JPH0540281A - Ｔｎ型液晶表示素子 - Google Patents
Ｔｎ型液晶表示素子Info
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- JPH0540281A JPH0540281A JP3113396A JP11339691A JPH0540281A JP H0540281 A JPH0540281 A JP H0540281A JP 3113396 A JP3113396 A JP 3113396A JP 11339691 A JP11339691 A JP 11339691A JP H0540281 A JPH0540281 A JP H0540281A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ねじれ角７５°〜１０５°のＴＮ型液晶表示
素子におけるドメイン発生による表示品質の低下を防止
する。 【構成】 ＴＮ型液晶表示素子における液晶中に、液晶
のヘリカルピッチが特定の範囲となるように光学活性化
合物を添加する。
素子におけるドメイン発生による表示品質の低下を防止
する。 【構成】 ＴＮ型液晶表示素子における液晶中に、液晶
のヘリカルピッチが特定の範囲となるように光学活性化
合物を添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ツイステッドネマチ
ック（ＴＮ）型液晶表示素子に関する。さらに詳しく
は、とくにアクティブマトリックス駆動方式で高表示品
位を有するＴＮ型液晶表示素子に関する。
ック（ＴＮ）型液晶表示素子に関する。さらに詳しく
は、とくにアクティブマトリックス駆動方式で高表示品
位を有するＴＮ型液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子の絵素の高密度化や
動作速度の上昇に伴い、いわゆるアクティブマトリック
ス駆動方式のＴＮ型液晶表示素子が用いられるようにな
ってきている。
動作速度の上昇に伴い、いわゆるアクティブマトリック
ス駆動方式のＴＮ型液晶表示素子が用いられるようにな
ってきている。
【０００３】かかるアクティブマトリックス駆動方式Ｔ
Ｎ型液晶表示素子の模式的平面図を図１に、模式的断面
図を図２に示した。図中、１はガラス基板、２はポリイ
ミド系配向膜、３は絵素電極、４は絶縁膜、５はＴＮ液
晶層、６はゲートバスライン、７はａ−Ｓｉ膜、８はｎ
+型ａ−Ｓｉ膜、９はソースバスライン、１０はドレイ
ン電極、１１はエッチング・ストッパを各々示すもので
ある。
Ｎ型液晶表示素子の模式的平面図を図１に、模式的断面
図を図２に示した。図中、１はガラス基板、２はポリイ
ミド系配向膜、３は絵素電極、４は絶縁膜、５はＴＮ液
晶層、６はゲートバスライン、７はａ−Ｓｉ膜、８はｎ
+型ａ−Ｓｉ膜、９はソースバスライン、１０はドレイ
ン電極、１１はエッチング・ストッパを各々示すもので
ある。
【０００４】そして、配向膜２にはラビングによる配向
処理がなされており、かつガラス基板１はラビング方向
が交差するように対向配置されているため、液晶層５中
の液晶はガラス基板間にねじれ角φ（７５°≦φ≦１０
５°）でねじれ配向されている。
処理がなされており、かつガラス基板１はラビング方向
が交差するように対向配置されているため、液晶層５中
の液晶はガラス基板間にねじれ角φ（７５°≦φ≦１０
５°）でねじれ配向されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アクティブマトリックス駆動方式のＴＮ型液晶表示素子
においては、マトリックス駆動により図３に示すような
形状のドメイン（ｗ）が生じ易く、良好な黒色表示が不
可能となってコントラスト比の低下を招く。ことに、絵
素ピッチが１００μｍ以下の高精細アクティブマトリッ
クス式ＴＮ型液晶表示素子では、絵素面積に対するドメ
インの比率が大きくなるため、表示品位に重大な悪影響
が生じる。また、カラーフィルタを備えたカラー表示用
の液晶表示素子においては、コントラスト比のみなら
ず、色純度も低下するという問題が生じる。
アクティブマトリックス駆動方式のＴＮ型液晶表示素子
においては、マトリックス駆動により図３に示すような
形状のドメイン（ｗ）が生じ易く、良好な黒色表示が不
可能となってコントラスト比の低下を招く。ことに、絵
素ピッチが１００μｍ以下の高精細アクティブマトリッ
