JPH0539238A - 高純度ビスフエノールａの分離方法 - Google Patents
高純度ビスフエノールａの分離方法Info
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- JPH0539238A JPH0539238A JP3219163A JP21916391A JPH0539238A JP H0539238 A JPH0539238 A JP H0539238A JP 3219163 A JP3219163 A JP 3219163A JP 21916391 A JP21916391 A JP 21916391A JP H0539238 A JPH0539238 A JP H0539238A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶アダクトから色相にすぐれた高純度ビス
フェノールＡを分離する方法を提供する。 【構成】 ビスフェノールＡとフェノールとの結晶アダ
クトを、溶融装置及び蒸発装置を含む装置系に供給し、
該溶融装置において結晶アダクトを溶融し、該蒸発装置
において結晶アダクト溶融液を蒸発処理してビスフェノ
ールＡとフェノールを相互に分離する方法において、該
装置系に含まれる少なくとも前記溶融装置及び蒸発装置
内壁面に付着する酸素量を、有機溶剤洗浄により、内壁
面１ｍ2当り１０ミリモル以下に除去した後、結晶アダ
クトを前記装置系に供給し、溶融及び蒸発処理すること
を特徴とする高純度ビスフェノールＡの分離方法。
フェノールＡを分離する方法を提供する。 【構成】 ビスフェノールＡとフェノールとの結晶アダ
クトを、溶融装置及び蒸発装置を含む装置系に供給し、
該溶融装置において結晶アダクトを溶融し、該蒸発装置
において結晶アダクト溶融液を蒸発処理してビスフェノ
ールＡとフェノールを相互に分離する方法において、該
装置系に含まれる少なくとも前記溶融装置及び蒸発装置
内壁面に付着する酸素量を、有機溶剤洗浄により、内壁
面１ｍ2当り１０ミリモル以下に除去した後、結晶アダ
クトを前記装置系に供給し、溶融及び蒸発処理すること
を特徴とする高純度ビスフェノールＡの分離方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビスフェノールＡとフ
ェノールとの結晶アダクトから高純度かつ色相にすぐれ
たビスフェノールＡを分離する方法に関する。ビスフェ
ノールＡはポリカーボネート樹脂やエポキシ樹脂の原料
であり、近年は、特に光学用途に適した無色透明かつ高
純度のビスフェノールＡの需要が著しく増加している。
ェノールとの結晶アダクトから高純度かつ色相にすぐれ
たビスフェノールＡを分離する方法に関する。ビスフェ
ノールＡはポリカーボネート樹脂やエポキシ樹脂の原料
であり、近年は、特に光学用途に適した無色透明かつ高
純度のビスフェノールＡの需要が著しく増加している。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】ビスフェノールＡ〔２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を製造す
るために、酸触媒の存在下、過剰のフェノールにアセト
ンを反応させることは知られている。また、この反応生
成物から高純度ビスフェノールＡを分離回収するため
に、反応生成物を冷却してビスフェノールＡとフェノー
ルとの結晶アダクト（以下、単に結晶アダクトとも言
う）を晶出させ、得られたアダクト結晶からフェノール
を除去すことも知られている。一方、結晶アダクトから
フェノールを分離するために、結晶アダクトを９０〜１
２０℃で溶融し、溶融液を１８０℃より上の温度及び減
圧下で蒸発処理し、得られた蒸気を分別凝縮してビスフ
ェノールＡとフェノールとの分離する方法は知られてい
る（特公昭５２−４２７９０号）。このような結晶アダ
クトからフェノールを分離する方法において、得られる
ビスフェノールＡの純度は、結晶アダクト自体の純度及
びフェノール除去率に依存することはもちろんである
が、これらの点を改良したとしても、得られる製品ビス
フェノールＡに対する少量の着色原因物質の混入を防止
できないため、製品ビスフェノールＡの色相が悪化する
という問題があった。そして、この色相悪化（着色）の
問題は、その着色原因物質が結晶アダクトの溶融及びそ
の溶融液の蒸発処理に際しての加熱に起因して生じるこ
とから、加熱処理を用いる限り、不可避的なものと考え
られていた。
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を製造す
るために、酸触媒の存在下、過剰のフェノールにアセト
ンを反応させることは知られている。また、この反応生
成物から高純度ビスフェノールＡを分離回収するため
に、反応生成物を冷却してビスフェノールＡとフェノー
ルとの結晶アダクト（以下、単に結晶アダクトとも言
う）を晶出させ、得られたアダクト結晶からフェノール
を除去すことも知られている。一方、結晶アダクトから
フェノールを分離するために、結晶アダクトを９０〜１
２０℃で溶融し、溶融液を１８０℃より上の温度及び減
圧下で蒸発処理し、得られた蒸気を分別凝縮してビスフ
ェノールＡとフェノールとの分離する方法は知られてい
る（特公昭５２−４２７９０号）。このような結晶アダ
