JPH0543170B2 - - Google Patents

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JPH0543170B2
JPH0543170B2 JP60002204A JP220485A JPH0543170B2 JP H0543170 B2 JPH0543170 B2 JP H0543170B2 JP 60002204 A JP60002204 A JP 60002204A JP 220485 A JP220485 A JP 220485A JP H0543170 B2 JPH0543170 B2 JP H0543170B2
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JP
Japan
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exposure
wafer
stepper
light source
light
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JP60002204A
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JPS61161719A (ja
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Makoto Torigoe
Michio Kono
Akyoshi Suzuki
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS61161719A publication Critical patent/JPS61161719A/ja
Priority to GB08723949A priority patent/GB2195031A/en
Publication of JPH0543170B2 publication Critical patent/JPH0543170B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum

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  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の分野] 本発明は、マスクパターンをウエハへ転写する
ための半導体焼付け装置に適用される露光装置に
関する。
[発明の背景] IC、LSI等の半導体素子を製造するために種々
の型式の半導体焼付け装置が使用されている。こ
の半導体焼付け装置は装置に固有の露光光源を備
え、露光光源からでた光によつて、マスクまたは
レチクルに描かれた回路パターンをフオトレジス
トを塗布されたウエハへ焼付けるように構成され
ている。
さらに半導体焼付け装置は、良く知られている
とおり、露光ステージへのウエハの搬入、マスク
とウエハの相対的な位置アライメント、露光、お
よび露光ステージからのウエハの搬送等の種々の
作業工程を繰り返すことによつて、パターンを焼
付けたウエハを量産する。
つまり、露光工程はウエハに回路パターンを焼
付けるのに必要な全作業工程の一部にすぎないわ
けである。しかるに、現在の半導体焼付け装置に
おいては各装置ごとに露光光源を備え、露光用光
を安定させるためにこの露光光源を常時点灯して
おき、前述したとおり位置アライメント等の露光
工程以外の工程においてはシヤツタ等の遮光部材
を使用することによつて露光用光が露光ステージ
上のウエハに達するのを防いでいた。
そのため焼付け装置自体の装備が大がかりなも
のとなつてしまい、特に一般の半導体製造工場で
は焼付け装置が複数台並べて使用されていること
を考慮すれば占有する空間が大きいのは好ましく
ない。これに加えて露光光源が必要な露光工程以
外においても点灯しているためエネルギーの無駄
が大きすぎる。
さらに、最近では、エキシマレーザが大出力
で、露光時間の短縮が期待できることから露光光
源として注目されている。しかし、このエキシマ
レーザは、装置が比較的大型で重くかつ高価であ
るため、従来の露光装置に対して露光光源を単純
にエキシマレーザに置き換えることは大きさおよ
び重さの点から困難であり、たとえ置き換え得た
としても、その露光装置はより大型かつ高価なも
のになつてしまう。
[発明の目的] 本発明の第1の目的は、露光光源の選択の自由
度を広げ、特に比較的大型で重いエキシマレーザ
のような露光光源を使用する際に好適な構造の露
光装置を提供することである。また、本発明の第
2の目的は、半導体焼付け装置の軽装化並びに露
光用光の有効利用を可能とすることである。
[発明の概要および効果] 上記第1の目的を達成するために本発明の露光
装置では、露光光源であるエキシマレーザ装置を
水平基準面に配置し、このエキシマレーザ装置か
ら出力される光の光路を可動ミラーにより適宜切
り替えて、所望位置を所望方向から照射させるよ
うにしている。また、上記第2の目的を達成する
ため、複数の露光ステージを設け、これらの露光
ステージのそれぞれに支持されてマスクパターン
が転写される複数枚のウエハを照射する露光光源
を、前記可動ミラーを介して共有化するようにし
ている。
このように露光光源を水平基準面例えば堅固な
床面等に配置することにより、エキシマレーザの
ように大型または重い光源をも使用可能となり、
また、露光光源を複数の露光ステージに関して可
動ミラーを介して共有化することにより、露光光
源の強度が低下することもなく、露光装置および
焼付け装置が軽装化される。
[第1実施例] 第1図は本願発明の概要を示す図で、1はエキ
シマレーザ等の輝度の高い露光用光源である。
2,3,4は光源1からの光束の光路を分岐する
光路分岐部材である。図においては矢印方向に回
動するミラーが示されている。5も光路分岐部材
としてのミラーである。このミラー5は図におい
