JPH0534928A - Mask pattern for lift off process - Google Patents
Mask pattern for lift off processInfo
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- JPH0534928A JPH0534928A JP19141391A JP19141391A JPH0534928A JP H0534928 A JPH0534928 A JP H0534928A JP 19141391 A JP19141391 A JP 19141391A JP 19141391 A JP19141391 A JP 19141391A JP H0534928 A JPH0534928 A JP H0534928A
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- pattern
- resist
- lift
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- patterns
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リフトオフプロセスで
パターン加工を行うために使用するマスクパターンに関
し、特に、囲まれたパターンや微細なパターンなどのレ
ジスト剥離が困難な部位を有するリフトオフプロセス用
マスクパターンに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask pattern used for patterning in a lift-off process, and more particularly to a mask for a lift-off process having a portion such as an enclosed pattern or a fine pattern where resist removal is difficult. Regarding patterns.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リフトオフプロセスとは、薄膜エッチン
グ技術の１種で、任意の薄膜パターン加工をフォトリゾ
グラフィ技術及びエッチング技術を用いて行う手法であ
る。図４は、従来のリフトオフプロセスの説明図であ
り、工程（ａ）で、パターン１２を形成したマスク１を
準備し、工程（ｂ）で、感光剤であるレジスト２を塗布
した基板３の表面に上記マスク１を重ねて光を照射し、
パターン１２を転写し、工程（ｃ）で、現像を行って上
記パターン１２に対応するマスク図形の「型」を形成す
る。その際のＡ─Ａ’断面は図のようになる。次いで、
工程（ｄ）で、スパッタ装置等により蒸着膜４を形成す
る。その際のＢ−Ｂ’断面は図のようになる。さらに、
工程（ｅ）で、レジスト剥離液を用いてレジスト２を除
去することにより、蒸着膜４のパターンを形成する。そ
の際のＣ−Ｃ’断面は図のようになる。2. Description of the Related Art A lift-off process is a kind of thin film etching technique and is a technique for performing arbitrary thin film pattern processing by using a photolithography technique and an etching technique. FIG. 4 is an explanatory diagram of a conventional lift-off process. In step (a), a mask 1 having a pattern 12 is prepared, and in step (b), a surface of a substrate 3 coated with a resist 2 as a photosensitizer. The mask 1 is overlaid on the
The pattern 12 is transferred, and in step (c), development is performed to form a “mold” of a mask figure corresponding to the pattern 12. The cross section AA 'at that time is as shown in the figure. Then
In step (d), the vapor deposition film 4 is formed by a sputtering device or the like. The BB ′ cross section at that time is as shown in the figure. further,
In step (e), the resist 2 is removed using a resist stripping solution to form the pattern of the vapor deposition film 4. The CC ′ cross section at that time is as shown in the figure.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図４（ａ）の
ような囲まれたパターンやその他微細なパターンを使用
する場合は、レジスト剥離工程（ｅ）において、レジス
トに対して剥離液を十分に接触させることができず、レ
ジストの剥離を確実に行うことができないという問題が
あった。図５は、レジストの剥離が不十分な例を示した
ものであり、工程（ａ）〜（ｅ）は、図４の（ａ）〜
（ｅ）にそれぞれ対応するところから説明を省略する。
図５の工程（ｅ）及びＣ−Ｃ’断面図より明らかなよう
に、蒸着膜４のパターンに囲まれたレジスト２は、レジ
スト剥離液との接触面積が小さいところから、レジスト
剥離工程において除去されずに残った状態を示したもの
である。However, when the enclosed pattern as shown in FIG. 4 (a) or other fine patterns are used, in the resist stripping step (e), a stripping solution is sufficiently added to the resist. However, there is a problem that the resist cannot be surely peeled off. FIG. 5 shows an example in which the peeling of the resist is insufficient, and steps (a) to (e) are the same as those shown in FIGS.
The description corresponding to (e) will be omitted.
As is clear from the step (e) and the CC ′ cross-sectional view of FIG. 5, the resist 2 surrounded by the pattern of the vapor deposition film 4 has a small contact area with the resist stripping solution, and thus is removed in the resist stripping step. It shows the state that remains without being.