クトからフェノールを分離する方法において、得られる
ビスフェノールＡの純度は、結晶アダクト自体の純度及
びフェノール除去率に依存することはもちろんである
が、これらの点を改良したとしても、得られる製品ビス
フェノールＡに対する少量の着色原因物質の混入を防止
できないため、製品ビスフェノールＡの色相が悪化する
という問題があった。そして、この色相悪化（着色）の
問題は、その着色原因物質が結晶アダクトの溶融及びそ
の溶融液の蒸発処理に際しての加熱に起因して生じるこ
とから、加熱処理を用いる限り、不可避的なものと考え
られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
見られる前記問題を解決し、結晶アダクトから色相にす
ぐれた高純度ビスフェノールＡを分離する方法を提供す
ることをその課題とする。
見られる前記問題を解決し、結晶アダクトから色相にす
ぐれた高純度ビスフェノールＡを分離する方法を提供す
ることをその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ビスフェノールＡ
に混入する着色原因物質の量は、結晶アダクトの溶融槽
及び蒸発装置内の内壁面を構成する材質の表面に付着す
る酸素を除去することにより、著しく低減させ得ること
を見出し、本発明を完成するに至った。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ビスフェノールＡ
に混入する着色原因物質の量は、結晶アダクトの溶融槽
及び蒸発装置内の内壁面を構成する材質の表面に付着す
る酸素を除去することにより、著しく低減させ得ること
を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００５】即ち、本発明によれば、ビスフェノールＡ
とフェノールとの結晶アダクトを、溶融装置及び蒸発装
置を含む装置系に供給し、該溶融装置において結晶アダ
クトを溶融し、該蒸発装置において結晶アダクト溶融液
を蒸発処理してビスフェノールＡとフェノールを相互に
分離する方法において、該装置系に含まれる少なくとも
前記溶融装置及び蒸発装置内壁面に付着する酸素量を、
有機溶剤洗浄により、内壁面１ｍ2当り１０ミリモル以
下に除去した後、結晶アダクトを前記装置系に供給し、
溶融及び蒸発処理することを特徴とする高純度ビスフェ
ノールＡの分離方法が提供される。
とフェノールとの結晶アダクトを、溶融装置及び蒸発装
置を含む装置系に供給し、該溶融装置において結晶アダ
クトを溶融し、該蒸発装置において結晶アダクト溶融液
を蒸発処理してビスフェノールＡとフェノールを相互に
分離する方法において、該装置系に含まれる少なくとも
前記溶融装置及び蒸発装置内壁面に付着する酸素量を、
有機溶剤洗浄により、内壁面１ｍ2当り１０ミリモル以
下に除去した後、結晶アダクトを前記装置系に供給し、
溶融及び蒸発処理することを特徴とする高純度ビスフェ
ノールＡの分離方法が提供される。
【０００６】本発明において用いるビスフェノールＡと
フェノールの結晶アダクトは、従来公知の方法によって
製造される。即ち、過剰のフェノールとアセトンとを酸
触媒の存在下で反応させてビスフェノールＡを含む反応
生成物を得たのち、この反応生成物を晶析処理すること
によって、ビスフェノールＡとフェノールとの結晶アダ
クトを得ることができる。このようにして得られる結晶
アダクトは、その純度を高めるために、フェノールを用
いる洗浄処理を施すのが好ましい。本発明者らは、結晶
アダクトの洗浄に適したフェノールを得るための工業用
フェノール精製法について鋭意研究を重ねた結果、工業
用フェノールを強酸型イオン交換樹脂と接触させた後、
蒸留処理して得られる精製フェノールは、製品ビスフェ
ノールＡの着色原因物質を含まず、この精製フェノール
を用いて結晶アダクトを洗浄し、洗浄された結晶アダク
トからフェノールを除去して得られる製品ビスフェノー
ルＡは、色相の極めてすぐれたものであることを見出し
た。前記工業用フェノールとしては、市販品を用いるこ
とができ、一般的には、フェノール純度９９．５重量％
以上のもの好ましくは９９．９３重量％以上のものであ
ればよい。以下において、この工業用フェノールの精製
について詳述する。
フェノールの結晶アダクトは、従来公知の方法によって
製造される。即ち、過剰のフェノールとアセトンとを酸
触媒の存在下で反応させてビスフェノールＡを含む反応
生成物を得たのち、この反応生成物を晶析処理すること
によって、ビスフェノールＡとフェノールとの結晶アダ
クトを得ることができる。このようにして得られる結晶
アダクトは、その純度を高めるために、フェノールを用
いる洗浄処理を施すのが好ましい。本発明者らは、結晶
アダクトの洗浄に適したフェノールを得るための工業用
フェノール精製法について鋭意研究を重ねた結果、工業
用フェノールを強酸型イオン交換樹脂と接触させた後、
蒸留処理して得られる精製フェノールは、製品ビスフェ
ノールＡの着色原因物質を含まず、この精製フェノール
を用いて結晶アダクトを洗浄し、洗浄された結晶アダク
トからフェノールを除去して得られる製品ビスフェノー
ルＡは、色相の極めてすぐれたものであることを見出し
た。前記工業用フェノールとしては、市販品を用いるこ
とができ、一般的には、フェノール純度９９．５重量％