ては固定されているが、他のミラー2,3,4と
同様可動にしてもよい。6,7,8,9は露光ス
テージで不図示のマスク若しくはレチクルのパタ
ーンが転写されるウエハが載置される。マスク若
しくはレチクルはウエハに密着若しくは極く近接
して配置しても良く、または、光源1とミラー2
との間若しくはミラー2,3,4,5の後に配し
ても良い。後者の場合はマスクの像をウエハ上に
投影するための結像系がマスクとウエハとの間に
配される。
10はミラー2,3,4の回動を制御するため
の制御系である。この制御系10はステージ6上
のウエハを露光する際はミラー2を点線の位置に
し、ステージ7上のウエハを露光する際はミラー
2を実線の位置に、かつミラー3を点線の位置に
し、ステージ8を露光する際はミラー2,3を実
線の位置に、かつミラー4を点線の位置にし、ス
テージ9のウエハを露光する際にはミラー2,
3,4実線の位置にするように作用する。なお、
これらのミラー2,3,4はシヤツタの作用も兼
ねているが、ミラー2,3,4,5とステージ
6,7,8,9とのそれぞれの間にミラー2,
3,4と同期するシヤツタを別に設けても良い。
これ等のミラーの回動動作によつてステージ6,
7,8,9に順次光源からの光が向けられる。そ
して、これらステージ6,7,8,9の一つが露
光されている間、他のステージはウエハの搬入、
搬出、プリアライメント、マスク・ウエハ間のフ
アインアライメント等の露光前および/若しくは
露光後の工程が行なわれている。従つて、本実施
例の露光装置は1つの光源を使用して効率良くウ
エハの露光を行ない得る。
以上の説明ではミラー2,3,4によつて光源
1からの光を時間的に分割して各ステージ6,
7,8,9に向けたが、これらのミラー2,3,
4は光源量の1/4だけをそれぞれ各ステージに反
射する固定半透鏡であつても良い。この場合、各
ステージごとの光路中にシヤツタを配置し、各ス
テージごとに独立してウエハの搬入、マスク・ウ
エハ間のアライメント、露光およびウエハの搬出
等の工程を行なわせることもできるが、各ステー
ジを不図示の制御器によつて同期させてウエハの
搬入、マスク・ウエハ間のアライメント、露光お
よびウエハの搬出等の工程を同時に併行して行な
わせるのが好ましい。このようにすれば、シヤツ
タを光源1とミラー2との間に設けて各ステージ
で共有したり、光源1としてのエキシマレーザの
発光タイミングを制御する等の方策を施してシヤ
ツタを省略する等、装置の構成を簡略化すること
も可能である。
[第2実施例] 第2図は、本発明をステツパに適用した例であ
る。11はエキシマレーザで、遠紫外のパルス光
を発振する。このレーザ11は水平基準面に配置
されている。レーザ11からの水平に進む光はミ
ラー12によつて上方向に反射される。上方向に
反射されたレーザ光はミラー13によつて横方向
に反射される。14は横方向に反射されたレーザ
光の光路中に配されたエキスパンダーである。こ
のエキスパンダー14は出射光の断面形状がレー
ザ11からの光束の断面形状と異なることが望ま
れる場合はアナモフイツクアフオーカルコンバー
タが使用される。15,16,17は回動ミラー
で第1図の2,3,4に対応するものである。エ
キスパンダー14でエキスパンドされた平行光は
これ等のミラー15,16,17によつてステツ
パ露光機部分18,19,20に向かうように下
方向に反射される。
第1〜第3露光機18,19,20は、それぞ
れ、レチクル21,22,23を均一照明するた
めの光インテグレータ24,25,26およびコ
リメータレンズ27,28,29からなる照明
系、縮少投影レンズ30,31,32、ウエハ3
3,34,35が配置されるウエハチヤツク(不
図示)、およびウエハチヤツクを基板(または定
盤)36,37,38上でx、y方向にステツプ
送りするXYステージ50,51,52等から構
成されている。基板36,37,38は基準水平
面上に配されている。
30,40,41は一対のアライメント検出系
で、ダイバイダイアライメントの際は各露光シヨ
ツト毎にレチクル21,22,23とウエハ3
3,34,35のアライメントマーク間の整合状
態を検出し、不図示のレチクル・ウエハ相対調整
機構によつてx、y、θのアライメントをする。
グローバルアライメントの場合は、レチクル・ウ
エハ間のアライメント状態をXYステージのステ
ツプ駆動に先立つて検出し、アライメントを行な
う。
42,43,44は光量デイテクタで露光時間
を算出する。アライメント検出系39,40,4
1からのアライメント終了信号、光量デイテクタ
42,43,44からの信号はステツパ制御用
CPU45,46,47に送られる。CPU45,
46,47は、これ等の信号情報を基にステージ
50,51,52およびアライメント検出系3
9,40,41を作動させたり、回動ミラー1
5,16を制御するミラー制御用CPU60や、
アパーチヤー61およびUDフイルタ62等を制
御する光量制御用CPU63を制御する。
次いで、作動説明を第2,3図を使用して説明
する。
ステツパ制御用CPU45,46,47におい
ては、レーザの光量を不図示の光量測定器によつ
て測定し、その結果に基づいてアパーチヤー61
の大きさやUDフイルタ62を切換えて所定の光
量のレーザ光を得る。今、ミラー15は点線の位
置にあり、ウエハ33は第1シヨツト位置がレン
ズ30の真下にあつて既にマスク21とウエハ3
3のアライメントが完了しているものとする。従
つてウエハ33の第1シヨツトは露光中の状態で
ある。この状態で光量デイテクタ42によつて積
算された光量が一定の値になつた際、CPU45
からCPU60に対してミラー15を原位置へ復
帰する指示およびミラー16が点線位置になるよ
うな指示を出すような信号が発せられる。これに
よつて第1ステツパのウエハ33の第1シヨツト
の露光は完了する。
一方、第2ステツパ19は第1ステツパの露光
動作中、レチクル22とウエハ34の第1シヨツ
トのアライメントが行なわれている。従つてミラ
