磁気的異方性効果を有する。
第4図は第3図のMRセンサ1を用いた検出装
置を示し、第4図Aは平面図、BはAのS−S線
断面図である。
置を示し、第4図Aは平面図、BはAのS−S線
断面図である。
この検出装置は、可動部34が固定部25に沿
つて直線的に移動する際の、両者の相対位置を検
出するものであり、可動部34は、MRセンサ1
とバイアス磁界を供給する為の永久磁石26とを
含んで構成され、一方固定部25は、可動部34
と対向する面に、凹凸のピツチがPの磁極歯が形
成されている。さらに可動部34と固定部25と
は、第4図に示す様に配置され、特に基板33は
固定部25に対して角度α°傾いており、永久磁石
26は固定部25に対して平行に配置されてい
る。なお、第3図に示す各信号検出用MR素子の
電気的な接続関係は、第4図において、図面が乱
雑になるので省略する。
つて直線的に移動する際の、両者の相対位置を検
出するものであり、可動部34は、MRセンサ1
とバイアス磁界を供給する為の永久磁石26とを
含んで構成され、一方固定部25は、可動部34
と対向する面に、凹凸のピツチがPの磁極歯が形
成されている。さらに可動部34と固定部25と
は、第4図に示す様に配置され、特に基板33は
固定部25に対して角度α°傾いており、永久磁石
26は固定部25に対して平行に配置されてい
る。なお、第3図に示す各信号検出用MR素子の
電気的な接続関係は、第4図において、図面が乱
雑になるので省略する。
以上のように構成された検出装置について、以
下のその動作について説明する。
下のその動作について説明する。
まず第4図において可動部34が固定部25に
沿つて±X′方向へ移動する場合を考えると、永
久磁石26から固定部25に向かう磁力線は、固
定部25上の磁極歯の凹凸な形状に影響を受け、
周期的にその方向が曲げられる。磁力線は方向が
曲げられた事により、各信号検出用MR素子に対
して、その感磁方向(±X方向)の成分を含むよ
うになる(以後、この成分を信号磁界と呼ぶ)。
かつ、各MR素子と磁極歯とは、この図に示す様
に、角度α°傾けてある為、永久磁石26より発生
した磁力線は、最初から各信号検出用MR素子に
対して、一定の感磁方向成分(オフセツト磁界)
を与えている。これは、第5図に示す、磁界−抵
抗値特性図上では、次の様な事を意味する。MR
センサ1の各信号検出用MR素子は各々、与えら
れる±X方向の外部磁界に対して第5図の様な特
性を有している。図中a,c,eは非線形な領
域、b,dは直線性の良い領域を示す。角度α°が
零の時は、磁界Oを中心に上記信号磁界が変化す
る為、信号検出用MR素子の磁界一抵抗値特性
中、非線形な領域Cを使用する事になるが、角度
α°を適当な値に設定した時は、上記オフセツト磁
界の影響で各信号検出用MR素子の動作点は、図
中A(抵抗値RO、磁界の強さ| ―→ Hx|)とな
り、動作点Aを中心に上記信号磁界が変化する
為、信号検出用MR素子の磁界−抵抗値特性中、
直線性の良い領域dで使用する事になる。
沿つて±X′方向へ移動する場合を考えると、永
久磁石26から固定部25に向かう磁力線は、固
定部25上の磁極歯の凹凸な形状に影響を受け、
周期的にその方向が曲げられる。磁力線は方向が
曲げられた事により、各信号検出用MR素子に対
して、その感磁方向(±X方向)の成分を含むよ
うになる(以後、この成分を信号磁界と呼ぶ)。
かつ、各MR素子と磁極歯とは、この図に示す様
に、角度α°傾けてある為、永久磁石26より発生
した磁力線は、最初から各信号検出用MR素子に
対して、一定の感磁方向成分(オフセツト磁界)
を与えている。これは、第5図に示す、磁界−抵
抗値特性図上では、次の様な事を意味する。MR
センサ1の各信号検出用MR素子は各々、与えら
れる±X方向の外部磁界に対して第5図の様な特
性を有している。図中a,c,eは非線形な領
域、b,dは直線性の良い領域を示す。角度α°が
零の時は、磁界Oを中心に上記信号磁界が変化す
る為、信号検出用MR素子の磁界一抵抗値特性
中、非線形な領域Cを使用する事になるが、角度
α°を適当な値に設定した時は、上記オフセツト磁
界の影響で各信号検出用MR素子の動作点は、図
中A(抵抗値RO、磁界の強さ| ―→ Hx|)とな
り、動作点Aを中心に上記信号磁界が変化する
為、信号検出用MR素子の磁界−抵抗値特性中、
直線性の良い領域dで使用する事になる。
発明が解決しようとする問題点
前述の信号検出用MR素子の磁界−抵抗値特性
は、温度特性を有する。しかし、同一基板上に近
接して形成された複数の信号検出用MR素子の各
温度特性は良く揃う為、従来の検出装置の様に2
本の信号検出用MR素子をハーフブリツジで使用
する事により、周囲温度の変化に対しては、各出
力端子より直流ドリフトの小さい出力信号を得る
事ができた。