以上のもの好ましくは９９．９３重量％以上のものであ
ればよい。以下において、この工業用フェノールの精製
について詳述する。
【０００７】工業用フェノールの処理に用いる強酸型イ
オン交換樹脂としては、スルホン基を有するものが用い
られ、このような強酸型イオン交換樹脂は、従来良く知
られているものである。例えば、日本アンドハース社か
ら入手し得るアンバーライト及びアンバーリストや、三
菱化成社から入手し得るダイヤイオン等のゲル型のもの
を好ましく用いることができる。この強酸型イオン交換
樹脂を用いるフェノールの処理は、強酸型イオン交換樹
脂を含む充填塔にフェノールを流通させる方法や、強酸
型イオン交換樹脂を入れた撹拌槽にフェノールを入れて
撹拌する方法等により実施することができる。処理温度
は４５〜１５０、好ましくは５０〜８０℃である。強酸
型イオン交換樹脂とフェノールの接触時間は、５〜２０
０分、好ましくは１５〜６０分程度である。この強酸型
イオン交換樹脂を用いてフェノールの処理を行う場合、
フェノール中の水分は、０．５重量％以下、好ましくは
０．１重量％以下にする。これより水分が多くなると、
強酸型イオン交換樹脂による不純物除去効果が悪化す
る。フェノール中からの０．５重量％以下までの水分の
除去は、フェノール中に公知の共沸剤を加え共沸させる
ことによって行うことができる。
オン交換樹脂としては、スルホン基を有するものが用い
られ、このような強酸型イオン交換樹脂は、従来良く知
られているものである。例えば、日本アンドハース社か
ら入手し得るアンバーライト及びアンバーリストや、三
菱化成社から入手し得るダイヤイオン等のゲル型のもの
を好ましく用いることができる。この強酸型イオン交換
樹脂を用いるフェノールの処理は、強酸型イオン交換樹
脂を含む充填塔にフェノールを流通させる方法や、強酸
型イオン交換樹脂を入れた撹拌槽にフェノールを入れて
撹拌する方法等により実施することができる。処理温度
は４５〜１５０、好ましくは５０〜８０℃である。強酸
型イオン交換樹脂とフェノールの接触時間は、５〜２０
０分、好ましくは１５〜６０分程度である。この強酸型
イオン交換樹脂を用いてフェノールの処理を行う場合、
フェノール中の水分は、０．５重量％以下、好ましくは
０．１重量％以下にする。これより水分が多くなると、
強酸型イオン交換樹脂による不純物除去効果が悪化す
る。フェノール中からの０．５重量％以下までの水分の
除去は、フェノール中に公知の共沸剤を加え共沸させる
ことによって行うことができる。
【０００８】前記強酸型イオン交換樹脂と接触処理され
たフェノールは、高沸点不純物を含むもので、蒸留処理
することにより、その高沸点不純物を蒸留残渣として分
離する。蒸留装置は、通常の充填塔、棚段塔あるいは薄
膜型蒸発器等を単独又は組合せて用いることができる。
この蒸発装置の運転条件はフェノールと高沸点不純物が
分離できればよいが、留出フェノール中に高沸点不純物
が混入しない条件で行う必要があり、留意すべきポイン
トとして蒸留処理温度を１８０℃以下にすることであ
る。１８５℃以下の温度であれば運転圧力は任意に設定
されるが、通常５０Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの減圧下
で行われる。運転温度が１８５℃をこえると高沸点不純
物等の分解がおこり精製フェノールの品質を低下させる
ので好ましくない。前記処理によって得られた精製フェ
ノールは、ＡＰＨＡ基準の色相が１０以下のものであ
り、製品ビスフェノールに付着しても、その色相を特に
悪化させることはない。
たフェノールは、高沸点不純物を含むもので、蒸留処理
することにより、その高沸点不純物を蒸留残渣として分
離する。蒸留装置は、通常の充填塔、棚段塔あるいは薄
膜型蒸発器等を単独又は組合せて用いることができる。
この蒸発装置の運転条件はフェノールと高沸点不純物が
分離できればよいが、留出フェノール中に高沸点不純物
が混入しない条件で行う必要があり、留意すべきポイン
トとして蒸留処理温度を１８０℃以下にすることであ
る。１８５℃以下の温度であれば運転圧力は任意に設定
されるが、通常５０Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの減圧下
で行われる。運転温度が１８５℃をこえると高沸点不純
物等の分解がおこり精製フェノールの品質を低下させる
ので好ましくない。前記処理によって得られた精製フェ
ノールは、ＡＰＨＡ基準の色相が１０以下のものであ
り、製品ビスフェノールに付着しても、その色相を特に
悪化させることはない。
【０００９】精製フェノールによる結晶アダクトの洗浄
は、結晶アダクトと精製フェノールとの接触を充分に達
し得る方法であればよい。この洗浄処理は、例えば、結
晶アダクトを分離するための濾過機や遠心分離機等の固
液分離装置の中で、母液を結晶アダクトから除去した
後、精製フェノールをその固液分離装置内に導入して洗
浄する方法や、固液分離装置から排出される少量の母液
が付着する結晶アダクトを、別の撹拌槽において精製フ
ェノールにより洗浄することもできる。結晶アダクトに
対する精製フェノールの使用割合は、結晶アダクト１０
０重量部に対して、３０〜１０００重量部、好ましくは
１００〜３００重量部の割合である。結晶アダクトの洗
浄に用いられた後の精製フェノールは、そのまま又は前