クス式ＴＮ型液晶表示素子では、絵素面積に対するドメ
インの比率が大きくなるため、表示品位に重大な悪影響
が生じる。また、カラーフィルタを備えたカラー表示用
の液晶表示素子においては、コントラスト比のみなら
ず、色純度も低下するという問題が生じる。
【０００６】このようなドメインは、基本的に液晶層内
の配向乱れにより生じるものである。かかる点からこの
ようなドメインの発生を抑制すべく、従来のポリイミド
系配向膜に代わる新しい配向膜の開発が試みられてお
り、ある程度の効果は認められるものの、信頼性を含め
完全な解決まで至っていないのが現状である。
の配向乱れにより生じるものである。かかる点からこの
ようなドメインの発生を抑制すべく、従来のポリイミド
系配向膜に代わる新しい配向膜の開発が試みられてお
り、ある程度の効果は認められるものの、信頼性を含め
完全な解決まで至っていないのが現状である。
【０００７】一方、液晶の配向性の安定化を図るため
に、ＴＮ液晶層中に光学活性物質を添加してこの液晶の
ヘリカルピッチｐを制御する手法も知られているが、こ
の光学活性物質の添加量は、素子の駆動電圧の増加をで
きるだけ避けるべく、少量用いられているにすぎない。
に、ＴＮ液晶層中に光学活性物質を添加してこの液晶の
ヘリカルピッチｐを制御する手法も知られているが、こ
の光学活性物質の添加量は、素子の駆動電圧の増加をで
きるだけ避けるべく、少量用いられているにすぎない。
【０００８】この発明は、かかる状況下なされたもので
あり、ことに、特殊な配向膜を用いることなく、駆動時
のドメインの発生が著しく抑制されたＴＮ型液晶表示素
子を提供しようとするものである。
あり、ことに、特殊な配向膜を用いることなく、駆動時
のドメインの発生が著しく抑制されたＴＮ型液晶表示素
子を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記観点
かつ鋭意研究を行った結果、ＴＮ型液晶中に添加する光
学活性物質の量を従来に比して増加することによりヘリ
カルピッチｐをより減少することができる事実、並びに
この減少によりヘリカルピッチが特定の範囲内となるよ
うに制御することにより、駆動時のドメインが著しく抑
制されたアクティブマトリックス式液晶表示素子が得ら
れる事実を見出し、この発明に到達した。
かつ鋭意研究を行った結果、ＴＮ型液晶中に添加する光
学活性物質の量を従来に比して増加することによりヘリ
カルピッチｐをより減少することができる事実、並びに
この減少によりヘリカルピッチが特定の範囲内となるよ
うに制御することにより、駆動時のドメインが著しく抑
制されたアクティブマトリックス式液晶表示素子が得ら
れる事実を見出し、この発明に到達した。
【００１０】かくしてこの発明によれば、配向膜を有す
る一対の基板間に、ネマチック型液晶をねじれ角φが、
７５°≦φ≦１０５°となるようにねじれ配向させてな
るＴＮ型液晶表示素子において、上記ネマチック型液晶
中に、該ネマチック型液晶が下記ヘリカルピッチｐ φ／３６０−０.１５≦ｄ／ｐ≦φ／３６０＋０.２（式
中、ｄは液晶層厚）となるように光学活性化合物が添加
されてなることを特徴とするＴＮ型液晶表示素子が提供
される。
る一対の基板間に、ネマチック型液晶をねじれ角φが、
７５°≦φ≦１０５°となるようにねじれ配向させてな
るＴＮ型液晶表示素子において、上記ネマチック型液晶
中に、該ネマチック型液晶が下記ヘリカルピッチｐ φ／３６０−０.１５≦ｄ／ｐ≦φ／３６０＋０.２（式
中、ｄは液晶層厚）となるように光学活性化合物が添加
されてなることを特徴とするＴＮ型液晶表示素子が提供
される。
【００１１】この発明は、ドメインの発生を抑制すべく
ＴＮ型液晶表示素子中の液晶中に光学活性化合物を添加
して該液晶のヘリカルピッチが上記特定の範囲となるよ
うに制御するという手段を講じたものである。
ＴＮ型液晶表示素子中の液晶中に光学活性化合物を添加
して該液晶のヘリカルピッチが上記特定の範囲となるよ
うに制御するという手段を講じたものである。
【００１２】この発明の効果は、前述したごとく、アク
ティブマトリックス駆動方式のＴＮ型表示素子において
とくに著しい。かかるアクティブマトリックス式の表示
素子の構造自体は公知のものを適用することができる。
中でも、絵素ピッチが１００μｍ以下（１０μｍ以上）
の高精細ＴＮ型液晶表示素子やカラーフィルタを備えた
カラー液晶表示装置において、著しいコントラスト比の
向上、色再現性の改善を図ることができる。