【０００４】そこで，本発明は、上記の問題点を解消
し、囲まれたパターンや微細なパターンなどのレジスト
剥離が困難な部位を有するパターンについても、レジス
トの剥離を容易にし、所定の蒸着膜パターンを形成する
ことのできるリフトオフプロセス用マスクパターンを提
供しようとするものである。Therefore, the present invention solves the above problems and makes it easy to remove the resist even for a pattern having a portion where it is difficult to remove the resist, such as an enclosed pattern or a fine pattern, and a predetermined vapor deposition film is formed. An object of the present invention is to provide a mask pattern for a lift-off process capable of forming a pattern.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、リフトオフプ
ロセスでパターン加工を行うために使用するマスクパタ
ーンにおいて、囲まれたパターンや微細なパターンなど
のレジスト剥離が困難な部位の近傍にダミーパターンを
設けたことを特徴とするリフトオフプロセス用マスクパ
ターンである。According to the present invention, in a mask pattern used for patterning in a lift-off process, a dummy pattern is provided in the vicinity of a portion where resist peeling is difficult such as an enclosed pattern or a fine pattern. It is a mask pattern for a lift-off process characterized by being provided.
【０００６】[0006]
【作用】本発明は、図１のような囲まれたパターンや、
図２のような微細なパターンなどのレジスト剥離が困難
なパターンについて、レジスト剥離が困難な部位の近傍
にダミーパターンを設けることにより、レジストとレジ
スト剥離液との接触面積を大きくしてレジストの剥離を
容易にし、所定の蒸着膜パターンを確実に形成すること
を可能にしたものである。In the present invention, the enclosed pattern as shown in FIG.
For a pattern such as the fine pattern shown in FIG. 2 where resist removal is difficult, a dummy pattern is provided in the vicinity of the site where resist removal is difficult, thereby increasing the contact area between the resist and the resist remover and removing the resist. And makes it possible to reliably form a predetermined vapor deposition film pattern.
【０００７】[0007]
【実施例】図１のパターンにおいては、マスク１１のパ
ターン１２に囲まれた部位の中央にダミーパターン１０
０を設けたものであり、また、図２パターンにおいて
は、マスク２１のパターン２２に挟まれた部位にダミー
パターン１０１を設けたものである。EXAMPLE In the pattern of FIG. 1, a dummy pattern 10 is formed in the center of a portion surrounded by a pattern 12 of a mask 11.
2 is provided, and in the pattern of FIG. 2, the dummy pattern 101 is provided at a portion sandwiched by the patterns 22 of the mask 21.
【０００８】図３は、図１のパターンを用いて蒸着膜パ
ターンを得る手順を示した図であり、各工程は図４の工
程（ａ）〜（ｅ）にそれぞれ対応する。図３の工程
（ａ）で、パターン１２及びダミーパターン１００を形
成したマスク１１を準備し、工程（ｂ）で、感光剤であ
るレジスト２を塗布した基板３の表面に上記マスク１１
を重ねて光を照射し、パターン１２を転写し、工程
（ｃ）で、現像を行って上記パターン１２及びダミーパ
ターン１００に対応するマスク図形の「型」を形成す
る。その際のＡ─Ａ’断面は図のようになる。次いで、
工程（ｄ）で、スパッタ装置等により蒸着膜４を形成す
る。その際のＢ−Ｂ’断面は図のようになる。その際
に、レジスト剥離液が矢印のように蒸着膜４のパターン
周囲のレジスト２に容易に接触することができる。さら
に、工程（ｅ）で、レジスト剥離液を用いてレジスト２
を除去することにより、点線で示したレジスト２を確実
に除去して蒸着膜４のパターンを確実に形成することが
できる。その際のＣ−Ｃ’断面は図のようになる。図２
のパターンについても同様に蒸着膜パターンを形成する
ことができる。FIG. 3 is a diagram showing a procedure for obtaining a vapor deposition film pattern using the pattern of FIG. 1, and each step corresponds to steps (a) to (e) of FIG. 4, respectively. In step (a) of FIG. 3, a mask 11 having a pattern 12 and a dummy pattern 100 formed thereon is prepared, and in step (b), the mask 11 is formed on the surface of a substrate 3 coated with a resist 2 as a photosensitizer.