段の晶析工程で得られる粗製結晶アダクトの洗浄に用い
た後、ビスフェノールＡの合成反応工程における原料フ
ェノールとして循環使用される。
は、結晶アダクトと精製フェノールとの接触を充分に達
し得る方法であればよい。この洗浄処理は、例えば、結
晶アダクトを分離するための濾過機や遠心分離機等の固
液分離装置の中で、母液を結晶アダクトから除去した
後、精製フェノールをその固液分離装置内に導入して洗
浄する方法や、固液分離装置から排出される少量の母液
が付着する結晶アダクトを、別の撹拌槽において精製フ
ェノールにより洗浄することもできる。結晶アダクトに
対する精製フェノールの使用割合は、結晶アダクト１０
０重量部に対して、３０〜１０００重量部、好ましくは
１００〜３００重量部の割合である。結晶アダクトの洗
浄に用いられた後の精製フェノールは、そのまま又は前
段の晶析工程で得られる粗製結晶アダクトの洗浄に用い
た後、ビスフェノールＡの合成反応工程における原料フ
ェノールとして循環使用される。
【００１０】前記のようにして得られた結晶アダクト
は、これを、溶融装置及び蒸発装置を含む結晶アダクト
からのフェノール除去装置系を用いて処理するが、本発
明においては、その処理に先立ち、あらかじめ、フェノ
ール除去装置に含まれる少なくともその溶融装置及び蒸
発装置の内壁面を構成する材質の表面に付着する酸素除
去処理を施す。前記溶融装置及び蒸発装置の内壁面は、
金属材質、通常、ステンレススチール、例えば、ＳＵＳ
３０４、ＳＵＳ３１６、３１６Ｌ等で形成され、その表
面には、通常、１ｍ2当り３０〜６０ミリモル程度の酸
素が付着結合している。この酸素量は種々の方法によっ
て測定することができる。たとえば試験片によって洗浄
条件と、表面エッチングによって深さが測定された表面
付着結合酸素量との相関をもとめて推定する方法もある
が、表面付着結合酸素量と洗浄フェノールの着色の関係
からも測定できる。また他の洗浄液の場合にもその着色
と表面付着結合酸素量の相関を予め求めておいてそれを
測定方法とすることができる。たとえば、フェノールの
着色は酸素百万分の１重量部に対して６ＡＰＨＡとな
り、この測定の相関として用いることができる。本発明
者らの研究によれば、それら溶融装置及び蒸発装置は、
あらかじめその内壁表面に付着する酸素を除去して使用
する時には、結晶アダクトの溶融や溶融液の蒸発処理に
おける加熱により生じる着色原因物質の生成を著しく抑
制することができ、色相の良好な製品ビスフェノールが
得られることが見出された。
は、これを、溶融装置及び蒸発装置を含む結晶アダクト
からのフェノール除去装置系を用いて処理するが、本発
明においては、その処理に先立ち、あらかじめ、フェノ
ール除去装置に含まれる少なくともその溶融装置及び蒸
発装置の内壁面を構成する材質の表面に付着する酸素除
去処理を施す。前記溶融装置及び蒸発装置の内壁面は、
金属材質、通常、ステンレススチール、例えば、ＳＵＳ
３０４、ＳＵＳ３１６、３１６Ｌ等で形成され、その表
面には、通常、１ｍ2当り３０〜６０ミリモル程度の酸
素が付着結合している。この酸素量は種々の方法によっ
て測定することができる。たとえば試験片によって洗浄
条件と、表面エッチングによって深さが測定された表面
付着結合酸素量との相関をもとめて推定する方法もある
が、表面付着結合酸素量と洗浄フェノールの着色の関係
からも測定できる。また他の洗浄液の場合にもその着色
と表面付着結合酸素量の相関を予め求めておいてそれを
測定方法とすることができる。たとえば、フェノールの
着色は酸素百万分の１重量部に対して６ＡＰＨＡとな
り、この測定の相関として用いることができる。本発明
者らの研究によれば、それら溶融装置及び蒸発装置は、
あらかじめその内壁表面に付着する酸素を除去して使用
する時には、結晶アダクトの溶融や溶融液の蒸発処理に
おける加熱により生じる着色原因物質の生成を著しく抑
制することができ、色相の良好な製品ビスフェノールが
得られることが見出された。
【００１１】溶融装置及び蒸発装置の内壁面からの酸素
除去は、内壁面を有機溶剤を用いて洗浄処理することに
よって行うことができる。有機溶剤としては、フェノー
ル又はビスフェノールＡ、フェノールとビスフェノール
Ａの混合物等を用いることができる。洗浄処理温度は、
１００〜２００℃、好ましくは１２０〜１８５℃であ
る。洗浄に際しての雰囲気としては、窒素ガスや窒素ガ
スやアルゴンガス、脱ガススチーム等の非酸化性ガス雰
囲気や、減圧雰囲気が用いられ、その雰囲気中酸素濃度
は０．０１ｖｏｌ％以下、好ましくは０．００５ｖｏｌ
％以下、更に好ましくは０．００１ｖｏｌ％以下であ
る。有機溶剤による内壁面の洗浄は、内壁面に対し、ス
プレーノズルを介して有機溶剤を噴射させることによっ
て行うことができる。有機溶剤による洗浄後には、溶融
装置及び蒸発装置の底部に滞留する有機溶剤を排出し、
必要に応じ、内部を乾燥処理する。なお、気相の酸素濃
度の測定には通常のガスクロマトグラフィー法あるいは
電気化学法による微量酸素分析計などを利用することが
できる。
除去は、内壁面を有機溶剤を用いて洗浄処理することに
よって行うことができる。有機溶剤としては、フェノー
ル又はビスフェノールＡ、フェノールとビスフェノール
Ａの混合物等を用いることができる。洗浄処理温度は、
１００〜２００℃、好ましくは１２０〜１８５℃であ