ティブマトリックス駆動方式のＴＮ型表示素子において
とくに著しい。かかるアクティブマトリックス式の表示
素子の構造自体は公知のものを適用することができる。
中でも、絵素ピッチが１００μｍ以下（１０μｍ以上）
の高精細ＴＮ型液晶表示素子やカラーフィルタを備えた
カラー液晶表示装置において、著しいコントラスト比の
向上、色再現性の改善を図ることができる。
【００１３】またこの発明の液晶表示素子における配向
膜としては、ポリイミド系膜が好ましく、その具体例と
しては、全芳香族系ポリイミド、芳香族−脂肪族系ポリ
イミド、芳香族−脂環族系ポリイミド、ポリイミドシロ
キサン等の公知のものを適用することができる。これら
の配向膜は、ガラス基板等の透光性基板上に形成後所定
の方向へのラビング処理に付される。そして、これらの
ラビング方向を７５°〜１０５°に交差させることによ
り、ネマチック液晶を上記ねじれ角φにねじれ配向させ
ることができる。
膜としては、ポリイミド系膜が好ましく、その具体例と
しては、全芳香族系ポリイミド、芳香族−脂肪族系ポリ
イミド、芳香族−脂環族系ポリイミド、ポリイミドシロ
キサン等の公知のものを適用することができる。これら
の配向膜は、ガラス基板等の透光性基板上に形成後所定
の方向へのラビング処理に付される。そして、これらの
ラビング方向を７５°〜１０５°に交差させることによ
り、ネマチック液晶を上記ねじれ角φにねじれ配向させ
ることができる。
【００１４】この発明のネマチック液晶としては、当該
分野で公知の種々のネマチック型液晶化合物や混合物を
用いることができ、例えば、ＰＣＨ系、シクロヘキサン
系等のネマチック液晶化合物が挙げられる。かかるネマ
チック液晶層を形成すべきセル厚は通常４〜５．５μｍ
程度が適している。
分野で公知の種々のネマチック型液晶化合物や混合物を
用いることができ、例えば、ＰＣＨ系、シクロヘキサン
系等のネマチック液晶化合物が挙げられる。かかるネマ
チック液晶層を形成すべきセル厚は通常４〜５．５μｍ
程度が適している。
【００１５】上記ネマチック液晶には特定量の光学活性
化合物が添加される。この特定量とは、ネマチック液晶
のヘリカルピッチｐが常温で下記の関係： φ／３６０−０.１５≦ｄ／ｐ≦φ／３６０＋０.２ を満足すべき量であり、ネマチック液晶や光学活性化合
物の種類によって変動する。しかしながら、従来の添加
量に比して多量とはいえ、いずれにせよ２.５ｗｔ％以
下、通常、０．２〜１．５ｗｔ％の添加で目的を達成す
ることができる。とくに、下式 φ／３６０−０．１５≦ｄ／ｐ≦φ／３６０ を満足する場合により顕著な効果を得ることができる。
化合物が添加される。この特定量とは、ネマチック液晶
のヘリカルピッチｐが常温で下記の関係： φ／３６０−０.１５≦ｄ／ｐ≦φ／３６０＋０.２ を満足すべき量であり、ネマチック液晶や光学活性化合
物の種類によって変動する。しかしながら、従来の添加
量に比して多量とはいえ、いずれにせよ２.５ｗｔ％以
下、通常、０．２〜１．５ｗｔ％の添加で目的を達成す
ることができる。とくに、下式 φ／３６０−０．１５≦ｄ／ｐ≦φ／３６０ を満足する場合により顕著な効果を得ることができる。
【００１６】なお、ｄ／ｐ＜φ／３６０−０.１５の場
合にはドメインの発生抑制効果が不充分で適さず、ｄ／
ｐ＞φ／３６０＋０.２の場合には液晶のねじれ角φの
安定性が低下するため、意図する効果を奏するＴＮ型液
晶表示素子は得られない。
合にはドメインの発生抑制効果が不充分で適さず、ｄ／
ｐ＞φ／３６０＋０.２の場合には液晶のねじれ角φの
安定性が低下するため、意図する効果を奏するＴＮ型液
晶表示素子は得られない。
【００１７】このような光学活性化合物としては、従来
のネマチック液晶やスメクチック液晶添加用のカイラル
化合物が適しており、その具体例は、後述の実施例等に
例示される。
のネマチック液晶やスメクチック液晶添加用のカイラル
化合物が適しており、その具体例は、後述の実施例等に
例示される。
【００１８】
【作用】この発明のＴＮ型液晶表示素子においては、ネ
マチック液晶が前記特定のヘリカルピッチを有してお
り、これにより駆動時のドメインの発生が著しく抑制さ
れる。
マチック液晶が前記特定のヘリカルピッチを有してお
り、これにより駆動時のドメインの発生が著しく抑制さ
れる。
【００１９】そして、かかるヘリカルピッチの制御もせ
いぜい２．５ｗｔ％程度迄の光学活性化合物の添加で達
成されるため、添加による駆動電圧の上昇も実用上問題
