JPH0540343A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0540343A JPH0540343A JP3149068A JP14906891A JPH0540343A JP H0540343 A JPH0540343 A JP H0540343A JP 3149068 A JP3149068 A JP 3149068A JP 14906891 A JP14906891 A JP 14906891A JP H0540343 A JPH0540343 A JP H0540343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- light
- forming
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パターン形状の良好なマスクを形成する。
【構成】多結晶シリコン膜３を被着したシリコン基板１
上に吸光膜４を形成した後、全面をエッチバックし素子
分離酸化膜２の端部にのみ吸光膜４を残す。ついで感光
性有機膜を塗布し、縮小投影露光装置により露光し、現
像してマスク５を形成する。
上に吸光膜４を形成した後、全面をエッチバックし素子
分離酸化膜２の端部にのみ吸光膜４を残す。ついで感光
性有機膜を塗布し、縮小投影露光装置により露光し、現
像してマスク５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に感光性有機膜からなるマスクの形成方法に関
する。
関し、特に感光性有機膜からなるマスクの形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の感光性有機膜からなるマスクの形
成方法について、図２を用いて説明する。
成方法について、図２を用いて説明する。
【０００３】まずシリコン基板１上に素子分離酸化膜２
を形成したのち、被加工膜として例えば多結晶シリコン
膜３を形成する。次にノボラック樹脂とナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルよりなる、ポジ型のフォトレ
ジスト膜をスピンコート法により１〜２μｍの膜厚で形
成した後、紫外光または、遠紫外光をレチクルを介して
照射し、次いでテトラメチルアンモニウムを主成分とす
る水溶液で６０秒程度現像し、ひき続き純水によりリン
スを行ない所望のパターンを有するマスク５Ａを形成す
る。以下このマスク５Ａを用いて多結晶シリコン膜３を
エッチングする。
を形成したのち、被加工膜として例えば多結晶シリコン
膜３を形成する。次にノボラック樹脂とナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルよりなる、ポジ型のフォトレ
ジスト膜をスピンコート法により１〜２μｍの膜厚で形
成した後、紫外光または、遠紫外光をレチクルを介して
照射し、次いでテトラメチルアンモニウムを主成分とす
る水溶液で６０秒程度現像し、ひき続き純水によりリン
スを行ない所望のパターンを有するマスク５Ａを形成す
る。以下このマスク５Ａを用いて多結晶シリコン膜３を
エッチングする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の感光性有機
膜からなるマスクの形成方法では、露光部における下地
からの露光光の反射光により、未露光領域が感光し、マ
スクパターンの形状異常が発生するという問題点があっ
た。
膜からなるマスクの形成方法では、露光部における下地
からの露光光の反射光により、未露光領域が感光し、マ
スクパターンの形状異常が発生するという問題点があっ
た。
【０００５】例えば、図２におけるマスクの形成方法で
は、ポジ型のフォトレジスト膜を用いてるため、パター
ンの存在しない領域が露光領域となる。下地が平坦な部
分では反射光が未露光領域へ進入することはないが、素
子分離酸化膜２の端部の様な段差部では、反射光は入射
光に対して様々な角度で進行するため、未露光領域のフ
ォトレジスト膜が感光し、一般的にノッチ６と呼ばれる
パターンへのくいこみが発生し、所望のパターンを有す
るマスクの形成が困難になり、半導体装置の信頼性及び
歩留りを低下させるという欠点があった。
は、ポジ型のフォトレジスト膜を用いてるため、パター
ンの存在しない領域が露光領域となる。下地が平坦な部
分では反射光が未露光領域へ進入することはないが、素
子分離酸化膜２の端部の様な段差部では、反射光は入射
光に対して様々な角度で進行するため、未露光領域のフ
ォトレジスト膜が感光し、一般的にノッチ６と呼ばれる
パターンへのくいこみが発生し、所望のパターンを有す
るマスクの形成が困難になり、半導体装置の信頼性及び
歩留りを低下させるという欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、段差部が形成された半導体基板上に被加工膜
を形成する工程と、この被加工膜上に露光光に対して吸
光度の高い第１の有機膜を形成したのち異方性エッチン
グを行ない前記段差部のみに残す工程と、残されたこの
第１の有機膜上を含む全面に感光性の第２の有機膜を形
成したのちパターニングしマスクを形成する工程とを含
むものである。
造方法は、段差部が形成された半導体基板上に被加工膜
を形成する工程と、この被加工膜上に露光光に対して吸
光度の高い第１の有機膜を形成したのち異方性エッチン
グを行ない前記段差部のみに残す工程と、残されたこの
第１の有機膜上を含む全面に感光性の第２の有機膜を形
成したのちパターニングしマスクを形成する工程とを含
