JPH054453A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH054453A JPH054453A JP3183919A JP18391991A JPH054453A JP H054453 A JPH054453 A JP H054453A JP 3183919 A JP3183919 A JP 3183919A JP 18391991 A JP18391991 A JP 18391991A JP H054453 A JPH054453 A JP H054453A
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- recording
- layer
- recording medium
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速で書換え可能であってデータの保存寿命
が比較的長いというＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料を使用
した光記録媒体の特長を損なうことなく、優れた記録感
度を維持しつつその書換え回数が著しく向上した光記録
媒体を提供することにある。 【構成】 基板上に光、熱等の手段によりその光学的性
質が可逆的に変化する記録層を備え、この記録層の光学
的性質の変化を利用して情報の書き換え、再生を行う光
記録媒体において、上記記録層を形成する記録材料がＧ
ｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする混合体とＶｂ族元素と
ＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体との混合物で構成
されている光記録媒体である。
が比較的長いというＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料を使用
した光記録媒体の特長を損なうことなく、優れた記録感
度を維持しつつその書換え回数が著しく向上した光記録
媒体を提供することにある。 【構成】 基板上に光、熱等の手段によりその光学的性
質が可逆的に変化する記録層を備え、この記録層の光学
的性質の変化を利用して情報の書き換え、再生を行う光
記録媒体において、上記記録層を形成する記録材料がＧ
ｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする混合体とＶｂ族元素と
ＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体との混合物で構成
されている光記録媒体である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に光、熱等の手
段によりその光学的性質が可逆的に変化する記録層を備
え、この記録層の光学的性質の変化を利用して情報の書
き換え、再生を行う光記録媒体に係り、特に、優れた記
録感度と書換え回数とを有する光記録媒体に関する。
段によりその光学的性質が可逆的に変化する記録層を備
え、この記録層の光学的性質の変化を利用して情報の書
き換え、再生を行う光記録媒体に係り、特に、優れた記
録感度と書換え回数とを有する光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上に形成された記録層にレー
ザー光等の集束光を照射し、その照射部位の記録層の光
学的性質を変化させ、この光学的性質の可逆的変化を利
用して情報の書き換え、再生を行う相変化光記録媒体と
して、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体が提案されており
（特開昭６３−２２５，９３４号公報）、高速で書換え
可能であってデータの保存寿命が比較的長いという特長
を有することからその実用化が検討されている。
ザー光等の集束光を照射し、その照射部位の記録層の光
学的性質を変化させ、この光学的性質の可逆的変化を利
用して情報の書き換え、再生を行う相変化光記録媒体と
して、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体が提案されており
（特開昭６３−２２５，９３４号公報）、高速で書換え
可能であってデータの保存寿命が比較的長いという特長
を有することからその実用化が検討されている。
【０００３】しかしながら、この様なＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
系光記録媒体では、その記録層を構成するＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系記録材料の結晶化速度が比較的遅く、このために
アモルファス状態に留まり難くてすぐに再結晶化してし
まい、アモルファス化が困難であるという問題があり、
そこで熱伝導性の高い冷却層を設けて冷却速度を高くす
る必要があった。このために、媒体構造それ自体につい
ても熱の逃げ易い構造にする必要があり、記録層と冷却
層との間に形成される保護層（光透過側保護層）の膜厚
も薄くしなければならず、記録感度が低下し、また、書
換え回数が大きくならない等の種々の問題が発生した。
系光記録媒体では、その記録層を構成するＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系記録材料の結晶化速度が比較的遅く、このために
アモルファス状態に留まり難くてすぐに再結晶化してし
まい、アモルファス化が困難であるという問題があり、
そこで熱伝導性の高い冷却層を設けて冷却速度を高くす
る必要があった。このために、媒体構造それ自体につい
ても熱の逃げ易い構造にする必要があり、記録層と冷却
層との間に形成される保護層（光透過側保護層）の膜厚
も薄くしなければならず、記録感度が低下し、また、書
