JPH0536698A - ウエーハメツキ用治具 - Google Patents
ウエーハメツキ用治具Info
- Publication number
- JPH0536698A JPH0536698A JP19182991A JP19182991A JPH0536698A JP H0536698 A JPH0536698 A JP H0536698A JP 19182991 A JP19182991 A JP 19182991A JP 19182991 A JP19182991 A JP 19182991A JP H0536698 A JPH0536698 A JP H0536698A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plating
- jig
- silicon wafer
- electrode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエーハ面内のウエーハメッキ用治具中に設
けた電極層の近傍と電極層と離れた箇所との間での、電
流密度を均一化させ、バンプ電極高さのウエーハ面内ば
らつきを少なくする。 【構成】 ウエーハメッキ用治具６のウエーハ表面に接
触する側には、電源７とウエーハ表面に設けられたバリ
アメタル層間の導通をとるために、例えば白金等の導電
性の高い電極層８がシリコンウエーハ５の外周部全てに
接触するように埋め込まれている。
けた電極層の近傍と電極層と離れた箇所との間での、電
流密度を均一化させ、バンプ電極高さのウエーハ面内ば
らつきを少なくする。 【構成】 ウエーハメッキ用治具６のウエーハ表面に接
触する側には、電源７とウエーハ表面に設けられたバリ
アメタル層間の導通をとるために、例えば白金等の導電
性の高い電極層８がシリコンウエーハ５の外周部全てに
接触するように埋め込まれている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエーハ上に電解メッ
キ法にてバンプ電極を形成する際に用いるウエーハメッ
キ用治具に関するものである。
キ法にてバンプ電極を形成する際に用いるウエーハメッ
キ用治具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウエーハにバンプ電極を形成する手法の
ひとつとして、電解メッキを施す技術がある。これは、
ウエーハ表面に通電するための２〜３種の金属で形成さ
れたバリアメタル層を設け、写真蝕刻技術にてバンプ電
極を形成する箇所のみを開口させた後、上記バリアメタ
ル層との導通を保ちつつウエーハをウエーハメッキ用治
具で固定し、メッキ液中に浸し、バリアメタル層とメッ
キ液中に設けられた対向電極間に電流を流すことにより
バンプ電極を形成する技術である。
ひとつとして、電解メッキを施す技術がある。これは、
ウエーハ表面に通電するための２〜３種の金属で形成さ
れたバリアメタル層を設け、写真蝕刻技術にてバンプ電
極を形成する箇所のみを開口させた後、上記バリアメタ
ル層との導通を保ちつつウエーハをウエーハメッキ用治
具で固定し、メッキ液中に浸し、バリアメタル層とメッ
キ液中に設けられた対向電極間に電流を流すことにより
バンプ電極を形成する技術である。
【０００３】この電解メッキ法を実施するためのウエー
ハメッキ用治具は、図３に示すように、シリコンウエー
ハ１のオリエンテーションフラット部を、テフロン等の
絶縁物で外形を成し、先端がクリップ状のウエーハメッ
キ用治具２で固定する。この時、ウエーハメッキ用治具
２のウエーハ表面に接触する側には、電源３とウエーハ
表面に設けられたバリアメタル層を接続するために導電
性の高い電極層４（例えば白金等）が埋め込まれてお
り、電極層４の一部分がメッキ用具２から露出してい
る。この露出した電極層４がウエーハ表面のバリアメタ
ル層と完全に接触するように、シリコンウエーハ１をウ
エーハメッキ用治具２で固定する。
ハメッキ用治具は、図３に示すように、シリコンウエー
ハ１のオリエンテーションフラット部を、テフロン等の
絶縁物で外形を成し、先端がクリップ状のウエーハメッ
キ用治具２で固定する。この時、ウエーハメッキ用治具
２のウエーハ表面に接触する側には、電源３とウエーハ
表面に設けられたバリアメタル層を接続するために導電
性の高い電極層４（例えば白金等）が埋め込まれてお
り、電極層４の一部分がメッキ用具２から露出してい
る。この露出した電極層４がウエーハ表面のバリアメタ
ル層と完全に接触するように、シリコンウエーハ１をウ
エーハメッキ用治具２で固定する。
【０００４】次に、シリコンウエーハ１をメッキ液中に
浸す。メッキ液中のシリコンウエーハ１の対面には白金