Are overlapped with each other and irradiated with light to transfer the pattern 12, and in step (c), development is performed to form a “mold” of a mask figure corresponding to the pattern 12 and the dummy pattern 100. The cross section AA 'at that time is as shown in the figure. Then
In step (d), the vapor deposition film 4 is formed by a sputtering device or the like. The BB ′ cross section at that time is as shown in the figure. At that time, the resist stripper can easily contact the resist 2 around the pattern of the vapor deposition film 4 as shown by the arrow. Further, in the step (e), the resist 2 is removed by using a resist stripping solution.
By removing the, the resist 2 shown by the dotted line can be surely removed and the pattern of the vapor deposition film 4 can be surely formed. The CC ′ cross section at that time is as shown in the figure. Figure 2
The vapor deposition film pattern can be similarly formed with respect to the pattern.
【０００９】[0009]
【発明の効果】本発明は、上記の構成を採用することに
より、囲まれたパターンや微細なパターンなどのレジス
ト剥離が困難なパターンについて、レジスト剥離が困難
な部位の近傍にダミーパターンを設けることにより、レ
ジストとレジスト剥離液との接触面積を大きくしてレジ
ストの剥離を容易にし、所定の蒸着膜パターンを確実に
形成することを可能にした。According to the present invention, by adopting the above-mentioned configuration, a dummy pattern is provided in the vicinity of a portion where resist removal is difficult for a pattern such as an enclosed pattern or a fine pattern where resist removal is difficult. As a result, the contact area between the resist and the resist stripping liquid was increased to facilitate the resist stripping, and it was possible to reliably form a predetermined vapor deposition film pattern.
【図１】本発明の実施例であるリフトオフプロセス用マ
スクパターンの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a lift-off process mask pattern according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例であるリフトオフプロセス
用マスクパターンの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a lift-off process mask pattern according to another embodiment of the present invention.
【図３】図１のマスクパターンを使用して蒸着膜パター
ンを得る手順及び各工程の断面を示した図である。FIG. 3 is a diagram showing a procedure of obtaining a vapor deposition film pattern using the mask pattern of FIG. 1 and a cross section of each step.
【図４】従来のマスクパターンを使用して理想的に蒸着
膜パターンを得たときの手順及び各工程の断面を示した
図である。FIG. 4 is a diagram showing a procedure and a cross section of each step when an ideal deposition film pattern is obtained using a conventional mask pattern.
【図５】従来のマスクパターンを使用して現実に蒸着膜
パターンを得たときの手順及び各工程の断面を示した図
であり、レジストの残存する場合を示したものである。FIG. 5 is a diagram showing a procedure and a cross section of each step when actually obtaining a vapor deposition film pattern using a conventional mask pattern, showing a case where a resist remains.
Claims (1)
うために使用するマスクパターンにおいて、囲まれたパ
ターンや微細なパターンなどのレジスト剥離が困難な部
位の近傍にダミーパターンを設けたことを特徴とするリ
フトオフプロセス用マスクパターン。Claim: What is claimed is: 1. In a mask pattern used for patterning in a lift-off process, a dummy pattern is provided in the vicinity of a portion such as an enclosed pattern or a fine pattern where resist removal is difficult. A mask pattern for a lift-off process, which is characterized in that
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19141391A JPH0534928A (en) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Mask pattern for lift off process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19141391A JPH0534928A (en) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Mask pattern for lift off process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534928A true JPH0534928A (en) | 1993-02-12 |
Family
ID=16274199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19141391A Withdrawn JPH0534928A (en) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | Mask pattern for lift off process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0534928A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0818198A (en) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | Production of thin film pattern |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP19141391A patent/JPH0534928A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0818198A (en) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | Production of thin film pattern |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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