は、温度特性を有する。しかし、同一基板上に近
接して形成された複数の信号検出用MR素子の各
温度特性は良く揃う為、従来の検出装置の様に2
本の信号検出用MR素子をハーフブリツジで使用
する事により、周囲温度の変化に対しては、各出
力端子より直流ドリフトの小さい出力信号を得る
事ができた。
しかしながら、各信号検出用MR素子は、電流
による自己発熱を生じる。特に、第3図に示す従
来例のように多数の信号検出用MR素子を同一基
板上に配置すると、基板中央に近い信号検出用
MR素子4,5に対して外側に配置された信号検
出用MR素子2,7の方が温度が低い場合が多
く。これによる出力信号の直流ドリフトは、出力
信号振幅の10%程度にも及ぶ事があつた。
による自己発熱を生じる。特に、第3図に示す従
来例のように多数の信号検出用MR素子を同一基
板上に配置すると、基板中央に近い信号検出用
MR素子4,5に対して外側に配置された信号検
出用MR素子2,7の方が温度が低い場合が多
く。これによる出力信号の直流ドリフトは、出力
信号振幅の10%程度にも及ぶ事があつた。
また、永久磁石26より発生する磁力線は、磁
極歯の影響を受けて変化するが、その磁界中に配
置された磁性材である信号検出用MR素子の影響
も受ける。その為に各信号検出用MR素子は、バ
ランス良く等間隔で配置するのが望ましいが、第
3図の従来例を見てわかるように、両端の信号検
出用MR素子2と7は、それぞれ左右のバランス
が悪く、信号磁界の乱れが発生し易い。その結
果、出力信号に歪を生じるという問題点を有して
いた。
極歯の影響を受けて変化するが、その磁界中に配
置された磁性材である信号検出用MR素子の影響
も受ける。その為に各信号検出用MR素子は、バ
ランス良く等間隔で配置するのが望ましいが、第
3図の従来例を見てわかるように、両端の信号検
出用MR素子2と7は、それぞれ左右のバランス
が悪く、信号磁界の乱れが発生し易い。その結
果、出力信号に歪を生じるという問題点を有して
いた。
本発明は上記問題点に鑑み、信号検出用MR素
子の自己発熱による出力信号の直流ドリフトを改
善し、さらに信号検出用MR素子自身による信号
磁界の乱れから生じる歪みを軽減する事により、
高精度な磁気検出装置を提供するものである。
子の自己発熱による出力信号の直流ドリフトを改
善し、さらに信号検出用MR素子自身による信号
磁界の乱れから生じる歪みを軽減する事により、
高精度な磁気検出装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の磁気検出
装置は、少なくとも1対の信号検出用MR素子を
挾んでその両側に少なくとも1対の補償用MR素
子を配置するという構成を備えたものである。
装置は、少なくとも1対の信号検出用MR素子を
挾んでその両側に少なくとも1対の補償用MR素
子を配置するという構成を備えたものである。
作 用
本発明は上記した補償用MR素子の電流による
自己発熱を利用し、これを一種の電熱器として用
いることにより、この1対の補償用MR素子の間
に挾まれた複数の信号検出用MR素子の温度分布
を均一にする事ができる。つまり、従来の同一基
板上に配置された複数の信号検出用MR素子は、
外側に配置されたものが内側に配置されたものよ
り温度が低いので、外側の信号検出用MR素子
を、そのさらに外側に配置された補償用MR素子
の発熱によつて温めて、各信号検出用MR素子の
温度分布を均一にするものである。これにより、
従来問題とされた出力信号の直流ドリフトは、軽
減することができる。
自己発熱を利用し、これを一種の電熱器として用
いることにより、この1対の補償用MR素子の間
に挾まれた複数の信号検出用MR素子の温度分布
を均一にする事ができる。つまり、従来の同一基
板上に配置された複数の信号検出用MR素子は、
外側に配置されたものが内側に配置されたものよ
り温度が低いので、外側の信号検出用MR素子
を、そのさらに外側に配置された補償用MR素子
の発熱によつて温めて、各信号検出用MR素子の
温度分布を均一にするものである。これにより、
従来問題とされた出力信号の直流ドリフトは、軽
減することができる。
また、補償用MR素子は、外側に配置された信
号検出用MR素子のさらに外側に配置されるの
で、この信号検出用MR素子の左右の磁気的バラ
ンスが良くなり、ここでの磁界の乱れが少なくな
る。
号検出用MR素子のさらに外側に配置されるの
で、この信号検出用MR素子の左右の磁気的バラ
ンスが良くなり、ここでの磁界の乱れが少なくな
る。
その結果、従来問題とされた出力信号の歪を小
さくする事ができる。
さくする事ができる。
実施例
以下本発明の磁気検出装置の一実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例における磁気検出装