メッキされたＴｉ等で形成された対向電極が設けられて
いる。この対向電極は、シリコンウエーハ１の外径より
も大きく、一部が電源３に接続されている。
浸す。メッキ液中のシリコンウエーハ１の対面には白金
メッキされたＴｉ等で形成された対向電極が設けられて
いる。この対向電極は、シリコンウエーハ１の外径より
も大きく、一部が電源３に接続されている。
【０００５】さらに、所望の高さのバンプ電極を形成す
るために、シリコンウエーハ１に適切な電流密度（例え
ば０．１〜０．４Ａ／dm2）を与える様に印加電流を調
整し、適切な時間の間電源３を稼動させ、バンプ電極を
形成する。
るために、シリコンウエーハ１に適切な電流密度（例え
ば０．１〜０．４Ａ／dm2）を与える様に印加電流を調
整し、適切な時間の間電源３を稼動させ、バンプ電極を
形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたような従来
の構造では次の問題を生じる。
の構造では次の問題を生じる。
【０００７】（１）ウエーハメッキ用治具は、シリコン
ウエーハの一部分を固定しており、電源に接続された電
極層もシリコンウエーハの一部分のみでウエーハ表面の
バリアメタル層と接触する構造のため、シリコンウエー
ハ内の電極層近傍と電極層と離れた箇所の間で、電流密
度に差違が生じバンプ電極高さのウエーハ面内ばらつき
の原因となる。
ウエーハの一部分を固定しており、電源に接続された電
極層もシリコンウエーハの一部分のみでウエーハ表面の
バリアメタル層と接触する構造のため、シリコンウエー
ハ内の電極層近傍と電極層と離れた箇所の間で、電流密
度に差違が生じバンプ電極高さのウエーハ面内ばらつき
の原因となる。
【０００８】（２）先端がクリップ状のため、電解メッ
キを施す過程において、メッキ液中へのシリコンウエー
ハの脱落という生産上のトラブルや、クリップを稼動す
るバネが使用頻度に応じて劣化を生じ、バネあるいはウ
エーハメッキ用治具自体の交換が必要になるという工程
能率上のデメリットをひきおこしやすくなる。
キを施す過程において、メッキ液中へのシリコンウエー
ハの脱落という生産上のトラブルや、クリップを稼動す
るバネが使用頻度に応じて劣化を生じ、バネあるいはウ
エーハメッキ用治具自体の交換が必要になるという工程
能率上のデメリットをひきおこしやすくなる。
【０００９】本発明はこのような課題を解消したウエー
ハメッキ用治具の提供を目的としている。
ハメッキ用治具の提供を目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のウエーハメッキ用治具では、ウエーハの周囲
の全てに圧接する電極を有している。また、他の発明の
ウエーハメッキ用治具は、ウエーハの周囲に圧接する３
ヶ以上の電極とそれぞれの電極に独立に接続された電源
を有している。
に本発明のウエーハメッキ用治具では、ウエーハの周囲
の全てに圧接する電極を有している。また、他の発明の
ウエーハメッキ用治具は、ウエーハの周囲に圧接する３
ヶ以上の電極とそれぞれの電極に独立に接続された電源
を有している。
【００１１】
【作用】かかる構成にすることにより、シリコンウエー
ハ面内で電流密度の差違が小さくなり、バンプ電極高さ
のウエーハ面内ばらつきが著しく減少する。
ハ面内で電流密度の差違が小さくなり、バンプ電極高さ
のウエーハ面内ばらつきが著しく減少する。
【００１２】
【実施例】図面を参照しながら本発明の第１の実施例を
説明する。
説明する。
【００１３】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例におけるウエーハメッキ用治具の概略を示すものであ
る。シリコンウエーハ５の外周部をウエーハメッキ用治
具６で固定する。このウエーハメッキ用治具６はテフロ
ン等の絶縁物で外形を形成し、又フルリングクランプ構
造を有し、シリコンウエーハ５の外周部全てを固定し、
シリコンウエーハ５の脱落を防止している。又、ウエー
ハメッキ用治具６のウエーハ表面に接触する側には、電
源７とウエーハ表面に設けられたバリアメタル層間の導
通をとるために、例えば、白金等の導電性の高い電極層
８がシリコンウエーハ５の外周部全てに接触するように
埋め込まれている。図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｙ断
面図である。
例におけるウエーハメッキ用治具の概略を示すものであ
る。シリコンウエーハ５の外周部をウエーハメッキ用治
具６で固定する。このウエーハメッキ用治具６はテフロ
ン等の絶縁物で外形を形成し、又フルリングクランプ構
造を有し、シリコンウエーハ５の外周部全てを固定し、