換え回数が大きくならない等の種々の問題が発生した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者ら
は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体に生じる記録感度の
低下や書換え回数の問題を解消すべく鋭意研究を重ねた
結果、記録層を形成する記録材料を、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴ
ｅを主成分とする混合体とＶｂ族元素とＶＩｂ族元素と
を主成分とする混合体との混合物で構成することによ
り、従来のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体におけるこれ
ら記録感度や書換え回数の問題を解決できることを見出
し、本発明を完成した。従って、本発明の目的は、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体が有する「高速で書換え可能
であってデータの保存寿命が比較的長い」という特長を
損なうことなく、その記録感度や書換え回数を改善した
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体を提供することにある。
は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体に生じる記録感度の
低下や書換え回数の問題を解消すべく鋭意研究を重ねた
結果、記録層を形成する記録材料を、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴ
ｅを主成分とする混合体とＶｂ族元素とＶＩｂ族元素と
を主成分とする混合体との混合物で構成することによ
り、従来のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体におけるこれ
ら記録感度や書換え回数の問題を解決できることを見出
し、本発明を完成した。従って、本発明の目的は、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体が有する「高速で書換え可能
であってデータの保存寿命が比較的長い」という特長を
損なうことなく、その記録感度や書換え回数を改善した
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系光記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
板上に光、熱等の手段によりその光学的性質が可逆的に
変化する記録層を備え、この記録層の光学的性質の変化
を利用して情報の書き換え、再生を行う光記録媒体にお
いて、上記記録層を形成する記録材料がＧｅ、Ｓｂ及び
Ｔｅを主成分とする混合体とＶｂ族元素とＶＩｂ族元素
とを主成分とする混合体との混合物で構成されている光
記録媒体である。
板上に光、熱等の手段によりその光学的性質が可逆的に
変化する記録層を備え、この記録層の光学的性質の変化
を利用して情報の書き換え、再生を行う光記録媒体にお
いて、上記記録層を形成する記録材料がＧｅ、Ｓｂ及び
Ｔｅを主成分とする混合体とＶｂ族元素とＶＩｂ族元素
とを主成分とする混合体との混合物で構成されている光
記録媒体である。
【０００６】本発明において、記録層の記録材料を構成
するＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする混合体として
は、それが可逆的な光学的性質を示すものであり、好ま
しくはＧｅ、ＳｂあるいはＴｅを含有する化学量論的化
合物の混合体であるのがよく、具体的には、例えばＧｅ
ＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 との混合体や、ＧｅＴｅ、Ｓｂ2 Ｔ
ｅ3 及びＳｂの混合体が挙げられる。
するＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする混合体として
は、それが可逆的な光学的性質を示すものであり、好ま
しくはＧｅ、ＳｂあるいはＴｅを含有する化学量論的化
合物の混合体であるのがよく、具体的には、例えばＧｅ
ＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 との混合体や、ＧｅＴｅ、Ｓｂ2 Ｔ
ｅ3 及びＳｂの混合体が挙げられる。
【０００７】また、記録層の他の記録材料を構成するＶ
ｂ族元素とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体として
も、それが化学量論的化合物であることが望ましいが、
この化学量論的化合物おけるＶｂ族元素とＶＩｂ族元素
の組成を中心にしてある範囲までは同様な特性を示すの
でこの様な範囲の組成までは有効である。従って、具体
的には、Ｖｂ族元素とＶＩｂ族元素の組合せのうちＶｂ
2 ＶＩｂ3 型の化合物の１種類のみを生成するＢｉ−Ｓ
系、Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｓｂ−Ｓ系の混合体についてはＢｉ
1-x Ｓx （０．５≦ｘ≦０．７）、Ｓｂ1-x Ｓｅ
x （０．５≦ｘ≦０．７）、Ｓｂ1-x Ｓx （０．５≦ｘ
≦０．７）で表される混合体が挙げら、また、上記Ｖｂ
2 ＶＩｂ3 型の化合物以外にＶ14ＶＩ6 、Ｖ2 ＶＩ、Ｖ
ＶＩ型等の化合物を生成するＢｉ−Ｔｅ系やＢｉ−Ｓｅ
系の混合体についてはＢｉ1-xＴｅx （０．２≦ｘ≦
０．７）やＢｉ1-x Ｓｅx （０．２≦ｘ≦０．７）で表
される混合体が挙げられる。そして、これらはその１種
のみであっても、また、２種以上の混合物であってもよ
い。
ｂ族元素とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体として