のない範囲内に抑えられる。
いぜい２．５ｗｔ％程度迄の光学活性化合物の添加で達
成されるため、添加による駆動電圧の上昇も実用上問題
のない範囲内に抑えられる。
【００２０】
【実施例】図１及び図２で示される構造を有するこの発
明のアクティブマトリックス駆動方式のＴＮ型液晶表示
素子を作製した。但し、絵素ピッチは７０μｍであり、
アクティブマトリックス基板と反対側のガラス基板には
カラーフィルタを設けている。
明のアクティブマトリックス駆動方式のＴＮ型液晶表示
素子を作製した。但し、絵素ピッチは７０μｍであり、
アクティブマトリックス基板と反対側のガラス基板には
カラーフィルタを設けている。
【００２１】両基板表面上に形成された配向膜は、ポリ
イミド系（ＡＬ−２０６１（日本合成ゴム）又はＳＥ７
３１１（日産化学））のもので、１８０℃で１時間焼成
を行い表面をラビング処理し、ＰＣＨ系のネマチック混
合液晶（ＺＬＩ−３０２１；メルク社製）を封入し、液
晶表示素子とした。ラビング方向はソースバスラインに
対して４５°、液晶のねじれ角は９０°とし、ネマチッ
ク混合液晶に添加する光学活性物質としては下式（Ｉ）
の化合物を用いている。
イミド系（ＡＬ−２０６１（日本合成ゴム）又はＳＥ７
３１１（日産化学））のもので、１８０℃で１時間焼成
を行い表面をラビング処理し、ＰＣＨ系のネマチック混
合液晶（ＺＬＩ−３０２１；メルク社製）を封入し、液
晶表示素子とした。ラビング方向はソースバスラインに
対して４５°、液晶のねじれ角は９０°とし、ネマチッ
ク混合液晶に添加する光学活性物質としては下式（Ｉ）
の化合物を用いている。
【化１】
【００２２】この式（Ｉ）の化合物の添加量を種々変化
させ図４に示したような波形にてアクティブマトリック
ス方式の駆動を行い、ドメイン（液晶配向不良領域）発
生有無について観察を行った。また、アクティブマトリ
ックス駆動波形については２通り、（波形(イ)；充電後
次回充電時までソース信号を保持する。波形(ロ)；充電
後すぐにソース信号の極性を変化させる。）を用いた。
ドメイン発生有無の状況については、１０００絵素につ
いて観察を行い、ドメインが全体の何％生じているかに
て評価した。
させ図４に示したような波形にてアクティブマトリック
ス方式の駆動を行い、ドメイン（液晶配向不良領域）発
生有無について観察を行った。また、アクティブマトリ
ックス駆動波形については２通り、（波形(イ)；充電後
次回充電時までソース信号を保持する。波形(ロ)；充電
後すぐにソース信号の極性を変化させる。）を用いた。
ドメイン発生有無の状況については、１０００絵素につ
いて観察を行い、ドメインが全体の何％生じているかに
て評価した。
【００２３】この結果を、表１及び表２に示した。
【表１】
【表２】
【００２４】さらにコントラスト比について計測した結
果を表３に示す。
果を表３に示す。
【表３】
【００２５】以上に示したとおり、ネマチック混合液晶
に対する、式（Ｉ）の光学活性化合物添加量を増加する
ことにより、ドメイン発生比率を従来の８０％〜１００
％より１％未満に抑制することが可能となった。また、
ドメイン発生比率が１％未満ならば、ドメイン発生によ
る表示品に低下はほとんどないことを確認している。ま
た、式（Ｉ）の添加量をある量以上に増加させても、効
果がほとんど変わらない点に着目すると、表１のケース
では式（Ｉ）の添加量０.８ｗｔ％以下、表２のケース
でも同様にＣＮ添加量０.８ｗｔ％以下のところに最適
点があり、その最適量に設定するようにするのが好まし
い。
に対する、式（Ｉ）の光学活性化合物添加量を増加する
ことにより、ドメイン発生比率を従来の８０％〜１００
％より１％未満に抑制することが可能となった。また、
ドメイン発生比率が１％未満ならば、ドメイン発生によ
る表示品に低下はほとんどないことを確認している。ま
た、式（Ｉ）の添加量をある量以上に増加させても、効
果がほとんど変わらない点に着目すると、表１のケース
では式（Ｉ）の添加量０.８ｗｔ％以下、表２のケース
でも同様にＣＮ添加量０.８ｗｔ％以下のところに最適
点があり、その最適量に設定するようにするのが好まし
い。
【００２６】本実施例では、絵素ピッチが細かい高精細
ＴＮ型液晶表示素子を用い、表３で示したような、大き
なコントラスト向上効果を得ることができたが、通常の
絵素ピッチのＴＮ型液晶表示素子においても同様の効
果；コントラスト比５０以上を得られることを確認して
いる。また、カラー液晶表示素子では、コントラスト比