る。洗浄に際しての雰囲気としては、窒素ガスや窒素ガ
スやアルゴンガス、脱ガススチーム等の非酸化性ガス雰
囲気や、減圧雰囲気が用いられ、その雰囲気中酸素濃度
は０．０１ｖｏｌ％以下、好ましくは０．００５ｖｏｌ
％以下、更に好ましくは０．００１ｖｏｌ％以下であ
る。有機溶剤による内壁面の洗浄は、内壁面に対し、ス
プレーノズルを介して有機溶剤を噴射させることによっ
て行うことができる。有機溶剤による洗浄後には、溶融
装置及び蒸発装置の底部に滞留する有機溶剤を排出し、
必要に応じ、内部を乾燥処理する。なお、気相の酸素濃
度の測定には通常のガスクロマトグラフィー法あるいは
電気化学法による微量酸素分析計などを利用することが
できる。
【００１２】前記内壁面からの酸素除去処理において
は、その内壁面に付着する酸素量が、内壁面１ｍ2当
り、１０ミリモル以下、好ましくは５ミリモル以下にな
るように行う。溶融装置としては、外壁面に加熱ジャケ
ットを備えた外部加熱方式の密閉型容器や、内部に加熱
コイルを備えた内部加熱方式の密閉型容器等が用いられ
る。蒸発装置としては、蒸留塔や、ストリッピング装
置、遠心薄膜蒸発器等が用いられる。溶融装置と蒸発装
置との間には配管が付設され、蒸発装置には、ビスフェ
ノールＡの排出管が付設されるが、本発明においては、
これらの配管内壁面に対しても、前記と同様にして酸素
除去処理を施すのが好ましい。本発明においては、前記
のようにして、装置系に含まれる少なくとも溶融装置及
び蒸発装置に対してその内壁面に付着する酸素除去処理
を施した後、その装置系に対して結晶アダクトを供給
し、溶融装置で結晶アダクトを溶融し、得られた溶融液
を蒸発装置で蒸発処理して、フェノールを蒸発除去す
る。溶融装置の操作条件としては、温度：１１５〜１８
０℃、好ましくは１２０〜１５０℃、圧力：常圧、酸素
濃度：０．０１ｖｏｌ％以下、好ましくは０．００５ｖ
ｏｌ％以下、更に好ましくは０．００１ｖｏｌ％以下の
条件が採用される。蒸発装置は１段又は多段で用いるこ
とができるが、１段で用いる場合にはその１段の蒸発装
置及び多段で用いる場合にはその最終段の蒸発装置の操
作条件としては、１８０〜２００℃、好ましくは１７０
〜１８５℃、圧力：１〜１００トール、好ましくは５〜
４０トール、雰囲気中酸素濃度：０．００５ｖｏｌ％以
下、好ましくは０．００１ｖｏｌ％以下の条件が採用さ
れる。
は、その内壁面に付着する酸素量が、内壁面１ｍ2当
り、１０ミリモル以下、好ましくは５ミリモル以下にな
るように行う。溶融装置としては、外壁面に加熱ジャケ
ットを備えた外部加熱方式の密閉型容器や、内部に加熱
コイルを備えた内部加熱方式の密閉型容器等が用いられ
る。蒸発装置としては、蒸留塔や、ストリッピング装
置、遠心薄膜蒸発器等が用いられる。溶融装置と蒸発装
置との間には配管が付設され、蒸発装置には、ビスフェ
ノールＡの排出管が付設されるが、本発明においては、
これらの配管内壁面に対しても、前記と同様にして酸素
除去処理を施すのが好ましい。本発明においては、前記
のようにして、装置系に含まれる少なくとも溶融装置及
び蒸発装置に対してその内壁面に付着する酸素除去処理
を施した後、その装置系に対して結晶アダクトを供給
し、溶融装置で結晶アダクトを溶融し、得られた溶融液
を蒸発装置で蒸発処理して、フェノールを蒸発除去す
る。溶融装置の操作条件としては、温度：１１５〜１８
０℃、好ましくは１２０〜１５０℃、圧力：常圧、酸素
濃度：０．０１ｖｏｌ％以下、好ましくは０．００５ｖ
ｏｌ％以下、更に好ましくは０．００１ｖｏｌ％以下の
条件が採用される。蒸発装置は１段又は多段で用いるこ
とができるが、１段で用いる場合にはその１段の蒸発装
置及び多段で用いる場合にはその最終段の蒸発装置の操
作条件としては、１８０〜２００℃、好ましくは１７０
〜１８５℃、圧力：１〜１００トール、好ましくは５〜
４０トール、雰囲気中酸素濃度：０．００５ｖｏｌ％以
下、好ましくは０．００１ｖｏｌ％以下の条件が採用さ
れる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、結晶アダクトの溶融及
びその溶融液の蒸発処理に際しての加熱に起因する着色
原因物質の生成量を著しく抑制させることができ、色相
の良好な高純度ビスフェノールＡを得ることができる。
びその溶融液の蒸発処理に際しての加熱に起因する着色
原因物質の生成量を著しく抑制させることができ、色相
の良好な高純度ビスフェノールＡを得ることができる。
【００１４】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明
する。
する。
【００１５】実施例 溶融装置として、ＳＵＳ３０４製の外部加熱式密閉容器
を用い、蒸発装置として、ＳＵＳ３０４製のストリッピ
ング装置を用いた。溶融装置の上部に結晶アダクト供給
管を付設し、また、その底部には溶融液配管を付設し、
この溶融液配管をストリッピング装置の中間部に連結し
た。また、このストリッピング装置の上部にはフェノー
ル蒸気排出用の配管を付設し、またその底部にはビスフ
ェノールＡの溶融液排出用の配管を付設した。なお、前
記した配管はいずれもＳＵＳ３０４製であった。次に、
前記のようにして構成された装置系において、その溶融
装置の内壁面、ストリッピング装置の内壁面、溶融装置
とストリッピング装置との間の配管、ストリッピング装
置に付設したビスフェノールＡ溶融の液の排出用配管に
対して、以下のようにしてその内壁面を洗浄した。 （１）溶融装置内壁面の洗浄 スプレーノズルを介して、常圧下、１３０℃のフェノー
ル液を内壁面に噴射させて、内壁面を充分に洗浄した
後、１５０℃のフェノール／ビスフェノールＡ混合液
（混合重量比：６５／３５）を噴射させて内壁面を充分
に洗浄した。 （２）ストリッピング装置内壁面の洗浄 常圧下、１３０℃のフェノールを、その装置上部に付設
されたスプレーノズルから流させて装置内中心部の洗浄
を行った後、１３０℃のフェノール次いで１５０℃のフ
ェノール／ビスフェノールＡ混合物（混合重量比＝６５
／３５）により装置壁面が充分濡れるように流通させ
た。次いで、１８０℃、１０トールの条件でフェノール
／ビスフェノールＡ混合物（混合重量比＝６５／３５）
を流通させた。 （３）配管内壁面の洗浄 １３０℃のフェノールを配管内を流通させて洗浄した。
その際、管内壁面に気相が存在しないように注意した。
を用い、蒸発装置として、ＳＵＳ３０４製のストリッピ
ング装置を用いた。溶融装置の上部に結晶アダクト供給
管を付設し、また、その底部には溶融液配管を付設し、
この溶融液配管をストリッピング装置の中間部に連結し
た。また、このストリッピング装置の上部にはフェノー
ル蒸気排出用の配管を付設し、またその底部にはビスフ
ェノールＡの溶融液排出用の配管を付設した。なお、前
記した配管はいずれもＳＵＳ３０４製であった。次に、
前記のようにして構成された装置系において、その溶融
装置の内壁面、ストリッピング装置の内壁面、溶融装置
とストリッピング装置との間の配管、ストリッピング装
置に付設したビスフェノールＡ溶融の液の排出用配管に
対して、以下のようにしてその内壁面を洗浄した。 （１）溶融装置内壁面の洗浄 スプレーノズルを介して、常圧下、１３０℃のフェノー
ル液を内壁面に噴射させて、内壁面を充分に洗浄した
後、１５０℃のフェノール／ビスフェノールＡ混合液
（混合重量比：６５／３５）を噴射させて内壁面を充分
に洗浄した。 （２）ストリッピング装置内壁面の洗浄 常圧下、１３０℃のフェノールを、その装置上部に付設
されたスプレーノズルから流させて装置内中心部の洗浄
を行った後、１３０℃のフェノール次いで１５０℃のフ
ェノール／ビスフェノールＡ混合物（混合重量比＝６５
／３５）により装置壁面が充分濡れるように流通させ
た。次いで、１８０℃、１０トールの条件でフェノール
／ビスフェノールＡ混合物（混合重量比＝６５／３５）
を流通させた。 （３）配管内壁面の洗浄 １３０℃のフェノールを配管内を流通させて洗浄した。
その際、管内壁面に気相が存在しないように注意した。
【００１６】なお、前記の洗浄により、各装置及び配管
の内壁面に付着する酸素量は、内壁面１ｍ2当り５ミリ
モル以下であることが確認された。次に、前記のように
して、結晶アダクトの溶融液及びビスフェノールＡの溶
融液が接触する装置及び配管の内壁面があらかじめ酸素
除去された装置系を用いて、以下のようにして製造した
精製結晶アダクト（溶融色ＡＰＨＡ：５）からフェノー
ルを蒸発除去して、ビスフェノールＡを分離した。 （結晶アダクトの製造）フェノールとアセトンを酸触媒
の存在下で反応させて得られる、溶融色５０ＡＰＨＡで
あるビスフェノールＡ、フェノールおよび不純物の混合
物を晶析して、アダクトを析出させた。このスラリー溶
液を減圧濾過し、後述する方法で得た精製フェノールを
アダクト１重量部に対し２．５重量部を用いて洗浄し、
精製結晶アダクトを得た。なお、上記で使用した精製フ
ェノールは溶融色６ＡＰＨＡのものであり、市販工業用
フェノール（水分濃度０．１ｗｔ％、不純物濃度０．０
５ｗｔ％）をロームアンドハース社製アンバーライトＩ
Ｒ−１１８Ｈ+樹脂を用いて温度８０℃、接触時間５０
分で接触処理し、蒸留塔底温度１７５℃、塔頂圧力５６
０ｔｏｒｒで蒸留して得られたものである。また、前記
における溶融装置及びストリッピング装置の操作条件は
以下の通りである。 （溶融装置） 温度：１３０℃ 圧力：常圧 雰囲気酸素濃度：０．０００５ｖｏｌ％ （ストリッピング装置） 温度：１７５℃ 圧力：１０トール 雰囲気酸素濃度分圧：０．００１５ｖｏｌ％
の内壁面に付着する酸素量は、内壁面１ｍ2当り５ミリ
モル以下であることが確認された。次に、前記のように
して、結晶アダクトの溶融液及びビスフェノールＡの溶
融液が接触する装置及び配管の内壁面があらかじめ酸素
除去された装置系を用いて、以下のようにして製造した
精製結晶アダクト（溶融色ＡＰＨＡ：５）からフェノー
ルを蒸発除去して、ビスフェノールＡを分離した。 （結晶アダクトの製造）フェノールとアセトンを酸触媒
の存在下で反応させて得られる、溶融色５０ＡＰＨＡで
あるビスフェノールＡ、フェノールおよび不純物の混合
物を晶析して、アダクトを析出させた。このスラリー溶
液を減圧濾過し、後述する方法で得た精製フェノールを
アダクト１重量部に対し２．５重量部を用いて洗浄し、
精製結晶アダクトを得た。なお、上記で使用した精製フ
ェノールは溶融色６ＡＰＨＡのものであり、市販工業用
フェノール（水分濃度０．１ｗｔ％、不純物濃度０．０
５ｗｔ％）をロームアンドハース社製アンバーライトＩ
Ｒ−１１８Ｈ+樹脂を用いて温度８０℃、接触時間５０
分で接触処理し、蒸留塔底温度１７５℃、塔頂圧力５６
０ｔｏｒｒで蒸留して得られたものである。また、前記
における溶融装置及びストリッピング装置の操作条件は
以下の通りである。 （溶融装置） 温度：１３０℃ 圧力：常圧 雰囲気酸素濃度：０．０００５ｖｏｌ％ （ストリッピング装置） 温度：１７５℃ 圧力：１０トール 雰囲気酸素濃度分圧：０．００１５ｖｏｌ％
【００１７】比較例１ 実施例１において、溶融装置、ストリッピング装置及び
配管の各内壁を洗浄処理しない以外は同様にして実験を
行った。次に、前記実施例１及び比較例１で得たビスフ
ェノールＡの１７５℃における溶融色を次表にまとめて
示す。
配管の各内壁を洗浄処理しない以外は同様にして実験を
行った。次に、前記実施例１及び比較例１で得たビスフ
ェノールＡの１７５℃における溶融色を次表にまとめて
示す。
【００１８】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 恒男 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 恩田 信博 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 浅岡 佐知夫 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12番 １号 千代田化工建設株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ビスフェノールＡとフェノールとの結晶
アダクトを、溶融装置及び蒸発装置を含む装置系に供給
し、該溶融装置において結晶アダクトを溶融し、該蒸発
装置において結晶アダクト溶融液を蒸発処理してビスフ
ェノールＡとフェノールを相互に分離する方法におい
て、該装置系に含まれる少なくとも前記溶融装置及び蒸
発装置内壁面に付着する酸素量を、有機溶剤洗浄によ
り、内壁面１ｍ2当り１０ミリモル以下に除去した後、
結晶アダクトを前記装置系に供給し、溶融及び蒸発処理
することを特徴とする高純度ビスフェノールＡの分離方
法。 - 【請求項２】 該結晶アダクトとして、工業用フェノー
ルを強酸型イオン交換樹脂と接触させた後、蒸留処理し
て得た精製フェノールで洗浄されたものを用いる請求項
１の方法。
Priority Applications (20)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219163A JP3041547B2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 高純度ビスフェノールａの分離方法 |
| TW81103340A TW252100B (ja) | 1991-07-10 | 1992-04-28 | |
| CN92105365A CN1059428C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 高品位双酚a的制造方法 |
| CNB991038959A CN1167659C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 酚精制、双酚a·酚结晶加合物精制和制法、双酚a制法 |
| CNB991038622A CN1190404C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 含酚化合物、双酚a和蒸汽的解吸气体的冷凝处理方法 |
| CNB991038614A CN1190403C (zh) | 1991-07-10 | 1992-06-30 | 双酚a·酚结晶加合物的晶析装置、制法及其装置 |
| DE69214889T DE69214889T2 (de) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Verfahren zur Herstellung von Bisphenol A |
| EP94203111A EP0643032B1 (en) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Condensation process for recovery of bisphenol A and phenol |
| EP92306380A EP0523931B1 (en) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Process for the production of bisphenol A |
| DE69217393T DE69217393T2 (de) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Kondensationsverfahren zur Rückgewinnung von Bisphenol A und Phenol |
| ES92306380T ES2093788T3 (es) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Procedimiento para la produccion de bisfenol a. |
| ES94203111T ES2097610T3 (es) | 1991-07-16 | 1992-07-10 | Procedimiento de condensacion para recuperacion de bisfenol a y fenol. |
| KR1019920012309A KR100189205B1 (ko) | 1991-07-10 | 1992-07-10 | 비스페놀a. 페놀 결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 a 의 제조방법 |
| US07/912,487 US5324867A (en) | 1991-07-16 | 1992-07-13 | Process for the production of bisphenol A. |
| US08/228,871 US5371304A (en) | 1991-07-16 | 1994-04-18 | Process for the production of bisphenol A |
| US08/229,349 US5382711A (en) | 1991-07-16 | 1994-04-18 | Process for the production of bishenol A |
| US08/229,348 US5382712A (en) | 1991-07-16 | 1994-04-18 | Process for the production of bisphenol A |
| KR1019980044545A KR100190335B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 비스페놀a.페놀결정부가물의정제방법,이결정부가물의제조방법과그를위한정석장치및비스페놀a의제조방법 |
| KR1019980044546A KR100190336B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 비스페놀a.페놀결정부가물의정제방법,이결정부가물의제조방법과그를위한정석장치및비스페놀a의제조방법 |
| KR1019980044544A KR100190334B1 (ko) | 1991-07-10 | 1998-10-23 | 페놀의정제방법, 비스페놀a. 페놀결정 부가물의 정제방법, 이 결정 부가물의 제조방법과 그를 위한 정석 장치 및 비스페놀 a의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219163A JP3041547B2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 高純度ビスフェノールａの分離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0539238A true JPH0539238A (ja) | 1993-02-19 |
| JP3041547B2 JP3041547B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=16731193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3219163A Expired - Lifetime JP3041547B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-08-05 | 高純度ビスフェノールａの分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3041547B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0761947A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-03-07 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ビスフェノールａの製造方法 |
| WO2007046434A1 (ja) | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 色相の良好なビスフェノールａの製造方法 |
-
1991
- 1991-08-05 JP JP3219163A patent/JP3041547B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0761947A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-03-07 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ビスフェノールａの製造方法 |
| WO2007046434A1 (ja) | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 色相の良好なビスフェノールａの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3041547B2 (ja) | 2000-05-15 |
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