も、それが化学量論的化合物であることが望ましいが、
この化学量論的化合物おけるＶｂ族元素とＶＩｂ族元素
の組成を中心にしてある範囲までは同様な特性を示すの
でこの様な範囲の組成までは有効である。従って、具体
的には、Ｖｂ族元素とＶＩｂ族元素の組合せのうちＶｂ
2 ＶＩｂ3 型の化合物の１種類のみを生成するＢｉ−Ｓ
系、Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｓｂ−Ｓ系の混合体についてはＢｉ
1-x Ｓx （０．５≦ｘ≦０．７）、Ｓｂ1-x Ｓｅ
x （０．５≦ｘ≦０．７）、Ｓｂ1-x Ｓx （０．５≦ｘ
≦０．７）で表される混合体が挙げら、また、上記Ｖｂ
2 ＶＩｂ3 型の化合物以外にＶ14ＶＩ6 、Ｖ2 ＶＩ、Ｖ
ＶＩ型等の化合物を生成するＢｉ−Ｔｅ系やＢｉ−Ｓｅ
系の混合体についてはＢｉ1-xＴｅx （０．２≦ｘ≦
０．７）やＢｉ1-x Ｓｅx （０．２≦ｘ≦０．７）で表
される混合体が挙げられる。そして、これらはその１種
のみであっても、また、２種以上の混合物であってもよ
い。
【０００８】なお、上記記録層を構成する記録材料中に
は、その性質を損なわない範囲で他の元素、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎ、Ｓｂ、Ａｕ等を添加してもよく、
Ａｕ等の元素を０．５〜５重量％の範囲で添加すればア
モルファスの熱安定性が増すという効果が期待できる。
は、その性質を損なわない範囲で他の元素、例えばＡ
ｇ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｎ、Ｓｂ、Ａｕ等を添加してもよく、
Ａｕ等の元素を０．５〜５重量％の範囲で添加すればア
モルファスの熱安定性が増すという効果が期待できる。
【０００９】これらの記録材料によって形成される記録
層の層厚は、通常１０〜２００ｎｍであり、好ましくは
２０〜１００ｎｍである。この記録層の層厚が２００ｎ
ｍより厚くなると、書換え回数及び記録感度の改善とい
う本発明の作用効果を顕著に達成することが難しくな
る。なお、記録層の層厚が１０ｎｍ以下になると、均一
な膜を作ることが難しくなるので、蒸着、スパッタリン
グ等の作製法では２０ｎｍ以上であることが望ましい。
層の層厚は、通常１０〜２００ｎｍであり、好ましくは
２０〜１００ｎｍである。この記録層の層厚が２００ｎ
ｍより厚くなると、書換え回数及び記録感度の改善とい
う本発明の作用効果を顕著に達成することが難しくな
る。なお、記録層の層厚が１０ｎｍ以下になると、均一
な膜を作ることが難しくなるので、蒸着、スパッタリン
グ等の作製法では２０ｎｍ以上であることが望ましい。
【００１０】そして、本発明において、記録媒体の基本
構造は、光透過性の基板とその上に形成される記録層と
であるが、この記録層の変形を防止し、また、記録層の
機械的損傷や酸化等を防止する目的で、好ましくは記録
層の上面に無機誘電体で形成された光透過側の保護層が
設けられる。また、上記基板を保護する目的で、あるい
は入射光の表面反射を低下させる目的で、好ましくは上
記基板と記録層との間に無機誘電体で形成された光入射
側の保護層が設けられる。更に、光透過側の保護層の機
能を強化する目的で、この光透過側保護層の上に紫外線
硬化樹脂層や、更に保護板を設けてもよく、また、記録
層を透過した光を反射させて光吸収率を高める等の目的
で、上記光透過側保護層の上に反射層を設けてもよい。
本発明においては、特に冷却速度を考慮して各層の設計
をする必要がないので、例えば反射層については主に光
学的な観点でその材料、膜厚、配設位置等を決定すれば
よく、媒体構造の設計が容易である。
構造は、光透過性の基板とその上に形成される記録層と
であるが、この記録層の変形を防止し、また、記録層の
機械的損傷や酸化等を防止する目的で、好ましくは記録
層の上面に無機誘電体で形成された光透過側の保護層が
設けられる。また、上記基板を保護する目的で、あるい
は入射光の表面反射を低下させる目的で、好ましくは上
記基板と記録層との間に無機誘電体で形成された光入射
側の保護層が設けられる。更に、光透過側の保護層の機
能を強化する目的で、この光透過側保護層の上に紫外線
硬化樹脂層や、更に保護板を設けてもよく、また、記録
層を透過した光を反射させて光吸収率を高める等の目的
で、上記光透過側保護層の上に反射層を設けてもよい。
本発明においては、特に冷却速度を考慮して各層の設計
をする必要がないので、例えば反射層については主に光
学的な観点でその材料、膜厚、配設位置等を決定すれば
よく、媒体構造の設計が容易である。
【００１１】なお、上記各層は、１種の材料のみで構成
してもよく、また、２種以上の材料を積層してもよい。
また、上記の説明では基板側から光が入射するものとし
て説明しているが、基板とは反対側から光を入射させる
タイプのものに適用できることは勿論である。そして、
アモルファス化と結晶化については、その何れを記録と
し、また、消去としてもよいことは勿論であり、オーバ
ーライトを行う際には記録、消去の区別はない。
してもよく、また、２種以上の材料を積層してもよい。
また、上記の説明では基板側から光が入射するものとし
て説明しているが、基板とは反対側から光を入射させる
タイプのものに適用できることは勿論である。そして、
アモルファス化と結晶化については、その何れを記録と
し、また、消去としてもよいことは勿論であり、オーバ
ーライトを行う際には記録、消去の区別はない。
【００１２】また、上記記録層以外の各層を構成する材
料については、従来公知のものでよく特に限定されるも
のではなく、例えば、基板についてはガラス等の無機材
料や、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィ
ン類、ポリジクロロペンタジエン、ポリイミド、エポキ
シ樹脂等の樹脂材料を挙げることができ、その厚さは、
