JPH0535755B2 - - Google Patents
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- JPH0535755B2 JPH0535755B2 JP60252881A JP25288185A JPH0535755B2 JP H0535755 B2 JPH0535755 B2 JP H0535755B2 JP 60252881 A JP60252881 A JP 60252881A JP 25288185 A JP25288185 A JP 25288185A JP H0535755 B2 JPH0535755 B2 JP H0535755B2
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Production Of Liquid Hydrocarbon Mixture For Refining Petroleum (AREA)
Description
発明の目的
産業上の利用分野
本発明は、脂肪族炭化水素及び/又は脂環式炭
化水素から芳香族炭化水素を製造する方法に関す
るものである。 従来の技術 ゼオライト系の触媒を用いて脂肪族炭化水素留
分から芳香族炭化水素を製造する方法は広く知ら
れているが、触媒の活性及び選択性が経時的に低
下するという問題がある。 ゼオライト系触媒の活性低下原因の一つは、触
媒外表面でのコークの析出及び外表面への高分子
量炭化水素の付着による入口細孔の閉塞にあると
考えられている。 このような現象の原因となるゼオライトの外表
面の酸点を除去する方法として、メタノールから
低級オレフインを合成する反応において、ZSM
−5型ゼオライトをその細孔径よりも大きい分子
径の4−メチルキノリンを用いて外表面の酸点を
被毒する方法[菊地他:石油学会誌25、69
(1982)]が試みられているが、これは可逆的な被
毒方法であり、長時間安定に被毒を維持すること
ができない。 またSiCl4を用いて外表面の酸点(Al)を除く
方法が提案されている(例えば特開昭57−
170816)が、この方法は、外表面にとどまらず細
孔内部の酸点をも除去するために、ゼオライトの
酸量、酸強度が低下する欠点がある。 発明が解決しようとする問題点 本発明は、経時的な活性低下を抑制したゼオラ
イト系の触媒を用いて脂肪族炭化水素及び/又は
脂環式炭化水素から芳香族炭化水素を製造する方
法を提供することを目的とする。 発明の構成 問題点を解決するための手段 本発明に係る芳香族炭化水素の製造方法は、脂
肪族炭化水素及び/又は脂環式炭化水素から芳香
族炭化水素を製造するに当り、ゼオライトの細孔
径より大きい分子径を有する有機シラン化合物で
処理して外表面にSiO2層を設けたゼオライトを
触媒として用いることよりなる。 ゼオライトとしては、SiO2/Al2O3比が2以上
ならばよく、 ZSM−5(細孔径5.3×6.3Å)、 ZSM−11(細孔径5.3×6.3Å)、 Y型ゼオライト(細孔径7.4Å)、 L型ゼオライト(細孔径7.1Å)、 モルデナイト(細孔径6.7×7.0Å)等、又はこ
れらの水素置換体、或いはそれらに周期表第b
族(Zn、Cd)、第b族(Ga、Al、Tl)及び第
族(Ni、Fe、Pt、Rh)の金属元素のうちの少
なくとも1種の金属を担持させたものなど、脂肪
族炭化水素及び/又は脂環式炭化水素の改質によ
り芳香族炭化水素を製造するために一般的に用い
られているゼオライト系触媒が用いられる。 これらのゼオライト系触媒の外表面にSiO2層
を設けるための有機シラン化合物としては、ゼオ
ライトの細孔径より大きい分子径を有するものな
らばいずれでもよく、アルコキシル基またはハロ
ゲン基を有するものなどを用いることでき、特に
下記の一般式 Si(R1)x(R2)y ここで R1:水素、C1〜C5のアルキル基 R2:C1〜C5のアルコキシル基 0≦x≦3、1≦y≦4、x+y=4 又は ここで R3:水素、C1〜C5のアルキル基、アルコキシド
基 R4:C1〜C5のアルコキシド基 n:整数 で示されるものが好ましい。 かかる有機シラン化合物で処理してゼオライト
の外表面にSiO2層を設ける方法としては、 気相法 制御された濃度のシラン含有ガスを室温〜
500℃の温度に加熱したゼオライトに導入し、
シラン処理を施す。次に酸素雰囲気中で300〜
700℃の温度で焼成する。 溶液法 ゼオライトをシラン溶液の中に浸漬した後、
30〜500℃で加熱処理を行う。次に酸素雰囲気
中で300〜700℃の温度で焼成する。 等を用いる。 ゼオライトの外表面に設けるSiO2層の厚さは
0.1〜10層、好ましくは0.1〜5層とするのがよ
い。 0.1層以下では効果が乏しく、10層以上では入
口細孔径が狭くなり、生成物規制により逆に劣化
を促進する。 SiO2担持率とSiO2層数の関係は、ゼオライト
の外表面積:Anm2/g、 SiO2担持率:Bwt%、 ゼオライトのシリカ密度:Cコ/nm2(例えば
ZSM−5ゼオライトの場合8.6コ/nm2) とすると、
化水素から芳香族炭化水素を製造する方法に関す
るものである。 従来の技術 ゼオライト系の触媒を用いて脂肪族炭化水素留
分から芳香族炭化水素を製造する方法は広く知ら
れているが、触媒の活性及び選択性が経時的に低
下するという問題がある。 ゼオライト系触媒の活性低下原因の一つは、触
媒外表面でのコークの析出及び外表面への高分子
量炭化水素の付着による入口細孔の閉塞にあると
考えられている。 このような現象の原因となるゼオライトの外表
面の酸点を除去する方法として、メタノールから
低級オレフインを合成する反応において、ZSM
−5型ゼオライトをその細孔径よりも大きい分子
径の4−メチルキノリンを用いて外表面の酸点を
被毒する方法[菊地他:石油学会誌25、69
(1982)]が試みられているが、これは可逆的な被
毒方法であり、長時間安定に被毒を維持すること
ができない。 またSiCl4を用いて外表面の酸点(Al)を除く
方法が提案されている(例えば特開昭57−
170816)が、この方法は、外表面にとどまらず細
孔内部の酸点をも除去するために、ゼオライトの
酸量、酸強度が低下する欠点がある。 発明が解決しようとする問題点 本発明は、経時的な活性低下を抑制したゼオラ
イト系の触媒を用いて脂肪族炭化水素及び/又は
脂環式炭化水素から芳香族炭化水素を製造する方
法を提供することを目的とする。 発明の構成 問題点を解決するための手段 本発明に係る芳香族炭化水素の製造方法は、脂
肪族炭化水素及び/又は脂環式炭化水素から芳香
族炭化水素を製造するに当り、ゼオライトの細孔
径より大きい分子径を有する有機シラン化合物で
処理して外表面にSiO2層を設けたゼオライトを
触媒として用いることよりなる。 ゼオライトとしては、SiO2/Al2O3比が2以上
ならばよく、 ZSM−5(細孔径5.3×6.3Å)、 ZSM−11(細孔径5.3×6.3Å)、 Y型ゼオライト(細孔径7.4Å)、 L型ゼオライト(細孔径7.1Å)、 モルデナイト(細孔径6.7×7.0Å)等、又はこ
れらの水素置換体、或いはそれらに周期表第b
族(Zn、Cd)、第b族(Ga、Al、Tl)及び第
族(Ni、Fe、Pt、Rh)の金属元素のうちの少
なくとも1種の金属を担持させたものなど、脂肪
族炭化水素及び/又は脂環式炭化水素の改質によ
り芳香族炭化水素を製造するために一般的に用い
られているゼオライト系触媒が用いられる。 これらのゼオライト系触媒の外表面にSiO2層
を設けるための有機シラン化合物としては、ゼオ
ライトの細孔径より大きい分子径を有するものな
らばいずれでもよく、アルコキシル基またはハロ
ゲン基を有するものなどを用いることでき、特に
下記の一般式 Si(R1)x(R2)y ここで R1:水素、C1〜C5のアルキル基 R2:C1〜C5のアルコキシル基 0≦x≦3、1≦y≦4、x+y=4 又は ここで R3:水素、C1〜C5のアルキル基、アルコキシド
基 R4:C1〜C5のアルコキシド基 n:整数 で示されるものが好ましい。 かかる有機シラン化合物で処理してゼオライト
の外表面にSiO2層を設ける方法としては、 気相法 制御された濃度のシラン含有ガスを室温〜
500℃の温度に加熱したゼオライトに導入し、
シラン処理を施す。次に酸素雰囲気中で300〜
700℃の温度で焼成する。 溶液法 ゼオライトをシラン溶液の中に浸漬した後、
30〜500℃で加熱処理を行う。次に酸素雰囲気
中で300〜700℃の温度で焼成する。 等を用いる。 ゼオライトの外表面に設けるSiO2層の厚さは
0.1〜10層、好ましくは0.1〜5層とするのがよ
い。 0.1層以下では効果が乏しく、10層以上では入
口細孔径が狭くなり、生成物規制により逆に劣化
を促進する。 SiO2担持率とSiO2層数の関係は、ゼオライト
の外表面積:Anm2/g、 SiO2担持率:Bwt%、 ゼオライトのシリカ密度:Cコ/nm2(例えば
ZSM−5ゼオライトの場合8.6コ/nm2) とすると、
【表】
子数
で示される。 本発明においては、このようにして、外表面に
SiO2層を設けたゼオライトを触媒として脂肪族
炭化水素及び/又は脂環式炭化水素の改質により
芳香族炭化水素を製造する。 原料とする脂肪族炭化水素及び/又は脂環式炭
化水素としては、C2〜C10の脂脂族炭化水素及
び/又は脂環式炭化水素、即ちパラフイン、オレ
フイン、シクロパラフイン、シクロオレフインな
どのうちの一種または二種以上の混合物が用いら
れる。 反応温度は通常400〜600℃、好ましくは450〜
550℃、反応圧力は常圧〜50Kg/cm2G、好ましく
は常圧〜10Kg/cm2Gで実施する。 触媒調製例 触媒A及びB 外表面積18.1m2/gのHZSM−5型高シリカゼ
オライト(28〜60メツシユ)を後述の比較例1で
用いる触媒Aとする。 前記外表面積18.1m2/gのHZSM−5型高シリ
カゼオライト(触媒A)7.0gを、石英製のマイ
クロバランス内臓型反応装置(内径30mm)のバス
ケツトに充填した後、ヘリウムガスを流通(210
cm/min)しながら450℃に昇温し、重量減少が
なくなるまで処理した。 次に245℃に降温し、ヘリウムガス流路を切換
え、0℃に冷却したSi(OCH3)4溶液の中をバブ
リングさせて、シランを含んだヘリウムガスを反
応装置に導入し、触媒のシラン処理を行つた。シ
ラン処理に伴う重量増加はレコーダーで監視し、
所望の担持率に達したところでシラン含有ヘリウ
ムガスから空気に切換え、500℃に昇温し、同温
度で重量減少が認められなくなる迄焼成した。こ
のようにして得られた触媒のSiO2担持率は2.2wt
%であつた。これはSiO22.1層に相当する。これ
を後述の実施例1で用いる触媒Bとする。 触媒C及びD 外表面積13.8m2/gのNH4ZSM−5型高シリ
カゼオライト30gに、予め蒸留水25c.c.に硝酸亜鉛
2.7gを溶解した水溶液を真空下で含浸した。こ
れを120℃、一昼夜乾燥後、空気中で500℃、3時
間焼成した。 このZn(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼオ
ライトを後述の比較例2で用いる触媒Cとする。 前記Zn(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼオ
ライト(触媒C)7gをマイクロバランス内臓型
反応装置に充填し、前記と同様に前処理した後、
240℃でシラン処理を行い1.2wt%のSiO2を担持
した。これはSiO20.9層に相当する。これを後述
の実施例2で用いる触媒Dとする。 触媒E、F及びG 外表面積4.7m2/gのHZSM−型高シリカゼオ
ライト50gに、蒸留水42c.c.に硝酸亜鉛4.5gを溶
解した水溶液を真空下にて含浸した。これを120
℃、1昼夜乾燥後、空気中で500℃、3時間焼成
して得たZn(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼ
オライトを後述の比較例3で用いる触媒Eとす
る。 このZn(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼオ
ライト(触媒E)7.0gをマイクロバランス内臓
型反応装置に充填し、前記と同様に前処理した後
240℃でシラン処理を行つた。シラン処理の時間
の調整によつてSiO2担持率0.97wt%(SiO22.2層)
と2.07wt%(SiO24.6層)の触媒を得た。前者を
実施例3で用いる触媒F、後者を実施例4で用い
る触媒Gとする。 触媒H、I及びJ 外表面積4.7m2/gのHZSM−5型高シリカゼ
オライト50gに、蒸留水42c.c.に硝酸ガリウム4.3
gを溶解した水溶液を真空下にて含浸した。これ
を120℃、1昼夜乾燥後、空気中で500℃、3時間
焼成して得たGa(1wt%)/HZSM−5型高シリ
カゼオライトを後述の比較例4で用いる触媒Hと
する。 このGa(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼオ
ライト(触媒H)7.0gをマイクロバランス内臓
型反応装置に充填、前記と同様に前処理後245℃
にてシラン処理を行つた。シラン処理の時間の調
整によつてSiO2担持率が1.03wt%(SiO22.3層)
と1.73wt%(SiO23.8層)の触媒を得た。前者を
実施例5で用いる触媒I、後者を実施例6で用い
る触媒Jとする。 実施例1〜6及び比較例1〜4 前記の触媒A〜Jを用いてn−ヘキサンの改質
反応試験を行つた。16〜32メツシユに整粒した触
媒1.8gを内径10mmφの反応器に充填し、空気流
通下で530℃まで昇温、同温度で1時間処理した。
次にn−ヘキサンを4.2c.c./Hrの速度で反応器に
供給し改質反応を行つた。生成物は反応装置と直
結した2台のガスクロマトグラフイーを用いて分
析した。反応成績を第1表に示す。 いずれの触媒も、シラン処理を施すことにより
触媒の寿命は改善される。また芳香族収率もシラ
ン処理ゼオライトの方が高い。
で示される。 本発明においては、このようにして、外表面に
SiO2層を設けたゼオライトを触媒として脂肪族
炭化水素及び/又は脂環式炭化水素の改質により
芳香族炭化水素を製造する。 原料とする脂肪族炭化水素及び/又は脂環式炭
化水素としては、C2〜C10の脂脂族炭化水素及
び/又は脂環式炭化水素、即ちパラフイン、オレ
フイン、シクロパラフイン、シクロオレフインな
どのうちの一種または二種以上の混合物が用いら
れる。 反応温度は通常400〜600℃、好ましくは450〜
550℃、反応圧力は常圧〜50Kg/cm2G、好ましく
は常圧〜10Kg/cm2Gで実施する。 触媒調製例 触媒A及びB 外表面積18.1m2/gのHZSM−5型高シリカゼ
オライト(28〜60メツシユ)を後述の比較例1で
用いる触媒Aとする。 前記外表面積18.1m2/gのHZSM−5型高シリ
カゼオライト(触媒A)7.0gを、石英製のマイ
クロバランス内臓型反応装置(内径30mm)のバス
ケツトに充填した後、ヘリウムガスを流通(210
cm/min)しながら450℃に昇温し、重量減少が
なくなるまで処理した。 次に245℃に降温し、ヘリウムガス流路を切換
え、0℃に冷却したSi(OCH3)4溶液の中をバブ
リングさせて、シランを含んだヘリウムガスを反
応装置に導入し、触媒のシラン処理を行つた。シ
ラン処理に伴う重量増加はレコーダーで監視し、
所望の担持率に達したところでシラン含有ヘリウ
ムガスから空気に切換え、500℃に昇温し、同温
度で重量減少が認められなくなる迄焼成した。こ
のようにして得られた触媒のSiO2担持率は2.2wt
%であつた。これはSiO22.1層に相当する。これ
を後述の実施例1で用いる触媒Bとする。 触媒C及びD 外表面積13.8m2/gのNH4ZSM−5型高シリ
カゼオライト30gに、予め蒸留水25c.c.に硝酸亜鉛
2.7gを溶解した水溶液を真空下で含浸した。こ
れを120℃、一昼夜乾燥後、空気中で500℃、3時
間焼成した。 このZn(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼオ
ライトを後述の比較例2で用いる触媒Cとする。 前記Zn(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼオ
ライト(触媒C)7gをマイクロバランス内臓型
反応装置に充填し、前記と同様に前処理した後、
240℃でシラン処理を行い1.2wt%のSiO2を担持
した。これはSiO20.9層に相当する。これを後述
の実施例2で用いる触媒Dとする。 触媒E、F及びG 外表面積4.7m2/gのHZSM−型高シリカゼオ
ライト50gに、蒸留水42c.c.に硝酸亜鉛4.5gを溶
解した水溶液を真空下にて含浸した。これを120
℃、1昼夜乾燥後、空気中で500℃、3時間焼成
して得たZn(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼ
オライトを後述の比較例3で用いる触媒Eとす
る。 このZn(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼオ
ライト(触媒E)7.0gをマイクロバランス内臓
型反応装置に充填し、前記と同様に前処理した後
240℃でシラン処理を行つた。シラン処理の時間
の調整によつてSiO2担持率0.97wt%(SiO22.2層)
と2.07wt%(SiO24.6層)の触媒を得た。前者を
実施例3で用いる触媒F、後者を実施例4で用い
る触媒Gとする。 触媒H、I及びJ 外表面積4.7m2/gのHZSM−5型高シリカゼ
オライト50gに、蒸留水42c.c.に硝酸ガリウム4.3
gを溶解した水溶液を真空下にて含浸した。これ
を120℃、1昼夜乾燥後、空気中で500℃、3時間
焼成して得たGa(1wt%)/HZSM−5型高シリ
カゼオライトを後述の比較例4で用いる触媒Hと
する。 このGa(1wt%)/HZSM−5型高シリカゼオ
ライト(触媒H)7.0gをマイクロバランス内臓
型反応装置に充填、前記と同様に前処理後245℃
にてシラン処理を行つた。シラン処理の時間の調
整によつてSiO2担持率が1.03wt%(SiO22.3層)
と1.73wt%(SiO23.8層)の触媒を得た。前者を
実施例5で用いる触媒I、後者を実施例6で用い
る触媒Jとする。 実施例1〜6及び比較例1〜4 前記の触媒A〜Jを用いてn−ヘキサンの改質
反応試験を行つた。16〜32メツシユに整粒した触
媒1.8gを内径10mmφの反応器に充填し、空気流
通下で530℃まで昇温、同温度で1時間処理した。
次にn−ヘキサンを4.2c.c./Hrの速度で反応器に
供給し改質反応を行つた。生成物は反応装置と直
結した2台のガスクロマトグラフイーを用いて分
析した。反応成績を第1表に示す。 いずれの触媒も、シラン処理を施すことにより
触媒の寿命は改善される。また芳香族収率もシラ
ン処理ゼオライトの方が高い。
【表】
実施例7及び比較例5
前記の触媒C及び触媒Dを用いて軽質ナフサの
改質反応試験を行つた。 軽質ナフサの組成は、C5パラフイン47.6wt%、
C5ナフテン1.0wt%、C6パラフイン43.2wt%、C6
ナフテン1.8wt%、ベンゼン1.5wt%、C74.9wt%
であつた。 試験方法は実施例1〜6と同じである。反応成
績を第2表に示す。
改質反応試験を行つた。 軽質ナフサの組成は、C5パラフイン47.6wt%、
C5ナフテン1.0wt%、C6パラフイン43.2wt%、C6
ナフテン1.8wt%、ベンゼン1.5wt%、C74.9wt%
であつた。 試験方法は実施例1〜6と同じである。反応成
績を第2表に示す。
【表】
この場合も、シラン処理を施すことにより触媒
の寿命は改善される。また芳香族収率もシラン処
理ゼオライトの方が高い。 発明の効果 本発明方法によりゼオライトの細孔径より大き
い分子径を有する有機シラン化合物で処理して外
表面にSiO2層を設けたゼオライトを触媒として
用いると、脂肪族炭化水素及び/又は脂環式炭化
水素の改質により芳香族炭化水素を製造する際の
触媒の劣化が緩慢で、触媒寿命は改善される。ま
た芳香族収率もシラン処理ゼオライトの方が高
い。
の寿命は改善される。また芳香族収率もシラン処
理ゼオライトの方が高い。 発明の効果 本発明方法によりゼオライトの細孔径より大き
い分子径を有する有機シラン化合物で処理して外
表面にSiO2層を設けたゼオライトを触媒として
用いると、脂肪族炭化水素及び/又は脂環式炭化
水素の改質により芳香族炭化水素を製造する際の
触媒の劣化が緩慢で、触媒寿命は改善される。ま
た芳香族収率もシラン処理ゼオライトの方が高
い。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 脂肪族炭化水素及び/又は脂環式炭化水素の
改質により芳香族炭化水素を製造するに当り、ゼ
オライトの細孔径より大きい分子径を有する有機
シラン化合物で処理して外表面にSiO2層を設け
たゼオライトを触媒として用いることよりなる芳
香族炭化水素の製造方法。 2 ゼオライト外表面のSiO2層が0.1〜10層であ
る特許請求の範囲第1項記載の芳香族炭化水素の
製造方法。 3 ゼオライト外表面のSiO2層が0.1〜5層であ
る特許請求の範囲第2項記載の芳香族炭化水素の
製造法。 4 ゼオライトがZSM−5型ゼオライト、ZSM
−11型ゼオライト、Y型ゼオライト、L型ゼオラ
イト又はモルデナイトである特許請求の範囲第1
項、第2項又は第3項記載の芳香族炭化水素の製
造方法。 5 ゼオライトが、周期表第b族、第b族及
び第族の金属元素のうちの少なくとも1種を担
持したものである特許請求の範囲第4項記載の芳
香族炭化水素の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60252881A JPS62115088A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 芳香族炭化水素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60252881A JPS62115088A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 芳香族炭化水素の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62115088A JPS62115088A (ja) | 1987-05-26 |
JPH0535755B2 true JPH0535755B2 (ja) | 1993-05-27 |
Family
ID=17243459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60252881A Granted JPS62115088A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 芳香族炭化水素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62115088A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07309373A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-28 | Tanaka Shikan Kk | 異形紙管 |
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US6063974A (en) | 1998-04-15 | 2000-05-16 | Phillips Petroleum Company | Silylated water vapor treated zinc or gallium promoted zeolite and use thereof for the conversion of non-aromatic hydrocarbons to olefins and aromatic hydrocarbons |
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FR2894850B1 (fr) * | 2005-12-20 | 2008-02-01 | Inst Francais Du Petrole | Procede de preparation d'un catalyseur contenant une zeolithe modifiee et son utilisation en oligomerisation des olefines legeres |
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JPS59173137A (ja) * | 1983-03-21 | 1984-10-01 | エクソン・リサ−チ・アンドエンジニアリング・カンパニ− | 形状選択触媒用表面変性ゼオライトの製造方法 |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60252881A patent/JPS62115088A/ja active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62115088A (ja) | 1987-05-26 |
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