を上げると同時に、色再現性も大きく改善することか
ら、ドメイン抑制による効果はさらに大きい。光学活性
化合物添加量については、今回実施例において、一部
（６点のみ）示したが、φ／３６０−０.１５≦ｄ／ｐ
≦φ／３６０＋０.２（φ；液晶のねじれ角、ｄ：液晶
層厚、ｐ；液晶のヘリカルピッチ長）の条件を満たす種
々の添加量においてもほぼ同様のドメイン抑制効果が確
認されており、光学活性物質についても式（Ｉ）以外に
下記種々の光学活性化合物を用いた場合にも同様の効果
が得られた。
ＴＮ型液晶表示素子を用い、表３で示したような、大き
なコントラスト向上効果を得ることができたが、通常の
絵素ピッチのＴＮ型液晶表示素子においても同様の効
果；コントラスト比５０以上を得られることを確認して
いる。また、カラー液晶表示素子では、コントラスト比
を上げると同時に、色再現性も大きく改善することか
ら、ドメイン抑制による効果はさらに大きい。光学活性
化合物添加量については、今回実施例において、一部
（６点のみ）示したが、φ／３６０−０.１５≦ｄ／ｐ
≦φ／３６０＋０.２（φ；液晶のねじれ角、ｄ：液晶
層厚、ｐ；液晶のヘリカルピッチ長）の条件を満たす種
々の添加量においてもほぼ同様のドメイン抑制効果が確
認されており、光学活性物質についても式（Ｉ）以外に
下記種々の光学活性化合物を用いた場合にも同様の効果
が得られた。
【化２】
【００２７】ネマチック混合液晶については、今回実施
例においては、ＰＣＨ系液晶を用いたが、その他の液晶
系でも（例えばビフェニル系、フッ素系）でも同様の効
果が得られた。配向膜に関しては、今回実施例でＡＬ−
２０６１（日本合成ゴム）及びＳＥ７３１１（日産化
学）を用い１８０°にて焼成を行ったが、同じポリイミ
ド骨格を有する他の配向膜を用い、１８０°C以外の温
度にて焼成を行った場合についてもほぼ同様の効果が確
認された。
例においては、ＰＣＨ系液晶を用いたが、その他の液晶
系でも（例えばビフェニル系、フッ素系）でも同様の効
果が得られた。配向膜に関しては、今回実施例でＡＬ−
２０６１（日本合成ゴム）及びＳＥ７３１１（日産化
学）を用い１８０°にて焼成を行ったが、同じポリイミ
ド骨格を有する他の配向膜を用い、１８０°C以外の温
度にて焼成を行った場合についてもほぼ同様の効果が確
認された。
【００２８】また、液晶のねじれ角においても、上記実
施例においては９０°にて実験を行ったが７５°≦φ≦
１０５°においても同様の効果を確認している。さら
に、実施例においては、図４に示したような駆動波形を
用いて実験を行ったが、回路による実際の駆動波形を含
め、他の駆動波形でも同様の効果が得られた。ラビング
方向については、今回の実施例においては、ソースバス
ラインに対して４５°にてラビングを行ったが、ソース
バスラインに対して４０°以上５０°以下で本発明によ
り特に大きなドメイン抑制効果が確認されるが、他のラ
ビング方向においても同様の効果が得られることを確認
している。
施例においては９０°にて実験を行ったが７５°≦φ≦
１０５°においても同様の効果を確認している。さら
に、実施例においては、図４に示したような駆動波形を
用いて実験を行ったが、回路による実際の駆動波形を含
め、他の駆動波形でも同様の効果が得られた。ラビング
方向については、今回の実施例においては、ソースバス
ラインに対して４５°にてラビングを行ったが、ソース
バスラインに対して４０°以上５０°以下で本発明によ
り特に大きなドメイン抑制効果が確認されるが、他のラ
ビング方向においても同様の効果が得られることを確認
している。
【００２９】
【発明の効果】この発明のＴＮ型液晶表示素子によれ
ば、駆動時のドメインの発生が抑制され、ことにアクテ
ィブマトリックス駆動方式において問題となるドメイン
発生によるコントラストの低下を防止又は著しく抑制す
ることが可能となる。そしてこれにより、特に高精細絵
素ピッチの（１０μｍピッチ以上１００μｍピッチ以
下）ＴＮ型液晶表示素子において、特に大きなコントラ
スト向上効果及びカラーフィルタを具備するカラーＴＮ
型液晶表示素子においては、大きな色再現性改善効果を
得ることができる。
ば、駆動時のドメインの発生が抑制され、ことにアクテ
ィブマトリックス駆動方式において問題となるドメイン
発生によるコントラストの低下を防止又は著しく抑制す
ることが可能となる。そしてこれにより、特に高精細絵
素ピッチの（１０μｍピッチ以上１００μｍピッチ以