変形が生じずかつゴミの悪影響を防止できる厚さであれ
ばよく、例えば１．２ｍｍである。また、保護層につい
ては通常この種の保護層として使用される種々の無機誘
電体を使用することができ、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 等
のほか、低熱膨張性材料であるＳｉＯ2 やＳｉＯ2 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏを主成分とする材料等を挙げること
ができる。更に、反射層についてはＡｌ合金等を使用で
き、紫外線硬化樹脂層についてはエポキシアクリレート
等を使用でき、更に保護板としては基板材料と同様のも
の等を使用することができる。
料については、従来公知のものでよく特に限定されるも
のではなく、例えば、基板についてはガラス等の無機材
料や、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィ
ン類、ポリジクロロペンタジエン、ポリイミド、エポキ
シ樹脂等の樹脂材料を挙げることができ、その厚さは、
変形が生じずかつゴミの悪影響を防止できる厚さであれ
ばよく、例えば１．２ｍｍである。また、保護層につい
ては通常この種の保護層として使用される種々の無機誘
電体を使用することができ、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 等
のほか、低熱膨張性材料であるＳｉＯ2 やＳｉＯ2 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏを主成分とする材料等を挙げること
ができる。更に、反射層についてはＡｌ合金等を使用で
き、紫外線硬化樹脂層についてはエポキシアクリレート
等を使用でき、更に保護板としては基板材料と同様のも
の等を使用することができる。
【００１３】本発明の光記録媒体における記録層や他の
各層の製造法についても、特に限定されるものではな
く、それぞれの層の特性に従って従来公知の種々の方
法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、分子線エピタクシー法（ＭＢＥ）、化学
蒸着法（ＣＶＤ）等の方法を採用することができる。
各層の製造法についても、特に限定されるものではな
く、それぞれの層の特性に従って従来公知の種々の方
法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、分子線エピタクシー法（ＭＢＥ）、化学
蒸着法（ＣＶＤ）等の方法を採用することができる。
【００１４】
【作用】本発明によれば、記録層を形成する記録材料と
して、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする混合体にＶｂ
族元素とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体を混合し
た混合物を使用しているので、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを主
成分とする混合体で形成された記録層に比べて、アモル
ファス化する際の臨界冷却速度が小さくなり、これによ
ってアモルファス化が容易になり、従来のように記録感
度を犠牲にしながらその媒体構造を熱の逃げ易い構造に
設計して冷却速度を大きくする必要がなくなり、結果と
して記録感度の高い相変化光記録媒体とすることができ
るものと考えられる。また、この様に記録感度が向上す
ると、媒体に対する熱的負荷を軽減することができ、書
換え回数の大幅な改善を図ることができる。すなわち、
従来の記録感度の改善方法は、その代償として書換え回
数の低減を伴うものであったが、本発明のように記録材
料それ自体のアモルファス化を改善すれば、このアモル
ファス化が改善された分だけ媒体構造に対して積極的に
書換え回数を改善するための手段、例えば保護膜の膜厚
を厚くする等の手段を採ることができる。更に、本発明
によれば、格子振動による熱伝導に対して、Ｖｂ族元素
とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体が不純物、すな
わち散乱体として働き、これによって記録材料の熱伝導
率が低下し、その分蓄熱硬化が高くなる。また、このＶ
ｂ族元素とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体はアモ
ルファスが結晶化する際の結晶核として作用し、これに
よって結晶化速度も向上し、この結晶化を消去に利用し
た場合にはその消去速度が向上することになる。
して、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする混合体にＶｂ
族元素とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体を混合し
た混合物を使用しているので、Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを主
成分とする混合体で形成された記録層に比べて、アモル
ファス化する際の臨界冷却速度が小さくなり、これによ
ってアモルファス化が容易になり、従来のように記録感
度を犠牲にしながらその媒体構造を熱の逃げ易い構造に
設計して冷却速度を大きくする必要がなくなり、結果と
して記録感度の高い相変化光記録媒体とすることができ
るものと考えられる。また、この様に記録感度が向上す
ると、媒体に対する熱的負荷を軽減することができ、書
換え回数の大幅な改善を図ることができる。すなわち、
従来の記録感度の改善方法は、その代償として書換え回
数の低減を伴うものであったが、本発明のように記録材
料それ自体のアモルファス化を改善すれば、このアモル
ファス化が改善された分だけ媒体構造に対して積極的に
書換え回数を改善するための手段、例えば保護膜の膜厚
を厚くする等の手段を採ることができる。更に、本発明
によれば、格子振動による熱伝導に対して、Ｖｂ族元素
とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体が不純物、すな
わち散乱体として働き、これによって記録材料の熱伝導
率が低下し、その分蓄熱硬化が高くなる。また、このＶ
ｂ族元素とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体はアモ
ルファスが結晶化する際の結晶核として作用し、これに
よって結晶化速度も向上し、この結晶化を消去に利用し
た場合にはその消去速度が向上することになる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明
を具体的に説明する。
を具体的に説明する。
【００１６】実施例１
図１に示すように、この実施例１の相変化型光記録媒体
は、厚さ１．２ｍｍのアクリル製基板１上に、厚さ１０
０ｎｍの（ＳｉＯ2 ）−４（ＺｎＳ）製光入射側保護層
２と、この光入射側保護層２上に形成される厚さ４０ｎ
ｍの記録層３と、この記録層３上に形成される厚さ１０
０ｎｍの（ＳｉＯ2 ）−４（ＺｎＳ）製光透過側保護層
４と、この光透過側保護層４上に形成される貼り合わせ
用の紫外線硬化樹脂層５と、この紫外線硬化樹脂層５で
貼り合わせられた厚さ１．２ｍｍのアクリル製保護板６
とで構成されている。ここで、上記各保護層２及び４は
それぞれスパッタリング法により（ＳｉＯ2 ）−４（Ｚ
ｎＳ）層を形成して積層されている。また、記録層３
は、２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）とＢｉＳｅの２
枚のターゲットを用いた２元同時スパッタリング法によ
り積層され、これら２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）
とＢｉＳｅとの比率がモル比で８５：１５となってい
る。
は、厚さ１．２ｍｍのアクリル製基板１上に、厚さ１０
０ｎｍの（ＳｉＯ2 ）−４（ＺｎＳ）製光入射側保護層
２と、この光入射側保護層２上に形成される厚さ４０ｎ
ｍの記録層３と、この記録層３上に形成される厚さ１０
０ｎｍの（ＳｉＯ2 ）−４（ＺｎＳ）製光透過側保護層
４と、この光透過側保護層４上に形成される貼り合わせ
用の紫外線硬化樹脂層５と、この紫外線硬化樹脂層５で
貼り合わせられた厚さ１．２ｍｍのアクリル製保護板６
とで構成されている。ここで、上記各保護層２及び４は
それぞれスパッタリング法により（ＳｉＯ2 ）−４（Ｚ
ｎＳ）層を形成して積層されている。また、記録層３
は、２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）とＢｉＳｅの２
枚のターゲットを用いた２元同時スパッタリング法によ
り積層され、これら２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）
とＢｉＳｅとの比率がモル比で８５：１５となってい
る。
【００１７】この様にして調製した実施例１の光記録媒
体ついて、その結晶化時間、結晶化温度、記録感度及び
書換え回数を測定して評価した。結果を表１に示す。な
お、結晶化時間については、Ａｒレーザにより予め初期
化を行った後、記録（アモルファス化）を行うと反射率
が低下し、更に消去（結晶化）を行うと反射率が再び増
加するが、この際に初期化時の反射率までほぼ完全に回
復するのに必要なパルス幅を結晶化時間として求めた。
結晶化温度については、昇温速度２０℃／分で加熱しな
がら反射率を測定し、結晶化に対応してこの反射率が増
加し始める温度をその結晶化温度として測定した。ま
た、記録感度については、｛（結晶相の反射率）×（ア
モルファス相の反射率）｝÷（結晶相の反射率）の値を
コントラストと定義したとき、経験的にこのコントラス
トが０．３程度以上の時にＣＮ比５０ｄＢとなることが
わかっているので、このコントラストが０．３となる時
のレーザー出力を測定し、その値を記録感度として求め
た。更に、書換え回数については、ディスクを回転数
１，８００ｒｐｍで回転させ、ピークパワー１２〜１５
ｍＷ及びバイアスパワー６〜９ｍＷのレーザー光を周波
数１ＭＨｚと１．５ＭＨｚで変調して書換えを行い、測
定されるＣＮ比が低下し始めるまでこの書換え操作を繰
り返し、その繰り返し回数を書換え回数として求めた。
体ついて、その結晶化時間、結晶化温度、記録感度及び
書換え回数を測定して評価した。結果を表１に示す。な
お、結晶化時間については、Ａｒレーザにより予め初期
化を行った後、記録（アモルファス化）を行うと反射率
が低下し、更に消去（結晶化）を行うと反射率が再び増
加するが、この際に初期化時の反射率までほぼ完全に回
復するのに必要なパルス幅を結晶化時間として求めた。
結晶化温度については、昇温速度２０℃／分で加熱しな
がら反射率を測定し、結晶化に対応してこの反射率が増
加し始める温度をその結晶化温度として測定した。ま
た、記録感度については、｛（結晶相の反射率）×（ア
モルファス相の反射率）｝÷（結晶相の反射率）の値を
コントラストと定義したとき、経験的にこのコントラス
トが０．３程度以上の時にＣＮ比５０ｄＢとなることが
わかっているので、このコントラストが０．３となる時
のレーザー出力を測定し、その値を記録感度として求め
た。更に、書換え回数については、ディスクを回転数
１，８００ｒｐｍで回転させ、ピークパワー１２〜１５
ｍＷ及びバイアスパワー６〜９ｍＷのレーザー光を周波
数１ＭＨｚと１．５ＭＨｚで変調して書換えを行い、測
定されるＣＮ比が低下し始めるまでこの書換え操作を繰
り返し、その繰り返し回数を書換え回数として求めた。
【００１８】実施例２
また、図２に示すように、光透過側保護層４の厚さを４
０ｎｍとし、この光透過側保護層４と紫外線硬化樹脂層