ー16が回動した際にはアライメントが終了して
いる。但し、第1ステツパの露光が完了した信号
のみではミラー16を回動させた場合に、第2ス
テツパのアライメントが終了していないこともあ
るので、ここでは、アライメント検出系40の完
了信号と第1ステツパの露光終了信号とのアンド
(論理積)でミラー16を作動させている。これ
と同時に光量検出器43は光量積算を行なう。こ
れ以降の動作は第1ステツパ18と同様である。
この第2ステツパ19の露光動作の間、第1ステ
ツパ18のXYステージ50はステツプ駆動を行
ない、第2シヨツトがレンズ30の真下に位置し
ている。また、第2ステツパ19の露光中、第3
ステツパ20はアライメント動作を行なつてい
る。
第2ステツパ19の露光動作が終了すると、次
は、上述と同様に第3ステツパ20の露光動作
と、第1ステツパ18のアライメント動作と、第
2ステツパ19のXYステージのステツプ駆動と
が併行して行なわれる 以後、上記動作を繰返すことにより、各ステツ
パ18,19,20のウエハ33,34,35上
に各シヨツトの露光が実行され、それぞれのステ
ツパ18,19,20で、所定のシヨツト数を露
光した後、ウエハ33,34,35はステージ5
0,51,52から搬出される。
なお、以上の説明では第1〜第3ステツパをシ
ヨツト番号について同期的に動作させたが、例え
ば第1ステツパが第1シヨツト露光を行なつてい
る際、第2ステツパは真中のシヨツトをアライメ
ントしており、また、第3ステツパは最終シヨツ
トへのステツプ駆動を行なつているというよう
に、シヨツト番号には無関係に動作させても良
い。この場合、他のステツパが露光若しくはアラ
イメントを行なつている場合、1つのステツパで
はウエハの搬入若しくは搬出を行なわせることが
できる。
また、以上の説明ではウエハのダイ露光毎にス
テツパを切換えていたが、第1のステツパのウエ
ハのすべてのダイを露光した後第2のステツパの
ウエハの露光に移行するモードで行なつても良
い。この場合ミラー15,16,17の作動は
CPU39,40,41のウエハ全面の露光終了
信号によつて行なわれる。また、グローバルアラ
イメントの場合は1つのステツパで露光が行なわ
れている際、他のステツパではウエハのステツプ
送り、若しくはウエハの搬入出が行なわれてい
る。
さらに第3図の動作説明図においては、操作パ
ネルの選択スイツチによつて操作者から同時露光
が、順次露光かの支持信号によつて2つのモード
が選択される。同時モードの場合、第2図の回動
ミラー15,16,17の代りに半透鏡からの位
置に配され同時モードで各ステツパが作動する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本願発明の概要を説明する図である。
第2図は本願発明をステツパに適用した図であ
る。第3図は第2図の装置の動作説明のためのフ
ローチヤートである。 1:光源、2,3,4:光路分岐部材、5,1
5,16,17:ミラー、6,7,8,9:露光
ステージ、11:エキシマレーザ、14:エキス
パンダ、39,40,41,45,46,47,
60,63:CPU、18,19,20:露光機、
21,22,23:レチクル、24,25,2
6:光インテグレータ、27,28,29:コリ
メータレンズ、30,31,32:縮少投影レン
ズ、33,34,35:ウエハチツク、36,3
7,38:基板、42,43,44:光量デイテ
クタ、61:アパーチヤー、62:UDフイル
タ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 夫々がウエハを載置する複数個の露光ステー
    ジと、該複数個の露光ステージに共通の光源と、
    該共通光源からの光を各露光ステージに向ける光
    学系とを有する装置において、前記共通光源は水
    平基準面上に配置したエキシマレーザを備え、前
    記光学系は前記エキシマレーザからのレーザ光の
    光路を切り替える可動ミラーを備え、該可動ミラ
    ーにより前記エキシマレーザからのレーザ光を順
    次各露光ステージに向けることを特徴とする露光
    装置。
JP60002204A 1984-01-24 1985-01-11 露光装置 Granted JPS61161719A (ja)

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JP60002204A JPS61161719A (ja) 1985-01-11 1985-01-11 露光装置
US06/690,940 US4653903A (en) 1984-01-24 1985-01-14 Exposure apparatus
GB08501765A GB2155648B (en) 1984-01-24 1985-01-24 An exposure apparatus
GB08723949A GB2195031A (en) 1984-01-24 1987-10-12 Exposing wafers

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62165916A (ja) * 1986-01-17 1987-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5583232A (en) * 1978-12-20 1980-06-23 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Method and apparatus for x ray exposure
JPS57169242A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd X-ray transferring device

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