置に使用されるMRセンサの構成及び電気的な接
続関係の説明図である。なお、この図において第
3図の従来例と同一の構成部品については同一の
番号を付す。
置に使用されるMRセンサの構成及び電気的な接
続関係の説明図である。なお、この図において第
3図の従来例と同一の構成部品については同一の
番号を付す。
第1図において、MRセンサ35は、基板33
の表面に信号検出用MR素子2,3,4,5,
6,7と、補償用MR素子27,28と端子8,
9,10,11,12,13,14,15,1
6,17,18,19,29,30,31,32
とを形成したものであり、各信号検出用及び補償
用MR素子は、図に示す様に電気的に接続されて
おり、特に端子8,10,12,29は定電圧2
0、端子9,11,13,30は定電圧21と接
続されている。なお、各信号検出用MR素子は被
検出物である磁極歯のピツチをPとして、1対と
なる信号検出MR素子2と5(又は3と6、又は
4と7)とで1/2・Pの間隔を隔てて配置され、 信号検出用MR素子2と4及び4と6(又は3と
5及び5と7)とで1/3・Pの間隔を隔てて配置 され、結果として出力端子22,23,24より
120°ずつ位相のずれた3相出力信号が得られるよ
うに構成している。また、補償用MR素子27,
28は、各信号検出用MR素子を挾んでその両側
に配置され、信号検出用MR素子2と補償用MR
素子27との間隔は、この実施例では各信号検出
用MR素子の配置間隔と同じにしてある。さら
に、この実施例では、補償用MR素子27,28
は、各信号検出用XR素子と同一のものを使用す
る。
の表面に信号検出用MR素子2,3,4,5,
6,7と、補償用MR素子27,28と端子8,
9,10,11,12,13,14,15,1
6,17,18,19,29,30,31,32
とを形成したものであり、各信号検出用及び補償
用MR素子は、図に示す様に電気的に接続されて
おり、特に端子8,10,12,29は定電圧2
0、端子9,11,13,30は定電圧21と接
続されている。なお、各信号検出用MR素子は被
検出物である磁極歯のピツチをPとして、1対と
なる信号検出MR素子2と5(又は3と6、又は
4と7)とで1/2・Pの間隔を隔てて配置され、 信号検出用MR素子2と4及び4と6(又は3と
5及び5と7)とで1/3・Pの間隔を隔てて配置 され、結果として出力端子22,23,24より
120°ずつ位相のずれた3相出力信号が得られるよ
うに構成している。また、補償用MR素子27,
28は、各信号検出用MR素子を挾んでその両側
に配置され、信号検出用MR素子2と補償用MR
素子27との間隔は、この実施例では各信号検出
用MR素子の配置間隔と同じにしてある。さら
に、この実施例では、補償用MR素子27,28
は、各信号検出用XR素子と同一のものを使用す
る。
第2図は本発明の磁気検出装置の一実施例を示
し、第2図Aは平面図、BはAのT−T線断面図
である。なお、その磁気検出装置は、第1図で説
明したMRセンサ35を使用しており、同一の構
成部品は部品番号を統一する。
し、第2図Aは平面図、BはAのT−T線断面図
である。なお、その磁気検出装置は、第1図で説
明したMRセンサ35を使用しており、同一の構
成部品は部品番号を統一する。
第2図において、この検出装置は、可動部36
が固定部25に沿つて直線的に移動する際の、両
者の相対位置を検出するものであり、可動部36
は第1図で説明したMRセンサ35とバイアス磁
界を供給する為の永久磁石26とを含んで構成さ
れ、一方固定部25は、可動部36と対向する面
に凹凸のピツチがPの磁極歯が形成されている。
さらに可動部36と固定部25とは、第2図に示
す様に配置され、特に基板33(又は各信号検出
用MR素子の薄膜面)は、固定部25に対して角
度α°傾いており、永久磁石26は固定部25に対
して平行に配置されている。また、図示はしない
が、可動部36を固定部25に沿つて移動可能に
保持する為の走行保持系を有する。なお、図面が
乱雑になるので、第1図に示す各信号検出用及び
補償用MR素子の電気的な接続関係は、第2図に
おいて省略する。
が固定部25に沿つて直線的に移動する際の、両
者の相対位置を検出するものであり、可動部36
は第1図で説明したMRセンサ35とバイアス磁
界を供給する為の永久磁石26とを含んで構成さ
れ、一方固定部25は、可動部36と対向する面
に凹凸のピツチがPの磁極歯が形成されている。
さらに可動部36と固定部25とは、第2図に示
す様に配置され、特に基板33(又は各信号検出
用MR素子の薄膜面)は、固定部25に対して角
度α°傾いており、永久磁石26は固定部25に対
して平行に配置されている。また、図示はしない
が、可動部36を固定部25に沿つて移動可能に
保持する為の走行保持系を有する。なお、図面が
乱雑になるので、第1図に示す各信号検出用及び
補償用MR素子の電気的な接続関係は、第2図に
おいて省略する。
以上のように構成された磁気検出装置につい
て、以下第1図及び第2図を用いてその動作を説
明する。但し、この磁気検出装置の基本的な信号
検出(磁極歯検出)原理は、第3図、第4図、第
5図で示す従来例と同じであるので、ここでは省
略する。
て、以下第1図及び第2図を用いてその動作を説
明する。但し、この磁気検出装置の基本的な信号
検出(磁極歯検出)原理は、第3図、第4図、第
5図で示す従来例と同じであるので、ここでは省
略する。
本発明の磁気検出装置において、この実施例で
は補償用MR素子27,28は、信号検出用MR
素子2,3,4,5,6,7と同じ材料、同じ形
状を有し、同じ磁界−抵抗値特性を有する。ま
た、補償用MR素子27,28は、各信号検出用
MR素子と共通の定電圧20,21と接続する事
により各信号検出用MR素子とほぼ同様に自己発
熱する。これによつて、1対の補償用MR素子2
6,27の間に配置された各信号用MR素子の温
度を均一とすることができる。具体的には、各信
号用MR素子のうち、外側に配置された2,7
が、内側に配置された4,5よりも温度が低いと
いう従来の問題点に対して、前述の補償用MR素
子26,27の自己発熱を利用して、信号検出用
MR素子2,7を加熱し、結果として各信号検出
用MR素子の温度の均一化を図るものである。こ
れによつて、出力端子22,23,24より得ら
れる出力信号の温度ドリフトは減少し、精度の良
い磁気検出装置を実現できる。
は補償用MR素子27,28は、信号検出用MR
素子2,3,4,5,6,7と同じ材料、同じ形
状を有し、同じ磁界−抵抗値特性を有する。ま
た、補償用MR素子27,28は、各信号検出用
MR素子と共通の定電圧20,21と接続する事
により各信号検出用MR素子とほぼ同様に自己発
熱する。これによつて、1対の補償用MR素子2
6,27の間に配置された各信号用MR素子の温
度を均一とすることができる。具体的には、各信
号用MR素子のうち、外側に配置された2,7
が、内側に配置された4,5よりも温度が低いと
いう従来の問題点に対して、前述の補償用MR素
子26,27の自己発熱を利用して、信号検出用
MR素子2,7を加熱し、結果として各信号検出
用MR素子の温度の均一化を図るものである。こ
れによつて、出力端子22,23,24より得ら
れる出力信号の温度ドリフトは減少し、精度の良
い磁気検出装置を実現できる。
また、磁性材としての各信号検出用MR素子の
中で、最も磁気的なバランスの悪い最も外側に配
置された2,7は、第1図及び第2図で示すよう
に、そのさらに外側に配置された補償用MR素子
26,27によつて、磁気的なバランスと悪さが
改善され、ここでの磁界の乱れが軽減される。こ
れによつて、出力端子22,23,24より得ら
れる出力信号の歪みが改善される。
中で、最も磁気的なバランスの悪い最も外側に配
置された2,7は、第1図及び第2図で示すよう
に、そのさらに外側に配置された補償用MR素子
26,27によつて、磁気的なバランスと悪さが
改善され、ここでの磁界の乱れが軽減される。こ
れによつて、出力端子22,23,24より得ら
れる出力信号の歪みが改善される。
しかも、各信号検出用及び補償用MR素子と各
端子は、基板33上に例えば蒸着等の方法で同時
に形成されるので、補償用MR素子を付加する事
で従来とコストは変わらない。
端子は、基板33上に例えば蒸着等の方法で同時
に形成されるので、補償用MR素子を付加する事
で従来とコストは変わらない。
なお、本実施例において、補償用MR素子と信
頼検出用MR素子を全く同一の物とし、かつ電源
も同一の定電圧源を使用したが、これに限定され
るものではない。目的は、複数の信号検出用MR
素子の温度分布を均一にして、かつ磁気的バラン
スを改善する事にあり、例えば、補償用MR素子
の形状を変更し、その抵抗値を変えて、ここでの
発熱量を適当に調節する事も可能である。また、
同様の目的で、補償用MR素子から信号用MR素
子までの距離を変える。補償用MR素子の定電圧
電源の電圧をコントロールする事も可能である。
頼検出用MR素子を全く同一の物とし、かつ電源
も同一の定電圧源を使用したが、これに限定され
るものではない。目的は、複数の信号検出用MR
素子の温度分布を均一にして、かつ磁気的バラン
スを改善する事にあり、例えば、補償用MR素子
の形状を変更し、その抵抗値を変えて、ここでの
発熱量を適当に調節する事も可能である。また、
同様の目的で、補償用MR素子から信号用MR素
子までの距離を変える。補償用MR素子の定電圧
電源の電圧をコントロールする事も可能である。
発明の効果
以上のように本発明は、少なくとも1対の補償
用MR素子を設けるという簡単な構成で、各信号
