JPH0541550A - 磁界センサ - Google Patents
磁界センサInfo
- Publication number
- JPH0541550A JPH0541550A JP3195209A JP19520991A JPH0541550A JP H0541550 A JPH0541550 A JP H0541550A JP 3195209 A JP3195209 A JP 3195209A JP 19520991 A JP19520991 A JP 19520991A JP H0541550 A JPH0541550 A JP H0541550A
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- layer
- strength
- electric resistance
- field sensor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界の方向を精度良く検出することができ、
同時に磁界の強さも検出することができ、構造も簡単で
あり、コストも低廉な磁界センサを提供する。 【構成】 Ｃｏ層とＮｉ層とが交互に積層されている薄
膜層部分を有することを特徴とする。
同時に磁界の強さも検出することができ、構造も簡単で
あり、コストも低廉な磁界センサを提供する。 【構成】 Ｃｏ層とＮｉ層とが交互に積層されている薄
膜層部分を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁界センサに係り、特に
磁界の方向および磁界の強さを検出することのできる磁
界センサに関する。
磁界の方向および磁界の強さを検出することのできる磁
界センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、磁界の方向を検出する磁界セン
サとしては、羅針盤、ジャイロコンパス等が知られてい
る。
サとしては、羅針盤、ジャイロコンパス等が知られてい
る。
【０００３】これらの従来の磁界センサは、磁界中にお
いて磁力の作用により磁界と平行の姿勢を保持しようと
する磁針を用いている。
いて磁力の作用により磁界と平行の姿勢を保持しようと
する磁針を用いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の磁界センサは磁界の方向のみを検出するものであ
り、磁界の強さを検出するためには他の別個のセンサを
必要とした。
来の磁界センサは磁界の方向のみを検出するものであ
り、磁界の強さを検出するためには他の別個のセンサを
必要とした。
【０００５】また、従来の磁界センサは磁界の方向を精
度良く検出するためには、センサの構造を複雑なものと
しなければならず、コストが高価なものであった。ま
た、磁界が弱い場合には、その方向を検出できないこと
もあった。
度良く検出するためには、センサの構造を複雑なものと
しなければならず、コストが高価なものであった。ま
た、磁界が弱い場合には、その方向を検出できないこと
もあった。
【０００６】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であり、磁界の方向を精度良く検出することができ、同
時に磁界の強さも検出することができ、構造も簡単であ
り、コストも低廉な磁界センサを提供することを目的と
する。
であり、磁界の方向を精度良く検出することができ、同
時に磁界の強さも検出することができ、構造も簡単であ
り、コストも低廉な磁界センサを提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１に記載の本発明の磁界センサは、Ｃｏ層と
Ｎｉ層とが交互に積層されている薄膜層部分を有するこ
とを特徴とする。
に、請求項１に記載の本発明の磁界センサは、Ｃｏ層と
Ｎｉ層とが交互に積層されている薄膜層部分を有するこ
とを特徴とする。
【０００８】また、請求項２に記載の本発明の磁界セン
サは、Ｎｉ層の膜厚が４オングストロームとされ、Ｃｏ
層の膜厚が２オングストロームとされていることを特徴
とする。
サは、Ｎｉ層の膜厚が４オングストロームとされ、Ｃｏ
層の膜厚が２オングストロームとされていることを特徴
とする。
【０００９】
【作用】本発明の磁界センサによれば、Ｃｏ層とＮｉ層
とが交互に積層されている薄膜層部分の磁界の方向と平
行な方向およびこれと直交する方向の電気抵抗が異なる
ので、両方の電気抵抗を検出することにより磁界の方向
と磁界の強さとを同時に検出することができる。特に、
Ｎｉ層の膜厚が４オングストロームでＣｏ層の膜厚が２
オングストロームの場合に、両方向の電気抵抗の相違量
が顕著であり、精度良く磁界の方向と磁界の強さとを同
時に検出することができる。
とが交互に積層されている薄膜層部分の磁界の方向と平
行な方向およびこれと直交する方向の電気抵抗が異なる
ので、両方の電気抵抗を検出することにより磁界の方向
と磁界の強さとを同時に検出することができる。特に、
Ｎｉ層の膜厚が４オングストロームでＣｏ層の膜厚が２
オングストロームの場合に、両方向の電気抵抗の相違量
が顕著であり、精度良く磁界の方向と磁界の強さとを同
時に検出することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１から図３につい
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１は、本発明の磁界センサの１実施例を
示す。
示す。
【００１２】本実施例の磁界センサ１は、基板２の上に
Ｃｏ層３とＮｉ層４とを交互に積層して薄膜層部分５を
形成して構成されており、一方のＣｏ層３を２オングス
トロームとし、他方のＮｉ層４を４オングストロームと
し、全体の膜厚を約２００〜２０００オングストローム
とされている。
Ｃｏ層３とＮｉ層４とを交互に積層して薄膜層部分５を
形成して構成されており、一方のＣｏ層３を２オングス
トロームとし、他方のＮｉ層４を４オングストロームと
し、全体の膜厚を約２００〜２０００オングストローム
とされている。
【００１３】本実施例の薄膜層部分５は、イオン・ビー
ムスパッタ法により製造されている。
ムスパッタ法により製造されている。