５との間に厚さ１００ｎｍのＡｌ合金製の冷却層７を設
け、また、記録層３として２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔ
ｅ3 ）−０．５ＳｂとＢｉ2 Ｓｅ3 の２枚のターゲット
を用いた２元同時スパッタリング法によりこれら２（Ｇ
ｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）−０．５ＳｂとＢｉ2 Ｓｅ
3 の比率がモル比で９５：５となるように積層した以外
は、上記実施例１と同様にして相変化光記録媒体を調製
した。この様にして調製した実施例２の光記録媒体つい
て、実施例１と同様に、その結晶化時間、結晶化温度、
記録感度及び書換え回数を測定して評価した。結果を表
１に示す。
０ｎｍとし、この光透過側保護層４と紫外線硬化樹脂層
５との間に厚さ１００ｎｍのＡｌ合金製の冷却層７を設
け、また、記録層３として２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔ
ｅ3 ）−０．５ＳｂとＢｉ2 Ｓｅ3 の２枚のターゲット
を用いた２元同時スパッタリング法によりこれら２（Ｇ
ｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）−０．５ＳｂとＢｉ2 Ｓｅ
3 の比率がモル比で９５：５となるように積層した以外
は、上記実施例１と同様にして相変化光記録媒体を調製
した。この様にして調製した実施例２の光記録媒体つい
て、実施例１と同様に、その結晶化時間、結晶化温度、
記録感度及び書換え回数を測定して評価した。結果を表
１に示す。
【００１９】実施例３
媒体構造を図１に示す実施例１の場合と同様とし、記録
層３として２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）とＢｉ2
Ｔｅ3 の２枚のターゲットを用いた２元同時スパッタリ
ング法によりこれら２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）
とＢｉ2 Ｔｅ3の比率がモル比で８５：１５となるよう
に積層した以外は、上記実施例１と同様にして相変化光
記録媒体を調製した。この様にして調製した実施例３の
光記録媒体ついて、実施例１と同様に、その結晶化時
間、結晶化温度、記録感度及び書換え回数を測定して評
価した。結果を表１に示す。
層３として２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）とＢｉ2
Ｔｅ3 の２枚のターゲットを用いた２元同時スパッタリ
ング法によりこれら２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）
とＢｉ2 Ｔｅ3の比率がモル比で８５：１５となるよう
に積層した以外は、上記実施例１と同様にして相変化光
記録媒体を調製した。この様にして調製した実施例３の
光記録媒体ついて、実施例１と同様に、その結晶化時
間、結晶化温度、記録感度及び書換え回数を測定して評
価した。結果を表１に示す。
【００２０】実施例４
媒体構造を図１に示す実施例１の場合と同様とし、記録
層３として２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）−０．５
ＳｂとＢｉ2 Ｔｅ3 とＳｂ2 Ｓｅ3 の３枚のターゲット
を用いた３元同時スパッタリング法によりこれら２（Ｇ
ｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）−０．５ＳｂとＢｉ2 Ｔｅ
3 とＳｂ2 Ｓｅ3 との比率がモル比で８５：７．５：
７．５となるように積層した以外は、上記実施例１と同
様にして相変化光記録媒体を調製した。この様にして調
製した実施例４の光記録媒体ついて、実施例１と同様
に、その結晶化時間、結晶化温度、記録感度及び書換え
回数を測定して評価した。結果を表１に示す。
層３として２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）−０．５
ＳｂとＢｉ2 Ｔｅ3 とＳｂ2 Ｓｅ3 の３枚のターゲット
を用いた３元同時スパッタリング法によりこれら２（Ｇ
ｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）−０．５ＳｂとＢｉ2 Ｔｅ
3 とＳｂ2 Ｓｅ3 との比率がモル比で８５：７．５：
７．５となるように積層した以外は、上記実施例１と同
様にして相変化光記録媒体を調製した。この様にして調
製した実施例４の光記録媒体ついて、実施例１と同様
に、その結晶化時間、結晶化温度、記録感度及び書換え
回数を測定して評価した。結果を表１に示す。
【００２１】比較例１
光透過側保護層４の膜厚を１００ｎｍとした以外はその
媒体構造を図２に示す実施例２の場合と同様にし、記録
層３として２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）のみをタ
ーゲットとして用いたスパッタリング法により２（Ｇｅ
Ｔｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）を積層した以外は、上記実施
例１と同様にして相変化光記録媒体を調製した。この様
にして調製した比較例１の光記録媒体ついて、実施例１
と同様に、その結晶化時間、結晶化温度、記録感度及び
書換え回数を測定して評価した。結果を表１に示す。
媒体構造を図２に示す実施例２の場合と同様にし、記録
層３として２（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）のみをタ
ーゲットとして用いたスパッタリング法により２（Ｇｅ
Ｔｅ）−（Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）を積層した以外は、上記実施