シリコンウエーハ５の脱落を防止している。又、ウエー
ハメッキ用治具６のウエーハ表面に接触する側には、電
源７とウエーハ表面に設けられたバリアメタル層間の導
通をとるために、例えば、白金等の導電性の高い電極層
８がシリコンウエーハ５の外周部全てに接触するように
埋め込まれている。図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｙ断
面図である。
【００１４】このような構造のウエーハメッキ用治具６
で固定したシリコンウエーハ５をメッキ液中に浸し、シ
リコンウエーハ５の表面に設けられたバリアメタル層と
メッキ液中に設けられた対向電極間に０．１〜０．４Ａ
／dm2の範囲内の電流密度になるように印加電流を調整
し、６０分〜１００分程度電源７を稼動し、高さ１５〜
２０μm程度のバンプ電極を形成する。
で固定したシリコンウエーハ５をメッキ液中に浸し、シ
リコンウエーハ５の表面に設けられたバリアメタル層と
メッキ液中に設けられた対向電極間に０．１〜０．４Ａ
／dm2の範囲内の電流密度になるように印加電流を調整
し、６０分〜１００分程度電源７を稼動し、高さ１５〜
２０μm程度のバンプ電極を形成する。
【００１５】本発明の第２の実施例を説明する。図２は
本発明の第２の実施例におけるウエーハメッキ用治具の
概略を示す平面図である。
本発明の第２の実施例におけるウエーハメッキ用治具の
概略を示す平面図である。
【００１６】外形がテフロン等の絶縁物で形成されフル
リングクランプ構造のウエーハメッキ用治具９にてシリ
コンウエーハ１０の外周部を固定する。ウエーハメッキ
用治具９には、ウエーハ表面に設けられたバリアメタル
層と電源１１との導通をとるために、例えば白金等の導
電性の高い電極層１２がシリコンウエーハ１０の外周部
で接触するように、ウエーハメッキ用治具９のウエーハ
表面に接触する側に等間隔で５箇所に埋め込まれてい
る。
リングクランプ構造のウエーハメッキ用治具９にてシリ
コンウエーハ１０の外周部を固定する。ウエーハメッキ
用治具９には、ウエーハ表面に設けられたバリアメタル
層と電源１１との導通をとるために、例えば白金等の導
電性の高い電極層１２がシリコンウエーハ１０の外周部
で接触するように、ウエーハメッキ用治具９のウエーハ
表面に接触する側に等間隔で５箇所に埋め込まれてい
る。
【００１７】５箇所に埋め込まれた電極層１２には、お
のおの独立した電源１１が接続されており、電極層１２
に与える電流を個別に制御できる構造を有している。
のおの独立した電源１１が接続されており、電極層１２
に与える電流を個別に制御できる構造を有している。
【００１８】このように構成したウエーハメッキ用治具
９で固定したシリコンウエーハ１０をメッキ液中に浸
し、シリコンウエーハ１０の表面に設けられたバリアメ
タル層とメッキ液中に設けられた対向電極間に０．１〜
０．４Ａ／dm2の範囲内の電流密度になるようにかつシ
リコンウエーハ１０の面内で電流密度が均一になる様に
個々の電源１１毎に最適印加電流を定め、６０〜１００
分程度電源１１を稼動し、高さ１５〜２０μm程度のバ
ンプ電極を形成する。
９で固定したシリコンウエーハ１０をメッキ液中に浸
し、シリコンウエーハ１０の表面に設けられたバリアメ
タル層とメッキ液中に設けられた対向電極間に０．１〜
０．４Ａ／dm2の範囲内の電流密度になるようにかつシ
リコンウエーハ１０の面内で電流密度が均一になる様に
個々の電源１１毎に最適印加電流を定め、６０〜１００
分程度電源１１を稼動し、高さ１５〜２０μm程度のバ
ンプ電極を形成する。
【００１９】上述の第１，第２の実施例では、シリコン
ウエーハをメッキ液中に浸し、電解メッキを行なう方法
（ディップ方式）を用いたが、メッキ液をシリコンウエ
ーハ表面に噴き付け、電解メッキを行なう方法（噴流カ
ップ方法）を用いても何らさしつかえない。
ウエーハをメッキ液中に浸し、電解メッキを行なう方法
（ディップ方式）を用いたが、メッキ液をシリコンウエ
ーハ表面に噴き付け、電解メッキを行なう方法（噴流カ
ップ方法）を用いても何らさしつかえない。
【００２０】以上のように本実施例によれば、ウエーハ
の外周部全てあるいは外周部の３箇所以上を電極部とす
ることによりバンプ電極高さのウエーハ面内ばらつきを
著しく減少することができる。
の外周部全てあるいは外周部の３箇所以上を電極部とす
ることによりバンプ電極高さのウエーハ面内ばらつきを
著しく減少することができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明のウエーハメッキ用治具は、ウエ
ーハの外周部全て、あるいは外周部の３箇所以上を電極
部としおのおのの独立した電源により適切な電流を与え
電解メッキを行なうことにより、ウエーハ面内での電流
密度の差違が小さく抑えられ、バンプ電極高さのウエー
ハ面内ばらつきを著しく減少できる。
ーハの外周部全て、あるいは外周部の３箇所以上を電極
部としおのおのの独立した電源により適切な電流を与え
電解メッキを行なうことにより、ウエーハ面内での電流
密度の差違が小さく抑えられ、バンプ電極高さのウエー
ハ面内ばらつきを著しく減少できる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例のウエーハメッ
キ用治具の概略平面図 （ｂ）は図（ａ）のＸ−Ｙ断面図
キ用治具の概略平面図 （ｂ）は図（ａ）のＸ−Ｙ断面図
【図２】本発明の第２の実施例のウエーハメッキ用治具
の概略平面図
の概略平面図
【図３】従来のウエーハメッキ用治具の概略平面図
１ シリコンウエーハ
２ ウエーハメッキ用治具
３ 電源
４ 電極層
５ シリコンウエーハ
６ ウエーハメッキ用治具
７ 電源
８ 電極層
９ ウエーハメッキ用治具
１０ シリコンウエーハ
１１ 電源
１２ 電極層
Claims (2)
- 【請求項１】シリコンウエーハに電解メッキを施す際、
シリコンウエーハの周囲全てに圧接される電極を有する
ことを特徴とするウエーハメッキ用治具。 - 【請求項２】シリコンウエーハの周囲に圧接する少なく
とも３箇所以上電極部を有し、おのおのの電極部にそれ
ぞれ独立の電源を有することを特徴とするウエーハメッ
キ用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19182991A JPH0536698A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ウエーハメツキ用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19182991A JPH0536698A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ウエーハメツキ用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536698A true JPH0536698A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16281216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19182991A Pending JPH0536698A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ウエーハメツキ用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536698A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008524847A (ja) * | 2004-12-15 | 2008-07-10 | ラム リサーチ コーポレーション | 電気メッキ処理のためのウエハ支持装置およびその利用方法 |
| JP2008202065A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Materials Corp | 電解メッキ用アノード電極取付構造 |
| JP2009299128A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 電気めっき装置 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP19182991A patent/JPH0536698A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008524847A (ja) * | 2004-12-15 | 2008-07-10 | ラム リサーチ コーポレーション | 電気メッキ処理のためのウエハ支持装置およびその利用方法 |
| JP2008202065A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Materials Corp | 電解メッキ用アノード電極取付構造 |
| JP2009299128A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 電気めっき装置 |
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