むものである。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図は１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面模式図であ
る。
る。図は１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面模式図であ
る。
【０００８】まず図１（ａ）に示すように、シリコン基
板１上に選択酸化法により素子分離酸化膜２を形成す
る。次で全面に多結晶シリコン膜３を膜厚４００ｎｍで
披着する。
板１上に選択酸化法により素子分離酸化膜２を形成す
る。次で全面に多結晶シリコン膜３を膜厚４００ｎｍで
披着する。
【０００９】次に図１（ｂ）に示すように、この多結晶
シリコン膜３上に厚さ１００ｎｍの吸光膜４を形成す
る。吸光膜４の性質としては、露光光に対する吸光度が
極めて高くかつ水溶性であることが求められる。この様
な特性を満たす膜としては、水溶性ポリマー例えば、ポ
リビニルアルコールにクマリンの如き染料を加えた材料
を用い、スピンコート法によって膜形成する。
シリコン膜３上に厚さ１００ｎｍの吸光膜４を形成す
る。吸光膜４の性質としては、露光光に対する吸光度が
極めて高くかつ水溶性であることが求められる。この様
な特性を満たす膜としては、水溶性ポリマー例えば、ポ
リビニルアルコールにクマリンの如き染料を加えた材料
を用い、スピンコート法によって膜形成する。
【００１０】次に図１（ｃ）に示すように、平行平板電
極よりなるリアクティブイオンエッチング装置により、
吸光膜４をエッチバックして素子分離酸化膜２の端部の
段差部のみに吸光膜４を残す。
極よりなるリアクティブイオンエッチング装置により、
吸光膜４をエッチバックして素子分離酸化膜２の端部の
段差部のみに吸光膜４を残す。
【００１１】次に図１（ｄ）に示すように、感光性有機
膜としてポジ型のフォトレジスト膜を１．０μｍの膜厚
でスピンコートし、露光波長４３６ｎｍを用いた５：１
の縮小投影露光装置によりレチクルを介して露光し、現
像して感光性有機膜からなるマスク５を形成する。
膜としてポジ型のフォトレジスト膜を１．０μｍの膜厚
でスピンコートし、露光波長４３６ｎｍを用いた５：１
の縮小投影露光装置によりレチクルを介して露光し、現
像して感光性有機膜からなるマスク５を形成する。
【００１２】露光にあたっては、素子分離酸化膜２の端
部には吸光膜４が形成されているので、未露光領域への
下地からの反射光の進入はなく、感光性有機膜からなる
マスクのパターンの形状異常は発生しない。
部には吸光膜４が形成されているので、未露光領域への
下地からの反射光の進入はなく、感光性有機膜からなる
マスクのパターンの形状異常は発生しない。
【００１３】なお染料入りの吸光膜としては、住友化学
製のＰＦＩーＤ１１や東京応化製のＴＳＭＲＣＲーＢ等
を用いることができる。
製のＰＦＩーＤ１１や東京応化製のＴＳＭＲＣＲーＢ等
を用いることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板の段差部に吸光膜を設けることにより、露光光の反射
を防止することができるので、反射光によるマスクパタ
ーンの形状異常を防止することができる。従って半導体
装置の信頼性及び歩留りを向上させることができるとい
う効果を有する。
板の段差部に吸光膜を設けることにより、露光光の反射
を防止することができるので、反射光によるマスクパタ
ーンの形状異常を防止することができる。従って半導体
装置の信頼性及び歩留りを向上させることができるとい
う効果を有する。
【図１】本発明のー実施例を説明するための半導体チッ
プの断面模式図。
プの断面模式図。
【図２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
半導体チップの断面模式図。
半導体チップの断面模式図。
１ シリコン基板 ２ 素子分離酸化膜 ３ 多結晶シリコン膜 ４ 吸光膜 ５ マスク ６ ノッチ
Claims (1)
- 【請求項１】 段差部が形成された半導体基板上に被加
工膜を形成する工程と、この被加工膜上に露光光に対し
て吸光度の高い第１の有機膜を形成したのち異方性エッ
チングを行ない前記段差部のみに残す工程と、残された
この第１の有機膜上を含む全面に感光性の第２の有機膜
を形成したのちパターニングしマスクを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149068A JPH0540343A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149068A JPH0540343A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0540343A true JPH0540343A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=15466985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149068A Pending JPH0540343A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0540343A (ja) |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3149068A patent/JPH0540343A/ja active Pending
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