例１と同様にして相変化光記録媒体を調製した。この様
にして調製した比較例１の光記録媒体ついて、実施例１
と同様に、その結晶化時間、結晶化温度、記録感度及び
書換え回数を測定して評価した。結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
この表１の結果から明らかなように、比較例１の場合に
記録感度が１９ｍｗで書換え回数が１０4 回であったの
に対し、各実施例の場合には、記録感度が実施例１、３
及び４の場合に１６ｍｗで実施例２の場合に１７ｍｗで
あり、また、書換え回数が＞１０5 回であり、比較例１
の場合に比べて大幅に改善されていることが判明した。
記録感度が１９ｍｗで書換え回数が１０4 回であったの
に対し、各実施例の場合には、記録感度が実施例１、３
及び４の場合に１６ｍｗで実施例２の場合に１７ｍｗで
あり、また、書換え回数が＞１０5 回であり、比較例１
の場合に比べて大幅に改善されていることが判明した。
【００２３】実施例５
図１と同様な媒体構造において、基板１としてガラス製
基板を使用し、その光入射側保護層２を厚さ１００ｎｍ
のＺｎＳで構成し、光透過側保護層４を厚さ２００ｎｍ
のＺｎＳで構成し、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5
とＢｉ2 Ｓｅ3 の２枚のターゲットを用いた２元同時ス
パッタリング法によりこれらＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＢｉ
2 Ｓｅ3 の比率がモル比で８５：１５となるように積層
した以外は、上記実施例１と同様にして相変化光記録媒
体を調製した。この様にして調製した実施例５の光記録
媒体ついて、実施例１と同様に、その結晶化時間、結晶
化温度、記録感度及び書換え回数を測定して評価すると
共に、光吸収率についても測定して評価した。結果を表
２に示す。
基板を使用し、その光入射側保護層２を厚さ１００ｎｍ
のＺｎＳで構成し、光透過側保護層４を厚さ２００ｎｍ
のＺｎＳで構成し、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5
とＢｉ2 Ｓｅ3 の２枚のターゲットを用いた２元同時ス
パッタリング法によりこれらＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 とＢｉ
2 Ｓｅ3 の比率がモル比で８５：１５となるように積層
した以外は、上記実施例１と同様にして相変化光記録媒
体を調製した。この様にして調製した実施例５の光記録
媒体ついて、実施例１と同様に、その結晶化時間、結晶
化温度、記録感度及び書換え回数を測定して評価すると
共に、光吸収率についても測定して評価した。結果を表
２に示す。
【００２４】なお、光吸収率については、光透過側保護
層４と紫外線硬化樹脂層５との間で光反射率と光透過率
とを測定し、｛１００−（光反射率×光透過率）｝の値
を算出して光透過率とした。
層４と紫外線硬化樹脂層５との間で光反射率と光透過率
とを測定し、｛１００−（光反射率×光透過率）｝の値
を算出して光透過率とした。
【００２５】比較例２
実施例５と同様な媒体構造とし、記録層３としてＧｅ2
Ｓｂ2 Ｔｅ5 の１枚ターゲットを用いたスパッタリング
法によりこれらＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を積層した以外は、
上記実施例５と同様にして相変化光記録媒体を調製し
た。この様にして調製した比較例２の光記録媒体つい
て、実施例５と同様に、その結晶化時間、結晶化温度、
記録感度、書換え回数及び光吸収率を測定して評価し
た。結果を表２に示す。
Ｓｂ2 Ｔｅ5 の１枚ターゲットを用いたスパッタリング
法によりこれらＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を積層した以外は、
上記実施例５と同様にして相変化光記録媒体を調製し
た。この様にして調製した比較例２の光記録媒体つい
て、実施例５と同様に、その結晶化時間、結晶化温度、
記録感度、書換え回数及び光吸収率を測定して評価し
た。結果を表２に示す。
【００２６】比較例３
図２と同様な媒体構造において、基板１としてガラス製
基板を使用し、その光入射側保護層２を厚さ１００ｎｍ
のＺｎＳで構成し、光透過側保護層４を厚さ４０ｎｍの
ＺｎＳで構成し、また、冷却層の厚さを５０ｎｍとし
た。この媒体において、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔ
ｅ5 の１枚ターゲットを用いたスパッタリング法により
これらＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を積層した以外は、上記実施
例５と同様にして相変化光記録媒体を調製した。この様
にして調製した比較例２の光記録媒体ついて、実施例５
と同様に、その結晶化時間、結晶化温度、記録感度、書
換え回数及び光吸収率を測定して評価した。結果を表２
に示す。
基板を使用し、その光入射側保護層２を厚さ１００ｎｍ
のＺｎＳで構成し、光透過側保護層４を厚さ４０ｎｍの
ＺｎＳで構成し、また、冷却層の厚さを５０ｎｍとし
た。この媒体において、記録層３としてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔ
ｅ5 の１枚ターゲットを用いたスパッタリング法により
これらＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を積層した以外は、上記実施
例５と同様にして相変化光記録媒体を調製した。この様
にして調製した比較例２の光記録媒体ついて、実施例５
と同様に、その結晶化時間、結晶化温度、記録感度、書
換え回数及び光吸収率を測定して評価した。結果を表２