検出用MR素子の温度を均一にし、かつ磁気的な
バランスを改善する事ができ、これにより、信号
検出用MR素子の検出信号の直流ドリフト、歪み
を改善することができる。
用MR素子を設けるという簡単な構成で、各信号
検出用MR素子の温度を均一にし、かつ磁気的な
バランスを改善する事ができ、これにより、信号
検出用MR素子の検出信号の直流ドリフト、歪み
を改善することができる。
第1図は本発明の一実施例における磁気検出装
置に使用されるMRセンサの正面図、第2図Aは
本発明の磁気検出装置の一実施例を示す平面図、
第2図Bは同図AのT−T線断面図、第3図は従
来の磁気検出装置に使用されるMRセンサの正面
図、第4図Aは従来の磁気検出装置を示す平面
図、第4図Bは同図AのS−S線断面図、第5図
は磁界−抵抗値特性図である。 2,3,4,5,6,7……信号検出用MR素
子(強磁性薄膜抵抗素子)、20,21……定電
圧、27,28……補償用MR素子(強磁性薄膜
抵抗素子)、25……固定部、26……永久磁石、
33……基板、35……MRセンサ、36……可
動部、P……磁極歯ピツチ。
置に使用されるMRセンサの正面図、第2図Aは
本発明の磁気検出装置の一実施例を示す平面図、
第2図Bは同図AのT−T線断面図、第3図は従
来の磁気検出装置に使用されるMRセンサの正面
図、第4図Aは従来の磁気検出装置を示す平面
図、第4図Bは同図AのS−S線断面図、第5図
は磁界−抵抗値特性図である。 2,3,4,5,6,7……信号検出用MR素
子(強磁性薄膜抵抗素子)、20,21……定電
圧、27,28……補償用MR素子(強磁性薄膜
抵抗素子)、25……固定部、26……永久磁石、
33……基板、35……MRセンサ、36……可
動部、P……磁極歯ピツチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一定の間隙を維持しながら相対運動を行う第
1の手段と第2の手段とを含んで構成され、前記
第1の手段は、磁性材よりなる一定のピツチで形
成された磁極歯を複数含み、前記第2の手段は、
同一基板上に形成された磁気的異方性効果を有す
る複数の強磁性薄膜抵抗素子と、これに磁界を与
える永久磁石とを含み、前記複数の強磁性薄膜抵
抗素子は、前記磁極歯と前記永久磁石との間の磁
界中に配置されると共に、前記磁極歯の形成面に
対して一定の傾斜角度をもつて配置され、さらに
前記複数の強磁性薄膜抵抗素子は、前記磁極歯の
ピツチをPとして(n+1/2)・P(n:整数)の 間隔を隔てて配置された少なくとも1対の信号検
出用強磁性薄膜抵抗素子と、前記信号検出用強磁
性薄膜抵抗素子を挾んでその両側に配置された少
なくとも1対の補償用強磁性薄膜抵抗素子とを含
み、各1対の信号検出用強磁性薄膜抵抗素子は、
一端で直列接続され、その接続点より出力信号を
得ると共に、残りの2端で定電圧E1、定電圧E2
に接続され、前記少なくとも1対の補償用強磁性
薄膜抵抗素子は、一端で直列接続され、残りの2
端で定電圧E3、定電圧E4に接続された事を特徴
とする磁気検出装置。 2 定電圧E1と定電圧E3は等しく、定電圧E2と
定電圧E4は等しい事を特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の磁気検出装置。 3 補償用強磁性薄膜抵抗素子は、信号検出用強
磁性薄膜抵抗素子と同一の材料より成り、同一の
形状を有する事を特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の磁気検出装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59243717A JPS61120902A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 磁気検出装置 |
EP85300512A EP0151002B1 (en) | 1984-01-25 | 1985-01-25 | Magnetic detector |
DE8585300512T DE3583870D1 (de) | 1984-01-25 | 1985-01-25 | Magnetmessaufnehmer. |
US06/695,049 US4725776A (en) | 1984-01-25 | 1985-01-25 | Magnetic position detector using a thin film magnetoresistor element inclined relative to a moving object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59243717A JPS61120902A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61120902A JPS61120902A (ja) | 1986-06-09 |