下）ＴＮ型液晶表示素子において、特に大きなコントラ
スト向上効果及びカラーフィルタを具備するカラーＴＮ
型液晶表示素子においては、大きな色再現性改善効果を
得ることができる。
【図１】アクティブマトリックス方式ＴＮ型液晶表示素
子の一例を示す模式的平面図である。
子の一例を示す模式的平面図である。
【図２】同じく模式的断面図である。
【図３】液晶配向の乱れによるドメインの発生状態を示
す模式的平面図である。
す模式的平面図である。
【図４】実施例で用いた駆動波形図である。
１ ガラス基板 ２ ポリイミド系配向膜 ３ 絵素電極 ４ 絶縁膜 ５ ＴＮ液晶層 ６ ゲートバスライン ７ ａ−Ｓｉ膜 ８ ｎ+型ａ−Ｓｉ膜 ９ ソースバスライン １０ ドレイン電極 １１ エッチング・ストッパ ｗ ドメイン
Claims (4)
- 【請求項１】 配向膜を有する一対の基板間に、ネマチ
ック型液晶をねじれ角φが、７５°≦φ≦１０５°とな
るようにねじれ配向させてなるＴＮ型液晶表示素子にお
いて、 上記ネマチック型液晶中に、該ネマチック型液
晶が下記ヘリカルピッチｐ φ／３６０−０.１５≦ｄ／ｐ≦φ／３６０＋０.２ （式中、ｄは液晶層厚）となるように光学活性化合物が
添加されてなることを特徴とするＴＮ型液晶表示素子。 - 【請求項２】 アクティブマトリックス駆動方式である
請求項１の液晶表示素子。 - 【請求項３】 表示絵素ピッチが１０μｍ以上かつ１０
０μｍ以下である請求項２の液晶表示素子。 - 【請求項４】 カラーフィルタをさらに具備してなる請
求項２又は３の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3113396A JPH0540281A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Ｔｎ型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3113396A JPH0540281A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Ｔｎ型液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0540281A true JPH0540281A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=14611244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3113396A Pending JPH0540281A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Ｔｎ型液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0540281A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08292454A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Nec Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| WO1997029167A1 (fr) * | 1996-02-09 | 1997-08-14 | Chisso Corporation | Composition de cristaux liquides et element d'affichage associe |
| JP2002268095A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Santekku:Kk | 液晶表示装置 |
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| JPS58120955A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-19 | 株式会社昭和陶園 | タイルを敷き詰めた面に明所と暗所を形成するタイル |
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1991
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