に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、高速で書換え可能であ
ってデータの保存寿命が比較的長いというＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系記録材料を使用した光記録媒体の特長を損なうこ
となく、優れた記録感度を維持しつつその書換え回数が
著しく向上した光記録媒体を提供することができる。
ってデータの保存寿命が比較的長いというＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ系記録材料を使用した光記録媒体の特長を損なうこ
となく、優れた記録感度を維持しつつその書換え回数が
著しく向上した光記録媒体を提供することができる。
【図１】 図１は本発明の実施例及び比較例に係る相変
化光記録媒体の媒体構造を示す断面説明図である。
化光記録媒体の媒体構造を示す断面説明図である。
【図２】 図２は他の媒体構造を示す断面説明図であ
る。
る。
１…基板、２…光入射側保護層、３…記録層、４…光透
過側保護層、５…紫外線硬化樹脂層、６…保護板、７…
冷却層。
過側保護層、５…紫外線硬化樹脂層、６…保護板、７…
冷却層。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に光、熱等の手段によりその光学
的性質が可逆的に変化する記録層を備え、この記録層の
光学的性質の変化を利用して情報の書き換え、再生を行
う光記録媒体において、上記記録層を形成する記録材料
がＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする混合体とＶｂ族元
素とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体との混合物で
構成されていることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする混合
体がＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 との混合体であり、Ｖｂ族
元素とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体がＢｉ1-x
Ｓx （０．５≦ｘ≦０．７）、Ｓｂ1-x Ｓｅx （０．５
≦ｘ≦０．７）、Ｓｂ1-x Ｓx （０．５≦ｘ≦０．
７）、Ｂｉ1-x Ｔｅx （０．２≦ｘ≦０．７）及びＢｉ
1-x Ｓｅx （０．２≦ｘ≦０．７）で表される混合体か
ら選ばれた１種又は２種以上の混合物である請求項１記
載の光記録媒体。 - 【請求項３】 Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅを主成分とする混合
体がＧｅＴｅ、Ｓｂ2 Ｔｅ3 及びＳｂの混合体であり、
Ｖｂ族元素とＶＩｂ族元素とを主成分とする混合体がＢ
ｉ1-x Ｓx （０．５≦ｘ≦０．７）、Ｓｂ1-x Ｓｅ
x （０．５≦ｘ≦０．７）、Ｓｂ1-x Ｓx （０．５≦ｘ
≦０．７）、Ｂｉ1-x Ｔｅx （０．２≦ｘ≦０．７）及
びＢｉ1-x Ｓｅx （０．２≦ｘ≦０．７）で表される混
合体から選ばれた１種又は２種以上の混合物である請求
項１記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183919A JPH054453A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183919A JPH054453A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH054453A true JPH054453A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=16144112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183919A Pending JPH054453A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH054453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1184858A2 (en) * | 1995-01-27 | 2002-03-06 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method for optical recording, reproducing and erasing information |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3183919A patent/JPH054453A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1184858A2 (en) * | 1995-01-27 | 2002-03-06 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method for optical recording, reproducing and erasing information |
| EP1184858A3 (en) * | 1995-01-27 | 2002-05-29 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method for optical recording, reproducing and erasing information |
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