JPH0544962B2 true JPH0544962B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=17107936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59243717A Granted JPS61120902A (ja) | 1984-01-25 | 1984-11-19 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61120902A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6431019A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nikon Corp | Magnetic head for magnetic encoder provided with heating element |
JPH0384417A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転位置検出装置 |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP59243717A patent/JPS61120902A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61120902A (ja) | 1986-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4725776A (en) | Magnetic position detector using a thin film magnetoresistor element inclined relative to a moving object | |
US6300758B1 (en) | Magnetoresistive sensor with reduced output signal jitter | |
US4603365A (en) | Magnetic detection apparatus | |
KR910006670B1 (ko) | 개량된 비 접촉형 패턴 센서 | |
US4053829A (en) | Apparatus for detecting the direction of a magnetic field to sense the position of, for example, a rotary element or the like | |
US4395695A (en) | Non-contact magnetic potentiometer | |
US5680042A (en) | Magnetoresistive sensor with reduced output signal jitter | |
JPH043483B2 (ja) | ||
GB2034053A (en) | Magneto resistive displacement sensors | |
US4713613A (en) | Device for magnetically detecting displacement of non-magnetic movable member | |
ES2024419B3 (es) | Transductor detector de angulos. | |
JPH0544962B2 (ja) | ||
US6307366B1 (en) | Object position sensor using magnetic effect device | |
JPH0426047B2 (ja) | ||
JPH04282417A (ja) | 磁気センサ | |
JPH0151127B2 (ja) | ||
JPS63212803A (ja) | 変位計測装置 | |
JPS63202979A (ja) | エンコ−ダ用磁気センサ | |
JPH0552583A (ja) | 磁気エンコーダ | |
JPH0432969B2 (ja) | ||
JPH0546483B2 (ja) | ||
JPS62276410A (ja) | センサ− | |
JP2767281B2 (ja) | 磁気センサ | |
JPH01269014A (ja) | 磁気エンコーダの温度補償回路 | |
JPS60114714A (ja) | 磁気式エンコ−ダ− |