【００１４】このようにして形成されている本実施例の
磁界センサ１に、図２に示すように、磁界センサ１の薄
膜層部分５の互いに直交する２方向の電気抵抗ＲａとＲ
ｂとを、磁界Ｈを電気抵抗Ｒａと平行に付与して検出す
ると、図３に示すように、磁界Ｈと平行な一方の電気抵
抗Ｒａは磁界Ｈの強さが０から約２ｋＯｅまで増加する
間直線的に増加し、その後はほぼ一定となり、他方の磁
界Ｈと垂直な電気抵抗Ｒｂは磁界Ｈの強さが変化しても
ほぼ一定で変化しない。この抵抗値の相違は、Ｃｏ層３
とＮｉ層４との厚さが本実施例の場合に最も顕著であっ
た。
磁界センサ１に、図２に示すように、磁界センサ１の薄
膜層部分５の互いに直交する２方向の電気抵抗ＲａとＲ
ｂとを、磁界Ｈを電気抵抗Ｒａと平行に付与して検出す
ると、図３に示すように、磁界Ｈと平行な一方の電気抵
抗Ｒａは磁界Ｈの強さが０から約２ｋＯｅまで増加する
間直線的に増加し、その後はほぼ一定となり、他方の磁
界Ｈと垂直な電気抵抗Ｒｂは磁界Ｈの強さが変化しても
ほぼ一定で変化しない。この抵抗値の相違は、Ｃｏ層３
とＮｉ層４との厚さが本実施例の場合に最も顕著であっ
た。
【００１５】従って、本実施例の磁界センサ１を測定し
ようとする磁界中において、両方の電気抵抗ＲａとＲｂ
とを測定しながら磁界センサ１の向きを次第に変化させ
て行き、抵抗値の低い方の電気抵抗例えばＲｂが変化し
ないで、他方の電気抵抗例えばＲａが最大となる位置を
求め、その位置の抵抗値が高い方の電気抵抗Ｒａの測定
方向をその空間の磁界の方向と決定する。
ようとする磁界中において、両方の電気抵抗ＲａとＲｂ
とを測定しながら磁界センサ１の向きを次第に変化させ
て行き、抵抗値の低い方の電気抵抗例えばＲｂが変化し
ないで、他方の電気抵抗例えばＲａが最大となる位置を
求め、その位置の抵抗値が高い方の電気抵抗Ｒａの測定
方向をその空間の磁界の方向と決定する。
【００１６】また、高い方の電気抵抗値Ｒａが直線的に
増加している値である場合、本実施例においては約１４
１〜１４３．３５μΩ・ｃｍであれば、図３によりその
電気抵抗値に対応する磁界の強さを０から約２ｋＯｅま
での範囲で、磁界の方向と同時に求めることができる。
よって、本実施例によれば、磁界の強さが低い場合にお
いてもその強さを検出することができる。
増加している値である場合、本実施例においては約１４
１〜１４３．３５μΩ・ｃｍであれば、図３によりその
電気抵抗値に対応する磁界の強さを０から約２ｋＯｅま
での範囲で、磁界の方向と同時に求めることができる。
よって、本実施例によれば、磁界の強さが低い場合にお
いてもその強さを検出することができる。
【００１７】なお、薄膜層部分５の各層の厚さは前記実
施例以外の厚さにしてもよい。
施例以外の厚さにしてもよい。
【００１８】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、必要に応じて変更することができる。
のではなく、必要に応じて変更することができる。
【００１９】
【発明の効果】このように本発明は構成され作用するも
のであるから、磁界の方向を精度良く検出することがで
き、同時に磁界の強さも検出することができ、構造も簡
単であり、コストも低廉である等の効果を奏する。
のであるから、磁界の方向を精度良く検出することがで
き、同時に磁界の強さも検出することができ、構造も簡
単であり、コストも低廉である等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁界センサの１実施例を示す断面図
【図２】本発明の磁界センサによる磁界の検出方法を示
す説明図
す説明図
【図３】本発明の磁界センサの磁界の強さの変化に応じ
た直交２方向の電気抵抗値の変化特性図
た直交２方向の電気抵抗値の変化特性図
【符号の説明】 １ 磁界センサ ２ 基板 ３ Ｃｏ層 ４ Ｎｉ層 ５ 薄膜層部分
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｃｏ層とＮｉ層とが交互に積層されてい
る薄膜層部分を有することを特徴とする磁界センサ。 - 【請求項２】 Ｎｉ層の膜厚が４オングストロームとさ
れ、Ｃｏ層の膜厚が２オングストロームとされているこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3195209A JPH0541550A (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3195209A JPH0541550A (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 磁界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541550A true JPH0541550A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16337275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3195209A Withdrawn JPH0541550A (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541550A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11684551B2 (en) | 2017-08-23 | 2023-06-27 | Mam Babyartikel Gesellschaft M.B.H. | Bottle teat |
-
1991
- 1991-08-05 JP JP3195209A patent/JPH0541550A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11684551B2 (en) | 2017-08-23 | 2023-06-27 | Mam Babyartikel Gesellschaft M.B.H. | Bottle teat |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |